CN106206904A - 一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置 - Google Patents

一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106206904A
CN106206904A CN201510210137.4A CN201510210137A CN106206904A CN 106206904 A CN106206904 A CN 106206904A CN 201510210137 A CN201510210137 A CN 201510210137A CN 106206904 A CN106206904 A CN 106206904A
Authority
CN
China
Prior art keywords
reflecting layer
luminescence
wavelength converter
wavelength
particle diameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510210137.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106206904B (zh
Inventor
李乾
陈雨叁
王艳刚
许颜正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Appotronics Corp Ltd
Original Assignee
Appotronics Corp Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Appotronics Corp Ltd filed Critical Appotronics Corp Ltd
Priority to CN201510210137.4A priority Critical patent/CN106206904B/zh
Priority to PCT/CN2016/080643 priority patent/WO2016173527A1/zh
Priority to US15/570,441 priority patent/US20180158995A1/en
Publication of CN106206904A publication Critical patent/CN106206904A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106206904B publication Critical patent/CN106206904B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/007—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements the movable or deformable optical element controlling the colour, i.e. a spectral characteristic, of the light
    • G02B26/008—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements the movable or deformable optical element controlling the colour, i.e. a spectral characteristic, of the light in the form of devices for effecting sequential colour changes, e.g. colour wheels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/23—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  for the control of the colour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Astronomy & Astrophysics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明保护一种波长转换装置，包括发光-反射层，该发光-反射层包含波长转换材料、氧化铝、氧化钛和粘接剂，不仅减少了激发光在发光-反射层中传播而导致的发热，而且提高了发光-反射层的致密度和散热性能，从而能够适用于更大功率的激发光源。本发明还保护一种包括该波长转换装置的荧光色轮和发光装置。

Description

一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置
技术领域
本发明涉及波长转换发光领域，特别是涉及一种适用于大功率激光光源的波长转换装置、荧光色轮及发光装置。
背景技术
在目前的照明和投影领域，随着人们在生产和生活中对亮度的需求逐渐提高，直接发出白光的灯泡作为光源越来越无法满足发光需要。LED和LD的固态光源在高亮度高功率照明领域扮演着越来越重要的角色。
然而LED和LD都无法直接提供白光，因此以LED或LD为发光元件的光源，都是通过获得红绿蓝三基色光后合光而得到白光。尤其在激发光激发荧光色轮的应用中，通常利用多色段色轮获得各基色光，然后通过时序合光的方式来获得白光，以这种方式获得白光效率低，且不利于白光的独立调制。
