CN106098527B - 用于形成膜堆叠的双通道喷头 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。

Description

用于形成膜堆叠的双通道喷头
背景
技术领域
本文公开的实施例通常涉及用于在基板(诸如半导体基板)上形成膜的喷头，且更具体地，涉及用于膜堆叠形成的双通道喷头。
背景技术
半导体处理涉及实现在基板上形成微小集成电路的许多不同化学和物理工艺。构成集成电路的材料层是通过化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长等等所形成。使用光刻胶掩模和湿法或干法蚀刻技术来图案化这些材料层中的一些。用于形成集成电路的基板可以是硅、砷化镓、磷化铟、玻璃，或其他适当材料。
在集成电路的制造中，等离子体工艺通常被用于在基板上沉积各种材料层。等离子体处理与热处理相比提供许多优点。例如，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)允许沉积工艺以比在类似热工艺中可达到的更低的温度和更高的沉积速率执行。因此，PECVD对于具有严格热预算的集成电路制造(诸如对于极大规模集成电路(VLSI)或超大规模集成电路(ULSI)装置制造)是有利的。
用于形成膜堆叠的前驱物气体通过喷头被递送至基板，所述膜堆叠诸如氧化物-氮化物-氧化物(oxide-nitride-oxide；ONO)堆叠和氧化物-多晶硅-氧化物(oxide-polysilicon-oxide；OPO)堆叠。在气体离开喷头的开口时，气体的等离子体在喷头中或附近形成，并且反应物种被沉积在基板上以形成各种膜。
然而，前驱物气体典型地通过喷头(例如，单通道喷头)中的相同开口递送。此类型的喷头在等离子体密度方面受限，如此限制了沉积速率和产量。此外，氧化物前驱物和氮化物前驱物具有不同的流动敏感性，以及对于被用于形成等离子体的电磁能量的不同的敏感性。另外，传统的喷头可能在基板上留下匹配喷头中的开口的图案的视觉印记，而这是不受期望的。
因此，所需要的是一种包括用于均匀递送氧化物前驱物和氮化物前驱物的分立通道的喷头。
发明内容
提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，所述主体包括导电材料，所述导电材料具有通过所述导电材料形成的多个第一开口和通过所述导电材料形成的多个第二开口，所述多个第一开口包括第一气体通道，所述多个第二开口包括第二气体通道，所述第二气体通道与所述第一气体通道流体地分离，其中所述第一开口中的每一个具有与所述第二开口中的每一个不同的几何形状。
在另一实施例中，该喷头包括主体，所述主体包括导电材料，所述导电材料具有通过所述导电材料形成的多个第一开口和通过所述导电材料形成的多个第二开口，所述多个第一开口包括第一气体通道，所述多个第二开口包括第二气体通道，所述第二气体通道与所述第一气体通道流体地分离，其中所述第一开口中的每一个具有与所述第二开口中的每一个不同的几何形状，并且其中所述多个第一开口和所述多个第二开口中的每一个包括展开的部分。
在另一实施例中，该喷头包括主体，所述主体包括导电材料，所述导电材料具有通过所述导电材料形成的多个第一开口和通过所述导电材料形成的多个第二开口，所述多个第一开口包括第一气体通道，所述多个第二开口包括第二气体通道，所述第二气体通道与所述第一气体通道流体地分离，其中所述第一开口中的每一个具有与所述第二开口中的每一个不同的几何形状，并且其中所述多个第一开口和所述多个第二开口中的每一个包括展开的部分并且所述第一开口的展开的部分具有与所述第二开口的展开的部分的几何形状不同的几何形状。
附图说明
因此，为了可详细地理解本公开的上述特征的方式，可通过参考实施例对简要概述于上的本公开进行更具体的描述，在附图中示出这些实施例中的一些。然而，应注意的是，这些附图仅示出典型实施例，并且因此不被视为限制本公开的范围，因为本文中公开的实施例可允许其他等效的实施例。
图1是等离子体***的部分截面图。
图2A是根据本文中所述的实施例的图1的双通道喷头的截面图。
