CN106245062A - 一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理*** - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理***，其特征在于，主要由处理芯片U，三极管VT2，二极管D4，电感L2，极性电容C6，二极管D5，带宽多谐振电路，与处理芯片U的IN管脚相连接的信号接收滤波电路，与处理芯片U相连接的信号频率补偿电路，以及串接在信号频率补偿电路与带宽多谐振电路之间的信号电平调节电路组成。本发明能对输入信号中的谐波进行消除或抑制，使信号更加稳定；并且本发明还能对信号的相位和频率误差进行调整，从而确保了本发明对信号处理的准确性，有效的提高了铝电解阳极电流测量仪测量的铝电解阳极电流参数准确性。

Description

一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理***

技术领域

本发明涉及铝电解领域，具体是指一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理***。

背景技术

铝电解是一个复杂的电化学反应过程，其反应过程要受到电场、磁场、热场、流场等多个物理场的耦合作用。阳极电流参数是铝电解中的一个十分重要的参数，它与铝电解的多种状况有着密切联系。因此，采用铝电解阳极电流测量仪对铝电解阳极电流实时测量，为对铝电解化学反应过程的控制提供可靠的铝电解阳极电流数据，对铝电解工业具有十分重要的意义。

然而，现有的铝电解工业所采用的铝电解阳极电流测量仪的信号处理***不能很好的对信号中的干扰信号进行处理而出现对信号处理不准确的问题，导致铝电解阳极电流测量仪测量的铝电解阳极电流参数不准确，致使铝电解阳极电流测量仪不能为铝电解的控制***提供可靠的铝电解阳极电流数据，严重的影响了铝电解化学反应效率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有的铝电解工业所采用的铝电解阳极电流测量仪的信号处理***存在对信号处理不准确的问题，提供一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理***。

本发明的目的用以下技术方案实现：一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理***，主要由处理芯片U，三极管VT2，P极经电阻R13后与处理芯片U的BLANK管脚相连接、N极经电阻R14后与处理芯片U的VCO管脚相连接的二极管D4，一端与二极管D4的N极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电感L2，正极经电阻R15后与三极管VT2的发射极相连接、负极与处理芯片U的VDD管脚相连接的极性电容C6，P极与三极管VT2的基极相连接、N极经电阻R16后与处理芯片U的FLB管脚相连接的二极管D5，与处理芯片U的IN管脚相连接的信号接收滤波电路，与处理芯片U相连接的信号频率补偿电路，分别与三极管VT2的集电极和处理芯片U的VOUT管脚相连接的带宽多谐振电路，以及串接在信号频率补偿电路与带宽多谐振电路之间的信号电平调节电路组成；所述处理芯片U的GND管脚接地。

所述信号电平调节电路由场效应管MOS3，三极管VT7，三极管VT8，正极经电阻R32后与三极管VT7的发射极相连接、负极与信号频率补偿电路相连接的极性电容C16，正极经可调电阻R33后与极性电容C16的正极相连接、负极接地的极性电容C17，N极经电阻R36后与三极管VT7的基极相连接、P极经电阻R34后与极性电容C17的相连接的二极管D14，N极与三极管VT7的集电极相连接、P极顺次经电阻R35和电阻R37后与场效应管MOS3的漏极相连接的二极管D13，正极与三极管VT7的基极相连接、负极经电阻R38后与场效应管MOS3的漏极相连接的极性电容C18，N极与极性电容C18的负极相连接、P极经电阻R39后与场效应管MOS3的源极相连接的二极管D15，正极经电阻R40后与场效应管MOS3的源极相连接、负极经电感L4后与三极管VT8的集电极相连接的极性电容C19，负极与三极管VT8的基极相连接、正极与场效应管MOS3的源极相连接的极性电容C20，P极经可调电阻R41后与场效应管MOS3的漏极相连接、N极与场效应管MOS3的栅极相连接的二极管D16，以及一端与场效应管MOS3的栅极相连接、另一端接地的电阻R42组成；所述二极管D14的N极还与极性电容C19的正极相连接；所述三极管VT8的集电极接地、其发射极与场效应管MOS3的栅极相连接；所述场效应管MOS3的栅极与带宽多谐振电路相连接。