另一方面，白光LED照明采用蓝光LED与YAG荧光粉结合的方式获得白光，其通过蓝光LED激发YAG荧光粉获得黄光，然后将黄光与蓝光合光得到白光。该技术方案中，将YAG荧光粉用透明介质包覆成层，蓝光在穿过该透明介质时被部分吸收，导致透明介质和YAG荧光粉的温度升高，导致荧光粉的发光效率下降。这种情况随着激发光功率的逐渐提高而愈发明显。
发明内容
针对上述现有技术中的YAG荧光粉层发热的缺陷，本发明提供一种适用于大功率激发光源的波长转换装置，其对激发光的吸收更少，发热量少、可靠性良好。
本发明提供了一种波长转换装置，包括发光-反射层，该发光-反射层包含波长转换材料、氧化铝、氧化钛和粘接剂。
本发明还提供了一种荧光色轮，包括上述波长转换装置，该波长转换装置的发光-反射层呈圆环形或扇环形分布。
本发明还提供了一种发光装置，包括上述波长转换装置，还包括一激发光源，该激发光源为固态光源。
与现有技术相比，本发明包括如下有益效果：
通过采用包含波长转换材料、氧化铝、氧化钛和粘接剂的发光-反射层，将波长转换材料与反射材料置于同一个层内，使得激发光在入射于该层时，部分激发光可以被直接反射出该层，减少了激发光在层内传播而导致的介质温度升高；同时，氧化铝和氧化钛以较少的量实现较高的反射率，并填充了波长转换材料大颗粒之间的空隙，提高了发光-反射层的致密度和导热性能，不仅减少波长转换装置的发热量，而且增强了波长转换装置的散热性能，从而使其能够适用于更大功率的激发光源。
附图说明
图1为本发明实施例一的波长转换装置的结构示意图；
图2为本发明实施例二的波长转换装置的结构示意图；
图3为本发明实施例三的波长转换装置的结构示意图；
图4为本发明实施例四的荧光色轮的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本发明实施例进行详细说明。
实施例一
请参见图1，图1为本发明实施例一的波长转换装置的结构示意图，该波长转换装置包括发光-反射层110，该发光-反射层110包括波长转换材料210、氧化钛颗粒220、氧化铝颗粒230和粘接剂240，发光-反射层110既有反射入射光的功能，同时也具有受激发后发出受激光的功能。
其中，波长转换材料用于将来自激发光源的激发光波长转换为受激光，波长转换材料210分布于发光-反射层110中，形成发光中心和发热中心。氧化钛颗粒220和氧化铝颗粒230起反射作用，分布于波长转换材料210颗粒的间隙中，其中氧化钛颗粒220对波长大于550nm的光具有较好的反射率，对短波可见光的反射率不佳，而氧化铝颗粒230对蓝光尤其是波长小于480nm的光具有较好的反射率。对于宽谱光尤其是白光，单独采用一种反射颗粒(即氧化铝颗粒或氧化钛颗粒)无法达到理想的反射，因此本发明采用将氧化铝颗粒230与氧化钛颗粒220相结合的方式。此外，发明人将氧化铝颗粒和氧化钛颗粒结合后发现，该混合反射颗粒极易成膜并填补颗粒间的空隙，使得该混合层能够以较少的量达到较高的反射率。粘接剂240用于将波长转换材料210、氧化钛颗粒220和氧化铝颗粒230粘接成层。
在本实施例中，波长转换材料210为YAG:Ce荧光粉，该荧光粉的发光效率高，荧光粉的粒径大于氧化钛颗粒220和氧化铝颗粒230的粒径，一方面，大粒径的YAG:Ce荧光粉的发光效率高，另一方面，氧化钛颗粒和氧化铝颗粒的粒径较小则可以填充到大粒径荧光粉的空隙中，使发光-反射层更加致密。在本发明的其他实施例中，波长转换材料也可以选择两种或两种以上荧光粉的组合，例如绿色荧光粉与红色荧光粉的混合荧光粉，在蓝光的照射下，该发光-反射层同时发出红绿蓝三基色光，而且可以分别调节绿色荧光粉和红色荧光粉的量来调节白平衡。
荧光粉的粒径范围为1～50μm，在本实施例的一个更优选的实施方案中，荧光粉的粒径范围为10～20μm，粒径过小则发光强度偏低，而粒径过大则不容易成型。
氧化铝和氧化钛的粒径范围为0.05～5μm，在本实施例的一个更优选的实施方案中，氧化铝和氧化钛的粒径范围为0.1～1μm，粒径过小则容易使粘接剂出现多孔状结构，影响发光-反射层的导热性能，而粒径过大则不利于填充荧光粉颗粒间隙，导致发光-反射层厚度增加。
本实施例中，波长转换材料荧光粉210占发光-反射层110的质量百分比为20％～60％，氧化钛颗粒220占发光-反射层110的质量百分比为0.1％～5％，氧化铝颗粒230占发光-反射层110的质量百分比为0.1％～5％。氧化钛颗粒和氧化铝颗粒的粒径较小，小粒径颗粒容易导致粘接剂包覆时产生空隙，因此氧化钛颗粒和氧化铝颗粒的含量不能过多。同时，为保证最够的反射率，氧化钛颗粒和氧化铝颗粒也需要保证足够多的量。
在一个更优选的实施方案中，波长转换材料荧光粉210占发光-反射层110的质量百分比为35％～55％，氧化钛颗粒220占发光-反射层110的质量百分比为0.1％～1％，氧化铝颗粒230占发光-反射层110的质量百分比为0.1％～1％。
本实施例中，粘接剂呈连续分布，即发光-反射层110中的粘接剂中任一点都可以不跨过任何界面而到达粘接剂中的另一点，或着仅有部分区域内的粘接剂需要跨过界面到达其他区域内的粘接剂。这种连续分布的结构具有良好的导热和抗压性能，热量在其内部传输不需要经过界面，即减少了界面热阻。为达到这种连续分布，必须有足够多的粘接剂含量，同时为保证波长转换材料的利用率，粘接剂的量不能过多。在本实施例中，粘接剂的质量百分比为40％～80％，在一个更优的实施方式中，粘接剂的质量百分比为45％～65％。
本实施例中的粘接剂为玻璃介质，该玻璃介质呈连续分布。为保证透光性、导热性和耐温性，该玻璃介质可以选择SiO2-B2O3-RO、SiO2-TiO2-Nb2O5-R’2O、ZnO-P2O5中的一种或多种，其中R为Mg、Ca、Sr、Ba、Na、K中的一种或多种，R’为Li、Na、K中的一种或多种。
在本发明的其他实施方式中，粘接剂也可以为硅胶或硅树脂，该粘接剂适用于较低功率的激发光源发光。
实施例二
请参见图2，图2为本发明实施例二的波长转换装置的结构示意图。其中波长转换装置包括发光-反射层110和基板130。
发光-反射层110参照实施例一中的设置，基板130为氮化铝陶瓷基板，该基板热导率高，且与包含氧化铝和氧化钛的发光-反射层110具有更好的结合性能。
在其他的变形实施方案中，基板130也可以为其他陶瓷基板，如氧化铝基板、氮化硼基板、氮化硅基板、碳化硅基板、氧化铍基板。
基板130也可以为金属基板，例如铝基板或铜基板，金属基板具有更优异的导热性能。当发光-反射层110中的粘接剂为玻璃介质时，金属基板与发光-反射层之间还包括一金属化层或焊接层，以使两者结合更加稳定；当粘接剂为硅胶或硅树脂时，则不需要增加金属化层。
此外，基板130还可以是金属与陶瓷的合金层，例如铝金属与氮化铝的合金层，该层兼顾铝金属的高导热与氮化铝的低热膨胀系数，而且易与发光-反射层结合。
实施例三
请参见图3，图3为本发明实施例三波长转换装置的结构示意图。其中波长转换装置包括发光-反射层110、纯反射层120和基板130。与实施例二相比，实施例三的区别仅在于增加了位于发光-反射层110和基板130之间的纯反射层120，纯反射层120用于将穿过发光-反射层110的光反射回去。
纯反射层120包含氧化铝、氧化钛和粘接剂，该粘接剂为与发光-反射层相同的粘接剂，从而使得两层能够紧密结合，不因外力或温度的变化而发生剥离等现象。
氧化铝对可见光有优良的反射率，纯的氧化铝层对可见光的反射率可达到90％，然而由于氧化铝各颗粒间的空隙大，光线会绕过氧化铝颗粒透射，因此需要堆叠较厚的氧化铝层才能够达到上述反射率，而氧化铝层厚度越大，层体的导热性能越差。氧化钛本身具有一定的反射率，尤其对波长大于550nm的光具有较好的反射率，然而氧化钛对波长小于480nm的光反射率不佳，不能满足反射层反射率的性能需求。将氧化铝和氧化钛后结合发现，该混合反射层极易成膜，氧化钛填补了氧化铝颗粒间的空隙，同时利用自身的反射特性保证从氧化铝颗粒之间部分穿过的光被反射回去。因此使得该混合层能够在较薄的厚度下达到较高的反射率。此外，氧化钛相对于氧化铝，与软化后的粘接剂(如玻璃粉、硅胶或硅树脂)具有更好的浸润性，不易在内部形成封闭气泡。
本实施例中，为达到更好的反射效果，氧化铝颗粒占纯反射层120质量百分比为1％～60％，氧化钛颗粒占纯反射层120的质量百分比为1％～40％，粘接剂占纯反射层120的质量百分比为30％～70％。
在本实施例中，发光-反射层110和纯反射层120是通过共同烧结的方式结合的，烧结前，两者以烘干的浆料的形态叠加成层，这样两者可以经过相同的烧结过程后成层，保证了整体波长转换装置的均匀性。
实施例四
请参见图4，图4为本发明实施例四的荧光色轮的结构示意图。荧光色轮100包括发光-反射层110、纯反射层120、基板130和驱动装置140。发光-反射层110、纯反射层120和基板130的设置参见上述实施例中的描述。驱动装置140用于驱动基板绕其中心轴旋转。
本实施例中，基板130为圆盘形，发光-反射层110和纯反射层120呈圆环形。在本发明的其他实施方式中，发光-反射层110也可以为多各扇环形拼接而成。参照实施例一中的描述，纯反射层120并非必须的，在发光-反射层110无法被光穿过的情况下，也可以直接将发光-反射层110与基板130连结。
实施例五
本实施例在实施例四的基础上进一步变形，本实施例的荧光色轮为多段式色轮，当激发光以形成光斑的形式照射到旋转的色轮的发光面上时，色轮依时序发射出不同波长范围的光。色轮的发光层包括如上述实施例一所述的发出白光的发光-反射层，发光层还包括由荧光粉和粘接剂组成(不含氧化钛和氧化铝)的能够发出其他光的发光色段。例如，发光层可以由发出白光的发光-反射层、绿光荧光粉层、红光荧光粉层和透明扩散层组成，该色轮配合蓝色激发光源可以实现出射红绿蓝白四段色，极大的提升了发光亮度和发光效率。当然，发光层也可以由发出白光的发光-反射层和其他光谱范围窄于白光的发光色段组成，该种类型属于与上述出射红绿蓝白四段色的荧光色轮为简单替代的技术方案。
本发明还提供了一种发光装置，该发光装置应用上述实施例中的波长转换装置作为发光组件，还包括一激发光源，该激发光源为固态光源，如LD或LED了，激发光源用于激发波长转换装置发出受激光。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (14)

1.一种波长转换装置，其特征在于，包括发光-反射层，所述发光-反射层包含波长转换材料、氧化铝、氧化钛和粘接剂。
2.根据权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述波长转换材料为荧光粉，该荧光粉的粒径大于所述氧化铝和氧化钛的粒径，所述荧光粉为YAG:Ce荧光粉，或者为绿色荧光粉与红色荧光粉的混合荧光粉。
3.根据权利要求2所述的波长转换装置，其特征在于，所述荧光粉的粒径为1～50μm，氧化铝的粒径为0.05～5μm，氧化钛的粒径为0.1～5μm。
4.根据权利要求3所述的波长转换装置，其特征在于，所述荧光粉的粒径为10～20μm，氧化铝的粒径为0.1～1μm，氧化钛的粒径为0.1～1μm。
5.根据权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述波长转换材料占所述发光-反射层的质量百分比为20％～60％，氧化铝占所述发光-反射层的质量百分比为0.1％～5％，氧化钛占所述发光-反射层的质量百分比为0.1％～5％。
6.根据权利要求5所述的波长转换装置，其特征在于，所述波长转换材料占所述发光-反射层的质量百分比为35％～55％，氧化铝占所述发光-反射层的质量百分比为0.1％～1％，氧化钛占所述发光-反射层的质量百分比为0.1％～1％。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的波长转换装置，其特征在于，所述粘接剂占所述发光-反射层的质量百分比为40％～80％。
8.根据权利要求7所述的波长转换装置，其特征在于，所述粘接剂占所述发光-反射层的质量百分比为45％～65％。
9.根据权利要求7所述的波长转换装置，其特征在于，所述粘接剂为玻璃介质，玻璃介质为连续玻璃介质，该玻璃介质为SiO2-B2O3-RO、SiO2-TiO2-Nb2O5-R’2O、ZnO-P2O5中的一种或多种，其中R为Mg、Ca、Sr、Ba、Na、K中的一种或多种，R’为Li、Na、K中的一种或多种。
10.根据权利要求7所述的波长转换装置，其特征在于，所述粘接剂为硅胶或硅树脂。
11.根据权利要求1～5中任一项所述的波长转换装置，其特征在于，还包括位于所述发光-反射层一侧表面的基板，该基板为陶瓷基板、金属基板或陶瓷与金属的复合基板。
12.根据权利要求11所述的波长转换装置，其特征在于，还包括位于所述基板和所述发光-反射层之间的纯反射层，该纯反射层包含氧化铝、氧化钛和粘接剂。
13.一种荧光色轮，包括权利要求1～12中任一项所述的波长转换装置，所述波长转换装置的发光-反射层呈圆环形或扇环形分布。
14.一种发光装置，包括权利要求1～12中任一项所述的波长转换装置，还包括一激发光源，该激发光源为固态光源。
CN201510210137.4A 2015-04-29 2015-04-29 一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置 Active CN106206904B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510210137.4A CN106206904B (zh) 2015-04-29 2015-04-29 一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置
PCT/CN2016/080643 WO2016173527A1 (zh) 2015-04-29 2016-04-29 一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置
US15/570,441 US20180158995A1 (en) 2015-04-29 2016-04-29 Wavelength coinventor, fluorescent color wheel, and light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510210137.4A CN106206904B (zh) 2015-04-29 2015-04-29 一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106206904A true CN106206904A (zh) 2016-12-07
CN106206904B CN106206904B (zh) 2019-05-03

Family

ID=57198127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510210137.4A Active CN106206904B (zh) 2015-04-29 2015-04-29 一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20180158995A1 (zh)
CN (1) CN106206904B (zh)
WO (1) WO2016173527A1 (zh)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018103481A1 (zh) * 2016-12-09 2018-06-14 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 陶瓷复合材料的制备方法、陶瓷复合材料及波长转换器
WO2018209819A1 (zh) * 2017-05-19 2018-11-22 深圳市光峰光电技术有限公司 一种波长转换装置及其制备方法、光源
WO2019015221A1 (zh) * 2017-07-21 2019-01-24 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置、包含其的光源及投影装置
WO2019015220A1 (zh) * 2017-07-21 2019-01-24 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置、包含其的光源及投影装置
CN110221510A (zh) * 2018-03-02 2019-09-10 精工爱普生株式会社 波长转换元件、照明装置和投影仪
WO2019174226A1 (zh) * 2018-03-12 2019-09-19 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及其制备方法
CN110256897A (zh) * 2019-07-19 2019-09-20 广州歌林尔新材料有限公司 一种无机油墨、光伏背板玻璃及其制备方法
CN110361912A (zh) * 2018-04-10 2019-10-22 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置
CN110488560A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 中强光电股份有限公司 波长转换元件及其形成方法、波长转换模块以及投影装置
CN110687674A (zh) * 2018-07-06 2020-01-14 中强光电股份有限公司 波长转换模块、波长转换模块的形成方法以及投影装置
WO2020048101A1 (zh) * 2018-09-03 2020-03-12 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及光源***
CN110892470A (zh) * 2017-08-03 2020-03-17 株式会社V技术 全彩led显示面板
WO2020052228A1 (zh) * 2018-09-10 2020-03-19 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及光源***
CN110970543A (zh) * 2019-12-05 2020-04-07 江西省晶能半导体有限公司 荧光膜片及白光led芯片
CN111352180A (zh) * 2018-12-24 2020-06-30 深圳光峰科技股份有限公司 反射结构、反射结构的制备方法及波长转换装置
CN111474817A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 中强光电股份有限公司 波长转换模块以及投影装置
CN111948890A (zh) * 2019-05-16 2020-11-17 台达电子工业股份有限公司 荧光色轮及使用其的光源***
CN112236706A (zh) * 2018-04-28 2021-01-15 美题隆精密光学（上海）有限公司 高效且均匀的激光激发式白光生成器
CN112585240A (zh) * 2018-07-27 2021-03-30 美题隆公司 用于荧光体照明***的反射颜色校正
CN113396201A (zh) * 2019-02-06 2021-09-14 夏普株式会社 波长变换元件、光源装置、车辆用前照灯具、透射型照明装置、显示装置以及照明装置
CN113603462A (zh) * 2021-07-20 2021-11-05 中国计量大学 一种陶瓷-玻璃复合结构荧光色轮及其制备方法和在激光显示源中的应用
CN113625517A (zh) * 2020-05-07 2021-11-09 台达电子工业股份有限公司 波长转换装置
US11226547B2 (en) 2019-05-16 2022-01-18 Delta Electronics, Inc. Phosphor wheel and light source system using the same
US11543649B2 (en) 2019-09-30 2023-01-03 Delta Electronics, Inc. Wavelength conversion device for projector
US11552224B2 (en) 2019-09-30 2023-01-10 Delta Electronics, Inc. Wavelength conversion device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1783418A (zh) * 2004-11-30 2006-06-07 东芝照明技术株式会社 荧光灯及照明器具
CN102893417A (zh) * 2010-03-23 2013-01-23 株式会社朝日橡胶 有机硅树脂制反射基材及其制造方法、以及用于该反射基材的原材料组合物
CN102891203A (zh) * 2012-10-06 2013-01-23 保定天威薄膜光伏有限公司 荧光转换白色封装材料及使用该封装材料的太阳能电池
CN104164197A (zh) * 2013-05-17 2014-11-26 达兴材料股份有限公司 用于发光装置的封装胶及发光装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
US7781783B2 (en) * 2007-02-07 2010-08-24 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. White light LED device
JP2010090011A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 酸化チタン粉末、分散液及び酸化チタン粉末の製造方法
CN101719533B (zh) * 2009-11-27 2015-12-09 晶能光电（江西）有限公司 含有荧光粉的数码管及其制造方法
TWI486254B (zh) * 2010-09-20 2015-06-01 Nitto Denko Corp 發光陶瓷層板及其製造方法
US20120201030A1 (en) * 2011-02-07 2012-08-09 Intematix Corporation Photoluminescence color wheels
CN103764788B (zh) * 2011-08-04 2016-04-20 皇家飞利浦有限公司 光转换器和包括这样的光转换器的照明单元
DE102011084961A1 (de) * 2011-10-21 2013-04-25 Osram Gmbh Leuchtstoffrad, Verfahren zum Herstellen eines Leuchtstoffrads und Beleuchtungsanordnung
CN102434853B (zh) * 2011-10-25 2016-03-16 深圳市光峰光电技术有限公司 光波长转换片、其制备方法及使用该光波长转换片的光源
KR101565660B1 (ko) * 2012-11-28 2015-11-04 주식회사 엘지화학 발광 다이오드
CN104566229B (zh) * 2013-10-15 2016-06-08 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置的制造方法
DE102014101804A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US20160139401A1 (en) * 2014-11-14 2016-05-19 Taiwan Color Optics, Inc. Glass phosphor color wheel and methods for producing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1783418A (zh) * 2004-11-30 2006-06-07 东芝照明技术株式会社 荧光灯及照明器具
CN102893417A (zh) * 2010-03-23 2013-01-23 株式会社朝日橡胶 有机硅树脂制反射基材及其制造方法、以及用于该反射基材的原材料组合物
CN102891203A (zh) * 2012-10-06 2013-01-23 保定天威薄膜光伏有限公司 荧光转换白色封装材料及使用该封装材料的太阳能电池
CN104164197A (zh) * 2013-05-17 2014-11-26 达兴材料股份有限公司 用于发光装置的封装胶及发光装置

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11267762B2 (en) 2016-12-09 2022-03-08 Appotronics Corporation Limited Preparation method for ceramic composite material, ceramic composite material, and wavelength converter
CN108610023A (zh) * 2016-12-09 2018-10-02 深圳市光峰光电技术有限公司 陶瓷复合材料的制备方法、陶瓷复合材料及波长转换器
WO2018103481A1 (zh) * 2016-12-09 2018-06-14 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 陶瓷复合材料的制备方法、陶瓷复合材料及波长转换器
US11697621B2 (en) 2016-12-09 2023-07-11 Appotronics Corporation Limited Preparation method for ceramic composite material, ceramic composite material, and wavelength converter
WO2018209819A1 (zh) * 2017-05-19 2018-11-22 深圳市光峰光电技术有限公司 一种波长转换装置及其制备方法、光源
WO2019015221A1 (zh) * 2017-07-21 2019-01-24 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置、包含其的光源及投影装置
CN109424942A (zh) * 2017-07-21 2019-03-05 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置、包含其的光源及投影装置
CN109282169A (zh) * 2017-07-21 2019-01-29 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置、包含其的光源及投影装置
WO2019015220A1 (zh) * 2017-07-21 2019-01-24 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置、包含其的光源及投影装置
CN109282169B (zh) * 2017-07-21 2021-10-26 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置、包含其的光源及投影装置
CN110892470A (zh) * 2017-08-03 2020-03-17 株式会社V技术 全彩led显示面板
CN110221510A (zh) * 2018-03-02 2019-09-10 精工爱普生株式会社 波长转换元件、照明装置和投影仪
CN110221510B (zh) * 2018-03-02 2021-08-13 精工爱普生株式会社 波长转换元件、照明装置和投影仪
WO2019174226A1 (zh) * 2018-03-12 2019-09-19 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及其制备方法
CN110361912A (zh) * 2018-04-10 2019-10-22 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置
CN110361912B (zh) * 2018-04-10 2021-08-17 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置
CN112236706A (zh) * 2018-04-28 2021-01-15 美题隆精密光学（上海）有限公司 高效且均匀的激光激发式白光生成器
CN117389028A (zh) * 2018-04-28 2024-01-12 美题隆精密光学（上海）有限公司 高效且均匀的激光激发式白光生成器
TWI810280B (zh) * 2018-04-28 2023-08-01 大陸商美題隆精密光學（上海）有限公司 高效且均勻的鐳射激發式白光生成器
CN112236706B (zh) * 2018-04-28 2024-01-16 美题隆精密光学（上海）有限公司 高效且均匀的激光激发式白光生成器
US10571789B2 (en) 2018-05-14 2020-02-25 Coretronic Corporation Wavelength conversion element and forming method thereof, wavelength conversion module, and projection device
CN110488560A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 中强光电股份有限公司 波长转换元件及其形成方法、波长转换模块以及投影装置
CN110687674A (zh) * 2018-07-06 2020-01-14 中强光电股份有限公司 波长转换模块、波长转换模块的形成方法以及投影装置
US10854791B2 (en) 2018-07-06 2020-12-01 Coretronic Corporation Wavelength conversion module, method for forming wavelength conversion module, and projection device
CN110687674B (zh) * 2018-07-06 2021-10-29 中强光电股份有限公司 波长转换模块、波长转换模块的形成方法以及投影装置
CN112585240A (zh) * 2018-07-27 2021-03-30 美题隆公司 用于荧光体照明***的反射颜色校正
WO2020048101A1 (zh) * 2018-09-03 2020-03-12 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及光源***
WO2020052228A1 (zh) * 2018-09-10 2020-03-19 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及光源***
CN111352180A (zh) * 2018-12-24 2020-06-30 深圳光峰科技股份有限公司 反射结构、反射结构的制备方法及波长转换装置
CN111474817A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 中强光电股份有限公司 波长转换模块以及投影装置
US11300863B2 (en) 2019-01-24 2022-04-12 Coretronic Corporation Wavelength conversion module and projection device
CN113396201A (zh) * 2019-02-06 2021-09-14 夏普株式会社 波长变换元件、光源装置、车辆用前照灯具、透射型照明装置、显示装置以及照明装置
CN111948890A (zh) * 2019-05-16 2020-11-17 台达电子工业股份有限公司 荧光色轮及使用其的光源***
US11226547B2 (en) 2019-05-16 2022-01-18 Delta Electronics, Inc. Phosphor wheel and light source system using the same
CN110256897B (zh) * 2019-07-19 2021-12-07 安米微纳新材料(广州)有限公司 一种无机油墨、光伏背板玻璃及其制备方法
CN110256897A (zh) * 2019-07-19 2019-09-20 广州歌林尔新材料有限公司 一种无机油墨、光伏背板玻璃及其制备方法
US11543649B2 (en) 2019-09-30 2023-01-03 Delta Electronics, Inc. Wavelength conversion device for projector
US11552224B2 (en) 2019-09-30 2023-01-10 Delta Electronics, Inc. Wavelength conversion device
CN110970543A (zh) * 2019-12-05 2020-04-07 江西省晶能半导体有限公司 荧光膜片及白光led芯片
CN113625517A (zh) * 2020-05-07 2021-11-09 台达电子工业股份有限公司 波长转换装置
CN113603462B (zh) * 2021-07-20 2022-08-26 中国计量大学 一种陶瓷-玻璃复合结构荧光色轮及其制备方法和在激光显示源中的应用
CN113603462A (zh) * 2021-07-20 2021-11-05 中国计量大学 一种陶瓷-玻璃复合结构荧光色轮及其制备方法和在激光显示源中的应用

Also Published As

Publication number Publication date
US20180158995A1 (en) 2018-06-07
WO2016173527A1 (zh) 2016-11-03
CN106206904B (zh) 2019-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106206904A (zh) 一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置
CN106195925A (zh) 一种波长转换装置、发光装置及投影装置
CN105737103B (zh) 波长转换装置及相关荧光色轮和投影装置
TWI632323B (zh) 波長轉換裝置及其製備方法
CN205447345U (zh) 一种波长转换装置和光源***
CN105738994B (zh) 波长转换装置及相关照明装置、荧光色轮和投影装置
WO2018225424A1 (ja) 波長変換体及びその製造方法、並びに波長変換体を用いた発光装置
CN105278225A (zh) 波长转换装置及其制备方法、相关发光装置和投影装置
CN109798457B (zh) 一种透射式蓝光激光照明组件
CN204879969U (zh) 波长转换装置、光源***和投影***
JP7271516B2 (ja) 無機結合剤を伴う蛍光体ホイール
CN108105604A (zh) 发光陶瓷结构及其制备方法、相关发光装置和投影装置
CN101572262A (zh) 宽谱白光发光二极管
JP2024052910A (ja) 改良された無機結合剤を伴う光変換デバイス
WO2019124046A1 (ja) 発光装置
CN109703120B (zh) 一种反射式蓝光激光照明组件
WO2022052616A1 (zh) 透射式波长转换装置及其发光装置
JPWO2019044288A1 (ja) 発光装置
CN108527960A (zh) 一种荧光陶瓷与蓝宝石复合陶瓷材料及其制备方法
WO2019061818A1 (zh) 一种波长转换装置及发光装置
WO2019136831A1 (zh) 波长转换装置及其光源
JP2013105647A (ja) 光源装置、発光色度調整方法、光源装置の製造方法
JP7016034B2 (ja) 発光装置
CN109282169A (zh) 波长转换装置、包含其的光源及投影装置
WO2020066839A1 (ja) 暖色複合蛍光体、波長変換体及び発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 518000 20-22, 20-22 headquarters building, 63 high tech Zone, Xuefu Road, Nanshan District, Guangdong Province, Guangdong.

Applicant after: APPOTRONICS Corp.,Ltd.

Address before: 518000 20-22, 20-22 headquarters building, 63 high tech Zone, Xuefu Road, Nanshan District, Guangdong Province, Guangdong.

Applicant before: SHENZHEN GUANGFENG TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address after: 518000 20-22, 20-22 headquarters building, 63 high tech Zone, Xuefu Road, Nanshan District, Guangdong Province, Guangdong.

Applicant after: SHENZHEN GUANGFENG TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 518055 Guangdong province Shenzhen Nanshan District Xili town Cha Guang road Shenzhen integrated circuit design application Industrial Park 401

Applicant before: APPOTRONICS Corp.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant