CN106079115B - 贴合基板的分割方法及分割装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种贴合基板的分割方法及分割装置。本发明提供能够将利用粘接层贴合硅基板与玻璃基板而成的贴合基板较佳地分割的方法及分割装置。将贴合基板在特定的分割预定位置分割的方法包括：划线形成步骤(单元)，在玻璃基板的一主面的分割预定位置，通过特定的划线工具形成划线；切割槽形成步骤(单元)，在硅基板的一主面的分割预定位置，从硅基板的一主面至粘接层的中途为止利用特定的槽部形成机构形成槽部；及切断步骤(单元)，将形成有划线与槽部的贴合基板在划线与槽部之间切断。

Description

贴合基板的分割方法及分割装置
技术领域
本发明涉及一种利用粘接层贴合硅基板与玻璃基板而成的基板的分割方法及分割装置。
背景技术
硅基板作为半导体元件(半导体芯片)用的基板被广泛使用，但在基板的复合化及其他目的下，有时使用利用粘接层(粘接剂)将硅基板与玻璃基板贴合而成(粘接而成)的贴合基板。另外，在使用硅基板的半导体元件的制造制程中，通常，采用通过利用切割机的切割将二维地形成有多个元件图案的母基板即硅基板分割而获得各个芯片的方法，在使用所述硅基板与玻璃基板的贴合基板作为母基板的情况下，也采用相同的顺序。
另外，将使热硬化性树脂附着在脆性材料基板的主面而成的具有树脂的脆性材料基板分割的方法也已为公知(例如，参照专利文献1)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利5170195号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
在通过切割机将利用粘接层贴合硅基板与玻璃基板而成的贴合基板分割的情况下，因玻璃基板的性质而难以提高加工速度，另外，由于玻璃基板容易产生碎屑(破片)，所以存在生产性较差的问题。另外，必须使用树脂刀片等特殊的切割刀片，但也存在磨损较快而成为成本高的原因的问题。进而，也存在切割时为了冷却等目的而使用的水容易渗入到粘接层与玻璃之间的问题。
本发明是鉴于所述问题而开发者，其目的在于提供能够将利用粘接层贴合硅基板与玻璃基板而成的贴合基板较佳地分割的方法。
[解决问题的技术手段]
为了解决所述问题，技术方案1的发明的特征在于：其是将利用粘接层贴合硅基板与玻璃基板而成的贴合基板在特定的分割预定位置分割的方法，且包括：划线形成步骤，在形成所述贴合基板的一方主面的所述玻璃基板的一主面的所述分割预定位置，通过特定的划线工具形成划线；切割槽形成步骤，在形成所述贴合基板的另一方主面的所述硅基板的一主面的所述分割预定位置，从所述硅基板的所述一主面至所述粘接层的中途为止利用特定的槽部形成机构形成槽部；及切断步骤，将形成有所述划线与所述槽部的所述贴合基板在所述划线与所述槽部之间切断。
技术方案2的发明是根据技术方案1所述的贴合基板的分割方法，其特征在于：在所述切断步骤中，在将所述贴合基板以所述硅基板侧成为最上部，且所述玻璃基板侧成为最下部的方式载置在包含弹性体的支撑部的上表面的状态下，使切断刀从所述硅基板的上方相对于所述分割预定位置抵接并进而下压，由此将所述贴合基板分断。
技术方案3的发明是根据技术方案2所述的贴合基板的分割方法，其特征在于：在所述切断步骤中，使所述切断刀抵接在所述槽部的底部并且进而下压，由此一面通过所述切断刀将所述粘接层切开，一面使垂直裂痕从所述划线伸展，从而将所述贴合基板分断。
技术方案4的发明是根据技术方案2所述的贴合基板的分割方法，其特征在于：在所述切断步骤中，使所述切断刀的刀尖侧面抵接在所述硅基板的所述一主面的所述槽部的开口端部并且进而下压，由此将所述粘接层劈开并且使垂直裂痕从所述划线伸展，从而将所述贴合基板分断。
技术方案5的发明是根据技术方案1至技术方案4中任一项所述的贴合基板的分割方法，其特征在于：所述特定的划线工具为划线轮。
技术方案6的发明是根据技术方案1至技术方案5中任一项所述的贴合基板的分割方法，其特征在于：所述特定的槽部形成机构为切割机。
技术方案7的发明的特征在于：其是将利用粘接层贴合硅基板与玻璃基板而成的贴合基板在特定的分割预定位置分割的分割装置，且具备：划线形成单元(所谓划线杆)，在形成所述贴合基板的一方主面的所述玻璃基板的一主面的所述分割预定位置，通过特定的划线工具形成划线；切割槽形成单元(所谓切割机)，在形成所述贴合基板的另一方主面的所述硅基板的一主面的所述分割预定位置，从所述硅基板的所述一主面至所述粘接层的中途为止利用特定的槽部形成机构形成槽部；及切断单元(所谓切断机)，将形成有所述划线与所述槽部的所述贴合基板在所述划线与所述槽部之间切断。
[发明效果]
根据技术方案1至技术方案7的发明，能够将利用粘接层贴合硅基板与玻璃基板而成的贴合基板较佳地分割。
附图说明
图1(a)、1(b)是概略性地表示贴合基板10的构成的剖视图。
图2是对将贴合基板10在分割预定位置A分割的顺序进行说明的图。
图3(a)～(c)是用以说明划线SL的形成的图。
图4(a)～(c)是用以说明切割槽DG的形成(形成中的状态)的图。
图5是用以说明切割槽DG的形成(形成后的状态)的图。
图6是例示形成有焊料球SB之后的贴合基板10的图。
图7是概略性地表示使用切断装置300将贴合基板10切断的情况的图。
图8(a)～(c)是用以表示第1切断方法的图。
图9(a)～(c)是用以表示第2切断方法的图。
具体实施方式
＜贴合基板＞
图1是概略性地表示本实施方式中成为分割的对象的贴合基板10的构成的剖视图。在本实施方式中，所谓贴合基板10是通过利用粘接层3将玻璃基板1与硅基板2粘接而贴合，整体上作为一个基板而成者。
贴合基板10是通过在作为进行分割的位置预先规定的分割预定位置A利用下述方法沿着厚度方向分断而分割。分割预定位置A是沿着贴合基板10的主面规定为线状(例如直线状)。在图1中，例示在与附图垂直的方向规定有分割预定位置A的情况。此外，在图1中在作为贴合基板10的两主面的玻璃基板1的主面1a与硅基板2的主面2a的两者表示有分割预定位置A，当然，在俯视(平面透视)贴合基板10的主面的情况下各个主面的分割预定位置A相同。换句话说，如果使一方主面的分割预定位置A在贴合基板10的厚度方向平行移动则会与另一方主面的分割预定位置A一致。
虽在图1中省略图示，但也可相对于一贴合基板10规定多个分割预定位置A，例如，也可为格子状地规定分割预定位置A的态样。在规定有多个分割预定位置A的情况下，各个分割预定位置A彼此的间隔在可较佳地进行下述顺序的分割的范围内适当规定即可。
在图1中进而也表示有在分割时分断实际前进的预定位置即分断前进预定位置B。分断前进预定位置B被视为贴合基板10的两主面即玻璃基板1的主面1a与硅基板2的主面2a的各者的分割预定位置A之间的沿着厚度方向的面。在图1例示的情况下，分断前进预定位置B在观察附图时垂直的方向延伸。
作为玻璃基板1的材质，例示硼硅酸玻璃、无碱玻璃、钠玻璃等碱玻璃等般的各种玻璃。作为粘接层3的材质，例示热硬化型环氧树脂等。
玻璃基板1、硅基板2、及粘接层3的厚度、进而贴合基板10的总厚度，只要在利用下述方法将贴合基板10分割时可较佳地进行分割则无特别的限制，分别可例示100μm～1000μm、50μm～1000μm、10μm～200μm、150μm～1500μm的范围。另外，关于贴合基板的平面尺寸也无特别的限制，可例示纵1～3mm左右×横1～3mm左右的范围。
另外，在图1中，例示在硅基板2的一方主面、且与和粘接层3的邻接面为相反侧的主面即观察附图时上表面侧的主面2a设置有上部层4的情况。图1(a)例示硅基板2的主面2a中、分割预定位置A的附近区域设为非形成区域RE的情况下的上部层4的形成态样，图1(b)例示在主面2a的整个表面形成有上部层4的情况下的形成态样。
此外，在图1中为了简单起见，以上部层4为单一层的方式图示，但上部层4既可为单一层，也可为包括相同材质或不同材质的多个层。作为上部层4的构成材料，例示各种金属层、陶瓷层、半导体层、非晶层、树脂层等各种材质。
但是，在利用本实施方式的分割方法将贴合基板10分割时，上部层4的存在并非为必需。因此，在以后的说明中，关于形成有上部层4的情况，也有时将硅基板2与上部层4简单地总称为硅基板2，另外，严格而言有时将形成上部层4的上表面的面称为硅基板2的主面2a。
＜分割的顺序＞
其次，对将具有所述构成的贴合基板10在分割预定位置A分割的顺序进行说明。图2是表示该分割的顺序的图。
首先，准备如图1所例示的贴合基板10(步骤S1)。即，准备利用粘接层3贴合玻璃基板1与硅基板2而成、且规定有分割预定位置A的贴合基板10。
然后，在所准备的贴合基板10的玻璃基板1侧的分割预定位置A形成划线SL(图3)(步骤S2)。图3是用以说明该划线SL的形成的图。此外，在图3中，例示设定有各者在与附图垂直的方向直线状地延伸的多个分割预定位置A的情况(在图4～图7中也相同)。
划线SL为在下述步骤中成为裂痕(垂直裂痕)伸展的起点的部位。划线SL的形成是如图3(a)所示，以玻璃基板1成为最上部且硅基板2成为最下部的水平姿势保持贴合基板10而进行。此时，既可将贴合基板10直接保持在载台，也可代替此而为如下态样，即，将硅基板2的主面2a侧贴附在例如张设保持在切割环等环状的保持部件的切割带等保持带，并连同这些保持部件及保持带一起将贴合基板10保持在载台。
概略地来说，划线SL的形成是通过如下方式来进行，即在将贴合基板10以该姿势保持在具备特定的划线工具的未图示的公知的划线装置的载台的状态下，使该划线工具在玻璃基板1的主面1a上相对于分割预定位置A而相对地移动。
在图3(b)中，表示有作为划线工具使用公知的划线轮101形成划线SL的情况。划线轮101是形成具有将2个圆锥台在各者的下底面(较大的一方的底面)侧连接的形状的圆盘形状(算盘珠形状)并且其外周部分成为刀尖的工具。划线SL是通过使该划线轮101(更详细而言为其刀尖)在玻璃基板1的主面1a上沿着分割预定位置A压接滚动而形成。此外，刀尖既可遍及划线轮101的全周为一样，也可为周期性地具有凹部的态样。
在图3(b)中如箭头AR1及AR2所示，相对于各个分割预定位置A依序使划线轮101压接滚动而形成划线SL，最终，如图3(c)所示在所有分割预定位置A形成有划线SL。此外，也可为伴随该划线SL的形成而垂直裂痕从划线SL向玻璃基板1的厚度方向伸展的态样。
另外，作为划线工具，也可为使用公知的金刚石头及其他的态样。
