CN106287866A - 半导体微波炉的控制方法、装置及半导体微波炉 - Google Patents

半导体微波炉的控制方法、装置及半导体微波炉 Download PDF

Info

Publication number
CN106287866A
CN106287866A CN201610640629.1A CN201610640629A CN106287866A CN 106287866 A CN106287866 A CN 106287866A CN 201610640629 A CN201610640629 A CN 201610640629A CN 106287866 A CN106287866 A CN 106287866A
Authority
CN
China
Prior art keywords
microwave oven
signal source
semiconductor microwave
frequency
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610640629.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106287866B (zh
Inventor
史龙
刘建伟
张斐娜
王轩
刘民勇
孙宁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Midea Group Co Ltd
Guangdong Midea Kitchen Appliances Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Midea Group Co Ltd
Guangdong Midea Kitchen Appliances Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Midea Group Co Ltd, Guangdong Midea Kitchen Appliances Manufacturing Co Ltd filed Critical Midea Group Co Ltd
Priority to CN201610640629.1A priority Critical patent/CN106287866B/zh
Publication of CN106287866A publication Critical patent/CN106287866A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106287866B publication Critical patent/CN106287866B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64Heating using microwaves
    • H05B6/66Circuits
    • H05B6/68Circuits for monitoring or control
    • H05B6/687Circuits for monitoring or control for cooking
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2206/00Aspects relating to heating by electric, magnetic, or electromagnetic fields covered by group H05B6/00
    • H05B2206/04Heating using microwaves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种半导体微波炉的控制方法、装置及半导体微波炉,其中,该方法包括以下步骤:获取半导体微波炉的输出功率和烹饪时间;根据半导体微波炉的输出功率计算对应的半导体微波炉的信号源的功率;每个预设时间间隔采用最优效率算法获取半导体微波炉的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位;在每个预设时间间隔内,根据信号源的功率以及获取的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对半导体微波炉进行加热控制,直至烹饪时间到达。根据本发明的方法,能够提高半导体微波炉功率调节的响应速度和稳定性,并能够进一步提高半导体微波炉的加热效率。

Description

半导体微波炉的控制方法、装置及半导体微波炉
技术领域
本发明涉及厨房电器技术领域,特别涉及一种半导体微波炉的控制方法、一种半导体微波炉的控制装置以及一种半导体微波炉。
背景技术
当前半导体材料在通信行业应用非常广泛,并且使用半导体材料的微波通信技术发展成熟。而使用半导体进行微波加热,和微波通信技术有一定的相似之处。其不同点在于,半导体微波加热需要更大的输出功率。
目前,可通过调整直流电源的输出电压的方法来控制半导体微波炉的输出功率,并能够根据最小驻波比对应的频率对半导体微波炉进行加热控制。然而,直流电源的输出电压受开关电源和外部环境影响,会出现电压波动,影响半导体微波炉输出功率的稳定性,并且,由于直流电源的输出端有大容量的电容进行滤波,导致输出电压变化缓慢,调节功率的响应速度慢。此外,负载在加热过程中,负载的形态很可能会发生变化,例如,可由固态转化为液态等,然后整个腔体中的微波场分布发生变化,此时的驻波情况会发生变化,之前得出的最小驻波比已不再是最小的驻波比。因而目前根据最小驻波比进行的加热控制,加热效率还有待提高。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种半导体微波炉的控制方法,能够提高半导体微波炉功率调节的响应速度和稳定性,并能够进一步提高半导体微波炉的加热效率。
本发明的第二个目的在于提出一种半导体微波炉的控制装置。
本发明的第三个目的在于提出一种半导体微波炉。
为达到上述目的,本发明第一方面实施例提出了一种半导体微波炉的控制方法,该方法包括以下步骤:获取所述半导体微波炉的输出功率和烹饪时间;根据所述半导体微波炉的输出功率计算对应的所述半导体微波炉的信号源的功率;每个预设时间间隔采用最优效率算法获取所述半导体微波炉的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位;在每个所述预设时间间隔内,根据所述信号源的功率以及获取的所述最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对所述半导体微波炉进行加热控制,直至所述烹饪时间到达。
根据本发明实施例的半导体微波炉的控制方法,通过根据半导体微波炉的输出功率计算对应的半导体微波炉的信号源的功率,并根据信号源的功率对半导体微波炉进行加热控制,能够提高功率调节的响应速度,并能够提高功率调节的稳定性,通过在每个预设时间间隔采用最优效率算法获取半导体微波炉的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位,并在每个预设时间间隔内,根据获取的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对半导体微波炉进行加热控制,能够不断更新最小驻波比,进一步提高了半导体微波炉的加热效率。
另外,根据本发明上述实施例提出的半导体微波炉的控制方法还可以具有如下附加的技术特征:
根据本发明的一个实施例,所述半导体微波炉包括多个信号源,所述最优效率算法包括频率扫描规则和相位扫描规则,其中,在执行频率扫描规则的过程中,调用相位扫描规则,以获取在多个信号源的不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比,并通过比较所述不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比以获取所述最小驻波比。
具体地,所述频率扫描规则包括:将每个所述信号源的功率设置为第一功率,并将每个所述信号源的频率设置为预设初始频率,以及将每个所述信号源的相位设置为预设初始相位,开启所述半导体微波炉,其中,所述第一功率远低于所述半导体微波炉的输出功率对应的每个所述信号源的功率;进行频率扫描,并判断扫描次数是否达到预设次数;如果扫描次数未达到预设次数,将每个所述信号源的频率控制在预设的频率范围之内,并将其中一个所述信号源的相位固定为预设初始相位后,进行相位扫描;在相位扫描结束后,将每个所述信号源的频率提高预设频率步长,以进行下一次频率扫描,直至所述扫描次数达到预设次数。
进一步地,所述相位扫描规则包括:将另一个信号源的相位与所述预设初始相位进行比较;如果另一个信号源的相位与所述预设初始相位的差小于预设相位差,则以当前的每个所述信号源的相位组合控制所述半导体微波炉工作,并检测所述半导体微波炉的入射功率和反射功率,以计算当前所述半导体微波炉的驻波比;如果另一个信号源的相位与所述预设初始相位的差大于或等于预设相位差,则将又一个信号源的相位提高预设相位步长,并将所述另一个信号源的相位设置为所述预设初始相位,以及将又一个信号源的相位与所述预设初始相位进行比较,如此循环以进行相位扫描。
根据本发明的一个实施例,所述预设的频率范围为2400MHz~2500MHz,所述预设相位差为360°。
