CN106206898A - 一种发光二极管的制作方法 - Google Patents
一种发光二极管的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106206898A CN106206898A CN201610809998.9A CN201610809998A CN106206898A CN 106206898 A CN106206898 A CN 106206898A CN 201610809998 A CN201610809998 A CN 201610809998A CN 106206898 A CN106206898 A CN 106206898A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- layer
- particles
- manufacture method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 124
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- HYXIRBXTCCZCQG-UHFFFAOYSA-J [C+4].[F-].[F-].[F-].[F-] Chemical compound [C+4].[F-].[F-].[F-].[F-] HYXIRBXTCCZCQG-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括：提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；将所述金属Ni层图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni层保留，N型半导体区域上的金属Ni层去除；将具图案化金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；在所述金属Ni颗粒上形成掩膜层；以所述金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，先进行第一步蚀刻，使得掩膜层内缩，然后再进行第二步蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种具有纳米微结构倾斜侧面的发光二极管的制作方法。
背景技术
现有的具有倾斜侧面的LED结构，制作N电极，大部分是黄光光罩后，直接利用干法蚀刻的方式，蚀刻到N型半导体层，然后制作电极，如此会出现两方面问题：（1）金属N电极对侧面光的吸收；（2）光滑的侧面使得LED芯粒内部发出的光容易出射，不能被利用，如图（1）所示。
中国专利CN105378950A公开了一种顶发射式半导体发光器件，提出先将每一个独立的发光单元以固定间距固定在载体上面，然后在两个发光单元之间通过分发或模制透明层或者颗粒，达到反射光的目的，但是该方法存在一些不足：（1）在发光部件的周围沉积一层介质，容易引入杂质，造成侧面P层、MQW层和N层连通，最后短路。在实际的LED生产中很大一部分失效如漏电或者ESD爆点出现在发光部件周围。（2）只在发光部件周围布置一层透明层或者颗粒，对于N电极的吸收部分不能避免。
发明内容
本发明的目的在于：提出一种发光二极管的制作方法，其倾斜侧面形成纳米微结构，增加了光的漫反射，使得芯片侧面发出的光改变光路，从正向发出，减少N电极对光的吸光，使得亮度增加；纳米微结构与芯片材料同质，不会由于引入其他材料造成漏电或者ESD爆点。
根据本发明的第一方面，提供一种发光二极管的制作方法，包括步骤：
（1）提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；
（2）将所述金属Ni层图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni层保留，N型半导体区域上的金属Ni层去除；
（3）将具图案化金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；
（4）在所述金属Ni颗粒上形成掩膜层；
（5）以所述金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，先进行第一步蚀刻，使得掩膜层内缩，然后再进行第二步蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。
根据本发明的第二方面，还提供另一种发光二极管的制作方法，包括步骤：
（1）提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；
（2）将具金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；
（3）将所述金属Ni颗粒图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni颗粒保留，N型半导体区域上的金属Ni颗粒去除；
（4）在所述金属Ni颗粒上形成掩膜层；
（5）以所述金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，先进行第一步蚀刻，使得掩膜层内缩，然后再进行第二步蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。
优选地，所述金属Ni层的厚度为3~200nm。
优选地，所述退火处理条件：温度为500~800℃，时间为0.5~10min。
优选地，所述步骤（4）中的掩膜层选用光阻或氧化物或金属。
优选地，所述步骤（4）之前还包括步骤：沉积一绝缘保护层用于保护位于所述N型半导体区域的磊晶层在步骤（5）蚀刻工艺中不被先蚀刻。
优选地，所述步骤（5）中第一步蚀刻用于先使得掩膜层内缩0.1~1μm。
优选地，所述步骤（5）中第一步蚀刻采用湿法蚀刻或者干法蚀刻工艺。
优选地，所述步骤（5）中第一步干法蚀刻工艺，包括：通入氧气或四氟化碳或前述组合，上电极功率：150~2000W，下电极功率：0~400W，时间：20~200s。
优选地，所述步骤（5）中第二步蚀刻采用干法蚀刻工艺。
优选地，所述步骤（5）中第二步干法蚀刻工艺，包括：通入三氯化硼或氯气或前述组合，上电极功率：150~500W，下电极功率：50~500W，时间：300~600s。
现有技术制作具有倾斜侧面的LED结构，通常是先制作P型半导体区域和N型半导体区域，此时芯粒倾斜表面为光滑结构，然后再在芯粒侧面通过沉积或者模制颗粒。与现有技术相比，本发明提供的一种发光二极管的制作方法，至少包括以下技术效果：
（1）现有技术工艺流程较为复杂，成本较高，而本发明利用金属颗粒和掩膜层作为掩膜结构，在发光二极管的制作P型半导体区域和N型半导体区域的同时，在倾斜侧面形成纳米微结构，增加了光的漫反射，使得芯片侧面发出的光改变光路，从正向朝上发出，减少N电极对光的吸光，使得亮度增加；
（2）现有技术在芯粒侧面通过沉积或者模制颗粒，即引入了异质材料，而本发明是在发光二极管的倾斜侧面形成纳米微结构，与芯片材料同质，不会由于引入其他材料造成漏电或者ESD爆点。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1为现有的具有倾斜侧面的LED结构示意图。
图2为根据本发明实施例1的一种发光二极管的制作方法流程图。
图3~8为根据本发明实施例1的一种发光二极管的制作过程。
图9为根据本发明实施例2的一种发光二极管的制作方法流程图。
图10~15为根据本发明实施例2的一种发光二极管的制作过程。
图中各标号表示如下：
100：磊晶片；101：衬底；102：N型半导体层；103：发光层；104：P型半导体层；200：金属Ni层；201：金属Ni颗粒；205：纳米微结构；300：掩膜层；400：绝缘保护层。
具体实施方式
下面将结合实施例和附图对本发明的具体实施方式作详细说明。
实施例1
如图2所示，公开了一种制作发光二极管的流程图，包括步骤S101~S105，包括：提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；将所述金属Ni层图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni层保留，N型半导体区域上的金属Ni层去除；将具图案化金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；在金属Ni颗粒上形成掩膜层；以金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，先进行第一步蚀刻，使得掩膜层内缩，然后再进行第二步蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。下面对各步骤进行进展开说明。
步骤S101：如图3所示，提供一磊晶片100，该磊晶片包括衬底101和磊晶层，该磊晶层包括N型半导体层101、发光层102和P型半导体层103；在该磊晶片100上沉积金属Ni层200，厚度介于3~200nm之间，沉积方法可以采用蒸镀或者溅镀或者原子层沉积或者其他镀膜方法，本实施例优选蒸镀方法。
步骤S102：如图4所示，将金属Ni层200图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni层保留，N型半导体区域上的金属Ni层去除，该P型半导体区域用于后续制作P电极，N型半导体区域用于后续制作N电极。
步骤S103：如图5所示，将具图案化金属Ni层201的磊晶片100进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布，退火处理的条件包括：温度为500~800℃，时间为0.5~10min，气氛为N2：25~95L。
步骤S104：如图6所示，在金属Ni颗粒201上形成掩膜层300，掩膜层的面积与金属Ni颗粒相当，掩膜层的材料可以选用光阻或氧化物或金属，本实施例优选光阻作为掩膜层，光阻厚度可为0.5~3μm，运用黄光制程制作出由柱状光阻构成的图形，此过程可采用步进式曝光机、接触式曝光机、投影式曝光机或压印方式。
步骤S105：如图7所示，以金属Ni颗粒201及掩膜层300作为掩膜结构，进行感应耦合等离子体蚀刻工艺，先进行第一步干法蚀刻，使得掩膜层内缩0.1~1μm，第一步干法蚀刻工艺，参数包括：通入氧气100~200sccm，上电极功率：1000~2000W，下电极功率：0~50W，时间：20~200s；然后如图8所示，再进行第二步干法蚀刻，使得磊晶层形成具有纳米微结构205的倾斜面且裸露出部分N型半导体层102，蚀刻工艺参数包括：通入三氯化硼5~50sccm，通入氯气60~180sccm，上电极功率：150~500W，下电极功率：50~500W，时间：300~600s，最后分别在P型半导体层104和裸露的N型半导体层102上制作P电极600和N电极500，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构205。
实施例2
如图9所示，公开了另一种制作发光二极管的流程图，包括步骤S201~S205，包括：提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；将具金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；将所述金属Ni颗粒图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni颗粒保留，N型半导体区域上的金属Ni颗粒去除；在所述金属Ni颗粒上形成掩膜层；以所述金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，先进行第一步蚀刻，使得掩膜层内缩，然后再进行第二步蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。下面对各步骤进行进展开说明。
步骤S201：如图10所示，提供一磊晶片100，该磊晶片包括衬底101和磊晶层，该磊晶层包括N型半导体层101、发光层102和P型半导体层103；在该磊晶片100上沉积金属Ni层200，厚度介于3~200nm之间，沉积方法可以采用蒸镀或者溅镀或者原子层沉积或者其他镀膜方法，本实施例优选溅镀方法。
步骤S202：如图11所示，将具金属Ni层的磊晶片201的磊晶片100进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布，退火处理的条件包括：温度为500~800℃，时间为0.5~10min，气氛为N2：25~95L。
步骤S203：如图12所示，将金属Ni颗粒201图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni颗粒保留，N型半导体区域上的金属Ni颗粒去除，该P型半导体区域用于后续制作P电极，N型半导体区域用于后续制作N电极。
步骤S204：如图13所示，在金属Ni颗粒201上先沉积一绝缘保护层400，再形成掩膜层300。该绝缘保护层400可以选用SiO2或SiN或Al2O3，本实施例优选化学气相沉积（CVD）10~30nm厚度的SiO2形成，绝缘保护层的面积与磊晶层相当（面积大于金属Ni颗粒），用于保护位于N型半导体区域的磊晶层在步骤S205蚀刻工艺中不被先蚀刻，作为缓冲作用；该掩膜层300的面积与金属Ni颗粒相当，掩膜层的材料可以选用光阻或氧化物或金属，本实施例优选光阻作为掩膜层，光阻厚度可为0.5μm~3μm，运用黄光制程制作出由柱状光阻构成的图形，此过程可采用步进式曝光机、接触式曝光机、投影式曝光机或压印方式。
步骤S205：如图14所示，以金属Ni颗粒201、绝缘保护层400及掩膜层300作为掩膜结构，进行感应耦合等离子体蚀刻工艺，先进行第一步干法蚀刻，使得绝缘保护层、掩膜层的单边尺寸相对于金属Ni颗粒均向内缩0.1~1μm，第一步干法蚀刻工艺，包括：通入四氟化碳50~300sccm，通入氧气5~200sccm，上电极功率：150~900W，下电极功率：50~400W，时间：20~200s；然后如图15所示，再进行第二步干法蚀刻，使得磊晶层形成具有纳米微结构205的倾斜面且裸露出部分N型半导体层102，蚀刻工艺参数包括：通入三氯化硼5~50sccm，通入氯气60~180sccm，上电极功率：150~500W，下电极功率：50~500W，时间：300~600s，最后分别在P型半导体层104和裸露的N型半导体层102上制作P电极600和N电极500，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构205。
实施例3
本实施例的公开了再一种制作发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：
（1）提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；
（2）将所述金属Ni层图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni层保留，N型半导体区域上的金属Ni层去除；
（3）将具图案化金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；
（4）在所述金属Ni颗粒上形成掩膜层，并采用湿法蚀刻，使得掩膜层内缩；
（5）以所述金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行感应耦合等离子体蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。
本实施例与实施例1的区别在于：实施例1的步骤S105中的位于金属Ni颗粒之上的掩膜层内缩是通过干法蚀刻工艺完成，而本实施的掩膜层内缩是通过湿法蚀刻工艺完成。本实施例的掩膜层内缩采用湿法蚀刻工艺成本较低，工艺条件简单，便于生产操作；而实施例1中掩膜层内缩采用干法蚀刻工艺便于控制相关尺寸的均匀性。
综上所述，本发明是利用金属颗粒和掩膜层作为掩膜结构，在制作P型半导体区域和N型半导体区域的同时，在芯粒倾斜表面形成纳米微结构。与现有技术相比，具有以下技术优势：
（1）充分利用现有产线的技术条件及材料，不会引入新的工艺步骤及新材料；
（2）芯粒倾斜表面形成纳米微颗粒与外延层同质，避免造成侧面P型半导体层、发光层和P型半导体层连通，最后短路，造成漏电或者ESD爆点；
（3）不仅在LED芯粒的发光区周围设置有纳米微结构，同时由于该纳米微结构位于N电极周围，避免了N金属电极对光的吸收。
应当理解的是，上述具体实施方案仅为本发明的部分优选实施例，以上实施例还可以进行各种组合、变形。本发明的范围不限于以上实施例，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管的制作方法，包括步骤：
（1）提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；
（2）将所述金属Ni层图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni层保留，N型半导体区域上的金属Ni层去除；
（3）将具图案化金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；
（4）在所述金属Ni颗粒上形成掩膜层；
（5）以所述金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，先进行第一步蚀刻，使得掩膜层内缩，然后再进行第二步蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。
2.一种发光二极管的制作方法，包括步骤：
（1）提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；
（2）将具金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；
（3）将所述金属Ni颗粒图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni颗粒保留，N型半导体区域上的金属Ni颗粒去除；
（4）在所述金属Ni颗粒上形成掩膜层；
（5）以所述金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，先进行第一步蚀刻，使得掩膜层内缩，然后再进行第二步蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。
3.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属Ni层的厚度为3~200nm。
4.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述退火处理条件：温度为500~800℃，时间为0.5~10min。
5.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（4）之前还包括步骤：沉积一绝缘保护层用于保护位于所述N型半导体区域的磊晶层在步骤（5）蚀刻工艺中不被先蚀刻。
6.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（5）中第一步蚀刻用于先使得掩膜层内缩0.1~1μm。
7.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（5）中第一步蚀刻采用湿法蚀刻或者干法蚀刻工艺。
8.根据权利要求7所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（5）中第一步干法蚀刻工艺，包括：通入氧气或四氟化碳或前述组合，上电极功率：150~2000W，下电极功率：0~400W，时间：20~200s。
9.根据权利要求1或2所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（5）中第二步蚀刻采用干法蚀刻工艺。
10.根据权利要求9所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（5）中第二步干法蚀刻工艺，包括：通入三氯化硼或氯气或前述组合，上电极功率：150~500W，下电极功率：50~500W，时间：300~600s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610809998.9A CN106206898B (zh) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | 一种发光二极管的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610809998.9A CN106206898B (zh) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | 一种发光二极管的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106206898A true CN106206898A (zh) | 2016-12-07 |
| CN106206898B CN106206898B (zh) | 2018-07-06 |
Family
ID=58067299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610809998.9A Active CN106206898B (zh) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | 一种发光二极管的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106206898B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310428A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 量子箱の製造方法 |
| US20080032436A1 (en) * | 2005-07-12 | 2008-02-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabricating the same |
| CN102222740A (zh) * | 2010-04-19 | 2011-10-19 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明*** |
| CN102263176A (zh) * | 2010-05-24 | 2011-11-30 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件、发光器件封装以及发光装置*** |
| CN102306623A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-01-04 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法 |
| CN102983235A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-20 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种纳米级图形化衬底的制造方法 |
| CN103053034A (zh) * | 2010-08-02 | 2013-04-17 | 光州科学技术院 | 制备抗反射纳米结构的方法以及光学器件的制备方法 |
| CN103489978A (zh) * | 2012-06-07 | 2014-01-01 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
-
2016
- 2016-09-08 CN CN201610809998.9A patent/CN106206898B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310428A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 量子箱の製造方法 |
| US20080032436A1 (en) * | 2005-07-12 | 2008-02-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabricating the same |
| CN102222740A (zh) * | 2010-04-19 | 2011-10-19 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明*** |
| CN102263176A (zh) * | 2010-05-24 | 2011-11-30 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件、发光器件封装以及发光装置*** |
| CN103053034A (zh) * | 2010-08-02 | 2013-04-17 | 光州科学技术院 | 制备抗反射纳米结构的方法以及光学器件的制备方法 |
| CN102306623A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-01-04 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法 |
| CN103489978A (zh) * | 2012-06-07 | 2014-01-01 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| CN102983235A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-20 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种纳米级图形化衬底的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106206898B (zh) | 2018-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10930886B2 (en) | Method for manufacturing OLED display screen and OLED display screen | |
| CN107863451B (zh) | 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法 | |
| CN106206896B (zh) | 复合图形化蓝宝石衬底及其外延片的制作方法 | |
| US10396245B2 (en) | Light emitting element having a conductive pattern and fabrication method thereof | |
| US9041012B2 (en) | Galium-nitride light emitting device having a microarray-type structure | |
| CN106784192A (zh) | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN106025012A (zh) | 一种led芯片的制备方法及采用该方法制备的led芯片 | |
| CN105140352B (zh) | GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法 | |
| CN105206724A (zh) | 一种led芯片的制作方法及一种led芯片 | |
| CN106206895A (zh) | 一种具有双电流扩展层的led及其制作方法 | |
| CN106058003A (zh) | 一种提升led芯片亮度的方法 | |
| EP2721651B1 (en) | Method for forming current diffusion layer in semiconductor light emitting device and method for fabricating semiconductor light emitting device | |
| CN104637790A (zh) | 一种大面积制作纳米图形的方法 | |
| CN102122686A (zh) | 发光二极管的制造方法 | |
| CN106206898A (zh) | 一种发光二极管的制作方法 | |
| CN105591001A (zh) | 一种发光二极管及其制作方法 | |
| CN101855737A (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| Tan et al. | Characteristics of micro-size light-emitting diode with pentagon-type structure | |
| CN209418533U (zh) | 一种led芯片 | |
| CN103311379B (zh) | 一种GaN基LED以及制造GaN基LED的方法 | |
| CN102655195A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| CN102683533B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| CN202423370U (zh) | 均匀电流分布led | |
| CN103730550B (zh) | 电流阻挡层的制作方法及相应led芯片 | |
| CN104425662A (zh) | 氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231025 Address after: Yuanqian village, Shijing Town, Nan'an City, Quanzhou City, Fujian Province Patentee after: QUANZHOU SAN'AN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: No. 1721 Lvling Road, Siming District, Xiamen City, Fujian Province, 361003 Patentee before: XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. |