CN106154673A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板及其制作方法。显示面板包括阵列基板、多个透明导电氧化图案以及显示介质。阵列基板包括基板以及依序叠于基板上的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层及第二绝缘层。基板具有主动区及接线区。第一金属层及第二金属层由主动区延伸至接线区，而分别定义出多个第一接线及多个第二接线。透明导电氧化图案配置于第二绝缘层上，位于接线区且分别对应第二接线。每一透明导电氧化图案于基板上的正投影重叠于对应的第二接线于基板上的正投影。显示介质配置于阵列基板上。本发明透明导电氧化图案的设置可有效预防及阻绝第二接线直接暴露于大气中的情况，可有效提高显示面板的结构可靠度。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种显示面板及其制作方法，尤其涉及一种具有较高可靠度的显示面板及其制作方法。
背景技术
在现有的面板布局(layout)设计中，显示面板的阵列基板在端子侧的扇出(fan-out)区域大都使用单层(single layer)的线路结构。因此，若覆盖扇出导线的保护层因制程变异而产生破洞时，最邻近此保护层的扇出导线会暴露于大气中，进而被氧化或腐蚀，而影响整体显示面板的结构可靠度。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制作方法，具有较佳的结构可靠度。
本发明的显示面板，其包括阵列基板、多个透明导电氧化图案以及显示介质。阵列基板包括基板以及依序叠于基板上的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层以及第二绝缘层。基板具有主动区以及位于主动区周围的接线区。第一金属层及第二金属层由主动区延伸至接线区，而分别定义出多个第一接线以及多个第二接线。透明导电氧化图案配置于第二绝缘层上且位于接线区，其中透明导电氧化图案分别对应第二接线，且每一透明导电氧化图案于基板上的正投影重叠于对应的第二接线于基板上的正投影。显示介质配置于阵列基板上。
在本发明的一实施例中，上述的透明导电氧化图案彼此不相连。
在本发明的一实施例中，上述的透明导电氧化图案的材质为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
在本发明的一实施例中，上述的每一透明导电氧化图案的延伸方向与对应的第二接线的延伸方向相同。
在本发明的一实施例中，上述的每一透明导电氧化图案于基板上的正投影的宽度大于对应的第二接线的线宽。
在本发明的一实施例中，上述的透明导电氧化图案的厚度介于0.042微米至0.08微米之间。
在本发明的一实施例中，上述的位于接线区的透明导电氧化图案与主动区的边缘相隔第一间距。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板还包括：至少一驱动电路，配置于阵列基板的周边电路区，其中接线区位于主动区与周边电路区之间，而第一接线与第二接线连接至驱动电路，且透明导电氧化图案与驱动电路之间相隔第二间距。
在本发明的一实施例中，上述的第一接线与第二接线呈等间距排列。
在本发明的一实施例中，上述的显示介质包括电泳显示薄膜或电湿润显示薄膜。
本发明的显示面板的制作方法，其包括以下步骤。形成阵列基板包括提供基板以及依序于基板上形成第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层以及第二绝缘层，其中基板具有主动区以及位于主动区周围的接线区，第一金属层及第二金属层由主动区延伸至接线区，而分别定义出多个第一接线以及多个第二接线。形成多个透明导电氧化图案于第二绝缘层上且位于接线区，其中透明导电氧化图案分别对应第二接线，且每一透明导电氧化图案于基板上的正投影重叠于对应的第二接线于基板上的正投影。配置显示介质于阵列基板上。
在本发明的一实施例中，上述的透明导电氧化图案彼此不相连。
在本发明的一实施例中，上述的透明导电氧化图案的材质为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
在本发明的一实施例中，上述的每一透明导电氧化图案的延伸方向与对应的第二接线的延伸方向相同。
在本发明的一实施例中，上述的每一透明导电氧化图案于基板上的正投影的宽度大于对应的第二接线的线宽。
在本发明的一实施例中，上述的透明导电氧化图案的厚度介于0.042微米至0.08微米之间。
在本发明的一实施例中，上述的位于接线区的透明导电氧化图案与主动区的边缘相隔第一间距。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的制作方法还包括：配置至少一驱动电路于阵列基板的一周边电路区，其中接线区位于主动区与周边电路区之间，而第一接线与第二接线连接至驱动电路，且透明导电氧化图案与驱动电路之间相隔第二间距。
在本发明的一实施例中，上述的第一接线与第二接线呈等间距排列。
在本发明的一实施例中，上述的显示介质包括一电泳显示薄膜或一电湿润显示薄膜。
基于上述，由于本发明的显示面板具有对应配置于第二扇出接线上的透明导电氧化图案，因此相较于现有绝缘层因制程变异而产生破洞，进而将接线暴露于大气中而导致导线氧化或腐蚀而言，本发明透明导电氧化图案的设置可有效预防及阻绝第二接线直接暴露于大气中的情况，可有效提高显示面板的结构可靠度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A为本发明的一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图；
图1B为图1A的显示面板的局部剖面示意图。
附图标记说明：
100：显示面板；
110：阵列基板；
110a：主动区；
110b：接线区；
110c：周边电路区；
111：基板；
112：第一金属层；
114：第一绝缘层；
115：半导体层；
116：第二金属层；
118：第二绝缘层；
120：透明导电氧化图案；
130：显示介质；
140：驱动电路；
D1：第一间距；
D2：第二间距；
F1：第一接线；
F2：第二接线。
具体实施方式
图1A为本发明的一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。图1B为图1A的显示面板的局部剖面示意图。请同时参考图1A与图1B，在本实施例中，显示面板100包括阵列基板110、多个透明导电氧化图案120以及显示介质130。阵列基板110包括基板111以及依序叠于基板111上的第一金属层112、第一绝缘层114、半导体层115、第二金属层116以及第二绝缘层118。基板111具有主动区110a以及位于主动区110a周围的接线区110b。第一金属层112及第二金属层116由主动区110a延伸至接线区110b，而分别定义出多个第一接线F1以及多个第二接线F2。透明导电氧化图案120配置于第二绝缘层118上且位于接线区110b，其中透明导电氧化图案120分别对应第二接线F2，且每一透明导电氧化图案120于基板111上的正投影重叠于对应的第二接线F2于基板111上的正投影。显示介质130配置于阵列基板110上。
详细来说，阵列基板110例如是主动元件阵列基板，其中位于主动区110a内的第一金属层112(可视为栅极)、第一绝缘层114(可视为栅绝缘层)、半导体层115、第二金属层116(可视为源极与漏极)以及第二绝缘层118可定义出至少一薄膜晶体管。由主动区110a往接线区110b延伸的第一金属层112于接线区110b内定义为第一接线F1，而由主动区110a往接线区110b延伸的第二金属层116于接线区110b内定义为第二接线F2。第一接线F1彼此分离，而第二接线F2彼此分离，且第一接线F1与第二接线F2呈等间距排列。
再者，本实施例的透明导电氧化图案120分别对应第二接线F2配置，透明导电氧化图案120于基板111上的正投影重叠于对应的第二接线F2于基板111上的正投影。也就是说，透明导电氧化图案120在基板111上的正投影完全不重叠于第一接线F1于基板111上的正投影。本实施例的显示面板100设置透明导电氧化图案120的目的在于：第一接线F1由图1B可得知，其上覆盖有第一绝缘层114以及第二绝缘层118的两层结构层，然而，第二接线F2其上仅覆盖一层第二绝缘层118。因此，当遇到制程变异时而导致第二绝缘层118产生破洞时(如前制程的化学气相沉积所产生的洞或后制程的切割程序所造成的破裂)，位于邻近此第二绝缘层118的第二接线F2就会暴露于大气中。因此，本实施例于第二接线F2的上方配置透明导电图案120即可多一层防护，可有效避免因制程变异而将第二接线F2暴露于大气中的情形产生，进而可提高显示面板100的结构可靠度。
更进一步来说，本实施例的透明导电氧化图案120彼此不相连，意即，单一透明导电氧化图案120对应设置于单一第二接线F2上。如图1A所示，透明导电氧化图案120的延伸方向与对应的第二接线F2的延伸方向实质上相同，但并不以此为限。透明导电氧化图案120于基板111上的正投影的宽度实质上略大于对应的第二接线F2的线宽，可有效覆盖第二接线F2。较佳地，透明导电氧化图案120的厚度介于0.042微米至0.08微米之间。透明导电氧化图案120的材质例如为铟锡氧化物或铟锌氧化物，但并不以为限。其中，上述的材质与显示面板100制程中的最后一道需使用光罩步骤的膜层(如画素电极)的材质相同，因此在制程上可不需要额外再增加光罩的使用数目，可不增加产品的制作成本。
此外，如图1A所示，本实施例的显示面板100可还包括至少一驱动电路140，配置于阵列基板110的周边电路区110c，其中接线区110b位于主动区110a与周边电路区110c之间，而第一接线F1与第二接线F2连接至驱动电路140。此处，位于接线区110b的透明导电氧化图案120与主动区110a的边缘相隔第一间距D1，且透明导电氧化图案120与驱动电路140之间相隔第二间距D2。换言之，透明导电氧化图案120仅位于接线区110b内且与主动区110a以及周边电路区110c分别相隔一距离，如此一来，可以避免透明导电氧化图案120与主动区110a内的元件以及驱动电路140产生电性连而导致信号短路的情形。
另外，本实施例的显示介质130例如是电泳显示薄膜或电湿润显示薄膜。换言之，本实施例的显示面板100例如是电泳显示面板或电湿润显示面板。当然，于其他未示出的实施例中，显示介质也可为液晶层或其他适当的显示介质，于此并不加以限制。
在制程上，请再参考图1A与图1B，首先，形成阵列基板110包括提供基板111以及依序于基板111上形成第一金属层112、第一绝缘层114、半导体层115、第二金属层116以及第二绝缘层118，其中基板111具有主动区110a以及位于主动区110a周围的接线区110b，第一金属层112及第二金属层116由主动区110a延伸至接线区110b，而分别定义出第一接线F1以及第二接线F2。接着，形成透明导电氧化图案120于第二绝缘层118上且位于接线区110b，其中透明导电氧化图案120分别对应第二接线F2，且每一透明导电氧化图案120于基板111上的正投影重叠于对应的第二接线F2于基板111上的正投影。此处，位于接线区110b的透明导电氧化图案120与主动区110a的边缘相隔第一间距D1。最后，再配置显示介质130于阵列基板110上。需说明的是，本实施例的显示面板100的制作方法也可还包括配置至少一驱动电路140于阵列基板110的一周边电路区110c，其中接线区110b位于主动区110a与周边电路区110c之间，而第一接线F1与第二接线F2连接至驱动电路140，且透明导电氧化图案120与驱动电路140之间相隔第二间距D2。也就是说，本实施例的透明导电氧化图案120仅位于接线区110b内且与主动区110a以及周边电路区110c分别相隔一距离，如此一来，可以避免透明导电氧化图案120与主动区110a内的元件以及驱动电路140产生电性连而导致信号短路的情形。至此，已完成显示面板100的制作。
综上所述，由于本发明的显示面板具有对应配置于第二扇出接线上的透明导电氧化图案，因此相较于现有绝缘层因制程变异而产生破洞，进而将接线暴露于大气中而导致导线氧化或腐蚀而言，本发明透明导电氧化图案的设置可有效预防及阻绝第二接线直接暴露于大气中的情况，可有效提高显示面板的结构可靠度。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括基板以及依序叠于所述基板上的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层以及第二绝缘层，其中所述基板具有主动区以及位于所述主动区周围的接线区，所述第一金属层及所述第二金属层由所述主动区延伸至所述接线区，而分别定义出多个第一接线以及多个第二接线；
多个透明导电氧化图案，配置于所述第二绝缘层上且位于所述接线区，其中该些透明导电氧化图案分别对应该些第二接线，且各所述透明导电氧化图案于所述基板上的正投影重叠于对应的所述第二接线于所述基板上的正投影；以及
显示介质，配置于所述阵列基板上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该些透明导电氧化图案彼此不相连。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该些透明导电氧化图案的材质为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，各所述透明导电氧化图案的延伸方向与对应的所述第二接线的延伸方向相同。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，各所述透明导电氧化图案于所述基板上的正投影的宽度大于对应的所述第二接线的线宽。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，各所述透明导电氧化图案的厚度介于0.042微米至0.08微米之间。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，位于所述接线区的所述些透明导电氧化图案与所述主动区的边缘相隔第一间距。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，还包括：
至少一驱动电路，配置于所述阵列基板的周边电路区，其中所述接线区位于所述主动区与所述周边电路区之间，而该些第一接线与该些第二接线连接至所述驱动电路，且该些透明导电氧化图案与所述驱动电路之间相隔第二间距。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该些第一接线与该些第二接线呈等间距排列。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示介质包括电泳显示薄膜或电湿润显示薄膜。
11.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
形成阵列基板，包括：提供基板以及依序于所述基板上形成第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层以及第二绝缘层，其中所述基板具有主动区以及位于所述主动区周围的接线区，所述第一金属层及所述第二金属层由所述主动区延伸至所述接线区，而分别定义出多个第一接线以及多个第二接线；
形成多个透明导电氧化图案于所述第二绝缘层上且位于所述接线区，其中该些透明导电氧化图案分别对应该些第二接线，且各所述透明导电氧化图案于所述基板上的正投影重叠于对应的所述第二接线于所述基板上的正投影；以及
配置显示介质于所述阵列基板上。
12.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该些透明导电氧化图案彼此不相连。
13.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该些透明导电氧化图案的材质为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
14.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，各所述透明导电氧化图案的延伸方向与对应的所述第二接线的延伸方向相同。
15.根据权利要求14所述的显示面板的制作方法，其特征在于，各所述透明导电氧化图案于所述基板上的正投影的宽度大于对应的所述第二接线的线宽。
16.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，各所述透明导电氧化图案的厚度介于0.042微米至0.08微米之间。
17.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，位于所述接线区的该些透明导电氧化图案与所述主动区的边缘相隔第一间距。
18.根据权利要求17所述的显示面板的制作方法，其特征在于，还包括：
配置至少一驱动电路于所述阵列基板的一周边电路区，其中所述接线区位于所述主动区与所述周边电路区之间，而该些第一接线与该些第二接线连接至所述驱动电路，且该些透明导电氧化图案与所述驱动电路之间相隔第二 间距。
19.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该些第一接线与该些第二接线呈等间距排列。
20.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示介质包括电泳显示薄膜或电湿润显示薄膜。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11348552B2 (en) 2018-03-28 2022-05-31 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for determining data processing sequence, display apparatus and display method thereof
US11695017B2 (en) 2018-10-11 2023-07-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel, and display device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1258357A (zh) * 1998-03-19 2000-06-28 精工爱普生株式会社 液晶装置以及投射型显示装置
US20070097308A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Wen-Hsiung Liu Thin film transistor array substrate and liquid crystal display
CN102053434A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 乐金显示有限公司 液晶显示设备的阵列基板、液晶显示设备及其制造方法
CN201867562U (zh) * 2010-11-15 2011-06-15 华映视讯（吴江）有限公司 主动组件阵列基板与液晶显示面板
CN102623397A (zh) * 2011-12-30 2012-08-01 友达光电股份有限公司 显示面板的阵列基板结构及其制作方法
CN203563285U (zh) * 2013-08-26 2014-04-23 胜华科技股份有限公司 电子装置
CN104269415A (zh) * 2014-08-07 2015-01-07 友达光电股份有限公司 阵列基板及显示器
CN105842883A (zh) * 2016-05-12 2016-08-10 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 光隔离器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1258357A (zh) * 1998-03-19 2000-06-28 精工爱普生株式会社 液晶装置以及投射型显示装置
US20070097308A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Wen-Hsiung Liu Thin film transistor array substrate and liquid crystal display
CN102053434A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 乐金显示有限公司 液晶显示设备的阵列基板、液晶显示设备及其制造方法
CN201867562U (zh) * 2010-11-15 2011-06-15 华映视讯（吴江）有限公司 主动组件阵列基板与液晶显示面板
CN102623397A (zh) * 2011-12-30 2012-08-01 友达光电股份有限公司 显示面板的阵列基板结构及其制作方法
CN203563285U (zh) * 2013-08-26 2014-04-23 胜华科技股份有限公司 电子装置
CN104269415A (zh) * 2014-08-07 2015-01-07 友达光电股份有限公司 阵列基板及显示器
CN105842883A (zh) * 2016-05-12 2016-08-10 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 光隔离器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11348552B2 (en) 2018-03-28 2022-05-31 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for determining data processing sequence, display apparatus and display method thereof
US11695017B2 (en) 2018-10-11 2023-07-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel, and display device
US11935901B2 (en) 2018-10-11 2024-03-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel, and display device

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