CN106129217A - 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 - Google Patents
具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106129217A CN106129217A CN201610699482.3A CN201610699482A CN106129217A CN 106129217 A CN106129217 A CN 106129217A CN 201610699482 A CN201610699482 A CN 201610699482A CN 106129217 A CN106129217 A CN 106129217A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- azo
- electrode
- roughened
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 13
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010054949 Metaplasia Diseases 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000015689 metaplastic ossification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- UMPKMCDVBZFQOK-UHFFFAOYSA-N potassium;iron(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[K+].[Fe+3] UMPKMCDVBZFQOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法,属于LED生产应用技术领域,N电极设置在衬底背面,在衬底正面依次设置N‑GaAs缓冲层、AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、MQW多量子阱有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层和P‑GaP电流扩展层,在P‑GaP电流扩展层表面设置AZO透明导电层,在部分AZO透明导电层表面布置所述P电极,在另一部分AZO透明导电层表面设置AZO粗化层。AZO透明导电层具有良好的电流扩展能力,减小了电流在局部区域内的积聚,提升了发光效率。
Description
技术领域
本发明属于LED生产应用技术领域,具体涉及一种AlGaInP发光二极管特别是其芯片的生产工艺。
背景技术
四元系AlGaInP发光二极管由于其发光效率高,颜色范围广耗电量少、寿命长、单色发光、反应速度快、耐冲击、体积小等优点而被广泛的应用于指示、显示各种装置上、汽车内部指示灯、家电指示灯、交通停信号灯、家用照明上,如何满足市场对高亮度芯片的大量需求,提升LED芯片的亮度,成为LED企业的研究重点。常规垂直结构AlGaInP 发光二极管是基于P-GaP 电流扩展层进行横向扩展,将电流注入发光区,但由于P-GaP 电流扩展能力有限,电极下方附近区域电流密度较高,离电极较远的区域电流密度较低,导致整体的电流注入效率偏低,从而降低了发光二极管的出光效率。
图案化P-GaP AlGaInP 芯片表层并蒸镀ITO透明导电薄膜可以减少光的全反射,增加芯片的出光效率,图案化P-GaP层的方法有湿法蚀刻法、纳米压印技术、聚焦离子束蚀刻,在表面时刻出小孔,可以提升光取出效率。
粗化P-GaP AlGaInP芯片表层并蒸镀ITO透明导电薄膜可以减少光的全反射,增加芯片的出光效率,图案化P-GaP层的方法主要利用碘酸:氢氟酸:冰醋酸混合液,粗化90s,粗化深度为100~500nm,粗化出表面均匀的粗糙形貌,可以提升光取出效率。
以上方案均利用了氧化铟锡透明薄膜具有良好的电流扩展能力,电极通过该氧化铟锡透明薄膜,从而减小了电流在电极下方的积聚,减少了电流的无效注入,提升了发光效率。但是氧化铟锡(ITO)中的In 属于稀缺资源,价格昂贵并且有毒,希望找到一种替代ITO的透明材料。
发明内容
本发明的目的是提出一种生产成本较低,而能提高发光效率的具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管。
本发明包括P电极和N电极,N电极设置在衬底背面,在衬底正面依次设置N-GaAs缓冲层、AlAs/AlGaAs 反射层、N-AlGaInP 下限制层、MQW 多量子阱有源层、P-AlGaInP 上限制层、P-GaInP缓冲层和P-GaP 电流扩展层,其特征在于在P-GaP 电流扩展层表面设置AZO透明导电层,在部分AZO透明导电层表面布置所述P电极,在另一部分AZO透明导电层表面设置AZO粗化层。
Al掺杂ZnO(即AZO)透明导电薄膜具有优良的透射特性,且ZnO来源广泛,价格低廉,在H等离子体中稳定性优于ITO。本发明AZO透明导电层具有良好的电流扩展能力,电流通过AZO透明导电层、AZO粗化层,将电流均匀注入到整个芯片表面,从而减小了电流在局部区域内的积聚,提升电流的有效效率,AZO粗化层是使用化学湿式粗化出表面均匀的粗糙形貌,提升了发光效率。
进一步地,本发明所述的AZO透明导电层的厚度为150~550nm,该厚度为通过AlGaInP发光波长计算得出的最佳厚度,可方便地采用磁控溅射法蒸镀。
所述AZO粗化层的厚度为50~500nm。AZO粗化层是将AZO用酸或碱湿法粗化以减少P-GaP 表面全反射的发生,提升光取出效率。电流经过P电极流入AZO透明薄膜层,AZO透明薄膜层横向电阻小于同层P-GaP 电流扩展层的接触电阻,电流在AZO透明薄膜层进行横向扩展后,再注入到P-GaP 电流扩展层中,进而进入有源层,大大提升电流注入效率,提升了发光二极管的发光亮度,同时由于工艺简单,具有传统结构发光二极管成本低,良率高的优点,适宜批量化生产,利于取得高质量、低成本的产品。
本发明另一目的是提出以上产品的制造方法。
本发明方法包括如下步骤:
1)通过MOCVD方法,在衬底一面依次形成N-GaAs 缓冲层、AlAs/AlGaAs 反射层、N-AlGaInP 下限制层、MQW 多量子阱有源层、P-AlGaInP 上限制层、P-GaInP缓冲层和P-GaP电流扩展层,取得外延芯片;
2)在外延芯片的P-GaP 电流扩展层表面制作SiO2层,在SiO2层的保护下,对P电极设置区域的P-GaP 电流扩展层中GaP层进行蚀刻,形成P电极预留孔;
3)去掉剩余的SiO2层后,在裸露的P-GaP 电流扩展层表面蒸镀形成AZO透明导电层;
4)以酸或碱溶液为粗化液,对P电极预留孔外侧的AZO透明导电层的表面进行粗化处理;
5)在P电极预留孔内制作形成P电极,在衬底的另一面制作形成N电极。
本发明方法简单、合理,特别是AZO透明导电层比较容易粗化,且透明导电,源材料方便取用,形成的产品稳定性好,优良率高。
为了保证电流经AZO透明导电层时,尽可能多的横向扩展,提升电流有效的注入效率,本发明在外延芯片制作时形成的P-GaP 电流扩展层的厚度为2~4.5μm,对P-GaP 电流扩展层中GaP层的蚀刻深度为0.1~1μm。
在P-GaP 电流扩展层制作时,以镁为掺杂材料,镁掺杂浓度为8×1017cm-3~1×1019cm-3。P-GaP 电流扩展层高浓度的掺杂是为了降低与AZO透明导电层接触势垒,改善电流注入的分布,有效提升电流注入效率,提升了发光二极管的发光强度。
对P电极预留孔外侧的AZO透明导电层的表面进行粗化处理后,于P电极预留孔外侧的AZO粗化层的厚度为50~500nm,在AZO粗化层与P-GaP 电流扩展层之间的AZO透明导电层的厚度为150~550nm。
对AZO透明导电层的表面进行粗化的深度为100~500nm。粗化深度不能过深,否则会影响出光效率。
在AZO透明导电层的表面进行粗化处理时,采用的粗化液温度为20~80℃。该工艺温度范围比较大,方便工艺操作。
为增加AZO透明导电层的光透过率、降低AZO透明导电层的体电阻、增强与P-GaP电流扩展层的粘附力,保障衬底GaAs 同N电极形成良好的电学接触,将AZO粗化的高亮度AlGaInP发光二极管进行快速退火处理,快速退火温度为380~580℃,退火时间5~20s。
附图说明
图1为本发明的一种结构示意图。
图2为图1的俯向视示图。
具体实施方式
结合附图和实施进一步说明本发明。
一、制造具体实施步骤:
1、通过MOCVD技术制作外延芯片:在作为外延层基板的GaAs 衬底100正面依次形成N-GaAs 缓冲层200、AlAs/AlGaAs 反射层201、N-AlGaInP 下限制层202、MQW 多量子阱有源层203、P-AlGaInP 上限制层204、P-GaInP缓冲层205、P-GaP 电流扩展层206,其中高掺杂镁的P-GaP 电流扩展层206厚度为4.5μm,以保证能形成良好的欧姆接触,镁的掺杂浓度为8×1017cm-3~1×10 19cm-3。
2、将外延芯片用215、511溶液液清洗P-GaP 电流扩展层206,采用PECVD的方式在表面沉积一层SiO2,在SiO2层上旋涂正性光刻胶,经过烘烤,曝光,烘烤,显影通过高速旋干机将芯片旋干、等离子打胶后,制作完成SiO2层光刻,利用HF溶液蚀刻出SiO2层开孔图形,通过去胶液去除表面旋涂正性光刻胶,利用SiO2层开孔图形,使用KOH、FeCl3、铁酸钾和水的混合液(体积比为3:1:1:1)蚀刻去除部分P-GaP 电流扩展层206中GaP层的蚀刻深度为0.1~1μm,蚀刻时间30S,温度20~40度,蚀刻深度为200nm。再使用HF溶液去掉SiO2层,完成电极预留孔300的制作。
然后采用磁控溅射的方式在P-GaP 电流扩展层206上蒸镀厚度为300~500nm的AZO透明导电层207,AZO透明导电层207的透过率保证在90% 以上,方块电阻在20 Ώ 以内。
3、在AZO透明导电层207上旋涂正性光刻胶,经过烘烤,曝光,烘烤,显影通过高速旋干机将芯片旋干、等离子打胶后,制作完成电极预留孔套刻,以保护电极预留孔300处不被粗化。
粗化的溶液可以是20~80℃的酸液也可以是碱溶,其中酸性溶液主要成分为:HCl、H2O2和水按3:1:1的体积比配比,或是几种的混合,也可以是将HCl和CH3COOH按3:1的体积比混合;碱性溶液主要成分为KOH、H2O2和水按,或是NaOH和水按2:1的体积比混合,或是几种的混合。
蚀刻时间5~300S,粗化深度为100~500nm,粗化深度不能过深,否则会影响出光效率。
通过去胶液去除表面旋涂正性光刻胶,即完成AZO粗化层208。
对P电极预留孔300外侧的AZO透明导电层207的表面进行粗化处理后,于P电极预留孔300外侧形成的AZO粗化层208的厚度为50~500nm,在AZO粗化层208与P-GaP 电流扩展层206之间的AZO透明导电层207的厚度为150~550nm。
4、将完成AZO粗化层208的芯片使用丙酮、IPA溶液进行超声清洗10min,旋涂负性光刻胶,经过烘烤,曝光,烘烤,显影通过高速旋干机将样品旋干、等离子打胶后,采用电子束蒸镀方式蒸镀P电极301,P电极材料为Cr、Ti、Al,厚度分别为50nm、300nm、3500nm,采用剥离的方式去除负性光刻胶。
P电极301的尺寸应小于电极预留孔300尺寸,以保证P电极301的表面平整,利于芯片焊线。
5、将制作完成P电极301的芯片贴附于研磨盘上,将背面GaAs衬底100减薄至厚度为160~200μm。
6、将减薄后的芯片片使用丙酮、IPA溶液进行超声清洗10min,采用电子束蒸镀的方式在衬底GaAs100 面制作N电极302,N电极材料为AuGe、Au,厚度分别为120nm、150nm。
7、将制作完成N面电极302的芯片置于退火炉内进行快速退火,退火温度380~580℃(本例采用450℃),退火时间5~20s(本例采用20s)。
至此,完成图案化高亮度AlGaInP发光二极管的制作。
二、产品结构特点:
如图1 、2所示,在GaAs 衬底100正面依次设置N-GaAs 缓冲层200、AlAs/AlGaAs 反射层201、N-AlGaInP 下限制层202、MQW 多量子阱有源层203、P-AlGaInP 上限制层204、P-GaInP缓冲层205、P-GaP 电流扩展层206,并在P-GaP 电流扩展层206上形成电极预留孔300,在P-GaP 电流扩展层206表面设置AZO透明导电层207,在部分AZO透明导电层207表面布置P电极301,在另一部分AZO透明导电层207表面设置AZO粗化层208。N电极302设置在GaAs 衬底100的背面。
由于电极预留孔300对GaP有破坏作用,会减少电流经电极底部注入MQW层的机率,提升电流的有效注入,本发明在P-GaP 电流扩展层206表面蒸镀形成AZO透明导电层207,AZO透明导电层207具有良好的电流扩展能力,电流通过AZO透明导电层207后注入到整个芯片表面,可提升电流的注入效率,而本发明的AZO粗化层208可以减少光子的全反射机率,提升了发光效率,从而提升AlGaInP发光二极管的亮度。
P-GaP 电流扩展层206利用SiO2作为掩膜,在P-GaP 电流扩展层206的电极下方位置将蚀刻掉厚度为0.1~1μm的GaP层,形成电极预留孔300,以保证电流经AZO透明导电层207时尽可能多地横向扩展,提升电流有效的注入效率。
以上实施例并非对本发明的限制,本领域的普通技术人员在不脱离本发明的精神和范围情况下,还可做出同等的变化或变换。因此所有等同的技术方案也应该以属于本发明的范畴。
Claims (10)
1. 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管,包括P电极和N电极,N电极设置在衬底背面,在衬底正面依次设置N-GaAs 缓冲层、AlAs/AlGaAs 反射层、N-AlGaInP 下限制层、MQW 多量子阱有源层、P-AlGaInP 上限制层、P-GaInP缓冲层和P-GaP 电流扩展层,其特征在于在P-GaP 电流扩展层表面设置AZO透明导电层,在部分AZO透明导电层表面布置所述P电极,在另一部分AZO透明导电层表面设置AZO粗化层。
2.根据权利要求1所述具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管,其特征在于所述AZO透明导电层的厚度为150~550nm。
3.根据权利要求1或2所述具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管,其特征在于所述AZO粗化层的厚度为50~500nm。
4.如权利要求1所述具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管的制造方法,包括通过MOCVD方法,在衬底一面依次形成N-GaAs 缓冲层、AlAs/AlGaAs 反射层、N-AlGaInP 下限制层、MQW 多量子阱有源层、P-AlGaInP 上限制层、P-GaInP缓冲层和P-GaP 电流扩展层,取得外延芯片;在外延芯片上分别制作形成P电极和N电极;
其特征在于:在外延芯片的P-GaP 电流扩展层表面制作SiO2层,在SiO2层的保护下,对P电极设置区域的P-GaP 电流扩展层进行蚀刻,形成P电极预留孔;去掉剩余的SiO2层后,在裸露的P-GaP 电流扩展层表面蒸镀形成AZO透明导电层;以酸或碱溶液为粗化液,对P电极预留孔外侧的AZO透明导电层的表面进行粗化处理;所述P电极设置在P电极预留孔内。
5.根据权利要求4所述具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管的制造方法,其特征在于:在外延芯片制作时形成的P-GaP 电流扩展层的厚度为2~4.5μm,对P-GaP 电流扩展层中GaP层的蚀刻深度为0.1~1μm。
6.根据权利要求4或5所述具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管的制造方法,其特征在于:在P-GaP 电流扩展层制作时,以镁为掺杂材料,镁掺杂浓度为8×1017cm-3~1×10 19cm-3。
7.根据权利要求4所述具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管的制造方法,其特征在于:对P电极预留孔外侧的AZO透明导电层的表面进行粗化处理后,于P电极预留孔外侧的AZO粗化层的厚度为50~500nm,在AZO粗化层与P-GaP 电流扩展层之间的AZO透明导电层的厚度为150~550nm。
8.根据权利要求4所述具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管的制造方法,其特征在于:对AZO透明导电层的表面进行粗化的深度为100~500nm。粗化深度不能过深,否则会影响出光效率。
9.根据权利要求4所述具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管的制造方法,其特征在于:所述粗化液温度为20~80℃。
10.根据权利要求4所述具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管的制造方法,其特征在于:在制作形成P电极和N电极后,将半制品置于380~580℃环境温度下退火5~20s。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610699482.3A CN106129217A (zh) | 2016-08-22 | 2016-08-22 | 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610699482.3A CN106129217A (zh) | 2016-08-22 | 2016-08-22 | 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106129217A true CN106129217A (zh) | 2016-11-16 |
Family
ID=57280090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610699482.3A Pending CN106129217A (zh) | 2016-08-22 | 2016-08-22 | 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106129217A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107910412A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-04-13 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种发光二极管及制作方法 |
CN117673223A (zh) * | 2022-08-24 | 2024-03-08 | 江苏宜兴德融科技有限公司 | 一种发光二极管结构及发光二极管制作方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102983240A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-20 | 东南大学 | 具有氧化锌基透明导电层的紫外发光二极管及其制备方法 |
CN203631586U (zh) * | 2013-12-13 | 2014-06-04 | 同辉电子科技股份有限公司 | 具有电流阻挡效应的发光二极管 |
CN104064647A (zh) * | 2014-07-10 | 2014-09-24 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种新型发光二极管芯片及其制作方法 |
CN104124321A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体发光元件及其制造方法 |
CN104600164A (zh) * | 2015-02-06 | 2015-05-06 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种高效电流注入发光二极管及其生产方法 |
CN204441318U (zh) * | 2015-02-06 | 2015-07-01 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种高效电流注入发光二极管 |
CN204809251U (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-25 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片 |
CN105449065A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-03-30 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种提高GaAs基发光二极管电流扩展和出光效率的电极制备方法 |
CN206003808U (zh) * | 2016-08-22 | 2017-03-08 | 扬州乾照光电有限公司 | 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管 |
-
2016
- 2016-08-22 CN CN201610699482.3A patent/CN106129217A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102983240A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-20 | 东南大学 | 具有氧化锌基透明导电层的紫外发光二极管及其制备方法 |
CN104124321A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体发光元件及其制造方法 |
CN203631586U (zh) * | 2013-12-13 | 2014-06-04 | 同辉电子科技股份有限公司 | 具有电流阻挡效应的发光二极管 |
CN104064647A (zh) * | 2014-07-10 | 2014-09-24 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种新型发光二极管芯片及其制作方法 |
CN104600164A (zh) * | 2015-02-06 | 2015-05-06 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种高效电流注入发光二极管及其生产方法 |
CN204441318U (zh) * | 2015-02-06 | 2015-07-01 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种高效电流注入发光二极管 |
CN204809251U (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-25 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片 |
CN105449065A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-03-30 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种提高GaAs基发光二极管电流扩展和出光效率的电极制备方法 |
CN206003808U (zh) * | 2016-08-22 | 2017-03-08 | 扬州乾照光电有限公司 | 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107910412A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-04-13 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种发光二极管及制作方法 |
CN117673223A (zh) * | 2022-08-24 | 2024-03-08 | 江苏宜兴德融科技有限公司 | 一种发光二极管结构及发光二极管制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104600164B (zh) | 一种高效电流注入发光二极管及其生产方法 | |
CN102544248B (zh) | 发光二极管晶粒的制作方法 | |
CN106098867B (zh) | 提高led芯片返工效率的芯片返工方法 | |
CN104576863A (zh) | 一种高亮度发光二极管及其制造方法 | |
CN105449518A (zh) | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 | |
CN103022277A (zh) | 一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法 | |
CN106058003B (zh) | 一种提升led芯片亮度的方法 | |
CN106098876A (zh) | 一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 | |
CN106129217A (zh) | 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 | |
CN106784232A (zh) | 一种利用周期性散射结构提高led芯片出光效率的方法 | |
CN204441319U (zh) | 一种高亮度发光二极管 | |
CN103966605B (zh) | 一种LED芯片GaP层用刻蚀液及刻蚀方法以及表面粗化方法 | |
CN104332532A (zh) | 一种高光效发光二极管的制作方法 | |
CN106098917A (zh) | 一种图案化高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 | |
CN206003808U (zh) | 具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二极管 | |
CN109755367B (zh) | 一种反极性AlGaInP四元LED芯片的粗化方法 | |
CN105932131A (zh) | 一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法 | |
CN108288665A (zh) | 一种具有电极导光结构的led芯片及制作方法 | |
CN204441318U (zh) | 一种高效电流注入发光二极管 | |
CN206003830U (zh) | 一种图案化高亮度AlGaInP发光二极管 | |
CN206003793U (zh) | 一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管 | |
CN102122686A (zh) | 发光二极管的制造方法 | |
CN207651525U (zh) | 一种具有反射镜的led芯片 | |
CN106340574B (zh) | 具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片及制备方法 | |
CN110190158A (zh) | 一种高压led芯片及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20161116 |