图2B是根据本文中所述的实施例的图2A的双通道喷头的仰视图。
图3A是根据本文中所述的实施例的多个第二开口中的一个开口的放大截面图。
图3B是根据本文中所述的实施例的多个第一开口中的一个开口的放大截面图。
图4是第一开口和第二开口的替代或附加实施例的部分侧视截面图。
图5是可与多个第一开口和多个第二开口中的一者或两者一起使用的开口的替代或附加实施例的部分侧视截面图。
图6是可与多个第一开口和多个第二开口中的一者或两者一起使用的开口的替代或附加实施例的部分侧视截面图。
图7是可与多个第一开口和多个第二开口中的一者或两者一起使用的开口的替代或附加实施例的部分侧视截面图。
为了促进理解，已经在可能的地方使用相同的附图标记来指定诸图所共有的相同元件。可构想，在一个实施例中公开的元件可有利地用于其他实施例，而无需特定叙述。
具体实施方式
尽管本文中所述的实施例可被用于其他腔室类型且可被用于多个工艺，但在下文中参照等离子体腔室说明性地描述本公开的实施例。在一个实施例中，等离子体腔室被用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)***中。可被适配成受益于本公开的PECVD***的示例包括
Figure BDA0000972168740000031
SE化学气相沉积(CVD)***、
Figure BDA0000972168740000032
GTTMCVD***或
Figure BDA0000972168740000033
CVD***，所有上述***可商购于加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司(AppliedMaterials,Inc.,Santa Clara,California)。
Figure BDA0000972168740000034
SE CVD***腔室(例如，200mm或300mm)具有两个隔离的处理区域，该两个隔离的处理区域可被用于在基板上沉积薄膜，所述薄膜诸如导电膜、氧化物膜(诸如，氧化硅膜)、氮化物膜、多晶硅膜、碳掺杂氧化硅和其他材料。尽管示例性实施例包括两个处理区域，但是可以构想，本文中公开的实施例可被用于有利于具有单个处理区域或多于两个处理区域的***。还可以构想，本文中公开的实施例可被用于有利于其他等离子体腔室，包括蚀刻腔室、离子注入腔室、等离子体处理腔室，且尤其有利于脱胶腔室。进一步可以构想，本文中公开的实施例可被用于有利于可从其他制造商获得的等离子体处理腔室。
图1是等离子体***100的部分截面图。等离子体***100通常包括腔室主体102，该腔室主体102具有限定一对处理区域120A和120B的侧壁112、底壁116和内部侧壁101。处理区域120A至120B中的每一个被类似地配置，并且为了简洁起见，仅描述处理区域120B中的部件。
基座128可通过形成在***100中的底壁116中的通道122被设置在处理区域120B中。基座128提供加热器，该加热器被适配成在该加热器的上表面上支撑基板(未示出)。基座128可包括加热元件(例如，电阻加热元件)，以将基板温度加热和控制在所需工艺温度下。替代地，基座128可通过远程加热元件(诸如灯组件)加热。
基座128可通过凸缘133耦接至杆柄126。杆柄126可将基座128耦接至电源插座或电源箱103。电源箱103可包括驱动***，该驱动***控制基座128在处理区域120B内的上升和运动。杆柄126还可包含用于向基座128提供电功率的电源接口。电源箱103还可包括用于电功率和温度指示器的接口，诸如热电偶接口。杆柄126还包括底座组件129，该底座组件129被适配成可拆卸地耦接至电源箱103。圆周环135被示出在电源箱103之上。在一个实施例中，圆周环135是被适配为机械挡块或台阶的肩部，该肩部被配置成在底座组件129和电源箱103的上表面之间提供机械接口。
连杆130可通过形成在处理区域120B的底壁116中的通道124进行设置，且连杆130可被用于定位通过基座128设置的基板升降杆161。基板升降杆161选择性地将基板与基座间隔开以促进利用机械手(未示出)交换基板，该机械手被用于通过基板传送口160将基板传送至处理区域120B中和外。
