CN106292037A - 蓝相液晶阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本发明一种蓝相液晶阵列基板,其包括:纵横交错的栅线和数据线、由栅线和数据线交叉限定的若干个像素区域、与栅线平行设置的共通电极线和温控线、交错设置的像素电极和共通电极、以及均与共通电极线和温控线连接的温控材料区域。本发明制作温控线和温控材料区域,在UV照射期间,通过给温控线输入电信号,使温控线与共通电极线之间形成电压差从而产生电流,高电阻的温控材料产生的热量有效地传导到液晶层中,保证温度均匀性,使蓝相液晶保持稳定,提高产品良率;另外由于温控材料直接集成于液晶基板上,不需要额外的温控设备,可以节省成本。
Description
技术领域
本发明属于蓝相液晶显示技术领域,尤其涉及一种蓝相液晶阵列基板。
技术背景
目前面板技术的两个发展趋势:低功耗和高透过率,低功耗和高透过率均与液晶的响应时间密切相关。现有各向异性液晶的响应时间随着近些年的发展已趋于饱和,很难得到更大的提高,蓝相液晶则呈现出传统液晶所没有的优点:
第一:具有亚毫秒的响应时间,使液晶显示器有可能实现场序彩色显示模式,还可以大大降低动态伪像,而场序彩色显示模式显示器的分辨率和光学效率是常规的3倍;
第二:不需要定向层,可以大大简化制管工艺过程;
第三:暗场时光学上是各向同性的,所以视角大,并且非常对称;
第四:只要液晶盒的厚度大于一定值,其透明度对液晶盒的厚度不敏感,所以特别适于制作大显示屏。
蓝相液晶的广泛应用也存在一些问题,一是温度范围较窄,二是粘度系数较高,不利于液晶的注入。
为了解决这两个问题,在实际应用中,需要对蓝相液晶进行聚合物UV稳定化处理,对相态进行稳定,并通过对液晶加热的方式降低其粘度,以利于液晶的注入。以下为蓝相液晶的成盒过程:
第一步:在第一基板(如阵列基板)上采用封框胶形成框形区域,并进行UV预固化;
第二:在框形区域内滴下聚合物蓝相液晶,滴下温度控制在50℃以上;
第三:第二基板(如彩膜基板)真空贴合;
第四:控制液晶在蓝相温度为38℃-42℃,采用UV光照射,聚合物稳定。
由于蓝相液晶的最大驱动电压和初始透光率均与温度有关,而蓝相液晶的温度范围非常小,所以在聚合物UV稳定化处理过程中,需要有非常精确的温度控制设备。液晶层两侧玻璃热传导系数低,现有的温度控制设备,很难精确的控制液晶层的温度,导致良品率低。
因此,急需一种可以精确控制蓝相液晶温度的方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种保证温度均匀性、提高产品良率的蓝相液晶阵列基板。
本发明一种蓝相液晶阵列基板,其包括:纵横交错的栅线和数据线、由栅线和数据线交叉限定的若干个像素区域、与栅线平行设置的共通电极线和温控线、交错设置的像素电极和共通电极、以及均与共通电极线和温控线连接的温控材料区域。
优选地,所述共通电极线上设有与温控材料区域连接的第一温控材料接触孔,所述温控线上设有与温控材料区域连接的第二温控材料接触孔。
优选地,所述温控材料区域位于上层。
优选地,所述温控材料区域的材料为镁、铝、钼、铬、镍、钨或者合金。
优选地,所述栅线、共通电极线和温控线位于同一层。
优选地,所述像素电极和共通电极位于同一层。
优选地,所述共通电极线上设有与共通电极连接的共通电极线接触孔。
优选地,所述温控材料区域位于上层。
优选地,蓝相液晶阵列基板还包括第一绝缘层,该第一绝缘层覆盖栅线、共通电极线和温控线。
优选地,蓝相液晶阵列基板还包括第二绝缘层,该第二绝缘层覆盖数据线、源电极和漏电极。
本发明制作温控线和温控材料区域,在UV照射期间,通过给温控线输入电信号,使温控线与共通电极线之间形成电压差从而产生电流,高电阻的温控材料产生的热量有效地传导到液晶层中,保证温度均匀性,使蓝相液晶保持稳定,提高产品良率;另外由于温控材料直接集成于液晶基板上,不需要额外的温控设备,可以节省成本。
附图说明
图1为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤一的示意图;
图2为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤二的示意图;
图3为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤三的示意图;
图4为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤四的示意图;
图5为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤五的示意图;
图6为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤六的示意图;
图7为本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤七的示意图。
具体实施方式
本发明属于蓝相液晶显示领域,具体涉及一种可自主加热的蓝相液晶阵列基板及其制造方法。
本发明蓝相液晶阵列基板的制造方法,其包括如下步骤:
第一步:如图1所示,在玻璃基板(图未示)上形成栅线10、与该栅线10连接的栅电极11、共通电极线20、以及温控线30,温控线30设置于栅线10和共通电极线20之间。
共通电极线20和温控线30相邻设置。
栅线10、栅电极11、共通电极线20、以及温控线30的材料均为钛、铝,钼、铬或者其合金。
