CN106024690B - 静电吸盘*** - Google Patents

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Abstract

提供了一种静电吸盘***。该静电吸盘***包括：其中布置有第一电极和第二电极的平台，第一电极具有第一极性，第二电极具有与第一极性不同的第二极性；在平台上的显示基底，显示基底包括在其表面上的像素电极；以及在显示基底的该表面的上方的光学掩模，光学掩模包括反射层和将被转印到显示基底的转印层，其中显示基底具有第一极性和第二极性中的一个，光学掩模具有第一极性和第二极性中的另一个。

Description

静电吸盘***
相关申请的交叉引用
本申请要求2015年3月26日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请10-2015-0042366的优先权和权益，其公开通过引用被整体合并于此。
技术领域
发明构思的一个或多个示例性实施例涉及一种静电吸盘***。
背景技术
目前，移动电子设备被广泛使用。除了诸如移动电话的紧凑型电子设备之外，平板个人电脑(PC)被广泛使用。
移动电子设备通过包括用于提供诸如图像或视频的视觉信息的显示装置来提供各种功能和/或功用。最近，随着用于驱动显示装置的组件已变得更小(例如小型化)，显示装置在电子设备中的重要性进一步增加。此外，已经开发了显示装置从平坦状态以预定角度弯曲的结构。
在此背景技术部分公开的信息对于发明人来说在获得发明构思之前是已知的，或者是在获得发明构思的过程中获取的技术信息。因此，它可能包含不形成现有技术的信息。
发明内容
发明构思的一个或多个示例性实施例包括一种静电吸盘***和一种使用静电吸盘***制造有机发光显示装置的方法。
发明构思的其他方面将在随后的描述中部分地提出，部分地将从描述而显而易见，或者可以通过对提出的实施例的实践来获知。
根据发明构思的一个实施例，一种静电吸盘***包括：其中布置有第一电极和第二电极的平台，第一电极具有第一极性，第二电极具有与第一极性不同的第二极性；在平台上的显示基底，显示基底包括在其表面上的像素电极；以及在显示基底的该表面的上方的光学掩模，光学掩模包括反射层和将被转印到显示基底的转印层。显示基底具有第一极性和第二极性中的一个，光学掩模具有第一极性和第二极性中的另一个。
静电吸盘***可以进一步包括被电连接到显示基底和光学掩模的第一电源。
第一电源的第一端子可以被连接到显示基底的像素电极。
第一电源的第二端子可以被连接到光学掩模的反射层。
显示基底和光学掩模可以使用单极方法被充电。
平台可以使用双极方法被充电。
光学掩模可以进一步包括：具有透明的第一表面和与第一表面相对的第二表面的底板，并且反射层被布置在第二表面上；以及在第二表面上的绝缘层。绝缘层的至少一部分可以围绕反射层的***。
光学掩模可以进一步包括在绝缘层上的光吸收层，转印层的至少一部分可以接触光吸收层。
反射层可以具有与显示基底的发射区域对应的图案化开口。
反射层可以对应于显示基底的非发射区域。
光学掩模的与显示基底的发射区域对应的部分的总厚度可以小于光学掩模的与显示基底的非发射区域对应的部分的总厚度。
静电吸盘***可以进一步包括在光学掩模的上方的光源。
根据发明构思的一个实施例，一种使用静电吸盘***制造有机发光显示装置的方法包括：在显示基底上形成像素电极；在光学掩模上形成反射层和转印层；将平台上的显示基底与光学掩模对准；供给电压到平台，以将显示基底附着到平台；将具有第一极性的电压供给到显示基底，并将具有与第一极性不同的第二极性的电压供给到光学掩模；以及通过将光照射到光学掩模以将转印层从光学掩模转印到显示基底而在显示基底的发射区域上形成中间层。
将光学掩模与显示基底对准可以包括将光学掩模的反射层与显示基底的非发射区域对准。
将电压供给到平台可以包括通过使用双极方法将具有第一极性的电压供给到第一电极以及将具有与第一极性不同的第二极性的电压供给到第二电极。
将电压供给到显示基底和光学掩模可以包括将显示基底的像素电极连接到第一电源以及将光学掩模的反射层连接到第一电源。
像素电极和反射层可独立于平台而被独立地连接到第一电源。
将电压供给到显示基底和光学掩模可以包括通过使用单极方法对显示基底和光学掩模进行充电。
在显示基底的发射区域上形成中间层的过程中，随着被照射到光学掩模的光由与转印层接触的光吸收层吸收，转印层可以被转印到显示基底的发射区域。
在显示基底的发射区域上形成中间层的过程中，随着被照射到光学掩模的光穿过反射层中的图案化开口，转印层可以被转印到显示基底的发射区域。
附图说明
从下面结合附图进行的对示例性实施例的描述，发明构思的这些和/或其它方面将变得显而易见并更易于理解，附图中：
图1是示出了根据发明构思的一个示例性实施例的静电吸盘***的结构的图；
图2和图3是示出了根据发明构思的一个示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法的过程的示意性剖视图；
图4是示出了根据发明构思的一个示例性实施例的显示装置的子像素的剖视图；
图5是通过使用图1所示的静电吸盘***在显示基底上形成中间层的操作的流程图；
图6是示出了根据发明构思的一个示例性实施例的处于展开状态的显示装置的透视图；和
图7是示出了处于卷绕状态的图6所示的显示装置的透视图。
具体实施方式
下面将详细参考附图中示出了其示例的发明构思的示例性实施例，附图中相同的附图标记始终指代相同的元件。在这方面，发明构思可以具有不同的形式，不应被解释为限于在本文中提出的描述。因此，下面仅通过参考图描述示例性实施例来解释发明构思的各个方面。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。当放在一列元件之前时，诸如“至少一个”的表述修饰的是整列元件，而不是修饰该列中的单个元件。此外，当描述发明构思的实施例时，使用“可以”指的是“本发明的一个或多个实施例”。另外，术语“示例性”意指示例或例示。
因为发明构思可以具有各种修改和几个实施例，在图中示出并将详细描述示例性实施例。方面、特征以及实现其的方法将参考下面详细描述的实施例以及附图来详细说明。然而，实施例可具有不同形式，不应被解释为限于在此提出的描述。将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”等可在本文中用来描述各种组件，但这些组件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个组件与另一个组件。除非上下文另有明确说明，否则单数表述包括复数表述。在下面的实施例中，将进一步理解的是，在本文中使用的术语“包括”、“包含”和/或“具有”指定所陈述的特征或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征或组件的存在或添加。
出于易于描述的目的，可以在本文中使用诸如“下方”、“之下”、“下”、“之上”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描述的方位之外，空间相对术语意在包含使用中或操作中的设备的不同方位。例如，如果图中设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“之下”或“下方”的元件将被定向为在其它元件或特征的“之上”或“上方”。因此，术语“之下”可以包含上方和下方两种方位。设备可被另外定向(旋转90度或者在其它方向)，本文使用的空间相对描述符应被相应地解释。如本文所用，术语“使用”和“被用来”可以被认为分别与术语“利用”和“被利用来”同义。
此外，在图中，为了便于描述，元件的大小可能被夸大或缩小。因为图中组件的尺寸和厚度是为了便于说明而被任意示出，下面的实施例不限于此。当一个实施例可以以另一种方式实现时，预定的工艺顺序可以与所描述的不同。例如，被连续描述的两个工艺可以基本上并发地或同时地进行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序进行。
下面将参考附图更详细地描述发明构思的示例性实施例。不管图号如何，相同或相对应的那些组件将被呈现为相同的附图标记，其冗余解释可以被省略。
图1是示出了根据发明构思的一个示例性实施例的静电吸盘***的结构的图。
参考图1，静电吸盘***1可以包括平台100、显示基底200、光学掩模300、第一电源40(例如第一电源单元)、第二电源50(例如第二电源单元)和光源60。
平台100可将显示基底200和光学掩模300彼此对准。具有第一极性的第一电极110和具有与第一极性不同的第二极性的第二电极120可以被设置在平台100中。平台100可包括包围第一电极110和第二电极120的壳体130(例如，第一电极110和第二电极120可以被嵌入在壳体130中)。壳体130可以在平台100中起到介电材料的作用。
例如，当第一极性被定义为负极性时，第二极性被定义为正极性，当第一极性被定义为正极性时，第二极性被定义为负极性。
平台100可以使用双极方法进行充电。第二电源50的第一端子可被电连接到第一电极110，使得第一电极110具有第一极性。第二电源50的第二端子可以被电连接到第二电极120，使得第二电极120具有第二极性。
显示基底200被设置在平台100上。参考图2，显示基底200的第一表面接触平台100，像素电极281R、281B和281G被形成在显示基底200的第二表面上。显示基底200的第二表面面对光学掩模300。
光学掩模300被设置在显示基底200上(例如上方)。光学掩模300包括转印材料被沉积在其上的转印层350。转印层350可以由从光源60照射的光沉积在显示基底200上。
转印层350是可由在光吸收层340中产生的热蒸发、气化或升华的层，并且可以包括例如发光材料、空穴传输材料或空穴注入材料。转印层350还可以根据需要包括电子传输材料或电子注入材料。
第一电源40可以被连接到显示基底200和光学掩模300，以对它们两者进行充电。第一电源40可通过使用单极方法对显示基底200和光学掩模300进行充电。
第一电源40被连接到显示基底200的像素电极281R、281B和281G。显示基底200可由第一电源40充电为第一极性和第二极性中的一种。第一布线可以被用来将第一电源40连接到第一端子44，当第一端子44被连接到像素电极281R、281B和281G时，显示基底200可以被充电为第一极性和第二极性中的一种。
第一电源40被连接到光学掩模300的反射层320。第一电源40将光学掩模300充电为与显示基底200的极性不同的第一极性或第二极性。第二布线被用来将第一电源40连接到第二端子43，因为第二端子43被连接到反射层320，光学掩模300可以被充电为与显示基底200的极性不同的第一极性或第二极性。
第二电源50可被连接到平台100，使得平台100使用双极方法被充电。第二电源50的第一端子可被连接到第一电极110，使得第一电极110被充电为第一极性，第二电源50的第二端子可以被连接到第二电极120，使得第二电极120被充电为第二极性。
光源60可以在光学掩模300的上方(例如被安装在上方)。光源60可以是激光或闪光灯。从光源60发射的光可以照射到光学掩模300，使得光学掩模300的转印层350被转印到显示基底200。
图2和图3是示出了根据发明构思的一个示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法的过程的示意性剖视图。图4是示出了根据发明构思的一个示例性实施例的显示装置的子像素的剖视图。
子像素可以各自包括至少一个薄膜晶体管(TFT)和有机发光器件(OLED)。TFT不限于图4所示的结构，TFT的数量及其结构可以以各种方式进行修改。
通过在显示基底200上形成相对电极283、封装层E和保护层P，图4的显示装置200a可以被形成在转印层350被转印在其上的图2的显示基底200上。在与图2和图3对应的操作中形成中间层282之后，相对电极283可以被沉积在中间层282上以形成显示单元D。显示装置200a可通过在显示单元D上形成封装层E和保护层P来制造。
基底210可由柔性绝缘材料形成。例如，基底210可以是由诸如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸二乙酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚芳酯(PAR)和/或玻璃纤维增强塑料(FRP)的材料形成的聚合物基底。
根据发明构思的一个示例性实施例，基底210可以是具有足以使玻璃基底弯曲的(例如足以使玻璃基底变为可弯曲的)厚度的玻璃基底。基底210可以由金属形成。基底210可以是透明的、半透明的或不透明的。
由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层220可以被进一步形成在基底210的顶表面上(例如在第二表面上)。缓冲层220可以阻挡氧气和水分渗透到基底210内或越过基底210，并可平坦化基底210的表面。
缓冲层220可以由诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)和/或氮化铝(AlNx)的无机材料或诸如丙烯酸、聚酰亚胺和/或聚酯的有机材料形成。
TFT可以被形成在缓冲层220上。虽然根据发明构思的当前描述的示例性实施例顶栅晶体管被描述为TFT，TFT也可以是底栅晶体管或具有不同的适当结构的其它TFT。
在有源层230以一种图案(例如预定图案)被形成在缓冲层220上时，有源层230由栅极绝缘层240覆盖(例如掩埋)。有源层230包括源区231和漏区233，并且沟道区232被进一步包括在源区231与漏区233之间。
有源层230可以由各种材料形成。例如，有源层230可以包括无机半导体材料，诸如非晶硅和/或晶体硅。作为另一示例，有源层230可以包括氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括12族、13族或14族金属元素，诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)和/或铪(Hf)，或从两个或更多个这些材料的组合中选择的材料的氧化物。然而，为了便于描述，下面的描述将主要集中在有源层230由非晶硅形成的示例性实施例。
栅电极250被形成在栅极绝缘层240的顶表面上以对应于有源层230，并且层间绝缘层260被形成在栅电极250上，从而覆盖(例如掩埋)栅电极250。
在层间绝缘层260和栅极绝缘层240中形成接触开口H1(例如接触孔)之后，源电极271和漏电极272均被形成在层间绝缘层260上以分别接触源区231和漏区233。
钝化层270被形成在如上所述形成的TFT上，OLED的像素电极281被形成在钝化层270上。
像素电极281可以是半透明电极、透明电极或反射电极。当像素电极281是半透明电极或透明电极时，像素电极281可以由例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)形成。当像素电极281被形成为反射电极时，像素电极281可以包括由例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或这些中的两个或更多个的化合物形成的反射层、以及由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层。然而，像素电极281的成分和材料不限于此，像素电极281可以以各种方式形成。
像素电极281通过形成在钝化层270中的通开口H2(例如通孔)接触TFT的漏电极272。钝化层270可以被形成为无机层和/或有机层，并且可以是单层，或者可以具有两个或更多层。钝化层270可以是具有不管其下方的下层的不平度如何都平坦的顶表面的平坦化层，或者可以具有根据下层的不平度而不平坦的顶表面。此外，钝化层270可以由透明绝缘材料形成，以获得共振效应。
在钝化层270上形成像素电极281之后，像素限定层290由有机材料和/或无机材料形成，以覆盖像素电极281(例如覆盖像素电极281的外周)和钝化层270。像素限定层290具有暴露像素电极281的开口。
参考图2和图3，由于像素限定层290包括分别与子像素对应的开口以及暴露像素电极281R、281B和281G中的每一个的中央部分或整个像素电极281R、281B和281G的开口，像素限定层290可以限定像素或子像素。此外，像素限定层290可以增加像素电极281R、281B和281G的边缘与像素电极281R、281B和281G上的相对电极283之间的距离，从而减少或防止在像素电极281R、281B和281G的边缘引起的电弧。
参考图3，像素电极281R、281B和281G可被连接到第一电源40，从而将显示基底200充电为第一极性。像素电极281R、281B和281G由导电材料形成，因此可以从第一电源40供给电流。
参考图2和图3，光学掩模300可包括底板310、反射层320、绝缘层330、光吸收层340和转印层350。
底板310包括光从光源60照射到其上的第一表面311和面对显示基底200的第二表面312。反射层320可以被形成在第二表面312上。底板310可以由光可以穿过其透射的材料(例如诸如玻璃或石英的材料)形成。
反射层320可以被形成在底板310的第二表面312上。反射层320可以反射已穿过底板310透射的光。反射层320可包括与显示基底200的发射区域对应的多个开口321。因此，反射层320具有与开口321对应的透射区域TA和与反射层320的没有形成开口321的其它部分对应的阻挡区域BA。
反射层320可以被形成为具有优异的反射特性的导电薄膜。例如，反射层320可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、钼(Mo)、钛(Ti)、它们的合金和/或氮化铬(CrN)形成。反射层320可以被连接到第一电源40，从而对光学掩模300进行充电。
绝缘层330可以覆盖反射层320和开口321。绝缘层330可包括平坦化反射层320的第一绝缘层331以及被设置为与反射层320对应(例如对准)的第二绝缘层332。绝缘层330可以由诸如聚合物的绝缘材料形成。绝缘层330可以起到显示基底200与光学掩模300之间的介电材料的作用。
第一绝缘层331可以被形成为覆盖开口321和反射层320，并具有平面的表面。第二绝缘层332可以被划分成与将被转印的转印层350对应的部分和与不被转印的转印层350对应的部分，因为由于第二绝缘层332(例如由于第二绝缘层332的存在)而使台阶被形成在转印层350中，转印层350可被容易地转印。
第二绝缘层332被形成为对应于反射层320。反射层320与显示基底200的非发射区域对准，因此，转印层350的在第二绝缘层332上的部分不被转印。例如，第二绝缘层332可被形成为对应于像素限定层290。
第二绝缘层332的数量不受限制，多个第二绝缘层332可以被包括。例如，多个图案化的第二绝缘层332可以被形成在第一绝缘层331上。然而，为了便于描述，下面的描述将主要集中在一个图案化的层被形成为第二绝缘层332的示例性实施例。
随着光吸收层340吸收从光源60照射的光，转印层350可以被转印。光吸收层340可被形成为接触绝缘层330。与显示基底200的透射区域TA对应的光吸收层340(例如，光吸收层340的与透射区域TA对应的一部分)可被形成为接触第一绝缘层331，与显示基底200的阻挡区域BA对应的光吸收层340(例如光吸收层340的与阻挡区域BA对应的一部分)可以被形成为接触第二绝缘层332。
光吸收层340可由具有优异的光吸收率的材料形成。例如，光吸收层340可由铬(Cr)/氧化铟锡(ITO)/铬(Cr)的三层结构形成。
转印层350可以被形成在光吸收层340上。转印层350可以是被转印到显示基底200的发射区域的材料。转印层350的至少一部分可接触光吸收层340。
根据本示例性实施例，尽管被包括在有机发光显示装置中的有机发射层被描述为转印层350，转印层350可以是包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层的各种功能层。
图5是通过使用图1所示的静电吸盘***1在显示基底200上形成中间层282的操作的流程图。
参考图2、图3和图5描述将转印层350转印到显示基底200的操作。
根据图2和图3所示的实施例，转印层350是被转印到红色子像素的像素电极281R的转印材料。然而，发明构思不限于此，当反射层320中的开口321的图案被改变(例如变化)时，转印层350可以被转印到绿色子像素的像素电极281G和/或蓝色子像素的像素电极281B。另外，根据要被转印的材料，转印层350可以被转印到红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的至少两个像素电极。然而，为了便于描述，下面的描述将主要集中在转印层350被转印到红色子像素的像素电极281R的示例性实施例。
在操作S10中，像素电极281R、281B和281G被形成在显示基底200上，反射层320和转印层350被形成在光学掩模300上。
在操作S20中，平台100上的显示基底200和光学掩模300被彼此对准。光学掩模300的反射层320被对准，以对应于显示基底200的非发射区域。例如，阻挡区域BA被对准，从而对应于非发射区域。在一个实施例中，显示基底200和光学掩模300被彼此对准，使得开口321对应于红色子像素的像素电极281R，并使得反射层320对应于区域的其余部分(例如对应于蓝色子像素和绿色子像素的像素电极281B和281G)。
在操作S30中，电压被供给到平台100，使得平台100与显示基底200被紧密地彼此附着。静电吸盘通过使用双极方法被形成在平台100上(例如被激励或通电)。当电压从第二电源50被供给到平台100时，平台100可以向显示基底200施加吸引力，使得显示基底200被紧密地附着到平台100。
在操作S40中，电压被供给到显示基底200和光学掩模300。显示基底200的像素电极281R、281B和281G及光学掩模300的反射层320被连接到第一电源40。显示基底200被充电为与光学掩模300不同的极性，使得彼此之间具有吸引力。例如，显示基底200和光学掩模300可以使用单极方法充电，使得显示基底200与光学掩模300之间的间隙G被减小或最小化。
在操作S50中，光学掩模300的转印层350可以被转印到显示基底200。可以通过向光学掩模300照射光将被沉积在光学掩模300上的转印层350转印到显示基底200而形成中间层282。
再次参考图3和图4，中间层282可以通过使用转印层350被形成在显示基底200的像素电极281R上。当在显示基底200和光学掩模300被彼此对准的状态下从光源60照射光时，穿过开口321透射的光可以与光吸收层340发生反应，从而转印转印层350，使得中间层282被转印到红色子像素的像素电极281R上。
中间层282可包括有机发射层。在另一实施例中，中间层282可包括有机发射层、以及除了有机发射层之外的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层。
然后，相对电极283被形成在中间层282上。像素电极281起到阳极电极的作用，相对电极283起到阴极电极的作用。然而，像素电极281和相对电极283的极性可以互换。
像素电极281和相对电极283可以经由中间层282彼此绝缘。随着不同极性的电压分别从像素电极281和相对电极283供给到中间层282，从有机发射层发射光。
尽管在上述实施例中有机发射层针对每个像素由额外的发光材料形成，但发明构思不限于此。有机发射层可以不管其位置如何都相对于所有像素共同地形成。有机发射层可以由包括发射红色光、绿色光和蓝色光的发射材料的垂直堆叠层形成，或者可以通过混合发射红色光、绿色光和蓝色光的材料形成。只要白光被发射，其它颜色的组合也是可行的。此外，显示单元D可以进一步包括将所发射的白光转换成某一颜色(例如预定颜色)的颜色转换层，或者可以包括滤色器。
在显示单元D被形成在基底210上之后，封装层E可以被形成在显示单元D上。封装层E可以包括多个无机层，或者可以包括无机层和有机层。
例如，封装层E的有机层可由聚合物形成，例如，可由由聚对苯二甲酸二乙酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和/或聚丙烯酸酯形成的单层或堆叠层形成。有机层可以由聚丙烯酸酯形成；例如，有机层可包括包含二丙烯酸酯类单体和三丙烯酸酯类单体的聚合单体组合物。单体组合物可进一步包括单丙烯酸酯类单体。另外，单体组合物可以进一步包括诸如TPO的公知的光引发剂，但不限于此，并且可以包括例如环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸二乙酯、聚碳酸酯、聚乙烯和/或聚丙烯酸酯。
封装层E的无机层可以是包括金属氧化物和/或金属氮化物的单层或堆叠层。例如，无机层可包括氧化硅(例如SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(例如Al2O3)、氧化钛(例如TiO2)、氧化锆(ZrOx)和/或氧化锌(例如ZnO)。
被包括在封装层E并被暴露于外部的最上层可以被形成为无机层，以防止水分渗透到显示单元D内。
封装层E可以包括至少一个夹层结构，其中至少一个有机层在至少两个无机层之间(例如被***在之间)。作为另一示例，封装层E可以包括至少一个夹层结构，其中至少一个无机层在至少两个有机层之间(例如被***在之间)。例如，封装层E可以从显示单元D的上部依次包括第一无机层U1、第一有机层O1、第二无机层U2、第二有机层O2、第三无机层U3和第三有机层O3。
包括LiF的卤化金属层可以被包括在显示单元D与第一无机层U1之间。卤化金属层可以防止当使用溅射法形成第一无机层U1时对显示单元D的损坏。
第一有机层O1可以具有比第二无机层U2更小的面积，第二有机层O2可以具有比第三无机层U3更小的面积。
封装层E不限于上述结构，可以具有无机层和有机层以各种形式被堆叠的任何结构。
保护层P可以被形成在封装层E上。保护层P可以使用各种方法形成。例如，保护层P可以使用溅射法、离子束沉积法、蒸镀法或化学气相沉积(CVD)法来形成。
保护层P可以包括金属氧化物和/或金属氮化物，诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化钛(TiOx)、氮化钛(TiNx)、氧氮化钛(TiOxNy)、氧化锆(ZrOx)、氮化钽(TaNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)和/或氧化铝(AlOx)。
保护层P可以被形成为完全围绕封装层E的侧面。因此，保护层P可以阻止水或氧进入封装层E，从而增加了封装层E的寿命。
图6是示出了根据发明构思的一个示例性实施例的处于展开状态的显示装置1000的透视图。图7是示出了处于卷绕(例如弯曲)状态的图6所示的显示装置1000的透视图。
本文所述的显示装置1000是柔性显示装置，但可替代地可以是刚性显示装置。
参考图6和图7，显示装置1000包括用于显示图像的柔性显示面板1100和容纳柔性显示面板1100的柔性壳体1200。柔性显示面板1100不仅可以包括用于实现图像屏幕的元件，还包括诸如触摸屏、偏振板和/或窗盖的其它各种元件和/或膜。例如当显示装置1000是展开的(例如平面的)或是弯曲的时，显示装置1000可以被用来以各种角度观看图像。
柔性显示面板1100可以通过使用利用静电吸盘***1转印的转印层来形成。根据本示例性实施例，尽管有机发光显示装置被描述为显示装置1000，显示装置1000也可以是其它各种柔性显示装置，诸如液晶显示器、场发射显示器或电子纸显示器。
为了沉积转印层350，光学掩模300和显示基底200被对准。为了精确地转印转印层350，光学掩模300与显示基底200之间的间隙G被减小或最小化。
静电吸盘***1通过使用双极方法对平台100进行充电，从而通过减少或最小化平台100和显示基底200之间的分离精确地转印转印层350。
静电吸盘***1可以通过使用单极方法对显示基底200和光学掩模300充电，以将光学掩模300紧密地附着到显示基底200。通过减少或最小化显示基底200和光学掩模300之间的间隙，静电吸盘***1可以精确地将转印层350转印到显示基底200。
静电吸盘***1可以减少或防止显示基底200或光学掩模300的弯曲。当转印层350被转印到显示基底200的发射区域时，显示基底200和/或光学掩模300可能由于被形成在显示基底200或光学掩模300中的应力而变形。静电吸盘***1对显示基底200和光学掩模300进行充电，因此，显示基底200和光学掩模300可以被维持为平坦。
根据通过使用静电吸盘***1制造有机发光显示装置的方法，转印材料可被精确地转印到显示基底200，从而提供高品质的显示装置，并提高制造显示装置的效率。
按照根据发明构思的一个或多个实施例的静电吸盘***和使用静电吸盘***制造有机发光显示装置的方法，通过减小或最小化光学掩模与显示基底之间的间隙，可以提高显示装置的效率和精度。然而，发明构思的范围不限于此。
应当理解的是，本文所描述的示例性实施例应被认为仅是描述性意义，而不是为了限制的目的。对每个示例性实施例中的特征或方面的描述通常应该被为可用于在其它示例性实施例中的其它类似特征或方面。
尽管已经参考图描述了一个或多个示例性实施例，本领域普通技术人员将理解在不脱离所附权利要求和它们的等同方案的精神和范围的情况下可以在其中进行形式上和细节上的各种改变。

Claims (12)

1.一种静电吸盘***，包括：
平台；
在所述平台上的显示基底，所述显示基底包括在所述显示基底的表面上的像素电极；和
在所述显示基底的所述表面的上方的光学掩模，所述光学掩模包括反射层和将被转印到所述显示基底的转印层，
其特征在于
第一电极和第二电极被布置在所述平台中，所述第一电极具有第一极性，并且所述第二电极具有与所述第一极性不同的第二极性，并且
所述显示基底具有所述第一极性和所述第二极性中的一个，所述光学掩模具有所述第一极性和所述第二极性中的另一个。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘***，进一步包括被电连接到所述显示基底和所述光学掩模的第一电源。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘***，其中所述第一电源的第一端子被连接到所述显示基底的所述像素电极。
4.根据权利要求2所述的静电吸盘***，其中所述第一电源的第二端子被连接到所述光学掩模的所述反射层。
5.根据权利要求1所述的静电吸盘***，其中所述显示基底和所述光学掩模使用单极方法被充电。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘***，其中所述平台使用双极方法被充电。
7.根据权利要求1所述的静电吸盘***，其中所述光学掩模进一步包括：
具有透明的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的底板，并且所述反射层被布置在所述第二表面上；和
在所述第二表面上的绝缘层，
其中所述绝缘层的至少一部分围绕所述反射层的***。
8.根据权利要求7所述的静电吸盘***，其中所述光学掩模进一步包括：在所述绝缘层上的光吸收层，
其中所述转印层的至少一部分接触所述光吸收层。
9.根据权利要求1所述的静电吸盘***，其中所述反射层具有与所述显示基底的发射区域对应的图案化开口。
10.根据权利要求1所述的静电吸盘***，其中所述反射层对应于所述显示基底的非发射区域。
11.根据权利要求1所述的静电吸盘***，其中所述光学掩模的与所述显示基底的发射区域对应的部分的总厚度小于所述光学掩模的与所述显示基底的非发射区域对应的部分的总厚度。
12.根据权利要求1所述的静电吸盘***，进一步包括在所述光学掩模的上方的光源。
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