为达到上述目的,本发明第二方面实施例提出了一种半导体微波炉的控制装置,该装置包括:第一获取模块,所述第一获取模块用于获取所述半导体微波炉的输出功率和烹饪时间;计算模块,所述计算模块用于根据所述半导体微波炉的输出功率计算对应的所述半导体微波炉的信号源的功率;第二获取模块,所述第二获取模块用于在每个预设时间间隔采用最优效率算法获取所述半导体微波炉的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位;控制模块,所述控制模块用于在每个所述预设时间间隔内,根据所述信号源的功率以及获取的所述最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对所述半导体微波炉进行加热控制,直至所述烹饪时间到达。
根据本发明实施例的半导体微波炉的控制装置,通过计算模块根据半导体微波炉的输出功率计算对应的半导体微波炉的信号源的功率,控制模块根据信号源的功率对半导体微波炉进行加热控制,能够提高功率调节的响应速度,并能够提高功率调节的稳定性,通过第二获取模块在每个预设时间间隔采用最优效率算法获取半导体微波炉的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位,控制模块在每个预设时间间隔内,根据获取的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对半导体微波炉进行加热控制,能够不断更新最小驻波比,进一步提高了半导体微波炉的加热效率。
另外,根据本发明上述实施例提出的半导体微波炉的控制装置还可以具有如下附加的技术特征:
根据本发明的一个实施例,所述半导体微波炉包括多个信号源,所述最优效率算法包括频率扫描规则和相位扫描规则,其中,在执行频率扫描规则的过程中,调用相位扫描规则,以获取在多个信号源的不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比,并通过比较所述不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比以获取最小驻波比。
具体地,所述频率扫描规则包括:将每个所述信号源的功率设置为第一功率,并将每个所述信号源的频率设置为预设初始频率,以及将每个所述信号源的相位设置为预设初始相位,开启所述半导体微波炉,其中,所述第一功率远低于所述半导体微波炉的输出功率对应的每个所述信号源的功率;进行频率扫描,并判断扫描次数是否达到预设次数;如果扫描次数未达到预设次数,在每次频率扫描时,将每个所述信号源的频率控制在预设的频率范围之内,并将其中一个所述信号源的相位固定为预设初始相位后,进行相位扫描;在相位扫描结束后,将每个所述信号源的频率提高预设频率步长,以进行下一次频率扫描,直至所述扫描次数达到预设次数。
进一步地于,所述相位扫描规则包括:将另一个信号源的相位与所述预设初始相位进行比较;如果另一个信号源的相位与所述预设初始相位的差小于预设相位差,则以当前的每个所述信号源的相位组合控制所述半导体微波炉工作,并检测所述半导体微波炉的入射功率和反射功率,以计算当前所述半导体微波炉的驻波比;如果另一个信号源的相位与所述预设初始相位的差大于或等于预设相位差,则将又一个信号源的相位提高预设相位步长,并将所述另一个信号源的相位设置为所述预设初始相位,以及将又一个信号源的相位与所述预设初始相位进行比较,如此循环以进行相位扫描。
根据本发明的一个实施例,所述预设的频率范围为2400MHz~2500MHz,所述预设相位差为360°。
为达到上述目的,本发明第三方面实施例提出了一种半导体微波炉,其包括本发明第二方面实施例提出的半导体微波炉的控制装置。
根据本发明实施例的半导体微波炉,能够提高功率调节的响应速度和稳定性,并能够进一步提高加热效率。
附图说明
图1为根据本发明实施例的半导体微波炉的控制方法的流程图;
图2为根据本发明实施例的半导体微波炉的结构示意图;
图3为根据本发明一个具体实施例的半导体微波炉的控制方法的流程图;
图4为根据本发明一个具体实施例的频率扫描规则的流程图;
图5为根据本发明一个具体实施例的相位扫描规则的流程图;
图6为根据本发明实施例的半导体微波炉的控制装置的方框示意图;
图7为根据本发明一个实施例的微波炉中的信息交互示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
下面结合附图来描述本发明实施例的半导体微波炉的控制方法、装置及半导体微波炉。
图1为根据本发明实施例的半导体微波炉的控制方法的流程图。
如图1所示,本发明实施例的半导体微波炉的控制方法,包括以下步骤:
S1,获取半导体微波炉的输出功率和烹饪时间。
S2,根据半导体微波炉的输出功率计算对应的半导体微波炉的信号源的功率。
S3,每个预设时间间隔采用最优效率算法获取半导体微波炉的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位。