所述信号接收滤波电路由放大器P1，放大器P2，三极管VT1，负极经电阻R4后与放大器P1的正极相连接、正极与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C3，N极经可调电阻R5后与极性电容C3的负极相连接、P极经热敏电阻RT1后与三极管VT1的发射极相连接的二极管D2，N极经电阻R9后与放大器P1的输出端相连接、P极经电阻R8后与放大器P1的正极相连接的二极管D3，负极经电阻R7后与二极管D3的N极相连接、正极经电阻R6后与二极管D2的P极相连接的极性电容C4，负极与场效应管MOS1的栅极相连接、正极电阻R3后与放大器P1的负极相连接的极性电容C2，一端与极性电容C2的正极相连接、另一端接地的电阻R2，P极经电阻R1后与极性电容C2的正极相连接、N极与场效应管MOS1的漏极相连接的二极管D1，正极经电阻R10后与放大器P2的负极相连接、负极经电阻R11后与放大器P2的输出端相连接的极性电容C1，一端与放大器P2的负极相连接、另一端与极性电容C1的负极相连接的电感L1，以及正极经电阻R12后与放大器P2的输出端相连接、负极接地的极性电容C5组成；所述三极管VT1的基极作为信号接收滤波电路的输入端；所述放大器P1的输出端分别与放大器P2的正极和场效应管MOS1的源极相连接；所述放大器P2的输出端还与处理芯片U的IN管脚相连接。

所述信号频率补偿电路由放大器P3，三极管VT5，三极管VT6，正极与处理芯片U的BLANK管脚相连接、负极与三极管VT6的发射极相连接的极性电容C15，P极经电阻R31后与三极管VT6的集电极相连接、N极经电阻R29后与三极管VT5的集电极相连接的二极管D12，负极与三极管VT5的集电极相连接、正极经电阻R30后与处理芯片U的VSY管脚相连接的极性电容C14，正极与三极管VT5的基极相连接、负极经电阻R28后与三极管VT5的集电极相连接的极性电容C13，N极与放大器P3的正极相连接、P极与三极管VT5的基极相连接的二极管D11，正极与放大器P3的负极相连接、负极接地的极性电容C12，P极与放大器P3的输出端相连接、N极经可调电阻R27后与放大器P3的负极相连接的二极管D10，以及正极与处理芯片U的SCPI管脚相连接、负极经电阻R26后与放大器P3的输出端相连接的极性电容C10组成；所述三极管VT6的基极与极性电容C14的正极相连接；所述三极管VT5的集电极接地、其发射极与处理芯片U的SAW管脚相连接、其基极还与处理芯片U的MUTE管脚相连接；所述放大器P3的输出端还与极性电容C16的负极相连接。

所述带宽多谐振电路由场效应管MOS2，三极管VT3，三极管VT4，P极经电阻R19后与处理芯片U的VOUT管脚相连接、N极经电阻R20后与三极管VT4的基极相连接的二极管D7，正极与二极管D7的P极相连接、负极与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C9，正极经电阻R23后与场效应管MOS2的栅极相连接、负极经电阻R22后与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C11，P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极顺次经电阻R25和可调电阻R24后与极性电容C11的负极相连接的二极管D9，P极与极性电容C11的负极相连接、N极经可调电阻R21后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D8，正极经电感L3后与三极管VT3的发射极相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C8，P极经电阻R18后与三极管VT3的集电极相连接、N极经热敏电阻RT2后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D6，以及负极与三极管VT3的基极相连接、正极经电阻R17后与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C7组成；所述极性电容C7的正极还与三极管VT2的集电极相连接；所述三极管VT3的发射极还与二极管D7的P极相连接；所述场效应管MOS2的源极还与场效应管MOS3的栅极相连接；所述电阻R25与可调电阻R24的连接点接地；所述三极管VT4的集电极作为带宽多谐振电路的输出端。