腔室盖104可被耦接至腔室主体102的顶部。盖104可容纳耦接至该盖的一个或多个气体分配***108。气体分配***108包括进气口通道140，该进气口通道140通过双通道喷头118将反应物和清洁气体递送至处理区域120B中。双通道喷头118包括环形底板148，该环形底板148具有在面板146中间设置的区隔板144。射频(RF)源165可被耦接至双通道喷头118。射频源165给双通道喷头118供电以促进在双通道喷头118的面板146和基座128之间生成等离子体区域。在一个实施例中，射频源165可以是高频射频(HFRF)电源，诸如13.56MHz的射频发生器。在另一实施例中，射频源165可以包括HFRF电源和低频射频(LFRF)电源，诸如300kHz射频发生器。替代地，射频源可被耦接至腔室主体102的其他部分，诸如基座128，以促进等离子体生成。电介质隔离器158可被设置在盖104和双通道喷头118之间以防止将射频功率传导至盖104。遮蔽环106可被设置在基座128的周边上，该遮蔽环106将基板接合(engage)在基座128的期望高度处。
可选地，冷却通道147可被形成在气体分配***108的环形底板148中，以在操作期间冷却环形底板148。可使传热流体(诸如水、乙二醇、气体等等)循环通过冷却通道147，以使得可将底板148维持在预定温度下。
衬里组件127可被非常接近于腔室主体102的侧壁101、112而设置在处理区域120B内，以防止将侧壁101、112暴露于处理区域120B内的处理环境。衬里组件127包括圆周泵送腔125，该圆周泵送腔125可被耦接至泵送***164，该泵送***164被配置成从处理区域120B排放气体和副产物并控制处理区域120B内的压力。可在衬里组件127上形成多个排放口131。排放口131被配置成允许气体以促进***100内的处理的方式从处理区域120B流至圆周泵送腔125。
图2A是根据本文中所述的实施例的双通道喷头118的截面图。双通道喷头118可被用于处理区域120B中。双通道喷头118可具有面向气体分配***108(图1中示出)的第一表面202和与第一表面202相对的第二表面204。第二表面204可面向基座128(图1中示出)。第一表面202可与第二表面204相间隔以提供内部容积206。第一和第二表面202、204可分别由一材料组成或涂布有一材料，该材料可与存在于前驱物气体的等离子体中的离子或自由基基本上不反应，所述前驱物气体通过形成在双通道喷头118的第一表面202和第二表面204之间的开口进行递送。可提供多个第一开口207和多个第二开口209以将分立的前驱物气体递送至基板。例如，多个第一开口207中的每一开口可被用于递送氧化物前驱物气体并且多个第二开口209中的每一开口可被用于递送含氮化物(或多晶硅)气体，或反之亦然。多个第一开口207和多个第二开口209中的每一开口可被流体地分离以防止前驱物气体的混合。多个第一开口207中的每一开口在几何学上可与多个第二开口209中的每一开口不同。不同的几何形状为不同的前驱物气体提供不同的流动特性。不同的几何形状还可提供用于形成等离子体的不同电场。
双通道喷头118可包括主体211，该主体211可由导电材料形成或包括导电材料，以使得双通道喷头118可用作电极。示例性导电材料包括铝、不锈钢、钛，或包括耐工艺化学性能力的其他导电材料。多个第一开口207和多个第二开口209中的每一开口可以是在主体211中机械加工的管或孔口。表面202、表面204的至少一部分，以及第一开口207和第二开口209的内表面可被喷砂处理。在一些实施例中，表面202、表面204的至少一部分，以及第一开口207和第二开口209的内表面可被涂布有AlN、SiO2、Y2O3、MgO、阳极化Al2O3、蓝宝石、含有Al2O3、蓝宝石、AlN、Y2O3、MgO，或SivYwMgxAlyOz中的一个或多个的陶瓷，或其他耐等离子体和/或耐工艺化学性的涂层。在SivYwMgxAlyOz的分子结构中，v的范围从大约0.0196至大约0.2951；w的范围从大约0.0131至大约0.1569；x的范围从大约0.0164至大约0.0784；y的范围从大约0.0197至大约0.1569；并且z的范围从大约0.5882至大约0.6557，其中v+w+x+y+z＝1(排除杂质)。如果使用涂层，那么涂层的厚度可在约1μm与约1mm之间。