S4,在每个预设时间间隔内,根据信号源的功率以及获取的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对半导体微波炉进行加热控制,直至烹饪时间到达。
在本发明的一个实施例中,半导体微波炉可包括多个信号源。如图2所示,信号源1至信号源N可根据其分别对应的频率f1-fN、相位ph1-phN以及功率P1-PN进行信号输出,并将信号分别经过对应的功放1-功放N进行放大。
在本发明的一个实施例中,如图3所示,对半导体微波炉的功率控制可具体包括以下步骤:
S301,设置半导体微波炉的输出功率Pout。
S302,根据半导体微波炉的输出功率与信号源的功率的对应关系,计算出Pout对应的信号源的功率Psignal。
S303,将Psignal发送给信号源。
S304,将Psignal经过放大后输出Pout。
在本发明的一个实施例中,最优效率算法包括频率扫描规则和相位扫描规则,其中,在执行频率扫描规则的过程中,调用相位扫描规则,以获取在多个信号源的不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比,并通过比较不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比以获取最小驻波比。
具体地,频率扫描规则可包括:将每个信号源的功率设置为第一功率,并将每个信号源的频率设置为预设初始频率,以及将每个信号源的相位设置为预设初始相位,开启半导体微波炉,其中,第一功率远低于半导体微波炉的输出功率对应的每个信号源的功率;进行频率扫描,并判断扫描次数是否达到预设次数;如果扫描次数未达到预设次数,将每个信号源的频率控制在预设的频率范围之内,并将其中一个信号源的相位固定为预设初始相位后,进行相位扫描;在相位扫描结束后,将每个信号源的频率提高预设频率步长,以进行下一次频率扫描,直至扫描次数达到预设次数。
相位扫描规则可包括:将另一个信号源的相位与预设初始相位进行比较;如果另一个信号源的相位与预设初始相位的差小于预设相位差,则以当前的每个信号源的相位组合控制半导体微波炉工作,并检测半导体微波炉的入射功率和反射功率,以计算当前半导体微波炉的驻波比;如果另一个信号源的相位与预设初始相位的差大于或等于预设相位差,则将又一个信号源的相位提高预设相位步长,并将另一个信号源的相位设置为预设初始相位,以及将又一个信号源的相位与预设初始相位进行比较,如此循环以进行相位扫描。
在本发明的一个具体实施例中,如图4所示,频率扫描规则可包括:
S401,设置每个的信号源的频率为f=f0,初始化扫频次数X=0,启动半导体微波炉。其中,初始值f0的取值范围为2400MHz~2500MHz。
S402,判断扫描次数X是否大于100MHz/fstep+1。其中,fstep为频率的步进值。如果是,则频率扫描结束;如果否,则执行步骤S403。
S403,判断每个的信号源的频率f是否大于2500MHz。如果是,则执行步骤S404;如果否,则执行步骤S405。
S404,设置f=f-100MHz。
S405,判断每个的信号源的频率f是否小于2400MHz。如果是,则执行步骤S406;如果否,则执行步骤S407。
S406,设置f=f+100MHz。由此,通过步骤S403至步骤S406,可将每个信号源的频率控制在预设的频率范围之内,也就是说,在本发明的实施例中,预设的频率范围为2400MHz~2500MHz。在将每个信号源的频率控制在预设的频率范围之内,并将其中一个信号源的相位固定为预设初始相位后,可执行步骤S407,以进行相位扫描。
S407,调用相位扫描规则。
S408,设置f=f+fstep,X=X+1。返回步骤S402,直至频率扫描结束。
在本发明的一个具体实施例中,如图5所示,以半导体微波炉包括4个信号源为例,频率扫描规则可包括:
S501,设置每个的信号源的初始相位为ph0。即ph1=ph2=ph3=ph4=ph0,随着微波炉的工作以及下述的设定,信号源的相位发生变化,而其中一个信号源S4的相位ph4可固定为预设初始相位ph0不变,以作为参考,从而能够避免下面的多种相位组合出现重复。
S502,判断信号源1的相位ph1是否大于或等于ph0+360°。也就是说,预设相位差为360°。如果是,则执行步骤S503;如果否,则执行步骤S504。
S503,设置信号源2的相位ph2=ph2+phstep,信号源1的相位ph1=ph0。其中,phstep为相位的步进值。在执行完步骤S503后,可执行步骤S506。
S504,以当前的每个信号源的相位组合控制半导体微波炉工作,计算当前半导体微波炉的驻波比。由于驻波比VSWR=(1+反射系数模值)/(1-反射系数模值),在本发明的一个实施例中,可检测半导体微波炉的入射功率和反射功率,以计算当前半导体微波炉的驻波比。
S505,设置信号源1的相位ph1=ph1+phstep。在执行完步骤S504后,可执行步骤S505,然后可返回步骤S502。