第二步:如图2所示,在上述第一步的基础上,首先形成第一栅极绝缘层(图未示),再在栅电极11上形成半导体层40。
半导体层40的材料可以为非晶硅、多晶硅、或金属氧化物。
第三步:如图3所示,在上述第二步的基础上,形成数据线50、与数据线50连接的源电极51、以及漏电极52。
数据线50、源电极51、以及漏电极52的材料为钛、铝、钼、铬或者其合金。
第四步,如图4所示,在上述第三步的基础上,形成漏电极接触孔61和多个共通电极线接触孔62。
漏电极接触孔61位于漏电极52上,共通电极线接触孔62位于共通电极线20上。
第五步:如图5所示,在上述第四步的基础上,首先覆盖第二绝缘层(图未示),再形成交替设置的像素电极71和共通电极72。
像素电极71通过漏电极接触孔61与漏电极52连接;共通电极72通过共通电极线接触孔62与共通电极线20连接;像素电极71和共通电极72的材料均为ITO。
第六步:如图6所示,在上述第五步的基础上,形成位于共通电极线20上的第一温控材料接触孔81和位于温控线30上的第二温控材料接触孔82。
第一温控材料接触孔81和第二温控材料接触孔82相对设置。
第七步:如图7所示,在上述第六步的基础上,形成温控材料区域90,温控材料区域90位于共通电极线20和温控线30上方,温控材料区域90通过第一温控材料接触孔81与共通电极线20连接,温控材料区域90通过第二温控材料接触孔82与温控线30连接。
温控材料区域90的材料为镁、铝、钼、铬、镍、钨或者合金。
本发明还揭示一种蓝相液晶阵列基板,其包括纵横交错的栅线10和数据线50、由栅线和数据线交叉限定的若干个像素区域、与栅线10平行设置的共通电极线20和温控线30、交错设置的像素电极71和共通电极72、以及均与共通电极线20和温控线30连接的温控材料区域90。
每个像素区域包括TFT,其中TFT包含半导体层40、源电极52、漏电极51和栅电极11。
栅线10、共通电极线20和温控线30位于同一层;像素电极71和共通电极72位于同一层,像素电极71通过漏电极接触孔61与漏电极52连接,共通电极72通过共通电极线接触孔62与共通电极线20连接;温控材料区域90位于上层,温控材料区域90通过第一温控材料接触孔81与共通电极线20连接,温控材料区域90通过第二温控材料接触孔82与温控线30连接。
蓝相液晶阵列基板还包括第一绝缘层和第二绝缘层,第一绝缘层覆盖栅线10、共通电极线20和温控线30,第二绝缘层覆盖数据线50、源电极51和漏电极52。
本发明制作温控线和温控材料区域,在UV照射期间,通过给温控线输入电信号,使温控线与共通电极线之间形成电压差从而产生电流,高电阻的温控材料产生的热量有效地传导到液晶层中,保证温度均匀性,使蓝相液晶保持稳定,提高产品良率;另外由于温控材料直接集成于液晶基板上,不需要额外的温控设备,可以节省成本。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种等同变换,这些等同变换均属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种蓝相液晶阵列基板,其特征在于:其包括:纵横交错的栅线和数据线、由栅线和数据线交叉限定的若干个像素区域、与栅线平行设置的共通电极线和温控线、交错设置的像素电极和共通电极、以及均与共通电极线和温控线连接的温控材料区域。
2.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板,其特征在于:所述共通电极线上设有与温控材料区域连接的第一温控材料接触孔,所述温控线上设有与温控材料区域连接的第二温控材料接触孔。
3.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板,其特征在于:所述温控材料区域位于上层。
4.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板,其特征在于:所述温控材料区域的材料为镁、铝、钼、铬、镍、钨或者合金。
5.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板,其特征在于:所述栅线、共通电极线和温控线位于同一层。
6.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板,其特征在于:所述像素电极和共通电极位于同一层。
7.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板,其特征在于:所述共通电极线上设有与共通电极连接的共通电极线接触孔。
8.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板,其特征在于:所述温控材料区域位于上层。
9.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板,其特征在于:蓝相液晶阵列基板还包括第一绝缘层,该第一绝缘层覆盖栅线、共通电极线和温控线。
10.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板,其特征在于:蓝相液晶阵列基板还包括第二绝缘层,该第二绝缘层覆盖数据线、源电极和漏电极。
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