多个第一开口207中的每一开口可从第一表面202延伸至第二表面204。多个第一开口207与气体源215流体连通。气体源215可包括诸如NH3、SiN等等的氮化物前驱物。
内部容积206可与一个或多个环形通道208、210流体连通。多个第二开口209中的每一开口可从内部容积206延伸至第二表面204。该一个或多个环形通道208、210可被连接至入口212，该入口212可耦接至气体源213。气体源213可向双通道喷头118提供诸如含硅气体之类的前驱物气体，并且该前驱物气体通过一个或多个环形通道208、210流至内部容积206，并且经由多个第二开口209流至处理区域120B。含硅前驱物气体的示例包括有机硅、四烷基原硅酸盐气体和二甲硅醚。有机硅气体包括具有至少一个碳硅键的有机化合物的气体。四烷基原硅酸盐气体包括由附着于SiO4 4-离子的四个烷基组成的气体。更具体而言，一个或多个前驱物气体可以是(二甲基硅烷基)(三甲基硅烷基)甲烷((Me)3SiCH2SiH(Me)2)、六甲基二硅烷((Me)3SiSi(Me)3)、三甲基硅烷((Me)3SiH)、四甲基硅烷((Me)4Si)、四乙氧基硅烷((EtO)4Si))、四甲氧基硅烷((MeO)4Si)、四(三甲基甲硅烷)硅烷((Me3Si)4Si)、(二甲氨基)二甲基硅烷((Me2N)SiHMe2)、二甲基二乙氧基硅烷((EtO)2Si(Me)2)、二甲基二甲氧基硅烷((MeO)2Si(Me)2)、甲基三甲氧基硅烷((MeO)3Si(Me))、三(二甲氨基)硅烷((Me2N)3SiH)、二甲氧基四甲基二硅氧烷(((Me)2Si(OMe))2O)、二硅氧烷((SiH3))2O)、二(二甲氨基)甲基硅烷((Me2N)2CH3SiH)，和上述气体的组合。
该一个或多个环形通道208、210可通过一个或多个连接通道216流体地连接，该一个或多个连接通道216具有比环形通道208、210小的横截面。此配置可用于将前驱物气体均匀地分配至内部容积206中并分配至第二开口209外。
图2B是根据本文中所述的实施例的双通道喷头118的仰视图。双通道喷头118包括第二表面204，该第二表面204具有多个第一开口207和多个第二开口209。该一个或多个环形通道208、210和内部容积206可全部被嵌入在双通道喷头118中，因此未在双通道喷头118的仰视图中示出。虽然为了清楚起见未按比例示出，但是对于300毫米的基板，第一开口207和第二开口209的数目可超过5000个。
图3A是根据本文中所述的实施例的多个第二开口209中的一个开口的放大截面图。图3B是根据本文中所述的实施例的多个第一开口207中的一个开口的放大截面图。虽然未示出，但是图2A和图2B的所有多个第二开口209可被配置为图3A中所示的第二开口209。同样地，图2A和图2B的所有多个第一开口207可被配置为图3B中所示的第一开口207。第二开口209和第一开口207可围绕纵轴A同中心地形成。
如图3A和图3B中所示，第一开口207和第二开口209分别包括第一孔300B、300A。每个第一开口207和每个第二开口209分别包括节流孔口(restricting orifice)305B、305A。每个节流孔口305B、305A可分别通过第一漏斗形接口310B、310A耦接至相应的第一孔300B、300A。第二漏斗形接口320B、320A分别将相应的节流孔口305B、305A耦接至第二孔325B、325A。展开的开口330B、330A可被耦接至相应的第二孔325B、325A。然而，第一开口207和第二开口209的至少下部(即，第一孔之下的部分)具有不同的几何形状，该不同的几何形状实现不同的流动特性和/或不同的电场。
在一些实施例中，第二开口209的长度335A可不同于第一开口207的长度335B。可通过调整第二孔(325A、325B)和展开的开口(330A、330B)中的一个或两个的长度来提供长度335A、335B。在一个实施例中，长度335A和/或335B可以是双通道喷头118(图2A和图2B中所示)的厚度的约75％至约50％。替代地或另外地，第二开口209和第一开口207的主要尺寸340A、340B(例如，直径)可分别不同。不意欲受理论的约束，可能期望调整开口209和207的主要尺寸340A、340B以使得压力(托)×直径(厘米)因子对于双通道喷头118中的所有开口209和207可被维持在1托-厘米和10托-厘米之间的范围内。当气体被递送通过双通道喷头118时，可在邻近于开口209和207的双通道喷头118的第二表面204附近的腔室主体内部(例如，在图1的处理区域120A至120B中)测量压力。此外，作为替代或附加，第二开口209和第一开口207的展开角345A、345B可分别不同。在一个实施例中，展开角345A和345B可距纵轴A大约5度至大约20度。作为另一替代或附加，第二开口209和第一开口207的长度350A、350B可分别不同。在一个实施例中，长度350A和/或350B可以是双通道喷头118(图2A和图2B中所示)的厚度的约50％至约25％。可基于用于形成等离子体的期望的流动特性和/或期望的电场形成来提供第二开口209和第一开口207的下部中的这些差异中的一个或全部。
图4是第一开口207和第二开口209的替代或附加实施例的部分侧视截面图。虽然未示出，但是图2A和图2B的所有多个第二开口209可被配置为图4中所示的第二开口209。同样地，图2A和图2B的所有多个第一开口207可被配置为图4中所示的第一开口207。第一开口207的实施例可与第二开口209的实施例结合或用第二开口209的实施例替代，或反之亦然，并且第一开口207的实施例可与图3A和图3B中所示的实施例结合。
第一开口207可包括粗糙表面400。粗糙表面400可被用于增加粘附力，所述粘附力减少基板上的缺陷。在一个实施例中，可通过喷砂处理形成粗糙表面400。当双通道喷头118未被涂布时，粗糙表面400可包括大约30微英寸至大约50微英寸的平均表面粗糙度(Ra)。替代地或另外地，第一开口207的展开的开口330B还可包括修改的角部区域405。可使修改的角部区域405成锥形或变圆。修改的角部区域405可增加由双通道喷头118提供的电场。第二开口209可包括涂层410。如上所述，涂层410可包括阳极化铝、AlN、SiO2、Y2O3、MgO、蓝宝石、含有Al2O3、蓝宝石、AlN、Y2O3、MgO或SivYwMgxAlyOz中的一个或多个的陶瓷。涂层410可提高粘附力并且还可显著地减少氟化铝形成。当使用涂层410时，粗糙表面400可包括大约200微英寸至大约300微英寸的Ra。
图5至图7是分别形成在双通道喷头118(图1、图2A和图2B中所示)的主体211内的开口500、600和700的替代或附加实施例的部分侧视截面图。开口500、600和700可以是多个第一开口207(图2A至图4中所示)中的一个或多个或者多个第二开口209(图2A至图4中所示)中的一个或多个。开口500、600和700的实施例可与多个第一开口207结合或可与多个第二开口209结合。开口500、600和700可被用于调节可影响所沉积的膜的均匀性的等离子体生成。例如，开口500、600和700可被用于最小化在开口500、600和700所定位在的位置处的等离子体形成。在一些实施例中，如在图2B的视图中所示，开口500、600和/或700可被定位在双通道喷头118的中心区域214中。例如，开口500、600和/或700可被用作双通道喷头118上的中心开口。在另一示例中，开口500、600和700中的一个或组合可被用作中心区域214中的多行开口中的开口。因此，根据此实施例，可在双通道喷头118的中心区域214中最小化等离子体形成。在其他实施例中，开口500、600和/或700可与多个第一开口207和/或多个第二开口209中的一者或两者穿插散布(interspersed)。在进一步实施例中，在其中期望减少的等离子体形成的位置处，开口500、600和700可替换多个第一开口207或多个第二开口209中的一个或多个。
在图5中，开口500包括盲锥体(blind cone)505。盲锥体505可不提供通过该盲锥体的前驱物的活性流动。然而，盲锥体505可通过空心阴极效应促进等离子体形成。盲锥体505可根据图3A和图3B中所示的长度350A、350B延伸至第二表面204中。盲锥体505可包括类似于图3A和图3B中所示的展开角345A、345B中的一个的展开角。盲锥体505可包括类似于图3A和图3B中所示的主要尺寸340A、340B中的一个的主要尺寸。
在图6中，开口600包括形成在第一表面202中的第一孔605。第一孔605与第二孔610流体连通。第二孔610可与第一孔605同中心。第二孔610包括比第一孔605的直径大的直径。开口600还包括与第二孔610流体连通的展开的开口615。开口600可被用于最小化通过该开口的前驱物气体的流动，如此可最小化在毗邻开口600的位置处的等离子体形成。可类似于分别在图3A和图3B中所示的节流孔口305A、305B设计第一孔605的大小。可类似于第一孔300A、300B或第二孔325A、325B(两者分别示出于图3A和图3B中)设计第二孔610的大小。可类似于分别在图3A和图3B中示出的展开的开口330A、330B设计展开的开口615的大小。
图7的开口700包括形成在第一表面202中的第一孔705。第一孔705与第二孔710流体连通。第二孔710可与第一孔705同中心。第二孔710包括比第一孔705的直径小的直径。开口700可被用于最小化通过该开口的前驱物气体的流动，如此可最小化在毗邻开口700的位置处的等离子体形成。可类似于第一孔300A、300B或第二孔325A、325B(两者分别示出于图3A和图3B中)设计第一孔705的大小。可类似于分别在图3A和图3B中所示的节流孔口305A、305B设计第二孔710的大小。
如本文中所述的双通道喷头118的实施例提供氧化物和氮化物(或多晶硅)前驱物的不同流动路径。氧化物和氮化物(或多晶硅)前驱物中的每一个可通过双通道喷头118被单独地递送至基板。可提供双通道喷头118的第一开口207和第二开口209，以及开口500、600和700的形状和大小以调谐如本文中所述的前驱物气体的流动特性。例如，可调谐氧化物和氮化物(或多晶硅)前驱物的流动特性。双通道喷头118的第一开口207和第二开口209，以及开口500、600和700的形状和大小可被用于调谐氧化物和氮化物(或多晶硅)前驱物的电场形成。例如，多个第二开口209中的每一个和多个第一开口207中的每一个的不同的展开角345A、345B和/或长度350A、350B可分别不同以便调节等离子体密度。另外，开口500、600和700的形状和大小可被用于调谐等离子体生成。具有多个第二开口209和多个第一开口207的增加的密度(例如，在第二开口209和第一开口207之间的紧密间隔或节距)的多个第二开口209或多个第一开口207中的一个的较浅的长度350A、350B可减少在基板上的可见印记的形成。此外，多个第二开口209或多个第一开口207中的多个开口的减少的长度350A、350B可通过改变由第一开口207和/或第二开口209提供的空心阴极效应来提供对次级电子的调节。利用开口500、600和/或700可在接近所述开口的位置处提供减少的等离子体形成，如此可增加全局均匀性。例如，对双通道喷头118的中心区域214中的开口500、600和700中的一个或多个的测试减少了在基板的中心处的沉积。减少的沉积导致在所述基板上沉积的膜的均匀性增加。
虽然上述内容是针对本公开的实施例，但是可设计本公开的其他和进一步的实施例而不背离本公开的基本范围，并且本公开的范围由所附权利要求书来确定。

Claims (18)

1.一种用于半导体处理腔室的喷头，所述喷头包括：
主体，所述主体包括导电材料，所述导电材料具有从第一表面延伸至与所述第一表面相对的第二表面的多个第一开口和在所述第二表面中形成的多个第二开口，所述多个第一开口中的每一个包括第一气体通道，所述多个第二开口中的每一个包括第二气体通道，所述第二气体通道与所述第一气体通道流体地分离，其中所述第一开口中的每一个具有与所述第二开口中的每一个不同的几何形状，并且其中所述主体包括环形通道并且所述多个第二开口由连接通道与所述环形通道流体连通；以及
盲锥体，所述盲锥体形成在所述第二表面中。
2.如权利要求1所述的喷头，其特征在于，所述多个第一开口和所述多个第二开口中的每一个包括展开的开口，并且所述第一开口的展开的开口具有与所述第二开口的展开的开口的几何形状不同的几何形状。
3.如权利要求2所述的喷头，其特征在于，所述第二开口的展开的开口的纵向长度小于所述第一开口的展开的开口的纵向长度。
4.如权利要求2所述的喷头，其特征在于，所述第一开口和第二开口中的一者或两者的展开的开口包括粗糙表面。
5.如权利要求2所述的喷头，其特征在于，所述第一开口和第二开口中的一者或两者的展开的开口包括涂层。
6.如权利要求5所述的喷头，其特征在于，所述涂层包括SivYwMgxAlyOz，并且其中：
v+w+x+y+z＝1，排除杂质，
v是0.0196至0.2951；
w是0.0131至0.1569；
x是0.0164至0.0784；
y是0.0197至0.1569；并且
z是0.5882至0.6557。
7.如权利要求2所述的喷头，其特征在于，所述第一开口和第二开口中的一者或两者的所述展开的开口包括圆角。
8.如权利要求1所述的喷头，其特征在于，所述盲锥体包括距所述盲锥体的纵轴5度至20度的展开角。
9.如权利要求8所述的喷头，其特征在于，所述盲锥体形成在所述主体的中心区域中。
10.一种用于半导体处理腔室的喷头，所述喷头包括：
主体，所述主体包括导电材料，所述导电材料具有从第一表面延伸至与所述第一表面相对的第二表面的多个第一开口和在所述第二表面中形成的多个第二开口，所述多个第一开口中的每一个包括第一气体通道，所述多个第二开口中的每一个包括第二气体通道，所述第二气体通道与所述第一气体通道流体地分离，其中所述第一开口中的每一个具有与所述第二开口中的每一个不同的几何形状，并且其中所述多个第一开口和所述多个第二开口中的每一个包括展开的部分，并且其中所述主体包括环形通道并且所述多个第二开口由连接通道与所述环形通道流体连通；以及
盲锥体，所述盲锥体形成在所述第二表面中。
11.如权利要求10所述的喷头，其特征在于，所述盲锥体包括距所述盲锥体的纵轴5度至20度的展开角。
12.如权利要求11所述的喷头，其特征在于，所述盲锥体形成在所述主体的中心区域中。
13.如权利要求10所述的喷头，其特征在于，所述第一开口和第二开口中的一者或两者的所述展开的开口包括涂层。
14.一种用于半导体处理腔室的喷头，所述喷头包括：
主体，所述主体包括导电材料，所述导电材料具有从第一表面延伸至与所述第一表面相对的第二表面的多个第一开口和在所述第二表面中形成的多个第二开口，所述多个第一开口中的每一个包括第一气体通道，所述多个第二开口中的每一个包括第二气体通道，所述第二气体通道与所述第一气体通道流体地分离，所述第一开口中的每一个具有与所述第二开口中的每一个不同的几何形状，其中所述多个第一开口和所述多个第二开口中的每一个包括展开的部分并且所述第一开口的展开的部分具有与所述第二开口的展开的部分的几何形状不同的几何形状，并且其中所述主体包括环形通道并且所述多个第二开口由连接通道与所述环形通道流体连通；以及
盲锥体，所述盲锥体形成在所述第二表面中；其中所述盲锥体包括距所述盲锥体的纵轴5度至20度的展开角。
15.如权利要求14所述的喷头，其特征在于，所述盲锥体形成在所述主体的中心区域中。
16.如权利要求14所述的喷头，其特征在于，所述第一开口和第二开口中的一者或两者的所述展开的部分包括圆角。
17.如权利要求14所述的喷头，其特征在于，所述第一开口和第二开口中的一者或两者的所述展开的部分包括涂层。
18.如权利要求17所述的喷头，其特征在于，所述涂层包括SivYwMgxAlyOz，并且其中：
v+w+x+y+z＝1，排除杂质，
v是0.0196至0.2951；
w是0.0131至0.1569；
x是0.0164至0.0784
y是0.0197至0.1569；并且
z是0.5882至0.6557。
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