S506,判断信号源2的相位ph2是否大于或等于ph0+360°。如果是,则执行步骤S507;如果否,则执行步骤S504。
S507,设置信号源3的相位ph3=ph3+phstep,信号源2的相位ph2=ph0。
S508,判断信号源3的相位ph3是否大于或等于ph0+360°。如果是,则相位扫描结束;如果否,则执行步骤S504。
由此,除了采用频率调节的方式外,还采用的相位调节的方式,增加了更多的驻波比的扫描组合,并且通过比较不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比,能够更好地查找最小驻波比。
在获取了信号源的功率和最小驻波比后,在每个预设时间间隔内,可根据信号源的功率以及获取的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对半导体微波炉进行加热控制,直至烹饪时间到达。
根据本发明实施例的半导体微波炉的控制方法,通过根据半导体微波炉的输出功率计算对应的半导体微波炉的信号源的功率,并根据信号源的功率对半导体微波炉进行加热控制,能够提高功率调节的响应速度,并能够提高功率调节的稳定性,通过在每个预设时间间隔采用最优效率算法获取半导体微波炉的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位,并在每个预设时间间隔内,根据获取的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对半导体微波炉进行加热控制,能够不断更新最小驻波比,进一步提高了半导体微波炉的加热效率。
为实现上述实施例的半导体微波炉的控制方法,本发明还提出一种半导体微波炉的控制装置。
如图6所示,本发明实施例的半导体微波炉的控制装置,包括:第一获取模块10、计算模块20、第二获取模块30和控制模块40。
其中,第一获取模块10用于获取半导体微波炉的输出功率和烹饪时间;计算模块20用于根据半导体微波炉的输出功率计算对应的半导体微波炉的信号源的功率;第二获取模块30用于在每个预设时间间隔采用最优效率算法获取半导体微波炉的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位;控制模块40用于在每个预设时间间隔内,根据信号源的功率以及获取的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对半导体微波炉进行加热控制,直至烹饪时间到达。
在本发明的一个实施例中,半导体微波炉可包括信号模块和功放模块,信号模块可包括多个信号源。参照图2,信号源1至信号源N可根据其分别对应的频率f1-fN、相位ph1-phN以及功率P1-PN进行信号输出,并将信号分别经过功放模块中对应的功放1-功放N进行放大。
信号模块可将在控制模块的控制下产生的信号发送给功放模块,经功放模块放大后将大功率的微波能量入射到腔体中,以进行加热工作。其中,可通过直流电源模块为信号模块和功放模块供电。如图7所示,控制模块发送包括频率f、相位ph和功率P的控制指令A给信号模块,信号模块将信号输出B发送给功放模块,功放模块可检测入射功率C和反射功率D,并将检测数据反馈给控制模块。
在本发明的一个实施例中,最优效率算法包括频率扫描规则和相位扫描规则,其中,在执行频率扫描规则的过程中,调用相位扫描规则,以获取在多个信号源的不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比,并通过比较不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比以获取最小驻波比。
具体地,频率扫描规则包括:将每个信号源的功率设置为第一功率,并将每个信号源的频率设置为预设初始频率,以及将每个信号源的相位设置为预设初始相位,开启半导体微波炉,其中,第一功率远低于半导体微波炉的输出功率对应的每个信号源的功率;进行频率扫描,并判断扫描次数是否达到预设次数;如果扫描次数未达到预设次数,在每次频率扫描时,将每个信号源的频率控制在预设的频率范围之内,并将其中一个信号源的相位固定为预设初始相位后,进行相位扫描;在相位扫描结束后,将每个信号源的频率提高预设频率步长,以进行下一次频率扫描,直至扫描次数达到预设次数。
具体地,相位扫描规则包括:将另一个信号源的相位与预设初始相位进行比较;如果另一个信号源的相位与预设初始相位的差小于预设相位差,则以当前的每个信号源的相位组合控制半导体微波炉工作,并检测半导体微波炉的入射功率和反射功率,以计算当前半导体微波炉的驻波比;如果另一个信号源的相位与预设初始相位的差大于或等于预设相位差,则将又一个信号源的相位提高预设相位步长,并将另一个信号源的相位设置为预设初始相位,以及将又一个信号源的相位与预设初始相位进行比较,如此循环以进行相位扫描。