当相对于玻璃基板1侧的分割预定位置形成有划线SL时，继而在贴合基板10的硅基板2侧的分割预定位置A进行切割而形成切割槽DG(图4)(步骤S3)。图4及图5是用以说明该切割槽DG的形成的图。切割槽DG形成为槽部，且在下述步骤中成为切断的起点。
切割槽DG的形成是如图4(a)所示，以硅基板2成为最上部，且玻璃基板1成为最下部的水平姿势保持贴合基板10而进行。即，通过以与划线SL形成时反转的姿势保持贴合基板10而进行。此时，贴合基板10既可直接保持在载台，也可代替此而为如下态样，即，将玻璃基板1的主面1a侧贴附在例如张设保持在切割环等环状的保持部件的切割带等保持带，并连同这些保持部件及保持带一起将贴合基板10保持在载台。
如图4(b)所示，切割槽DG形成为贯通硅基板2并到达粘接层3为止的槽部。换句话说，切割槽DG以其深度h大于硅基板2的厚度、且小于硅基板2与粘接层3的厚度的总和的方式形成。此外，虽详细情况在下文叙述，但切割槽DG的尺寸(深度h、宽度w)、切割槽DG的底部DG1与粘接层3的距离d是根据对应于粘接层3的材质来选择的下述切断步骤中的切断方法而规定。
概略地来说，切割槽DG的形成是通过如下方式来进行，即在将贴合基板10以该姿势保持在具备特定的切割机构的未图示的公知的切割装置(切割机)的载台的状态下，在硅基板2的主面2a侧的分割预定位置A在厚度方向及宽度方向的特定范围通过切割机构进行切削。
在图4(b)及图4(c)中，表示有作为切割机构使用具备公知的切割刀片201的切割机来形成切割槽DG的情况。切割刀片201是形成圆板状(圆环状)并且其外周部分成为刀尖的工具。在使用切割刀片201形成切割槽DG的情况下，首先，一面使该切割刀片201以其主面成为与铅垂面平行的姿势在铅垂面内旋转，一面如图4(b)中箭头AR3所示般，进而如图4(c)中箭头AR4所示般使其刀尖部分下降直至到达与所要形成的切割槽DG的深度h对应的目标深度位置为止。然后，当刀尖部分到达目标深度位置时，一面保持该旋转状态，一面沿着分割预定位置A(即沿着分断前进预定位置B)使切割刀片201相对于贴合基板10相对移动，由此形成切割槽DG。
当如图4(b)中箭头AR5及AR6所示，或者如图4(c)中箭头AR7及AR8所示使切割刀片201相对于各个分割预定位置A依序移动而形成有切割槽DG时，最终如图5所示在所有分割预定位置A形成有切割槽DG。
当形成有切割槽DG时，贴合基板10实现如下状态，即在所有分割预定位置A，在一方主面侧形成有划线SL，且在另一方主面侧形成有切割槽DG。
实现了该状态的贴合基板10成为能够实施以下切断步骤的基板，但根据贴合基板10的种类，更详细而言，根据通过将该贴合基板10分割而获得的芯片的种类，也可为如下态样，即在该切断之前，在硅基板2的主面2a上，更严格而言在图3至图5中省略图示的上部层4上形成有焊料球SB(步骤S4)。图6是例示形成有焊料球SB之后的贴合基板10的图。焊料球SB形成在硅基板2的主面2a上的(更详细而言上部层4的主面上的)每一通过最终完成分割而分别成为个别芯片的区域。但是，焊料球SB的形成并非为必需。
此外，焊料球SB也可为在划线SL形成前的时间点、即最初准备贴合基板的时间点，或在划线SL形成的形成后且切割槽DG形成前的时间点形成的态样。但是，在前者的情况下，必须在划线SL的形成时将形成有焊料球SB的具有凹凸的硅基板2的主面2a侧朝向下方而保持贴合基板10，在后者的情况下，具有存在通过切割时切削片的除去或切割槽DG的清洗等所使用的水而腐蚀焊料球SB的情况等分别应留意的方面，但在所述切割槽DG形成后的时序形成焊料球SB的态样则与所述留意点无关，所以优选。
另外，划线SL的形成与切割槽DG的形成的顺序也可相反。
在均形成划线SL与切割槽DG，且在需要的情况下形成有焊料球SB之后，进行使用切断装置300的切断，在划线SL与切割槽DG之间，使沿着分断前进预定位置B的分断前进(步骤S5)。
图7是概略性地表示使用切断装置300将贴合基板10切断的情况的图。
切断装置300主要具备：支撑部301，包含弹性体，且在上表面301a载置贴合基板10；及切断刀302，具有在特定的刀跨度方向延伸的剖视三角形状的刀尖，且在铅垂方向升降自如。
支撑部301优选由硬度为65°～95°，优选为70°～90°，例如为80°的材质的弹性体形成。作为该支撑部301，例如能够较佳地使用硅酮橡胶等。此外，支撑部301也可进而通过未图示的硬质的(不具有弹性的)支撑体而支撑其下方。
如图7所示，在切断时，贴合基板10以形成有切割槽DG的硅基板2的侧成为最上部，且形成有划线SL的玻璃基板1的侧成为最下部的方式载置在支撑部301的上表面301a上。此外，在图7中表示有如下情况，即以分割预定位置A(因此划线SL与切割槽DG)在与附图垂直的方向延伸的方式将贴合基板10载置在支撑部301的上表面301a，并且在该分割预定位置A的铅垂上方，切断刀302(更详细而言其刀尖)沿着分割预定位置A的延伸方向而配置。
使用该切断装置300的切断概略地来说通过如下方式来实现，即，使切断刀302如箭头AR9所示在铅垂方向相对于硅基板2侧的分割预定位置A(即切割槽DG的形成位置)下降，在切断刀302与贴合基板10抵接之后也下压切断刀302。然后，如箭头AR10所示，通过相对于所有分割预定位置A依序完成切断，而将贴合基板10分割为所期望的尺寸及个数的芯片。
更详细而言，在本实施方式中，根据粘接层3的材质而分开使用原理不同的两种切断方法。在该情况下，根据所选择的切断方法，而使切断刀302的刀尖302a(参照图8、图9)的形状或切割槽DG的尺寸分别不同。以下，对两种切断方法依序进行说明。
(第1切断方法)
图8是用以表示第1切断方法的图。第1切断方法是通过使切断刀302如图7中箭头AR9所示在铅垂方向下降而最终产生的切断刀302相对于切割槽DG的抵接，首先最初如图8(a)所示在刀尖302a的前端与切割槽DG的底部DG1之间实现之后使分断前进。
具体而言，当如图8(b)中箭头AR11所示，刀尖302a的前端与切割槽DG的底部DG1抵接之后也将切断刀302以特定的力向铅垂下方下压时，如箭头AR12所示刀尖302a从粘接层3受到阻力，并且也一面沿着分断前进预定位置B将粘接层3切开一面下降。由此，粘接层3的分断前进。
另外，此时，由于将切断刀302向铅垂下方下压的力也作为将贴合基板10相对于作为弹性体的支撑部301沿着分割预定位置A压入的力起作用，所以贴合基板10会从支撑部301相对于划线SL对称地受到如箭头AR13所示的向上的发作用力。于是，作为该发作用力与从切断刀302作用的向铅垂下方的力相加的结果，在贴合基板10的玻璃基板1侧实现所谓3点弯曲的状况，如箭头AR14所示，垂直裂痕CR从划线SL沿着分断前进预定位置B向铅垂上方伸展。
利用切断刀302的自铅垂上方的粘接层3的分断(切开)与自铅垂下方的玻璃基板1的垂直裂痕CR的伸展均沿着分断前进预定位置B前进。当最终两者均到达粘接层3与玻璃基板1的界面时完成分断。即，贴合基板10如图8(c)所示会被分割为2个单片10a。
在利用如以上的第1切断方法进行切断的情况下，必须以当使切断刀302下降时至少在刀尖302a的前端与切割槽DG的底部DG1抵接之前不使刀尖302a与切割槽DG接触的方式规定切割槽DG的尺寸，并且必须规定与刀跨度方向垂直的截面上的刀尖302a所成的角即刀尖角θ。通常，与下述第2切断方法相比，会使切割槽DG的尺寸相对较大，且使刀尖角θ相对较小。
(第2切断方法)
图9是用以表示第2切断方法的图。第2切断方法是通过使切断刀302如图7中箭头AR9所示在铅垂方向下降而最终产生的切断刀302相对于切割槽DG的抵接首先最初如图9(a)所示在刀尖302a的2个侧面302b的各者与切割槽DG的对应的开口端部DG2之间进行之后，使分断前进。此处，所谓切割槽DG的开口端部DG2是指硅基板2的表面上的切割槽DG的边缘部分。
具体而言，当如图9(b)中箭头AR21所示刀尖302a的侧面302b与切割槽DG的开口端部DG2抵接之后也将切断刀302以特定的力向铅垂下方下压时，刀尖302a的2个侧面302b的各者如箭头AR22所示，使相对于分割预定位置A对称且相互背离的方向的力作用于在倾斜方向接触的切割槽DG的对应的开口端部DG2。
如果在该态样下开口端部DG2受到力，则如箭头AR23所示，在粘接层3的未形成切割槽DG的部位，产生相对于分断前进预定位置B对称且相反方向的力。切断刀302的下压越推进则该力越大，最终粘接层3从切割槽DG的底部DG1向箭头AR24所示的铅垂下方劈开。其结果，在粘接层3形成有沿着分断前进预定位置B的龟裂CR1。龟裂CR1最终到达粘接层3与玻璃基板1的界面。
当在该龟裂CR1形成之后也将切断刀302向铅垂下方下压时，切断刀302对贴合基板10赋予的力作为将贴合基板10相对于作为弹性体的支撑部301沿着分割预定位置A压入的力起作用。因此，与第1切断方法的情况相同，贴合基板10如箭头AR25所示会从支撑部301受到向铅垂上方的发作用力。因此，在贴合基板10的玻璃基板1侧实现3点弯曲的状况，如箭头AR26所示，垂直裂痕CR2从划线SL沿着分断前进预定位置B向铅垂上方伸展。最终，当垂直裂痕CR2到达粘接层3与玻璃基板1的界面时完成分断。即，贴合基板10如图9(c)所示会被分割为2个单片10a。
在利用如以上的第2切断方法进行切断的情况下，必须以当使切断刀302下降时在刀尖302a的前端与切割槽DG的底部DG1抵接之前，刀尖302a的侧面302b与切割槽DG的开口端部DG2接触的方式规定切割槽DG的尺寸并且决定刀尖角θ。通常，与所述第1切断方法相比，会使切割槽DG的尺寸相对较小，且使刀尖角θ相对较大。另外，关于切割槽DG的底部DG1与粘接层3的距离d，也必须考虑与切断刀302的压入量的平衡来规定。其原因在于，如果距离d过大，则存在龟裂CR1无法到达粘接层3与玻璃基板1的界面的可能性。
此外，第1切断方法与第2切断方法的分开使用优选考虑粘接层3的材质(组成、粘性、弹性等)而选择。例如，在粘接层3的粘性较高的情况下，存在利用切断刀302的切开难以较佳地前进的倾向，所以与第1切断方法相比应用第2切断方法，则可较佳地进行分断的可能性较高。
或者，也可在最初切断时利用相当于第1切断方法的方法使分断前进，然后，一面也实现使刀尖302a的侧面302b与切割槽DG的开口端部DG2抵接的状态，一面使切断前进。
如以上所说明，根据本实施方式，通过如下方式进行利用粘接层贴合硅基板与玻璃基板而成的贴合基板的分割而能够较佳地分割该贴合基板，即在玻璃基板侧的分割预定位置形成划线，且在硅基板侧的分割预定位置形成到达粘接层的切割槽，并且通过切断而在划线与切割槽之间使分断前进。由于不切割玻璃基板，所以抑制玻璃基板产生碎屑，另外，实现生产性的提高及成本的降低。另外，水也不会渗入至粘接层与玻璃基板之间。
[符号的说明]
1 玻璃基板
1a (玻璃基板的)主面
2 硅基板
2a (硅基板的)主面
3 粘接层
4 上部层
10 贴合基板
10a 单片
101 划线轮
201 切割刀片
300 切断装置
301 支撑部
301a (支撑部的)上表面
302 切断刀
302a (切断刀的)刀尖
302b (刀尖的)侧面
A 分割预定位置
B 分断前进预定位置
CR、CR2 垂直裂痕
CR1 龟裂
DG 切割槽
DG1 (切割槽的)底部
DG2 (切割槽)开口端部
SB 焊料球
SL 划线

Claims (6)

1.一种贴合基板的分割方法，其特征在于：其是将利用粘接层贴合硅基板与玻璃基板而成的贴合基板在特定的分割预定位置分割的方法，且包括：
划线形成步骤，在形成所述贴合基板的一方主面的所述玻璃基板的一主面的所述分割预定位置，通过特定的划线工具形成划线；
切割槽形成步骤，在形成所述贴合基板的另一方主面的所述硅基板的一主面的所述分割预定位置，从所述硅基板的所述一主面至所述粘接层的中途为止利用特定的槽部形成机构形成槽部；及
切断步骤，将形成有所述划线与所述槽部的所述贴合基板在所述划线与所述槽部之间切断；且
在所述切断步骤中，在将所述贴合基板以所述硅基板侧成为最上部，且所述玻璃基板侧成为最下部的方式载置在包含弹性体的支撑部的上表面的状态下，使切断刀从所述硅基板的上方对所述分割预定位置进行抵接并进而下压，由此将所述贴合基板分断。
2.根据权利要求1所述的贴合基板的分割方法，其特征在于：
在所述切断步骤中，使所述切断刀抵接在所述槽部的底部并且进而下压，由此一面通过所述切断刀将所述粘接层切开，一面使垂直裂痕从所述划线伸展，从而将所述贴合基板分断。
3.根据权利要求1所述的贴合基板的分割方法，其特征在于：
在所述切断步骤中，使所述切断刀的刀尖侧面抵接在所述硅基板的所述一主面的所述槽部的开口端部并且进而下压，由此将所述粘接层劈开并且使垂直裂痕从所述划线伸展，从而将所述贴合基板分断。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的贴合基板的分割方法，其特征在于：
所述特定的划线工具为划线轮。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的贴合基板的分割方法，其特征在于：
所述特定的槽部形成机构为切割机。
6.一种贴合基板的分割装置，其特征在于：其是将利用粘接层贴合硅基板与玻璃基板而成的贴合基板在特定的分割预定位置分割者，且具备：
划线形成单元，在形成所述贴合基板的一方主面的所述玻璃基板的一主面的所述分割预定位置，通过特定的划线工具形成划线；
切割槽形成单元，在形成所述贴合基板的另一方主面的所述硅基板的一主面的所述分割预定位置，从所述硅基板的所述一主面至所述粘接层的中途为止利用特定的槽部形成机构形成槽部；及
切断单元，将形成有所述划线与所述槽部的所述贴合基板在所述划线与所述槽部之间切断；且
在所述切断单元中，在将所述贴合基板以所述硅基板侧成为最上部，且所述玻璃基板侧成为最下部的方式载置在包含弹性体的支撑部的上表面的状态下，使切断刀从所述硅基板的上方对所述分割预定位置进行抵接并进而下压，由此将所述贴合基板分断。
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