为了本发明的实际使用效果，所述的处理芯片U则优先采用了TDA1670集成芯片来实现。

本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

(1)本发明能对输入信号中的谐波进行消除或抑制，使信号更加稳定；并且本发明还能对信号的相位和频率误差进行调整，从而确保了本发明对信号处理的准确性，有效的提高了铝电解阳极电流测量仪测量的铝电解阳极电流参数准确性，能使铝电解阳极电流测量仪为铝电解的控制***提供可靠的铝电解阳极电流数据。

(2)本发明能对信号矩形波的占空比进行调节，使输出信号的信号电平保持稳定，从而确保了本发明对信号处理的准确性。

(3)本发明能有效的提高铝电解阳极电流测量仪的检测效率，能有效的确保铝电解阳极电流测量仪的检测精度。

(4)本发明的处理芯片U则优先采用了TDA1670集成芯片来实现，该芯片与***电路相结合，能有效的提高本发明对信号处理的准确性。

附图说明

图1为本发明的整体结构示意图。

图2为本发明的信号电平调节电路的电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。

实施例

如图1所示，本发明主要由处理芯片U，三极管VT2，P极经电阻R13后与处理芯片U的BLANK管脚相连接、N极经电阻R14后与处理芯片U的VCO管脚相连接的二极管D4，一端与二极管D4的N极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电感L2，正极经电阻R15后与三极管VT2的发射极相连接、负极与处理芯片U的VDD管脚相连接的极性电容C6，P极与三极管VT2的基极相连接、N极经电阻R16后与处理芯片U的FLB管脚相连接的二极管D5，与处理芯片U的IN管脚相连接的信号接收滤波电路，与处理芯片U相连接的信号频率补偿电路，分别与三极管VT2的集电极和处理芯片U的VOUT管脚相连接的带宽多谐振电路，以及串接在信号频率补偿电路与带宽多谐振电路之间的信号电平调节电路组成。

实施时，所述处理芯片U的GND管脚接地。所述的二极管D4的P极与外部电源相连接。为了本发明的实际使用效果，所述的处理芯片U则优先采用了TDA1670集成芯片来实现。

进一步地，所述信号接收滤波电路由放大器P1，放大器P2，三极管VT1，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，可调电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻R12，热敏电阻RT1，极性电容C1，极性电容C2，极性电容C3，极性电容C4，极性电容C5，电感L1，二极管D1，二极管D2，以及二极管D3组成。

连接时，极性电容C3的负极经电阻R4后与放大器P1的正极相连接，正极与三极管VT1的集电极相连接。二极管D2的N极经可调电阻R5后与极性电容C3的负极相连接，P极经热敏电阻RT1后与三极管VT1的发射极相连接。二极管D3的N极经电阻R9后与放大器P1的输出端相连接，P极经电阻R8后与放大器P1的正极相连接。

其中，极性电容C4的负极经电阻R7后与二极管D3的N极相连接，正极经电阻R6后与二极管D2的P极相连接。极性电容C2的负极与场效应管MOS1的栅极相连接，正极电阻R3后与放大器P1的负极相连接。电阻R2的一端与极性电容C2的正极相连接，另一端接地。二极管D1的P极经电阻R1后与极性电容C2的正极相连接，N极与场效应管MOS1的漏极相连接。

同时，极性电容C1的正极经电阻R10后与放大器P2的负极相连接，负极经电阻R11后与放大器P2的输出端相连接。电感L1的一端与放大器P2的负极相连接，另一端与极性电容C1的负极相连接。极性电容C5的正极经电阻R12后与放大器P2的输出端相连接，负极接地。

所述三极管VT1的基极作为信号接收滤波电路的输入端并与检测器相连接；所述放大器P1的输出端分别与放大器P2的正极和场效应管MOS1的源极相连接；所述放大器P2的输出端还与处理芯片U的IN管脚相连接；所述三极管VT1的集电极与外部电源相连接。

更进一步地，所述信号频率补偿电路由放大器P3，三极管VT5，三极管VT6，电阻R26，可调电阻R27，电阻R28，电阻R29，电阻R30，电阻R31，极性电容C10，极性电容C12，极性电容C13，极性电容C14，极性电容C15，二极管D10，二极管D11，以及二极管D12组成。

连接时，极性电容C15的正极与处理芯片U的BLANK管脚相连接，负极与三极管VT6的发射极相连接。二极管D12的P极经电阻R31后与三极管VT6的集电极相连接，N极经电阻R29后与三极管VT5的集电极相连接。极性电容C14的负极与三极管VT5的集电极相连接，正极经电阻R30后与处理芯片U的VSY管脚相连接。

同时，极性电容C13的正极与三极管VT5的基极相连接，负极经电阻R28后与三极管VT5的集电极相连接。二极管D11的N极与放大器P3的正极相连接，P极与三极管VT5的基极相连接。极性电容C12的正极与放大器P3的负极相连接，负极接地。二极管D10的P极与放大器P3的输出端相连接，N极经可调电阻R27后与放大器P3的负极相连接。极性电容C10的正极与处理芯片U的SCPI管脚相连接，负极经电阻R26后与放大器P3的输出端相连接。

所述三极管VT6的基极与极性电容C14的正极相连接；所述三极管VT5的集电极接地，其发射极与处理芯片U的SAW管脚相连接，其基极还与处理芯片U的MUTE管脚相连接；所述放大器P3的输出端还与极性电容C16的负极相连接。

再进一步地，所述带宽多谐振电路由场效应管MOS2，三极管VT3，三极管VT4，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R20，可调电阻R21，电阻R22，电阻R23，可调电阻R24，电阻R25，热敏电阻RT2，电感L3，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9，极性电容C10，极性电容C11，二极管D6，二极管D7，二极管D8，以及二极管D9组成。

连接时，二极管D7的P极经电阻R19后与处理芯片U的VOUT管脚相连接，N极经电阻R20后与三极管VT4的基极相连接。极性电容C9的正极与二极管D7的P极相连接，负极与场效应管MOS2的漏极相连接。极性电容C11的正极经电阻R23后与场效应管MOS2的栅极相连接，负极经电阻R22后与三极管VT4的发射极相连接。二极管D9的P极与场效应管MOS2的源极相连接，N极顺次经电阻R25和可调电阻R24后与极性电容C11的负极相连接。

其中，二极管D8的P极与极性电容C11的负极相连接，N极经可调电阻R21后与三极管VT4的集电极相连接。极性电容C8的正极经电感L3后与三极管VT3的发射极相连接，负极与三极管VT4的集电极相连接。二极管D6的P极经电阻R18后与三极管VT3的集电极相连接，N极经热敏电阻RT2后与三极管VT4的集电极相连接。极性电容C7的负极与三极管VT3的基极相连接，正极经电阻R17后与三极管VT3的集电极相连接。

所述极性电容C7的正极还与三极管VT2的集电极相连接；所述三极管VT3的发射极还与二极管D7的P极相连接；所述场效应管MOS2的源极还与场效应管MOS3的栅极相连接；所述电阻R25与可调电阻R24的连接点接地；所述三极管VT4的集电极作为带宽多谐振电路的输出端。

如图2所示，所述信号电平调节电路由场效应管MOS3，三极管VT7，三极管VT8，电阻R32，可调电阻R33，电阻R34，电阻R35，电阻R36，电阻R37，电阻R38，电阻R39，电阻R40，可调电阻R41，电阻R42，电感L4，极性电容16，极性电容C17，极性电容C18，极性电容C19，极性电容C20，二极管D13，二极管D14，二极管D15，以及二极管D16组成、

连接时，极性电容C16的正极经电阻R32后与三极管VT7的发射极相连接，负极与信号频率补偿电路相连接。极性电容C17的正极经可调电阻R33后与极性电容C16的正极相连接，负极接地。二极管D14的N极经电阻R36后与三极管VT7的基极相连接，P极经电阻R34后与极性电容C17的相连接。

其中，二极管D13的N极与三极管VT7的集电极相连接，P极顺次经电阻R35和电阻R37后与场效应管MOS3的漏极相连接。极性电容C18的正极与三极管VT7的基极相连接，负极经电阻R38后与场效应管MOS3的漏极相连接。二极管D15的N极与极性电容C18的负极相连接，P极经电阻R39后与场效应管MOS3的源极相连接。

同时，极性电容C19的正极经电阻R40后与场效应管MOS3的源极相连接，负极经电感L4后与三极管VT8的集电极相连接。极性电容C20的负极与三极管VT8的基极相连接，正极与场效应管MOS3的源极相连接。二极管D16的P极经可调电阻R41后与场效应管MOS3的漏极相连接，N极与场效应管MOS3的栅极相连接。电阻R42的一端与场效应管MOS3的栅极相连接，另一端接地。

所述二极管D14的N极还与极性电容C19的正极相连接；所述三极管VT8的集电极接地，其发射极与场效应管MOS3的栅极相连接；所述场效应管MOS3的栅极与带宽多谐振电路相连接。

运行时，本发明的信号接收滤波电路能对输入信号中的谐波进行消除或抑制，使信号更加稳定；并且本发明的信号频率补偿电路还能对信号的相位和频率误差进行调整，从而确保了本发明对信号处理的准确性，有效的提高了铝电解阳极电流测量仪测量的铝电解阳极电流参数准确性，能使铝电解阳极电流测量仪为铝电解的控制***提供可靠的铝电解阳极电流数据。

同时，本发明的信号电平调节电路能对信号矩形波的占空比进行调节，使输出信号的信号电平保持稳定。并且本发明能有效的提高铝电解阳极电流测量仪的检测效率，能有效的确保铝电解阳极电流测量仪的检测精度。本发明的处理芯片U则优先采用了TDA1670集成芯片来实现，该芯片与***电路相结合，能有效的提高本发明对信号处理的准确性。

如上所述，便可很好的实现本发明。

Claims (6)

1.一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理***，其特征在于，主要由处理芯片U，三极管VT2，P极经电阻R13后与处理芯片U的BLANK管脚相连接、N极经电阻R14后与处理芯片U的VCO管脚相连接的二极管D4，一端与二极管D4的N极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电感L2，正极经电阻R15后与三极管VT2的发射极相连接、负极与处理芯片U的VDD管脚相连接的极性电容C6，P极与三极管VT2的基极相连接、N极经电阻R16后与处理芯片U的FLB管脚相连接的二极管D5，与处理芯片U的IN管脚相连接的信号接收滤波电路，与处理芯片U相连接的信号频率补偿电路，分别与三极管VT2的集电极和处理芯片U的VOUT管脚相连接的带宽多谐振电路，以及串接在信号频率补偿电路与带宽多谐振电路之间的信号电平调节电路组成；所述处理芯片U的GND管脚接地。

2.根据权利要求1所述的一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理***，其特征在于，所述信号电平调节电路由场效应管MOS3，三极管VT7，三极管VT8，正极经电阻R32后与三极管VT7的发射极相连接、负极与信号频率补偿电路相连接的极性电容C16，正极经可调电阻R33后与极性电容C16的正极相连接、负极接地的极性电容C17，N极经电阻R36后与三极管VT7的基极相连接、P极经电阻R34后与极性电容C17的相连接的二极管D14，N极与三极管VT7的集电极相连接、P极顺次经电阻R35和电阻R37后与场效应管MOS3的漏极相连接的二极管D13，正极与三极管VT7的基极相连接、负极经电阻R38后与场效应管MOS3的漏极相连接的极性电容C18，N极与极性电容C18的负极相连接、P极经电阻R39后与场效应管MOS3的源极相连接的二极管D15，正极经电阻R40后与场效应管MOS3的源极相连接、负极经电感L4后与三极管VT8的集电极相连接的极性电容C19，负极与三极管VT8的基极相连接、正极与场效应管MOS3的源极相连接的极性电容C20，P极经可调电阻R41后与场效应管MOS3的漏极相连接、N极与场效应管MOS3的栅极相连接的二极管D16，以及一端与场效应管MOS3的栅极相连接、另一端接地的电阻R42组成；所述二极管D14的N极还与极性电容C19的正极相连接；所述三极管VT8的集电极接地、其发射极与场效应管MOS3的栅极相连接；所述场效应管MOS3的栅极与带宽多谐振电路相连接。

3.据权利要求2一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理***，其特征在于，所述信号接收滤波电路由放大器P1，放大器P2，三极管VT1，负极经电阻R4后与放大器P1的正极相连接、正极与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C3，N极经可调电阻R5后与极性电容C3的负极相连接、P极经热敏电阻RT1后与三极管VT1的发射极相连接的二极管D2，N极经电阻R9后与放大器P1的输出端相连接、P极经电阻R8后与放大器P1的正极相连接的二极管D3，负极经电阻R7后与二极管D3的N极相连接、正极经电阻R6后与二极管D2的P极相连接的极性电容C4，负极与场效应管MOS1的栅极相连接、正极电阻R3后与放大器P1的负极相连接的极性电容C2，一端与极性电容C2的正极相连接、另一端接地的电阻R2，P极经电阻R1后与极性电容C2的正极相连接、N极与场效应管MOS1的漏极相连接的二极管D1，正极经电阻R10后与放大器P2的负极相连接、负极经电阻R11后与放大器P2的输出端相连接的极性电容C1，一端与放大器P2的负极相连接、另一端与极性电容C1的负极相连接的电感L1，以及正极经电阻R12后与放大器P2的输出端相连接、负极接地的极性电容C5组成；所述三极管VT1的基极作为信号接收滤波电路的输入端；所述放大器P1的输出端分别与放大器P2的正极和场效应管MOS1的源极相连接；所述放大器P2的输出端还与处理芯片U的IN管脚相连接。

4.据权利要求3的一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理***，其特征在于，所述信号频率补偿电路由放大器P3，三极管VT5，三极管VT6，正极与处理芯片U的BLANK管脚相连接、负极与三极管VT6的发射极相连接的极性电容C15，P极经电阻R31后与三极管VT6的集电极相连接、N极经电阻R29后与三极管VT5的集电极相连接的二极管D12，负极与三极管VT5的集电极相连接、正极经电阻R30后与处理芯片U的VSY管脚相连接的极性电容C14，正极与三极管VT5的基极相连接、负极经电阻R28后与三极管VT5的集电极相连接的极性电容C13，N极与放大器P3的正极相连接、P极与三极管VT5的基极相连接的二极管D11，正极与放大器P3的负极相连接、负极接地的极性电容C12，P极与放大器P3的输出端相连接、N极经可调电阻R27后与放大器P3的负极相连接的二极管D10，以及正极与处理芯片U的SCPI管脚相连接、负极经电阻R26后与放大器P3的输出端相连接的极性电容C10组成；所述三极管VT6的基极与极性电容C14的正极相连接；所述三极管VT5的集电极接地、其发射极与处理芯片U的SAW管脚相连接、其基极还与处理芯片U的MUTE管脚相连接；所述放大器P3的输出端还与极性电容C16的负极相连接。

5.据权利要求4的一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理***，其特征在于，所述带宽多谐振电路由场效应管MOS2，三极管VT3，三极管VT4，P极经电阻R19后与处理芯片U的VOUT管脚相连接、N极经电阻R20后与三极管VT4的基极相连接的二极管D7，正极与二极管D7的P极相连接、负极与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C9，正极经电阻R23后与场效应管MOS2的栅极相连接、负极经电阻R22后与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C11，P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极顺次经电阻R25和可调电阻R24后与极性电容C11的负极相连接的二极管D9，P极与极性电容C11的负极相连接、N极经可调电阻R21后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D8，正极经电感L3后与三极管VT3的发射极相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C8，P极经电阻R18后与三极管VT3的集电极相连接、N极经热敏电阻RT2后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D6，以及负极与三极管VT3的基极相连接、正极经电阻R17后与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C7组成；所述极性电容C7的正极还与三极管VT2的集电极相连接；所述三极管VT3的发射极还与二极管D7的P极相连接；所述场效应管MOS2的源极还与场效应管MOS3的栅极相连接；所述电阻R25与可调电阻R24的连接点接地；所述三极管VT4的集电极作为带宽多谐振电路的输出端。

6.据权利要求5的一种铝电解阳极电流测量仪用电平调节型信号处理***，其特征在于，所述的处理芯片U为TDA1670集成芯片。