在本发明的一个实施例中,所述预设的频率范围为2400MHz~2500MHz,所述预设相位差为360°。
根据本发明实施例的半导体微波炉的控制装置,通过计算模块根据半导体微波炉的输出功率计算对应的半导体微波炉的信号源的功率,控制模块根据信号源的功率对半导体微波炉进行加热控制,能够提高功率调节的响应速度,并能够提高功率调节的稳定性,通过第二获取模块在每个预设时间间隔采用最优效率算法获取半导体微波炉的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位,控制模块在每个预设时间间隔内,根据获取的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对半导体微波炉进行加热控制,能够不断更新最小驻波比,进一步提高了半导体微波炉的加热效率。
对应上述实施例,本发明还提出一种半导体微波炉。
本发明实施例的半导体微波炉,包括本发明上述实施例提出的半导体微波炉的控制装置,其具体的实施方式可参照上述实施例,为避免冗余,在此不再赘述。
根据本发明实施例的半导体微波炉,能够提高功率调节的响应速度和稳定性,并能够进一步提高加热效率。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (11)

1.一种半导体微波炉的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取所述半导体微波炉的输出功率和烹饪时间;
根据所述半导体微波炉的输出功率计算对应的所述半导体微波炉的信号源的功率;
每个预设时间间隔采用最优效率算法获取所述半导体微波炉的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位;
在每个所述预设时间间隔内,根据所述信号源的功率以及获取的所述最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对所述半导体微波炉进行加热控制,直至所述烹饪时间到达。
2.根据权利要求1所述的半导体微波炉的控制方法,其特征在于,所述半导体微波炉包括多个信号源,所述最优效率算法包括频率扫描规则和相位扫描规则,其中,
在执行频率扫描规则的过程中,调用相位扫描规则,以获取在多个信号源的不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比,并通过比较所述不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比以获取所述最小驻波比。
3.根据权利要求2所述的半导体微波炉的控制方法,其特征在于,所述频率扫描规则包括:
将每个所述信号源的功率设置为第一功率,并将每个所述信号源的频率设置为预设初始频率,以及将每个所述信号源的相位设置为预设初始相位,开启所述半导体微波炉,其中,所述第一功率远低于所述半导体微波炉的输出功率对应的每个所述信号源的功率;
进行频率扫描,并判断扫描次数是否达到预设次数;
如果扫描次数未达到预设次数,将每个所述信号源的频率控制在预设的频率范围之内,并将其中一个所述信号源的相位固定为预设初始相位后,进行相位扫描;
在相位扫描结束后,将每个所述信号源的频率提高预设频率步长,以进行下一次频率扫描,直至所述扫描次数达到预设次数。
4.根据权利要求3所述的半导体微波炉的控制方法,其特征在于,所述相位扫描规则包括:
将另一个信号源的相位与所述预设初始相位进行比较;
如果另一个信号源的相位与所述预设初始相位的差小于预设相位差,则以当前的每个所述信号源的相位组合控制所述半导体微波炉工作,并检测所述半导体微波炉的入射功率和反射功率,以计算当前所述半导体微波炉的驻波比;
如果另一个信号源的相位与所述预设初始相位的差大于或等于预设相位差,则将又一个信号源的相位提高预设相位步长,并将所述另一个信号源的相位设置为所述预设初始相位,以及将又一个信号源的相位与所述预设初始相位进行比较,如此循环以进行相位扫描。
5.根据权利要求4所述的半导体微波炉的控制方法,其特征在于,所述预设的频率范围为2400MHz~2500MHz,所述预设相位差为360°。
6.一种半导体微波炉的控制装置,其特征在于,包括:
第一获取模块,所述第一获取模块用于获取所述半导体微波炉的输出功率和烹饪时间;
计算模块,所述计算模块用于根据所述半导体微波炉的输出功率计算对应的所述半导体微波炉的信号源的功率;
第二获取模块,所述第二获取模块用于在每个预设时间间隔采用最优效率算法获取所述半导体微波炉的最小驻波比所对应的信号源的频率和相位;
控制模块,所述控制模块用于在每个所述预设时间间隔内,根据所述信号源的功率以及获取的所述最小驻波比所对应的信号源的频率和相位对所述半导体微波炉进行加热控制,直至所述烹饪时间到达。
