CN106024844B - 有机发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光器件及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域。所述有机发光器件包括:第一电极;第二电极;设置于所述第一电极与所述第二电极之间的第一发光层;设置于所述第一发光层与所述第二电极之间的间隔层;设置于所述间隔层与所述第二电极之间的光强补偿层,所述光强补偿层的发光颜色与所述第一发光层的发光颜色相同,所述光强补偿层用于在所述第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将所述复合区限制在所述光强补偿层,并补偿所述第一发光层的光强。本发明解决了有机发光器件的发光性能较差的问题,实现了提高有机发光器件的发光性能的效果,用于显示装置。

Description

有机发光器件及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种有机发光器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光器件即有机发光二极管(英文:Organic Light Emitting Diode;简称:OLED)器件,无需背光灯,具有自发光特性。有机发光器件因其高亮度、大视角、低电压、低功耗、快响应、可弯曲、工艺简单、发光效率高和温度范围广等特点,广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。
现有技术中有一种有机发光器件,如图1所示,该有机发光器件包括基板211,基板211上依次形成有透明阳极201、发光层202和阴极210。该有机发光器件的发光原理为:在透明阳极和阴极之间加上电压,在该电压的作用下,空穴和电子向发光层移动,空穴和电子在发光层结合形成激子,激子在发光层中复合以发光。
但是上述有机发光器件中,随着点亮时间的增长,发光层的光强会衰减,因此,有机发光器件的发光性能较差。
发明内容
为了解决有机发光器件的发光性能较差的问题,本发明提供了一种有机发光器件及其制备方法、显示装置。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种有机发光器件,所述有机发光器件包括:
第一电极;
第二电极;
设置于所述第一电极与所述第二电极之间的第一发光层;
设置于所述第一发光层与所述第二电极之间的间隔层;
设置于所述间隔层与所述第二电极之间的光强补偿层,所述光强补偿层的发光颜色与所述第一发光层的发光颜色相同,所述光强补偿层用于在所述第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将所述复合区限制在所述光强补偿层,并补偿所述第一发光层的光强。
可选的,所述有机发光器件还包括:
设置于所述光强补偿层与所述第二电极之间的电荷产生层;
设置于所述电荷产生层与所述第二电极之间的第二发光层。
可选的,所述有机发光器件还包括:
设置于所述第二发光层与所述第二电极之间的第三发光层。
可选的,所述光强补偿层包括主体材料和客体掺杂剂,所述客体掺杂剂掺杂于所述主体材料中,所述主体材料为n型有机半导体材料,所述客体掺杂剂为发光材料。
可选的,所述主体材料的最高占有分子轨道HOMO能级小于或等于所述间隔层的HOMO能级,所述主体材料的最低未占有分子轨道LUMO能级等于所述间隔层的LUMO能级。
可选的,所述主体材料与所述间隔层的HOMO能级差为0.1eV。
可选的,所述光强补偿层中的客体掺杂剂的掺杂浓度为1%~10%。
可选的,所述主体材料的厚度为5nm~10nm。
可选的,所述间隔层由n型有机半导体材料制成,所述间隔层的最高占有分子轨道HOMO能级小于所述第一发光层的HOMO能级,所述间隔层的最低未占有分子轨道LUMO能级大于所述第一发光层的LUMO能级。
可选的,所述间隔层与所述第一发光层的HOMO能级差为0.1eV~0.5eV;
所述间隔层与所述第一发光层的LUMO能级差为0.1eV~0.3eV。
可选的,所述间隔层的厚度为2nm~3nm。
可选的,所述光强补偿层与所述第一发光层均为蓝光发光层;
所述第二发光层为红光发光层;
所述第三发光层为绿光发光层。
可选的,所述有机发光器件还包括:
设置于所述第一电极和所述第一发光层之间的第一空穴传输层;
设置于所述光强补偿层和所述第二电极之间的第一电子传输层。
第二方面,提供了一种有机发光器件的制备方法,所述方法包括:
在第一电极上形成第一发光层;
在所述第一发光层上形成间隔层;
在所述间隔层上形成光强补偿层;
在所述光强补偿层上形成第二电极;
其中,所述光强补偿层的发光颜色与所述第一发光层的发光颜色相同,所述光强补偿层用于在所述第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将所述复合区限制在所述光强补偿层,并补偿所述第一发光层的光强。
可选的,所述在所述光强补偿层上形成第二电极,包括:
在所述光强补偿层上依次形成电荷产生层、第二发光层和所述第二电极。
可选的,所述在所述光强补偿层上形成第二电极,包括:
在所述光强补偿层上依次形成所述电荷产生层、所述第二发光层、第三发光层和所述第二电极。
可选的,所述光强补偿层与所述第一发光层均为蓝光发光层;
所述第二发光层为红光发光层;
所述第三发光层为绿光发光层。
可选的,所述在第一电极上形成第一发光层,包括:
在所述第一电极上依次形成第一空穴传输层和所述第一发光层;
所述在所述光强补偿层上形成第二电极,包括:
在所述光强补偿层上依次形成第一电子传输层和所述第二电极。
第三方面,提供了一种显示装置,包括第一方面所述的有机发光器件。
本发明提供了一种有机发光器件及其制备方法、显示装置,由于该有机发光器件包括设置于第一发光层与第二电极之间的间隔层,以及设置于间隔层与第二电极之间的光强补偿层,且该光强补偿层的发光颜色与第一发光层的发光颜色相同,该光强补偿层用于在第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿第一发光层的光强,提高了有机发光器件的发光性能。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中的有机发光器件的结构示意图;
图2-1是本发明实施例提供的一种有机发光器件的结构示意图;
图2-2是本发明实施例提供的另一种有机发光器件的结构示意图;
图2-3是本发明实施例提供的又一种有机发光器件的结构示意图;
图3-1是本发明实施例提供的一种有机发光器件的制备方法的流程图;
图3-2是本发明实施例提供的形成第一发光层的结构示意图;
图3-3是本发明实施例提供的形成间隔层的结构示意图;
图3-4是本发明实施例提供的形成光强补偿层的结构示意图;
图3-5是本发明实施例提供的再一种有机发光器件的结构示意图。
通过上述附图,已示出本发明明确的实施例,后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种有机发光器件100,如图2-1所示,该有机发光器件100包括:
第一电极101;
第二电极102;
设置于第一电极101与第二电极102之间的第一发光层103;
设置于第一发光层103与第二电极102之间的间隔层104;
设置于间隔层104与第二电极102之间的光强补偿层105,光强补偿层105的发光颜色与第一发光层103的发光颜色相同,光强补偿层105用于在第一发光层103中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层105,并补偿第一发光层103的光强。
综上所述,本发明实施例提供的有机发光器件,由于该有机发光器件包括设置于第一发光层与第二电极之间的间隔层,以及设置于间隔层与第二电极之间的光强补偿层,且该光强补偿层的发光颜色与第一发光层的发光颜色相同,该光强补偿层用于在第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿第一发光层的光强,提高了有机发光器件的发光性能。
可选的,图2-1中的光强补偿层105与第一发光层103可均为蓝光发光层。光强补偿层用于在第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿第一发光层的光强,这样一来,随着点亮时间的增长,光强补偿层能够对第一发光层发出的蓝光进行补偿,解决了有机发光器件的发光性能较差的问题。
进一步的,如图2-2所示,该有机发光器件100还包括:
设置于光强补偿层105与第二电极102之间的电荷产生层106;
设置于电荷产生层106与第二电极102之间的第二发光层107。
其中,电荷产生层106用于在外加电场的条件下,产生电子和空穴。关于电荷产生层可以参考现有技术,本发明实施例对此不再赘述。
图2-2中的101为第一电极,103为第一发光层,104为间隔层。光强补偿层105与第一发光层103可均为蓝光发光层,第二发光层107可以为黄光发光层。现有技术中,随着点亮时间的增长,有机发光器件的蓝光发光层的光强相较于黄光发光层的光强衰减更快,导致有机发光器件发出的白光发生色偏,而图2-2中的有机发光器件包括的光强补偿层能够在蓝光发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿蓝光发光层的光强,从而避免了有机发光器件发出的白光发生色偏,提高了有机发光器件的发光性能。
图2-3示出了另一种有机发光器件100的结构示意图,如图2-3所示,该有机发光器件包括:
第一电极101;
第二电极102;
设置于第一电极101与第二电极102之间的第一发光层103;
设置于第一发光层103与第二电极102之间的间隔层104;
设置于间隔层104与第二电极102之间的光强补偿层105,光强补偿层105的发光颜色与第一发光层103的发光颜色相同,光强补偿层105用于在第一发光层103中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层105,并补偿第一发光层103的光强;
设置于光强补偿层105与第二电极102之间的电荷产生层106;
设置于电荷产生层106与第二电极102之间的第二发光层107;
设置于第二发光层107与第二电极102之间的第三发光层108。
进一步的,如图2-3所示,该有机发光器件100还可以包括:
设置于第一电极101和第一发光层103之间的第一空穴传输层109;
设置于光强补偿层105和第二电极102之间的第一电子传输层110。
进一步的,如图2-3所示,该有机发光器件100还可以包括:
设置于光强补偿层105与电荷产生层106之间的第二电子传输层111;
设置于电荷产生层106与第二发光层107之间的第二空穴传输层112。
其中,第一空穴传输层109和第二空穴传输层112用于调节发光层中空穴的注入速度和注入量,第一电子传输层110和第二电子传输层111用于调节发光层中电子的注入速度和注入量,关于第一空穴传输层、第一电子传输层、第二电子传输层和第二空穴传输层可以参考现有技术,本发明实施例对此不再赘述。
此外,图2-3中的113为基板,基板为透明基板,该基板可以由玻璃、石英、塑料、透明金属薄片中的一种或几种组合制成。
第一电极101为阳极,该阳极为透明电极层。优选的,阳极可以为铟锡氧化物(英文:Indium Tin Oxides;简称:ITO)层或铟锌氧化物(英文:Indium zinc oxide;简称:IZO)层。
第一空穴传输层109和第二空穴传输层112可以由相同材料制成,也可以采用不同材料制成,第一空穴传输层109和第二空穴传输层112可以由p型半导体材料制成,第一空穴传输层109和第二空穴传输层112可以由芳胺类化合物制成,本发明实施例对此不做限定。
图2-3中的光强补偿层105与第一发光层103可均为蓝光发光层,第二发光层107可以为红光发光层,第三发光层108可以为绿光发光层。现有技术中,随着点亮时间的增长,有机发光器件的蓝光发光层的光强相较于红光发光层的光强与绿光发光层的光强均衰减较快,导致有机发光器件发出的白光发生色偏,而图2-3中的有机发光器件包括的光强补偿层能够在蓝光发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿蓝光发光层的光强,从而避免了有机发光器件发出的白光发生色偏,提高了有机发光器件的发光性能。
其中,图2-1中的光强补偿层105为主客体掺杂结构,光强补偿层包括主体材料和客体掺杂剂,客体掺杂剂掺杂于主体材料中,主体材料为n型有机半导体材料,客体掺杂剂为发光材料。示例的,该光强补偿层中的客体掺杂剂的掺杂浓度可以为1%~10%。当光强补偿层与第一发光层均为蓝光发光层时,客体掺杂剂为蓝光发光材料。该光强补偿层为主客体掺杂结构,提高了光强补偿层的发光性能。
进一步的,光强补偿层的主体材料的最高占有分子轨道(英文:Highest OccupiedMolecular Orbital;简称:HOMO)能级小于或等于间隔层的HOMO能级,主体材料的最低未占有分子轨道(英文:Lowest Unoccupied Molecular Orbital;简称:LUMO)能级等于间隔层的LUMO能级,这样一来,主体材料中的电子迁移率较快,从而能够限制电子和空穴的复合区(即电子和空穴结合后形成的激子的复合区域)不再发生移动,光强补偿层将该复合区限制在光强补偿层,便于激子在光强补偿层中复合发光。其中,HOMO指的是在已占据电子的分子轨道中,能量最高的分子轨道。LUMO指的是在未被电子占据的分子轨道中,能量最低的分子轨道。示例的,主体材料的厚度为5nm(纳米)~10nm。
当光强补偿层的主体材料的HOMO能级小于间隔层的HOMO能级时,可选的,主体材料与间隔层的HOMO能级差可以为0.1eV(电子伏特),即主体材料的HOMO能级比间隔层的HOMO能级小0.1eV。
进一步的,图2-1中的间隔层104由n型有机半导体材料制成,间隔层的HOMO能级小于第一发光层的HOMO能级。示例的,间隔层与第一发光层的HOMO能级差可以为0.1eV~0.5eV,即间隔层的HOMO能级比第一发光层的HOMO能级小0.1eV~0.5eV。间隔层的LUMO能级大于第一发光层的LUMO能级。示例的,间隔层与第一发光层的LUMO能级差为0.1eV~0.3eV,即间隔层的LUMO能级比第一发光层的LUMO能级大0.1eV~0.3eV。该间隔层使得有机发光器件刚开始被点亮时,激子能够优先选择在第一发光层中复合发光。示例的,间隔层的厚度可以为2nm(纳米)~3nm。
以图2-1所示的有机发光器件为例进行说明,光强补偿层105与第一发光层103均为蓝光发光层。外加正向电压时,在间隔层104的作用下,激子优先选择在第一发光层103中复合发出蓝光。随着点亮时间的增长,第一发光层103中的电子和空穴的复合区朝第二电极102处移动,其中,第一发光层103与光强补偿层105之间的间隔层104厚度为2nm~3nm,部分激子在光强补偿层105中复合发出蓝光,同时,由于光强补偿层105中主体材料的电子迁移率较快,使得复合区不再继续朝第二电极102处移动,而被限制在光强补偿层105中,从而使得光强补偿层105对第一发光层103的蓝光光强进行补偿,由于光强补偿层能够补偿第一发光层的光强,进而使得有机发光器件发出的白光不会随着点亮时间的增长而发生色偏(色偏指的是有机发光器件发出的白光变成了黄光),改善了现有技术中的色偏问题,保证了整体白光的平衡。
以图2-3所示的有机发光器件为例进行说明,光强补偿层105与第一发光层103均为蓝光发光层,第二发光层107为红光发光层,第三发光层108为绿光发光层。在外加正向电压时,间隔层104对来自第一电极101的空穴起到阻挡作用,在间隔层104的作用下,来自电荷产生层106的电子和来自第一电极101的空穴先在第一发光层103中结合形成激子,该激子在第一发光层103中复合发出蓝光。同时,来自第二电极102的电子和来自电荷产生层106的空穴在第二发光层107中结合形成激子,该激子在第二发光层107中复合发出红光,来自第二电极102的电子和来自电荷产生层106的空穴在第三发光层108中结合形成激子,该激子在第三发光层108中复合发出绿光。此时,在基板113的外侧可以看到白光。随着点亮时间的增长,第一发光层103中的电子和空穴的复合区朝第二电极102处移动,即朝光强补偿层105处移动,而间隔层104的厚度为2nm~3nm,部分激子在光强补偿层105中复合发出蓝光,同时,由于光强补偿层105中主体材料的电子迁移率较快,使得复合区不再继续朝第二电极102处移动,而被限制在光强补偿层105中,从而使得光强补偿层105对第一发光层103的蓝光光强进行补偿,由于光强补偿层能够补偿第一发光层的光强,进而使得有机发光器件发出的白光不会随着点亮时间的增长而发生色偏(色偏指的是有机发光器件发出的白光变成了黄光),改善了现有技术中的色偏问题,保证了整体白光的平衡。激子在第二发光层中复合发出红光,以及激子在第三发光层中复合发出绿光的具体过程可以参考现有技术,本发明实施例在此不再赘述。
综上所述,本发明实施例提供的有机发光器件,由于该有机发光器件包括设置于第一发光层与第二电极之间的间隔层,以及设置于间隔层与第二电极之间的光强补偿层,且该光强补偿层的发光颜色与第一发光层的发光颜色相同,该光强补偿层用于在第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿第一发光层的光强,提高了有机发光器件的发光性能,改善了单色光(如蓝光)色偏问题以及白光色偏问题,且该有机发光器件的结构简单,易于实现。
本发明实施例提供了一种有机发光器件的制备方法,如图3-1所示,该方法包括:
步骤301、在第一电极上形成第一发光层。
如图3-2所示,在第一电极101上形成第一发光层103。
步骤302、在第一发光层上形成间隔层。
如图3-3所示,在第一发光层103上形成间隔层104。图3-3中的101为第一电极。
步骤303、在间隔层上形成光强补偿层。
如图3-4所示,在间隔层104上形成光强补偿层105。光强补偿层的发光颜色与第一发光层的发光颜色相同,光强补偿层用于在第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿第一发光层的光强。图3-4中的101为在第一电极,103为第一发光层。
步骤304、在光强补偿层上形成第二电极。
如图2-1所示,在光强补偿层105上形成第二电极102。可选的,图2-1中的光强补偿层105与第一发光层103可均为蓝光发光层。因此,该方法使得光强补偿层能够对第一发光层发出的蓝光进行补偿,解决了有机发光器件的发光性能较差的问题。
综上所述,本发明实施例提供的有机发光器件的制备方法,通过该方法能够在第一发光层上形成间隔层,在间隔层上形成光强补偿层,且该光强补偿层的发光颜色与第一发光层的发光颜色相同,该光强补偿层用于在第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿第一发光层的光强,提高了有机发光器件的发光性能。
可选的,步骤304可以包括:在光强补偿层上依次形成电荷产生层、第二发光层和第二电极。具体的,如图2-2所示,在光强补偿层105上形成电荷产生层106,在电荷产生层106上形成第二发光层107,在第二发光层107上形成第二电极102。可选的,图2-2中的光强补偿层105与第一发光层103可均为蓝光发光层,第二发光层107可以为黄光发光层。通过该方法形成的光强补偿层能够在蓝光发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿蓝光发光层的光强,从而避免了有机发光器件发出的白光发生色偏,提高了有机发光器件的发光性能。
可选的,步骤304也可以包括:在光强补偿层上依次形成电荷产生层、第二发光层、第三发光层和第二电极。具体的,如图3-5所示,在光强补偿层105上形成电荷产生层106,在电荷产生层106上形成第二发光层107,在第二发光层107上形成第三发光层108,在第三发光层108上形成第二电极102。可选的,图3-5中的光强补偿层105与第一发光层103可均为蓝光发光层,第二发光层107可以为红光发光层,第三发光层108可以为绿光发光层。通过该方法形成的光强补偿层能够在蓝光发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿蓝光发光层的光强,从而避免了有机发光器件发出的白光发生色偏,提高了有机发光器件的发光性能,保证了整体白光的平衡。图3-5中的其他标记含义可以参考图3-4。
进一步的,参见图2-3,在第一电极上形成第一发光层,包括:在第一电极101上依次形成第一空穴传输层109和第一发光层103。其中,第一空穴传输层109用于调节发光层中空穴的注入速度和注入量。
此外,在光强补偿层上形成第二电极,可以包括:在光强补偿层上依次形成第一电子传输层和第二电极。其中,第一电子传输层用于调节发光层中电子的注入速度和注入量。
可选的,步骤304还可以包括:在光强补偿层上依次形成第二电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第三发光层、第一电子传输层和第二电极。
综上所述,本发明实施例提供的有机发光器件的制备方法,通过该方法能够在第一发光层上形成间隔层,在间隔层上形成光强补偿层,且该光强补偿层的发光颜色与第一发光层的发光颜色相同,该光强补偿层用于在第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿第一发光层的光强,提高了有机发光器件的发光性能,改善了单色光(如蓝光)色偏问题以及白光色偏问题,且制备过程简单,易于实现。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括图2-1、图2-2、图2-3或图3-5所示的有机发光器件。
综上所述,本发明实施例提供的显示装置包括的有机发光器件,由于该有机发光器件包括设置于第一发光层与第二电极之间的间隔层,以及设置于间隔层与第二电极之间的光强补偿层,且该光强补偿层的发光颜色与第一发光层的发光颜色相同,该光强补偿层用于在第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将复合区限制在光强补偿层,并补偿第一发光层的光强,提高了有机发光器件的发光性能,改善了单色光(如蓝光)色偏问题以及白光色偏问题,且该有机发光器件的结构简单,易于实现。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种有机发光器件,其特征在于,所述有机发光器件包括:
第一电极;
第二电极;
设置于所述第一电极与所述第二电极之间的第一发光层;
设置于所述第一发光层与所述第二电极之间的间隔层;
设置于所述间隔层与所述第二电极之间的光强补偿层,所述光强补偿层的发光颜色与所述第一发光层的发光颜色相同,所述光强补偿层用于在所述第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将所述复合区限制在所述光强补偿层,并补偿所述第一发光层的光强。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述有机发光器件还包括:
设置于所述光强补偿层与所述第二电极之间的电荷产生层;
设置于所述电荷产生层与所述第二电极之间的第二发光层。
3.根据权利要求2所述的有机发光器件,其特征在于,所述有机发光器件还包括:
设置于所述第二发光层与所述第二电极之间的第三发光层。
4.根据权利要求1至3任一所述的有机发光器件,其特征在于,
所述光强补偿层包括主体材料和客体掺杂剂,所述客体掺杂剂掺杂于所述主体材料中,所述主体材料为n型有机半导体材料,所述客体掺杂剂为发光材料。
5.根据权利要求4所述的有机发光器件,其特征在于,
所述主体材料的最高占有分子轨道HOMO能级小于或等于所述间隔层的HOMO能级,所述主体材料的最低未占有分子轨道LUMO能级等于所述间隔层的LUMO能级。
6.根据权利要求5所述的有机发光器件,其特征在于,
所述主体材料与所述间隔层的HOMO能级差为0.1eV。
7.根据权利要求4所述的有机发光器件,其特征在于,
所述主体材料的厚度为5nm~10nm。
8.根据权利要求1至3任一所述的有机发光器件,其特征在于,
所述间隔层由n型有机半导体材料制成,所述间隔层的最高占有分子轨道HOMO能级小于所述第一发光层的HOMO能级,所述间隔层的最低未占有分子轨道LUMO能级大于所述第一发光层的LUMO能级。
9.根据权利要求8所述的有机发光器件,其特征在于,
所述间隔层与所述第一发光层的HOMO能级差为0.1eV~0.5eV;
所述间隔层与所述第一发光层的LUMO能级差为0.1eV~0.3eV。
10.根据权利要求1至3任一所述的有机发光器件,其特征在于,
所述间隔层的厚度为2nm~3nm。
11.根据权利要求3所述的有机发光器件,其特征在于,
所述光强补偿层与所述第一发光层均为蓝光发光层;
所述第二发光层为红光发光层;
所述第三发光层为绿光发光层。
12.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述有机发光器件还包括:
设置于所述第一电极和所述第一发光层之间的第一空穴传输层;
设置于所述光强补偿层和所述第二电极之间的第一电子传输层。
13.一种有机发光器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
在第一电极上形成第一发光层;
在所述第一发光层上形成间隔层;
在所述间隔层上形成光强补偿层;
在所述光强补偿层上形成第二电极;
其中,所述光强补偿层的发光颜色与所述第一发光层的发光颜色相同,所述光强补偿层用于在所述第一发光层中的电子和空穴的复合区发生移动时,将所述复合区限制在所述光强补偿层,并补偿所述第一发光层的光强。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述在所述光强补偿层上形成第二电极,包括:
在所述光强补偿层上依次形成电荷产生层、第二发光层和所述第二电极。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述在所述光强补偿层上形成第二电极,包括:
在所述光强补偿层上依次形成所述电荷产生层、所述第二发光层、第三发光层和所述第二电极。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,
所述光强补偿层与所述第一发光层均为蓝光发光层;
所述第二发光层为红光发光层;
所述第三发光层为绿光发光层。
17.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,
所述在第一电极上形成第一发光层,包括:
在所述第一电极上依次形成第一空穴传输层和所述第一发光层;
所述在所述光强补偿层上形成第二电极,包括:
在所述光强补偿层上依次形成第一电子传输层和所述第二电极。
18.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至12任一所述的有机发光器件。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106024844B (zh) * 2016-07-27 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 有机发光器件及其制备方法、显示装置
CN106601919A (zh) * 2016-12-09 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 一种混合型发光器件、显示面板及显示装置
KR20180079040A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
CN107565037B (zh) * 2017-08-14 2019-08-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光器件和有机发光显示装置
CN108987594B (zh) * 2018-06-29 2020-06-19 云谷(固安)科技有限公司 一种有机电致发光二极管和有机电致发光装置
CN110729336A (zh) * 2019-10-28 2020-01-24 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103700776A (zh) * 2013-12-31 2014-04-02 北京维信诺科技有限公司 一种有机发光显示器件
CN104752625A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 乐金显示有限公司 有机电致发光装置和有机电致发光显示装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9901334D0 (en) * 1998-12-08 1999-03-10 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
US6580213B2 (en) * 2000-01-31 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
NZ514500A (en) * 2001-10-11 2004-06-25 Deep Video Imaging Ltd A multiplane visual display unit with a transparent emissive layer disposed between two display planes
US7052351B2 (en) * 2002-12-31 2006-05-30 Eastman Kodak Company Using hole- or electron-blocking layers in color OLEDS
JP4184189B2 (ja) * 2003-08-13 2008-11-19 株式会社 日立ディスプレイズ 発光型表示装置
US7142179B2 (en) * 2005-03-23 2006-11-28 Eastman Kodak Company OLED display device
KR100712214B1 (ko) 2005-07-14 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시소자
KR101358697B1 (ko) * 2005-12-02 2014-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 디스플레이 장치, 및 전자 장치
US7863807B2 (en) * 2006-08-09 2011-01-04 Tpo Displays Corp. System for displaying images and method for fabricating the same
US7728512B2 (en) * 2007-03-02 2010-06-01 Universal Display Corporation Organic light emitting device having an external microcavity
US7888858B2 (en) * 2007-08-21 2011-02-15 Global Oled Technology Llc Light emitting diode device incorporating a white light emitting layer in combination with a plurality of optical microcavities
CN100484353C (zh) 2008-01-29 2009-04-29 清华大学 有机电致发光器件
JP5325707B2 (ja) * 2008-09-01 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
JP5329342B2 (ja) * 2008-09-01 2013-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
CN103107288B (zh) * 2011-11-10 2016-02-03 乐金显示有限公司 白光有机发光器件和使用白光有机发光器件的显示装置
KR101228885B1 (ko) * 2011-12-21 2013-02-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US8847216B2 (en) * 2011-12-23 2014-09-30 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
KR102017203B1 (ko) * 2012-05-25 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 액정 렌즈 및 이를 포함하는 표시 장치
CN102709481A (zh) 2012-05-25 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR101422037B1 (ko) * 2012-09-04 2014-07-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20150004522A (ko) * 2013-07-03 2015-01-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 및 유기 발광 표시 장치
KR102177207B1 (ko) * 2013-07-18 2020-11-11 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20150081102A (ko) * 2014-01-03 2015-07-13 삼성디스플레이 주식회사 액정 렌즈 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US9640781B2 (en) * 2014-05-22 2017-05-02 Universal Display Corporation Devices to increase OLED output coupling efficiency with a high refractive index substrate
KR102234523B1 (ko) * 2014-05-29 2021-04-01 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20150138527A (ko) * 2014-05-29 2015-12-10 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로 및 이를 포함하는 전계발광 디스플레이 장치
KR102270081B1 (ko) * 2014-09-16 2021-06-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102313360B1 (ko) * 2014-11-10 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 구동방법
KR102317991B1 (ko) * 2014-11-28 2021-10-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20160068443A (ko) * 2014-12-05 2016-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제어 방법
KR102425836B1 (ko) * 2015-03-24 2022-07-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9508955B2 (en) * 2015-04-23 2016-11-29 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN106024844B (zh) 2016-07-27 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 有机发光器件及其制备方法、显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104752625A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 乐金显示有限公司 有机电致发光装置和有机电致发光显示装置
CN103700776A (zh) * 2013-12-31 2014-04-02 北京维信诺科技有限公司 一种有机发光显示器件

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WO2018018999A1 (zh) 2018-02-01
US10269870B2 (en) 2019-04-23
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