CN106129100A - 有机发光结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机发光结构及其制造方法，所述有机发光结构包括半导体衬底，依次位于所述半导体衬底上的平坦化层、第一电极、像素限定层、有机发光层以及第二电极，其中，所述第一电极包括平坦部和位于所述平坦部四周的凸起部，所述第一电极的平坦部和凸起部反射所述有机发光层发出的光线；所述第一电极的凸起部可以对所述有机发光层侧方向的光线进行反射，由此提高了有机发光结构的发光效率。

Description

有机发光结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种有机发光结构及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)为自发光的显示技术，OLED的发光效率与选定的发光材料、背板以及***元件的设计相关。OLED必须凭借着反射层进行反射，以提高发光亮度，进而增加相关的显示性能。
现有技术中的OLED发光结构示意图参见图1所述。所述OLED发光结构包括半导体衬底10、依次位于所述半导体衬底10上的平坦化层11、阳极层12、像素限定层13、有机发光层14以及阴极层15。该OLED发光结构中的阳极层12具有一反射层，用于对有机发光层14产生的光线进行反射。反射层可以为阳极金属平面。该OLED发光结构所产生的光线如图1中箭头所示，其发出的光线随意散射。一些光线并未从有效的发光区域射出，造成该OLED发光结构的整体发光效率不高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机发光结构及其制造方法，提高有机发光结构的发光效率。
为实现上述目的，本发明提供一种有机发光结构，包括半导体衬底，依次位于所述半导体衬底上的平坦化层、第一电极、像素限定层、有机发光层以及第二电极，所述第一电极包括平坦部和位于所述平坦部四周的凸起部，所述第一电极的平坦部和凸起部反射所述有机发光层发出的光线。
可选的，还包括绝缘层，位于所述平坦化层之上，所述绝缘层的侧面与所述平坦化层上表面之间形成锐角，所述第一电极的平坦部位于所述平坦化层之上，所述第一电极的凸起部位于所述绝缘层的侧面上。
可选的，所述像素限定层包围所述绝缘层、所述第一电极的凸起部以及部分所述第一电极的平坦部。
可选的，所述像素限定层的侧面与所述第一电极的平坦部上表面之间形成锐角，所述像素限定层的结构与所述绝缘层的结构相同。
可选的，所述有机发光层包括平坦部和位于所述平坦部四周的凸起部，所述有机发光层的平坦部位于所述第一电极的平坦部之上，所述有机发光层的凸起部位于所述像素限定层的侧面上。
可选的，所述第二电极包围所述有机发光层以及所述像素限定层。
可选的，所述绝缘层的材质为有机胶。
相应的，本发明还提供一种有机发光结构的制造方法，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体上依次形成平坦化层、第一电极、像素限定层、有机发光层以及第二电极，其中，所述第一电极包括平坦部和位于所述平坦部四周的凸起部。
可选的，在所述半导体衬底上形成平坦化层之后，还包括：在所述平坦化层上形成绝缘层，并对所述绝缘层进行图形化，图形化的绝缘层的侧面与所述平坦化层之间形成锐角。
可选的，在所述平坦化层及所述绝缘层上形成第一电极，所述第一电极的平坦部形成于所述平坦化层之上，所述第一电极的凸起部形成于所述绝缘层的侧面上。
与现有技术相比，本发明提供的有机发光结构及其制造方法的有益效果如下：
本发明通过将第一电极设置为平坦部和位于所述所述平坦部四周的凸起部，所述第一电极的平坦部和凸起部反射所述有机发光层发出的光线，凸起部可以对所述有机发光层侧方向的光线进行反射，由此提高了有机发光结构的发光效率。
附图说明
图1为现有技术中OLED发光结构的结构示意图。
图2为本发明一实施例提供的有机发光结构的结构示意图。
图3为本发明一实施例提供的有机发光结构的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容做进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
其次，本发明利用示意图进行了详细的表述，在详述本发明实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应对此作为本发明的限定。
图2为本发明一实施例所提供的有机发光结构的结构示意图，如图2所示，本发明提供一种有机发光结构，包括半导体衬底20，依次位于所述半导体衬底20上的平坦化层21、第一电极23、像素限定层24、有机发光层25以及第二电极26，所述第一电极23包括平坦部231和位于所述平坦部231四周的凸起部232，形成四周凸起的形状，所述第一电极的平坦部231和凸起部232反射所述有机发光层25发出的光线。
在所述平坦化层21上还形成有绝缘层22，所述绝缘层22的侧面与所述平坦化层21的上表面之间形成锐角，即所述绝缘层22的上表面的尺寸小于下表面的尺寸，其中，远离所述平坦化层21的表面为上表面，靠近所述平坦化层21的表面为下表面，如图2所示，在本实施例中，所述绝缘层22的纵截面呈圆台状。所述第一电极的平坦部231位于所述平坦化层21之上，所述第一电极的凸起部232位于所述绝缘层22的侧面上。
所述像素限定层24包围所述绝缘层22、所述第一电极的凸起部232以及部分所述第一电极的平坦部231，与所述绝缘层22类似，所述像素限定层24的侧面与所述第一电极的平坦部231上表面之间形成锐角，优选的，所述像素限定层24的结构与所述绝缘层22的结构相似，本实施例中，所述像素限定层24的纵截面也呈圆台状，并且由于所述像素限定层24包围所述绝缘层22，因此所述像素限定层24与所述绝缘层22可以起到支撑柱的作用，因此在所述有机发光结构中无需再形成支撑柱，从而节省了工艺制程。
所述有机发光层25包括平坦部251和位于所述平坦部251四周的凸起部252，所述有机发光层的平坦部251位于所述第一电极的平坦部231之上，所述有机发光层的凸起部252位于所述像素限定层24的侧面上。所述第二电极26包围所述有机发光层25以及所述像素限定层24。本实施例中，所述绝缘层22的材质为有机胶，或本领域技术人员已知的其他材料。
所述第二电极26为透明电极，所述第一电极23具有一反射层，用于对所述有机发光层25发出的光线进行反射，在所述第一电极23与所述第二电极26之间夹有机发光层25，当所述第一电极23与所述第二电极26之间施加电压时，电子和空穴在所述有机发光层25中相遇复合，就会发出光线。所发出的光线经第一电极反射层的反射后，从第二电极透明层透射而出。由于所述第一电极23在平坦部231的四周设置有凸起部232，因此能够对所述有机发光层25侧方向的光线进行反射，由此提高有机发光结构的发光效率。
在该有机发光结构中，根据具体的应用需求，可以对所述绝缘层22的高度进行调节，从而调节所述第一电极的凸起部232的高度，以实现调节所述有机发光结构的侧面透光率。或者，调节所述绝缘层22与所述平坦化层21上表面之间形成的锐角，从而调节所述第一电极的凸起部232与平坦部231之间的角度，以实现调节出光区的角度。或者，调节所述第一电极的平坦部231与凸起部232在水平方向上的长度，以实现调节出光区的大小。
需要说明的是，本发明的上述实施例以第一电极作为反射层，第二电极为透明层为例进行说明。对于其他类型的有机发光结构，如第二电极为反射层，第一电极为透明的结构，则可以将第二电极设置为包含有平坦部和位于所述平坦部四周的凸起部，所述第二电极的平坦部和凸起部反射所述有机发光层发出的光线，以提高发光效率。本发明的方案对于不同种类和形态的有机发光结构均能适应，其不影响本发明的技术目的和有益效果。
图3为本发明一实施例所提供的有机发光结构的制造方法的流程图，如图3所示，本发明提供一种有机发光结构的制造方法，包括：提供一半导体衬底，在其上依次形成平坦化层、第一电极、像素限定层、有机发光层以及第二电极，其中，所述第一电极包括平坦部和位于所述平坦部四周的凸起部。
请参考图3，并结合图2所示，详细说明本发明提出的有机发光结构的制造方法。
首先提供一半导体衬底20，在其上形成平坦化层21，然后在所述平坦化层21上形成绝缘层22，并对所述绝缘层进行图形化，例如在所述绝缘层22上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光显影形成图形化的光刻胶层，然后以图形化的光刻胶层为掩膜对所述绝缘层22进行刻蚀，形成图形化的绝缘层，最终形成的绝缘层的侧面与所述平坦化层21之间形成锐角，即所述绝缘层22的上表面的尺寸小于下表面的尺寸，其中，远离所述平坦化层21的表面为上表面，靠近所述平坦化层21的表面为下表面，在本实施例中，所述绝缘层22的纵截面呈圆台状，所述绝缘层22的材质为有机胶，或本领域技术人员已知的其他材料。
然后在所述平坦化层21及所述绝缘层22上形成第一电极23，所述第一电极23的平坦部231形成于所述平坦化层21之上，所述第一电极的凸起部232形成于所述绝缘层22的侧面上，所述第一电极23具有一反射层，可以对入射至所述第一电极23上的光线进行反射。
然后形成像素限定层24，所述像素限定层24包围所述绝缘层22、所述第一电极的凸起部232以及部分所述第一电极的平坦部231，与所述绝缘层22类似，通过刻蚀使得所述像素限定层24的侧面与所述第一电极的平坦部231上表面之间形成锐角，优选的，所述像素限定层24的结构与所述绝缘层22的结构相同，本实施例中，所述像素限定层24的纵截面也呈圆台状，并且由于所述像素限定层24包围所述绝缘层22，因此所述像素限定层24与所述绝缘层22可以起到支撑柱的作用，因此在所述有机发光结构中无需再形成支撑柱，从而节省了工艺制程。
在所述第一电极23及像素限定层24上形成有机发光层25，所述有机发光层25包括平坦部251和位于所述平坦部251四周的凸起部252，所述有机发光层的平坦部251位于所述第一电极的平坦部231之上，所述有机发光层的凸起部252位于所述像素限定层24的侧面上。
最后，形成第二电极26，所述第二电极26为透明电极，包围所述有机发光层25以及所述像素限定层24。
当所述第一电极23与所述第二电极26之间施加电压时，电子和空穴在所述有机发光层25中相遇复合，就会发出光线。所发出的光线经第一电极反射层的反射后，从第二电极透明层透射而出。由于所述第一电极23在平坦部231的四周设置有凸起部232，因此能够对所述有机发光层25侧方向的光线进行反射，由此提高有机发光结构的发光效率。
在该有机发光结构的制作方法中，根据具体的应用需求，可以对所述绝缘层22的高度进行调节，从而调节所述第一电极的凸起部232的高度，以实现调节所述有机发光结构的侧面透光率。或者，调节所述绝缘层22与所述平坦化层21上表面之间形成的锐角，从而调节所述第一电极的凸起部232与平坦部231之间的角度，以实现调节出光区的角度。或者，调节所述第一电极的平坦部231与凸起部232在水平方向上的长度，以实现调节出光区的大小。
综上所述，本发明提供的有机发光结构及其制造方法，通过将第一电极设置为平坦部和位于所述所述平坦部四周的凸起部，所述第一电极的平坦部和凸起部反射所述有机发光层发出的光线，凸起部可以对所述有机发光层侧方向的光线进行反射，由此提高了有机发光结构的发光效率。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机发光结构，包括半导体衬底，依次位于所述半导体衬底上的平坦化层、第一电极、像素限定层、有机发光层以及第二电极，其特征在于，所述第一电极包括平坦部和位于所述平坦部四周的凸起部，所述第一电极的平坦部和凸起部反射所述有机发光层发出的光线。
2.如权利要求1所述的有机发光结构，其特征在于，还包括绝缘层，位于所述平坦化层之上，所述绝缘层的侧面与所述平坦化层上表面之间形成锐角，所述第一电极的平坦部位于所述平坦化层之上，所述第一电极的凸起部位于所述绝缘层的侧面上。
3.如权利要求2所述的有机发光结构，其特征在于，所述像素限定层包围所述绝缘层、所述第一电极的凸起部以及部分所述第一电极的平坦部。
4.如权利要求3所述的有机发光结构，其特征在于，所述像素限定层的侧面与所述第一电极的平坦部上表面之间形成锐角，所述像素限定层的结构与所述绝缘层的结构相同。
5.如权利要求4所述的有机发光结构，其特征在于，所述有机发光层包括平坦部和位于所述平坦部四周的凸起部，所述有机发光层的平坦部位于所述第一电极的平坦部之上，所述有机发光层的凸起部位于所述像素限定层的侧面上。
6.如权利要求5所述的有机发光结构，其特征在于，所述第二电极包围所述有机发光层以及所述像素限定层。
7.如权利要求2～6中任一项所述的有机发光结构，其特征在于，所述绝缘层的材质为有机胶。
8.一种有机发光结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体上依次形成平坦化层、第一电极、像素限定层、有机发光层以及第二电极，其中，所述第一电极包括平坦部和位于所述平坦部四周的凸起部。
9.如权利要求8所述的有机发光结构的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成平坦化层之后，还包括：在所述平坦化层上形成绝缘层，并对所述绝缘层进行图形化，图形化的绝缘层的侧面与所述平坦化层之间形成锐角。
10.如权利要求9所述的有机发光结构的制造方法，其特征在于，在所述平坦化层及所述绝缘层上形成第一电极，所述第一电极的平坦部形成于所述平坦化层之上，所述第一电极的凸起部形成于所述绝缘层的侧面上。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106783928A (zh) * 2016-12-28 2017-05-31 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示设备
CN108281470A (zh) * 2018-01-29 2018-07-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置
CN108346685A (zh) * 2018-02-12 2018-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN110797473A (zh) * 2019-11-12 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示基板的制备方法及显示面板
CN112599697A (zh) * 2020-12-10 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法以及电子设备
WO2022160400A1 (zh) * 2021-01-27 2022-08-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101834279A (zh) * 2010-04-30 2010-09-15 友达光电股份有限公司 面光源与显示面板
US20130187163A1 (en) * 2012-01-19 2013-07-25 II-Nam Kim Organic light emitting device and manufacturing method thereof
CN104362257A (zh) * 2014-10-22 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种顶发射oled器件及其制作方法、显示设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101834279A (zh) * 2010-04-30 2010-09-15 友达光电股份有限公司 面光源与显示面板
US20130187163A1 (en) * 2012-01-19 2013-07-25 II-Nam Kim Organic light emitting device and manufacturing method thereof
CN104362257A (zh) * 2014-10-22 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种顶发射oled器件及其制作方法、显示设备

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106783928A (zh) * 2016-12-28 2017-05-31 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示设备
CN106783928B (zh) * 2016-12-28 2019-09-17 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示设备
CN108281470A (zh) * 2018-01-29 2018-07-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置
CN108346685A (zh) * 2018-02-12 2018-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN108346685B (zh) * 2018-02-12 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN110797473A (zh) * 2019-11-12 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示基板的制备方法及显示面板
CN110797473B (zh) * 2019-11-12 2022-10-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示基板的制备方法及显示面板
CN112599697A (zh) * 2020-12-10 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法以及电子设备
WO2022160400A1 (zh) * 2021-01-27 2022-08-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

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