7.根据权利要求6所述的半导体微波炉的控制装置,其特征在于,所述半导体微波炉包括多个信号源,所述最优效率算法包括频率扫描规则和相位扫描规则,其中,
在执行频率扫描规则的过程中,调用相位扫描规则,以获取在多个信号源的不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比,并通过比较所述不同频率和不同相位组合下的半导体微波炉的驻波比以获取最小驻波比。
8.根据权利要求7所述的半导体微波炉的控制装置,其特征在于,所述频率扫描规则包括:
将每个所述信号源的功率设置为第一功率,并将每个所述信号源的频率设置为预设初始频率,以及将每个所述信号源的相位设置为预设初始相位,开启所述半导体微波炉,其中,所述第一功率远低于所述半导体微波炉的输出功率对应的每个所述信号源的功率;
进行频率扫描,并判断扫描次数是否达到预设次数;
如果扫描次数未达到预设次数,在每次频率扫描时,将每个所述信号源的频率控制在预设的频率范围之内,并将其中一个所述信号源的相位固定为预设初始相位后,进行相位扫描;
在相位扫描结束后,将每个所述信号源的频率提高预设频率步长,以进行下一次频率扫描,直至所述扫描次数达到预设次数。
9.根据权利要求8所述的半导体微波炉的控制装置,其特征在于,所述相位扫描规则包括:
将另一个信号源的相位与所述预设初始相位进行比较;
如果另一个信号源的相位与所述预设初始相位的差小于预设相位差,则以当前的每个所述信号源的相位组合控制所述半导体微波炉工作,并检测所述半导体微波炉的入射功率和反射功率,以计算当前所述半导体微波炉的驻波比;
如果另一个信号源的相位与所述预设初始相位的差大于或等于预设相位差,则将又一个信号源的相位提高预设相位步长,并将所述另一个信号源的相位设置为所述预设初始相位,以及将又一个信号源的相位与所述预设初始相位进行比较,如此循环以进行相位扫描。
10.根据权利要求9所述的半导体微波炉的控制装置,其特征在于,所述预设的频率范围为2400MHz~2500MHz,所述预设相位差为360°。
11.一种半导体微波炉,其特征在于,包括根据权利要求6-10中任一项所述的半导体微波炉的控制装置。
CN201610640629.1A 2016-08-04 2016-08-04 半导体微波炉的控制方法、装置及半导体微波炉 Active CN106287866B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610640629.1A CN106287866B (zh) 2016-08-04 2016-08-04 半导体微波炉的控制方法、装置及半导体微波炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610640629.1A CN106287866B (zh) 2016-08-04 2016-08-04 半导体微波炉的控制方法、装置及半导体微波炉

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106287866A true CN106287866A (zh) 2017-01-04
CN106287866B CN106287866B (zh) 2018-11-23

Family

ID=57665767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610640629.1A Active CN106287866B (zh) 2016-08-04 2016-08-04 半导体微波炉的控制方法、装置及半导体微波炉

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106287866B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023065944A1 (zh) * 2021-10-20 2023-04-27 深圳麦克韦尔科技有限公司 气溶胶产生装置、控制方法、控制装置和可读存储介质

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102428751A (zh) * 2009-05-19 2012-04-25 松下电器产业株式会社 微波加热装置以及微波加热方法
CN102510595A (zh) * 2011-11-04 2012-06-20 广东美的微波电器制造有限公司 半导体微波炉的控制方法
CN102934518A (zh) * 2011-04-19 2013-02-13 松下电器产业株式会社 高频加热装置
JP2013511706A (ja) * 2009-11-18 2013-04-04 エンブレーション リミテッド マイクロ波装置及び方法
CN103427788A (zh) * 2013-08-02 2013-12-04 无锡市佳信安科技有限公司 自适应驻波调整电路
CN103533690A (zh) * 2012-07-05 2014-01-22 Nxp股份有限公司 自动调整工作频率的微波功率源和方法
CN205017622U (zh) * 2015-07-24 2016-02-03 石铁峰 一种微波发生装置以及微波加热装置
CN105591629A (zh) * 2014-10-22 2016-05-18 中微半导体设备(上海)有限公司 自动频率调谐阻抗匹配的匹配频率的获取方法和装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102428751A (zh) * 2009-05-19 2012-04-25 松下电器产业株式会社 微波加热装置以及微波加热方法
JP2013511706A (ja) * 2009-11-18 2013-04-04 エンブレーション リミテッド マイクロ波装置及び方法
CN102934518A (zh) * 2011-04-19 2013-02-13 松下电器产业株式会社 高频加热装置
CN102510595A (zh) * 2011-11-04 2012-06-20 广东美的微波电器制造有限公司 半导体微波炉的控制方法
CN103533690A (zh) * 2012-07-05 2014-01-22 Nxp股份有限公司 自动调整工作频率的微波功率源和方法
CN103427788A (zh) * 2013-08-02 2013-12-04 无锡市佳信安科技有限公司 自适应驻波调整电路
CN105591629A (zh) * 2014-10-22 2016-05-18 中微半导体设备(上海)有限公司 自动频率调谐阻抗匹配的匹配频率的获取方法和装置
CN205017622U (zh) * 2015-07-24 2016-02-03 石铁峰 一种微波发生装置以及微波加热装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023065944A1 (zh) * 2021-10-20 2023-04-27 深圳麦克韦尔科技有限公司 气溶胶产生装置、控制方法、控制装置和可读存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN106287866B (zh) 2018-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101848569B (zh) 用于高频介质加热功率的功率控制单元
CN101461283B (zh) 用于高频介质加热功率的功率控制单元、以及其控制方法
CN101112124A (zh) 高频电介加热的功率控制方法及其设备
WO2017133150A1 (zh) 电磁加热装置及其加热控制电路和低功率加热控制方法
CN102906504A (zh) 烹饪装置及其操作方法
CN104654381B (zh) 半导体微波炉及用于微波炉的半导体功率源
CN102882288A (zh) 一种无线电力传输***及其控制方法
KR20220115071A (ko) 유도 결합에 의해 전기 소비재의 방향으로 에너지를 무선으로 전달하기 위한 장치를 동작시키기 위한 방법, 장치 및 시스템
CN207382269U (zh) 功率放大器电路和电子***
CN102679417B (zh) 半导体微波炉
CN202425085U (zh) 电磁炉控制电路
CN205622513U (zh) 保持切换模式电源中的所需切换频率的***
CN106287866A (zh) 半导体微波炉的控制方法、装置及半导体微波炉
CN110332234A (zh) 磁轴承开关功率放大器的控制方法及应用***
CN105226958B (zh) 对用于风轮机的并联换流器***进行控制
CN107896393B (zh) 磁控管温度调节方法、装置及***、变频电源及微波设备
CN108347102A (zh) 无线电源发送电路及其控制电路与控制方法
CN109951909A (zh) 电磁烹饪器具及其间歇加热控制方法
CN204539514U (zh) 电磁加热装置及其的谐振电路
CN207354241U (zh) 电磁加热装置的开关管控制电路
CN104143908B (zh) 热平衡转换电路
CN106482180B (zh) 半导体微波炉及其加热控制方法和装置
CN109287020A (zh) 一种用于提升微波输出稳定性的微波源***及方法
JP2006040693A (ja) 誘導電圧検出方法および装置、並びに誘導加熱システム
CN116073527A (zh) 无线供电装置及其加热控制方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant