CN106019575B - 电光装置的制造方法、电光装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电光装置的制造方法、电光装置以及电子设备。形成有反射镜和端子的第一晶片和密封用的第二晶片重叠粘结之后，通过切割而制造电光装置(100)。此时，在第二晶片的第二表面预先形成与反射镜在俯视下重叠的凹部，同时预先形成与端子在俯视下重叠的槽。因此，在使第二晶片用切割刀片(82)从第二晶片的第三表面进入并沿槽切割时，能够防止第二晶片用切割刀片接触端子。

Description

电光装置的制造方法、电光装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及具备反射镜的电光装置的制造方法、电光装置以及电子设备。
背景技术
作为电子设备，已知例如投射型显示装置等，其在利用称为DMD(数字反射镜器件)的电光装置的多个反射镜(微反射镜)对从光源射出的光进行调制之后，通过利用投射光学***将调制光放大投射而在屏幕显示图像。用于所述投射型显示装置等的电光装置如图11(d)所示具有在一个表面1s侧具备反射镜50以及设置于在俯视下与反射镜50相邻的位置的端子17的元件基板1。另外，元件基板1由垫片61和板状透光性盖71密封，垫片61粘结在元件基板1的一个表面1s侧使得在俯视下包围反射镜50，板状透光性盖71被支撑于垫片61的与元件基板1相反一侧的端部的。
另外，对于制造图11(d)所示的电光装置提出例如在下面说明的制造方法(参照专利文献1)。首先，如图11(a)所示，形成在一个表面10s侧具备反射镜50以及端子17的第一晶片10，另一方面，将形成有贯通孔66的垫片用晶片60和透光性晶片70重叠粘结形成第二晶片20。结果，贯通孔66变成有底的凹部21。接着，如图11(b)所示，粘结第一晶片10和第二晶片20，使凹部21与反射镜50在俯视下重叠。接着，如图11(c)所示，使第二晶片用切割刀片(ダイシングブレード)82从与第一晶片10相反一侧进入第二晶片20，对第二晶片20进行切割的同时，使端子17露出。接着，如图11(d)所示，用第一晶片用切割刀片81对第一晶片10进行切割，得到多个电光装置100。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利US6856014B1
发明内容
发明需要解决的课题
然而，在图11(a)至图11(d)所示的制造方法中，如图11(b)所示，以第二晶片20接触端子17的状态重叠。因而，在图11(c)所示的工序中，对第二晶片20进行切割时，存在第二晶片用切割刀片82接触端子17而使端子17损伤的问题。
鉴于以上问题点，本发明的课题目的在于提供即使在对重叠粘结的晶片进行切割而使端子露出的情况下，也能够防止端子的损伤的电光装置的制造方法、电光装置以及电子设备。
用于解决课题的方法
为了解决上述课题，本发明所涉及的电光装置的制造方法的一个形态的特征在于具有以下工序：准备第一晶片的第一晶片准备工序，该第一晶片在第一表面侧具备第一反射镜、设置于在俯视下与所述第一反射镜相邻的位置并与驱动所述第一反射镜的第一驱动元件电连接的第一端子、相对于所述第一端子位于所述第一反射镜的相反侧的第二反射镜以及设置于所述第一端子和所述第二反射镜之间并且与驱动所述第二反射镜的第二驱动元件电连接的第二端子；形成第二晶片的第二晶片形成工序，该第二晶片在第二表面设置有底部具有透光性的第一凹部、底部具有透光性的第二凹部以及所述第一凹部和所述第二凹部之间的槽；将所述第一晶片的所述第一表面和所述第二晶片的所述第二表面粘结的粘结工序，使所述第一凹部在俯视下与所述第一反射镜重叠，使所述第二凹部在俯视下与所述第二反射镜重叠，使所述槽在俯视下与所述第一端子、所述第二端子以及夹在所述第一端子和所述第二端子之间的区域重叠；第二晶片切割工序，使第一切割刀片从所述第二晶片的在所述第二表面的相反侧的第三表面进入，沿所述槽对所述第二晶片进行切割；第一晶片切割工序，用第二切割刀片在所述第一端子和所述第二端子之间对所述第一晶片进行切割。
在本发明中，在粘结第一晶片和密封用的第二晶片之后，对第一晶片以及第二晶片进行切割，制造多个电光装置。此时，在第二晶片，除了与第一反射镜重叠的第一凹部以及与第一反射镜重叠的第二凹部之外，还预先形成与第一端子、第二端子以及夹在第一端子和第二端子之间的区域在俯视下重叠的槽。因此，在第一晶片和第二晶片的粘结状态下，第二晶片远离第一端子以及第二端子。因此，第一端子以及第二端子不与第二晶片粘结。另外，在第二晶片切割工序中，在第二晶片用切割刀片接近第一端子以及第二端子之前第二晶片被切割。因而，不容易使第二晶片用切割刀片与第一端子以及第二端子接触而损伤第一端子以及第二端子。因此，能够提高电光装置的成品率。
在本发明中，所述第二切割刀片的厚度比所述第一切割刀片的厚度薄，在所述第一晶片切割工序中，能够采用使所述第二切割刀片相对于所述第一晶片从所述第二表面侧进入对所述第一晶片进行切割的形态。根据所述的构成，在第二晶片切割工序之后，在第一晶片切割工序之前不需要使第一晶片和第二晶片的层叠体上下反转的工序。
在本发明中，可以采用所述第一切割刀片的厚度比所述槽的宽度厚的形态。通过所述形态制造的电光装置的特征在于，具有：在第一表面侧具备反射镜以及设置于与所述反射镜在俯视下相邻的位置并且与驱动所述反射镜的驱动元件电连接的端子的元件基板、具有粘结于所述元件基板的所述第一表面侧并且在俯视下包围所述反射镜的垫片以及支撑于所述垫片的面对所述元件基板的端部的相反侧的端部并且在俯视下与所述反射镜重叠的板状透光性盖的密封部件，在所述密封部件的侧表面，比第一部分接近所述元件基板的第二部分比所述第一部分更向所述反射镜的相反侧突出。根据所述构成，容易通过引线接合将设置于基板的端子与另外的端子连接，此时，因为密封部件和基板的粘结面积(粘结宽度)没有变窄，所以密封部件和基板之间的密封性能没有降低。
在本发明中，可以采用所述第一切割刀片的厚度比所述槽的宽度薄的形态。通过所述形态制造的电光装置的特征在于，具有：在第一表面侧具备反射镜以及设置于在俯视下与所述反射镜相邻的位置并且与驱动所述反射镜的驱动元件电连接的端子的元件基板、具有粘结于所述元件基板的所述第一表面侧并且在俯视下包围所述反射镜的垫片以及支撑于所述垫片的面对所述元件基板的端部的相反侧的端部并且在俯视下与所述反射镜重叠的板状的透光性盖的密封部件，在所述密封部件的侧表面，比第一部分接近所述元件基板的第二部分相对所述第一部分向所述反射镜侧凹陷。
在本发明中，优选使用所述第二切割刀片和所述第一切割刀片在厚度方向层叠的多阶刀片、使所述多阶刀片相对于所述第一晶片从所述第二晶片侧进入连续地进行所述第二晶片切割工序和所述第一晶片切割工序。
在本发明中，可以采用在所述第二晶片形成工序中进行如下工序的形态：在第三晶片形成第一贯通孔、第二贯通孔以及所述槽的第一工序、在所述第三晶片的所述槽开口一侧的相反侧的表面上重叠具有透光性的第四晶片并粘结的第二工序。
在本发明中，可以采用在所述第二晶片形成工序中进行如下工序的形态：在第三晶片形成第一贯通孔以及第二贯通孔的第一工序、重叠所述第三晶片和具有透光性的第四晶片并粘结的第二工序、在所述第三晶片的与所述第四晶片粘结的表面的相反侧的表面上形成所述槽的第三工序。
适用本发明的电光装置可用于各种电子设备，在此情况下，在电子设备中设置向所述反射镜照射光源光的光源部。另外，在作为电子设备构成投射型显示装置时，在电子设备中还设置将由所述反射镜调制的光投射的投射光学***。
附图说明
图1是示出作为适用本发明的电子设备的投射型显示装置的光学***的示意图。
图2(a)和图2(b)是示意性地示出适用本发明的电光装置的基本构成的说明图。
图3(a)和图3(b)是示意性地示出适用本发明的电光装置的主要部分中的A-A'截面的说明图。
图4是适用本发明的电光装置的截面体。
图5(a)至图5(d)是示出适用本发明的电光装置的制造方法的工序截面图。
图6(a)至图6(f)是示出用于适用本发明的电光装置的制造的第二晶片等的制造方法的工序图。
图7(a)至图7(c)是示出在适用本发明的电光装置的制造工序中利用基板以及密封树脂密封基板的工序的工序截面图。
图8(a)和图8(b)是示出适用本发明的电光装置的制造方法的变形例1、2的说明图。
图9(a)和图9(b)是示出适用本发明的电光装置的制造方法的变形例3的说明图。
图10(a)至图10(d)是示出适用本发明的电光装置的制造方法的变形例4的说明图。
图11(a)至图11(d)是示出本发明的参考例所涉及的电光装置的制造方法的工序截面图。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，在下面的说明中，将投射型显示装置作为适用本发明的电子设备进行说明。另外，在下面的说明中参照的附图中为了使各层或各部件成为在附图上可识别的程度的大小，对各层或各部件的每一个比例尺不同。附图所示的反射镜等数目为了在附图上可识别的程度的大小而进行设定，然而也可以设置比该附图所示的数目多的反射镜等。
作为电子设备的投射型显示装置
图1是示出作为适用本发明的电子设备的投射型显示装置的光学***的示意图。图1所示的投射型显示装置1000具有光源部1002、根据图像信息对从光源部1002射出的光进行调制的电光装置100、将被电光装置100调制后的光作为投射图像向屏幕等被投射物1100投射的投射光学***1004。光源部1002具备光源1020以及彩色滤光器1030。光源1020射出白色光，彩色滤光器1030伴随着旋转射出各色的光，电光装置100在同步于彩色滤光器1030的旋转的定时调制射入的光。此外，代替彩色滤光器1030，可以使用将从光源1020射出的光变换为各色的光的荧光体基板。另外，可以针对各色的每种光设置光源部1002以及电光装置100。
电光装置100的基本构成
图2(a)和图2(b)是示意性地示出适用本发明的电光装置100的基本构成的说明图，图2(a)和图2(b)分别是示出电光装置100的主要部分的说明图以及电光装置100的主要部分的分解立体图。图3(a)和图3(b)是示意性地示出适用本发明的电光装置100的主要部分中的A-A'截面的说明图，图3(a)和图3(b)分别是示意性地示出反射镜向一侧倾斜的状态的说明图以及示意性地示出反射镜向另一侧倾斜的状态的说明图。
如图2(a)和图2(b)以及图3(a)和图3(b)所示，电光装置100在元件基板1的一个表面1s(第一表面)侧矩阵状地配置多个反射镜50，反射镜50远离元件基板1。元件基板1例如是硅基板。反射镜50例如是一边长度具有10～30μm的平面尺寸的微反射镜。反射镜50例如配置为具有800×600至1028×1024的排列，一个反射镜50对应于图像的一个像素。
反射镜50的表面为铝等反射金属膜构成的反射面。电光装置100具备包含在元件基板1的一个表面1s上形成的基板侧偏压电极11以及基板侧地址电极12、13等的第一层部分100a、包含高架地址电极(高架アドレス電極)32、33以及转轴(hinge)35的第二层部分100b、包含反射镜50的第三层部分100c。在第一层部分100a中在元件基板1上形成有地址指定电路14。地址指定电路14具备用于选择性控制各反射镜50的动作的存储单元或字线、位线的布线15等，具有类似于具备CMOS电路16的RAM(随机存取存储器)的电路构成。
第二层部分100b包含高架地址电极32、33、转轴35以及反射镜支柱51。高架地址电极32、33经由电极支柱321、331与基板侧地址电极12、13导通的同时由基板侧地址电极12、13支撑。转轴臂36、37从转轴35的两端延伸。转轴臂36、37经由臂支柱39与基板侧偏压电极11导通的同时由基板侧偏压电极11支撑。反射镜50经由反射镜支柱51与转轴35导通的同时由转轴35支撑。因而，反射镜50经由反射镜支柱51、转轴35、转轴臂36、37、臂支柱39与基板侧偏压电极11导通，从基板侧偏压电极11施加偏压。此外，反射镜50倾斜时抵接在转轴臂36、37的前端，形成有防止反射镜50和高架地址电极32、33的接触的限位部(stopper，挡块)361、362、371、372。
高架地址电极32、33构成在与反射镜50之间产生静电力以驱动反射镜50使其倾斜的驱动元件30。另外，存在基板侧地址电极12、13也构成为在与反射镜50之间产生静电力以驱动反射镜50倾斜的情况，此时，驱动元件30由高架地址电极32、33以及基板侧地址电极12、13构成。在对高架地址电极32、33施加驱动电压，如图3(a)和图3(b)所示，反射镜50在被高架地址电极32或者高架地址电极33吸引倾斜时转轴35扭转，并且在对高架地址电极32、33的驱动电压的施加停止对反射镜50的吸引力消失时，产生反射镜50返回平行于元件基板1的姿势的力。
在电光装置100中，例如，如图3(a)所示反射镜50向一侧的高架地址电极32一侧倾斜时变成从光源部1002射出的光被反射镜50向投射光学***1004反射的开启状态。与此相对，如图3(b)所示，反射镜50向另一侧的高架地址电极33侧倾斜时变成从光源部1002射出的光被反射镜50向光吸收装置1005反射的关闭状态，在所述关闭状态下，光不向投射光学***1004反射。所述驱动在多个反射镜50的每一个进行的结果是从光源部1002射出的光被多个反射镜50调制为图像光并从投射光学***1004投射，显示图像。
此外，有时将与基板侧地址电极12、13相对的平板状的轭(yoke)与转轴35设置为一体，除高架地址电极32、33和反射镜50之间发生的静电力之外，还利用作用于基板侧地址电极12、13和轭之间的静电力，驱动反射镜50。
电光装置100的密封构造
图4是适用本发明的电光装置100的截面图。如图4所示，在本实施方式的电光装置100中，参照图2(a)和图2(b)以及图3(a)和图3(b)说明的形成多个反射镜50的元件基板1的一个表面1s在被框状的垫片61以及具有透光性的平板状的透光性盖71构成的密封部件75密封之后，被固定在基板90的基板安装部93，然后被密封树脂98密封。在基板90，基板安装部93是被侧板部92包围的有底的凹部，元件基板1用粘结剂97固定在基板90的底板部91。
此处，垫片61的元件基板1侧的端部61e被粘结于元件基板1的一个表面1s。透光性盖71被粘结于垫片61的面对元件基板1的端部的相反侧的端部，即端部61f，被端部61f支撑。在该状态下，透光性盖71相对于反射镜50在间隔规定的距离的位置面对反射镜50的表面。因而，光透过透光性盖71射入反射镜50之后，被反射镜50反射的光透过透光性盖71被射出。在本实施方式中，透光性盖71由玻璃制成。垫片61可以由玻璃、硅、金属、树脂中的任意一种制成，在本实施方式中，作为垫片61可使用玻璃基板或硅基板。此外，密封部件75不限定于如垫片61和透光性盖71那样以独立(多个部件)形成的情况，可以形成为透光性盖71与垫片61成为一体。
在元件基板1的一个表面1s，在不与反射镜50重叠的端部(比垫片61靠外侧)形成有多个端子17。在本实施方式中，端子17配置为反射镜50夹在中间的两列。多个端子17的一部分经由参照图2(a)和图2(b)以及图3(a)和图3(b)说明的地址指定电路14、基板侧地址电极12、13与高架地址电极32、33(驱动元件30)电连接。多个端子17的另外一部分经由参照图2(a)和图2(b)以及图3(a)和图3(b)说明的地址指定电路14、基板侧偏压电极11以及转轴35与反射镜50电连接。多个端子17的又一部分与设置于参照图2(a)和图2(b)以及图3(a)和图3(b)说明的地址指定电路14的前段中设置的驱动电路等电连接。
此处，因为与元件基板1的相反侧为开放状态，所以端子17通过引线接合用的引线99与形成于基板90的底板部91的元件基板1侧的表面91s上的内部端子94电连接。基板90的底板部91为多层布线基板，内部端子94经由形成于底板部91中的贯通孔、布线构成的多层布线部95与形成于底板部91的元件基板1的相反侧的外表面91t上的外部端子96导通。
在所述基板90的侧板部92的内侧(凹部)上设置有密封树脂98。密封树脂98覆盖引线99、引线99和端子17的接合部、引线99和内部端子94的接合部、元件基板1的周围以及垫片61和元件基板1的粘结部的周围的同时，覆盖透光性盖71的侧表面至厚度方向的中途。
电光装置100的制造方法
参照图5(a)至图5(d)、图6(a)至图6(f)以及图7(a)至图7(c)，说明适用本发明的电光装置100的制造方法。图5(a)至图5(d)是示出适用本发明的电光装置100的制造方法的工序截面图。图6(a)至图6(f)是示出用于适用本发明的电光装置100的制造的第二晶片20等的制造方法的工序图，在图6(a)至图6(f)中，示出各工序中的晶片的俯视图，同时在俯视图的下方示出切断端面图。图7(a)至图7(c)是示出适用本发明的电光装置100的制造工序中利用基板90以及密封树脂98密封元件基板1的工序的工序截面图。图6(b)中省略了反射镜的图示，在图5(a)至图5(d)中与图4相比，减少了反射镜50的数目，示出了在一个元件基板1上形成三个反射镜50。
在本实施方式中，从晶片大量获取多个元件基板1等。因此，在下面的说明中，大量获取的多个元件基板1中形成于得到一个基板的区域的反射镜50以及端子17分别作为第一反射镜50a以及第一端子17a进行说明等，在各符号后面附上a进行说明。另外，多个元件基板1中形成于与第一反射镜50a以及第一端子17a形成的区域相邻的区域的反射镜50以及端子17分别作为第二反射镜50b以及第二端子17b进行说明等，在各符号后面附上b进行说明。但是，在不必指定哪个元件基板1的时候不附上述a或b进行说明。
对于制造本实施方式的电光装置100，如图5(a)以及图6(a)和图6(b)所示，在第一晶片准备工序中，准备第一晶片10，在可大量获取元件基板1的大型的第一晶片10的一个表面10s(第一表面)上对要分割元件基板1的每个区域形成反射镜50，并且在俯视下(例如从第一晶片10的一个表面10s侧观察时的俯视下)与反射镜50相邻的位置形成驱动反射镜50的驱动元件30(参照图2(a)和图2(b)以及图3(a)和图3(b))电连接的端子17。
在第一晶片10的一个表面10s上形成第一反射镜50a，并且在俯视下与第一反射镜50a相邻的位置形成有与驱动第一反射镜50a的第一驱动元件30a(参照图2(a)和图2(b)以及图3(a)和图3(b))电连接的第一端子17a。另外，在第一晶片10的一个表面10s上，相对于第一端子17a在与第一反射镜50a相反一侧形成第二反射镜50b，并且在第一端子17a和第二反射镜50b之间形成与驱动第二反射镜50b的第二驱动元件30b(参照图2(a)和图2(b)以及图3(a)和图3(b))电连接的第二端子17b。例如，如图5(a)以及图6(a)和图6(b)所示，通过在可大量获取元件基板1的大型的第一晶片10的一个表面10s上在要分割元件基板1的每个区域形成反射镜50，并且在俯视下与反射镜50相邻的位置形成与驱动反射镜50的驱动元件30(参照图2(a)和图2(b)以及图3(a)和图3(b))电连接的端子17，可以准备第一晶片10。
另外，如图5(a)所示，在第二晶片形成工序中，准备可大量获取垫片61以及透光性盖71的大型第二晶片20。第二晶片20的一个表面构成的第二表面20s中，在将分割垫片61以及透光性盖71的每个区域形成底部具有透光性的凹部21，并且形成在相互直角交叉的两个方向延伸并包围多个凹部21的各个凹部的有底的槽22。多个凹部21中的一个是第一凹部21a，与第一凹部21a相邻的凹部21为第二凹部21b。因而，在第二晶片20的第二表面20s形成底部具有透光性的第一凹部21a、底部具有透光性的第二凹部21b以及沿第一凹部21a和第二凹部21b之间延伸的有底的槽22。
当形成所述第二晶片20时，在第二晶片形成工序中，例如进行图6(c)～(f)所示的工序。首先，如图6(c)所示，准备可大量获取透光性盖71的透光性晶片70(第四晶片)。另外，如图6(d)所示，在准备可大量获取垫片61的垫片用晶片60(第三晶片)之后，在第一工序，通过蚀刻等处理，在垫片用晶片60中形成用于构成凹部21的贯通孔66。多个贯通孔66的一个是用于构成第一凹部21a的第一贯通孔66a，与第一贯通孔66a相邻的贯通孔66是用于构成第二凹部21b的第二贯通孔66b。接着，如图6(e)所示，通过半蚀刻等处理，形成在相互直角交叉的两个方向延伸包围多个凹部21的各个的有底的槽22。此外，在第一工序中，在形成贯通孔66之后，形成了槽22，然而还可以在形成槽22之后形成贯通孔66。在本实施方式中，透光性盖71是由玻璃制成的。垫片用晶片60可以是由玻璃、硅、金属、树脂中的任意一种制成。
接着，在第二工序中，如图6(f)所示，在与垫片用晶片60的槽22开口的表面60s相反一侧的表面60t重叠透光性晶片70并粘结。结果，形成垫片用晶片60和透光性晶片70层叠的第二晶片20，在所述第二晶片20中，由垫片用晶片60的表面60s构成第二晶片20的第二表面20s，由透光性晶片70的与垫片用晶片60相反一侧的表面构成第二晶片20的第三表面20t。另外，贯通孔66(第一贯通孔66a以及第二贯通孔66b)的一个开口端被透光性晶片70堵住，变成底部为透光性的凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)。
接着，在粘结工序中，如图5(b)所示，凹部21在俯视下(例如从一个表面10s侧观察第一晶片10时的俯视下)与反射镜50重叠，粘结第一晶片10的一个表面10s和第二晶片20的第二表面20s，使槽22与端子17重叠。结果，第一凹部21a与第一反射镜50a在俯视下重叠，第二凹部21b与第二反射镜50b在俯视下重叠，共同的槽22与第一端子17a、第二端子17b以及夹在第一端子17a和第二端子17b之间的区域在俯视下重叠。在该状态下，在第二晶片20中，夹在第一凹部21a和槽22之间的部分被粘结于第一反射镜50a和第一端子17a之间，在第二晶片20中，夹在第二凹部21b和槽22之间的部分被粘结于第二反射镜50b和第二端子17b之间。因而，第一端子17a以及第二端子17b不与第二晶片20粘结。
接着，在第二晶片切割工序中，如图5(c)所示，使第二晶片用切割刀片82(第一切割刀片)从与第二晶片20的第二表面20s相反一侧的表面构成的第三表面20t进入并沿槽22对第二晶片20进行切割。结果，第二晶片20被分割，第二晶片20中由从透光性晶片70分割的平板部分构成透光性盖71，由从垫片用晶片60分割的框部分构成垫片61。在本实施方式中，第二晶片用切割刀片82的厚度W2与槽22的宽WO相同。
接着，在第一晶片切割工序中，如图5(d)所示，利用第一晶片用切割刀片81(第二切割刀片)在第一晶片10中沿元件基板1被分割的区域(夹在第一端子17a和第二端子17b之间的区域)对第一晶片10进行切割。结果，第一晶片10在第一端子17a和第二端子17b之间被切割。在本实施方式中，第一晶片用切割刀片81的厚度W1比第二晶片用切割刀片82的厚度W2薄。因而，在第一晶片切割工序中，使第一晶片用切割刀片81相对于第一晶片10从第二晶片20一侧进入第二晶片20的切断部位(相邻的透光性盖71之间以及相邻的垫片61之间)对第一晶片10进行切割。
结果，制造出形成多个反射镜50的元件基板1的一个表面1s被垫片61以及透光性盖71密封的多个电光装置100。利用基板90以及密封树脂98如图4所示进一步密封所述电光装置100时，进行图7(a)至图7(c)所示的工序。
首先，如图7(a)所示，在准备基板安装部93为被侧板部92包围的凹部的基板90之后，如图7(b)所示，利用粘结剂97将元件基板1固定在基板安装部93的底部。接着，如图7(c)所示，通过引线接合用的引线99电连接元件基板1的端子17和基板90的内部端子94。接着，如图4所示，在基板90的侧板部92的内侧注入密封树脂98之后，使密封树脂98固化，利用密封树脂98密封元件基板1。结果，能够得到元件基板1被垫片61、透光性盖71、基板90以及密封树脂98密封的电光装置100。
本实施方式的主要效果
如以上说明那样，在本实施方式中，在第一晶片10与密封用的第二晶片20粘结之后，对第一晶片10以及第二晶片20进行切割，制造多个电光装置100。此时，在第二晶片20中预先形成在俯视下与第一端子17a、第二端子17b以及夹在第一端子17a和第二端子17b之间的区域重叠的槽22。因而，在本实施方式中，在第一晶片10和第二晶片20的粘结状态下，第二晶片20远离第一端子17a以及第二端子17b。因此，第一端子17a以及第二端子17b不与第二晶片20粘结。另外，在第二晶片切割工序中，在第二晶片用切割刀片82接近第一端子17a以及第二端子17b之前，第二晶片20被切割。因而，第二晶片用切割刀片82不容易接触第一端子17a以及第二端子17b而使第一端子17a以及第二端子17b损伤。因此，能够提高电光装置100的成品率。
另外，在本实施方式中，由于以不同工序进行第一晶片切割工序和第二晶片切割工序，在第一晶片10不容易发生缺损、裂纹等碎裂。
本发明的变形例1、2
图8(a)和图8(b)是示出适用本发明的电光装置100的制造方法的变形例1、2的说明图，图8(a)和图(b)是变形例1所涉及的电光装置100的截面图以及变形例2所涉及的电光装置100的截面图。在上述实施方式中，由于图5(a)至图5(d)所示的第二晶片用切割刀片82的厚度W2与槽22的宽度W0相等，因此，如图4所示，透光性盖71的侧表面71w以及垫片61的与反射镜50相反一侧的外侧表面61w整体上是连续的平面。
与此相对，在变形例1中，图5(a)至图5(d)所示的第二晶片用切割刀片82的厚度W2比槽22的宽度W0厚。因此，如图8(a)所示，在透光性盖71的侧表面71w以及垫片61的面对反射镜50的表面的相反侧的表面，即外侧表面61w，垫片61的元件基板1侧的端部61e变成相对于位于与元件基板1相反一侧的部分向反射镜50的相反侧突出的凸部61g。换言之，在由垫片61以及透光性盖71构成的密封部件75的侧表面(透光性盖71的侧表面71w以及垫片61的外侧表面61w)中，比第一部分更靠近元件基板1的第二部分形成相对于第一部分向反射镜50的相反侧突出的凸部61g。由此，因为端子17的与元件基板1相反一侧开放较大，所以容易进行引线接合。在此情况下，因为垫片61和元件基板1的粘结面积(粘结宽度)不变窄，所以垫片61和元件基板1之间的密封性能没有降低。
另一方面，在变形例2中，图5(a)至图5(d)所示的第二晶片用切割刀片82的厚度W2比槽22的宽度W0薄。因此，如图8(b)所示，在透光性盖71的侧表面71w以及垫片61的与反射镜50相反一侧的外侧表面61w，垫片61的元件基板1侧的端部61e相对于位于元件基板1的相反侧的部分向反射镜50侧凹陷的凹部61h。换言之，在垫片61以及透光性盖71构成的密封部件75的侧表面(透光性盖71的侧表面71w以及垫片61的外侧表面61w)，比第一部分更接近元件基板1的第二部分形成相对于第一部分向反射镜50侧凹陷的凹部61h。在此情况下，因为垫片61和透光性盖71的粘结面积(粘结宽度)没有变窄，所以垫片61和透光性盖71之间的密封性能没有降低。
本发明的变形例3
图9(a)和图9(b)是示出适用本发明的电光装置100的制造方法的变形例3的说明图，图9(a)和图9(b)是用于变形例3的切割刀片的说明图以及示出在变形例3利用切割刀片对第一晶片10以及第二晶片20进行切割的情况的说明图。
在本实施方式中，如图9(a)和图9(b)所示，图5(a)至图5(d)所示的第二晶片切割工序以及第一晶片切割工序中，使用第一晶片用切割刀片81和第二晶片用切割刀片82在厚度方向层叠为同心状的多阶刀片85。在多阶刀片85中，第一晶片用切割刀片81比第二晶片用切割刀片82直径大，第二晶片用切割刀片82从第一晶片用切割刀片81的两面突出。因而，第二晶片用切割刀片82的厚度W2比第一晶片用切割刀片81的厚度W1厚。利用所述多阶刀片85能够使多阶刀片85相对于第一晶片10从第二晶片20侧进入并在同一工序中连续进行第二晶片切割工序和第一晶片切割工序。
此外，在图9(b)所示的工序中，第二晶片用切割刀片82的厚度W2比槽22的宽度W0厚，然而第二晶片用切割刀片82的厚度W2也可以比槽22的宽度W0薄。
本发明的变形例4
图10(a)至图10(d)是示出适用本发明的电光装置100的制造方法的变形例4的说明图，图10(a)至图10(d)是示出用于电光装置100的制造的第二晶片20等的制造方法的工序图。此外，在图10(a)至图10(d)中，示出各工序中的晶片的俯视图，同时在俯视图的下部示出切断端面视图。
在本实施方式中，在形成图5(a)所示的第二晶片20的第二晶片形成工序中，首先，如图10(a)所示，准备可大量获取透光性盖71的透光性晶片70。另外，如图10(b)所示，在准备可大量获取垫片61的垫片用晶片60之后，在第一工序中，通过蚀刻等处理，在垫片用晶片60形成用于构成凹部21的贯通孔66。多个贯通孔66的一个是用于构成第一凹部21a的第一贯通孔66a，与第一贯通孔66a相邻的贯通孔66是用于构成第二凹部21b的第二贯通孔66b。
在第二工序中，重叠垫片用晶片60和透光性晶片70并粘结。结果，贯通孔66(第一贯通孔66a以及第二贯通孔66b)的一个开口端被透光性晶片70堵住，变成底部具有透光性的凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)。
接着，在第三工序中，在垫片用晶片60的与透光性晶片70粘结的表面相反一侧的表面60s上通过半蚀刻等处理形成在相互直角交叉的两个方向延伸并包围多个凹部21的各个的有底的槽22。结果，形成垫片用晶片60和透光性晶片70层叠的第二晶片20，在所述第二晶片20中，由垫片用晶片60的表面60s构成第二晶片20的第二表面20s，由透光性晶片70的与垫片用晶片60相反一侧的表面构成第二晶片20的第三表面20t。
本发明的变形例5
在上述实施方式中，通过蚀刻等处理，形成了凹部21(贯通孔66)以及槽22，然而可以通过成形等，形成第二晶片20，该第二晶片20形成有凹部21以及槽22。另外，通过成形等，使用形成有贯通孔66以及槽22的垫片用晶片60可以形成第二晶片20。
其他实施方式
在上述实施方式中，使用了圆形形状的晶片，然而该平面形状也可以是矩形。
符号说明
1…元件基板、1s…元件基板的一个表面(第一表面)、10…第一晶片、10s第一晶片的一个表面(第一表面)、17…端子、17a…第一端子、17b…第二端子、1s…基板的一个表面、20…第二晶片、20s…第二表面、20t…第三表面、21…凹部、21a…第一凹部、21b…第二凹部、22…槽、30…驱动元件、32、33…高架地址电极、35…转轴、50…反射镜、50a…第一反射镜、50b…第二反射镜、51…反射镜支柱、60…垫片用晶片(第三晶片)、61…垫片、61e…基板侧的端部、61f…与基板相反一侧的端部、61g…凸部、61h…凹部、61w…垫片的外侧表面、66…贯通孔、66a…第一贯通孔、66b…第二贯通孔、70…透光性晶片(第四晶片)、71…透光性盖、71w…透光性盖的侧表面、75…密封部件、81…第一晶片用切割刀片(第二切割刀片)、82…第二晶片用切割刀片(第一切割刀片)、85…多阶刀片、90…基板、91…底板部、92…侧板部、93…基板安装部、94…内部端子、96外部端子、98…密封树脂、100…电光装置、1000…投射型显示装置(电子设备)、1002…光源部、1004投射光学***、1030…彩色滤光器、W0…槽的宽度、W1…第一晶片用切割刀片的厚度、W2…第二晶片用切割刀片的厚度。

Claims (5)

1.一种电光装置的制造方法，其特征在于，
所述制造方法具有：
准备第一晶片的第一晶片准备工序，所述第一晶片在第一表面侧具备第一反射镜、设置在与所述第一反射镜在俯视下相邻的位置并与驱动所述第一反射镜的第一驱动元件电连接的第一端子、相对于所述第一端子位于所述第一反射镜的相反侧的第二反射镜以及设置于所述第一端子和所述第二反射镜之间并且与驱动所述第二反射镜的第二驱动元件电连接的第二端子；
形成第二晶片的第二晶片形成工序，所述第二晶片在第二表面上设置有底部具有透光性的第一凹部、底部具有透光性的第二凹部以及所述第一凹部和所述第二凹部之间的槽；
粘结所述第一晶片的所述第一表面和所述第二晶片的所述第二表面的粘结工序，其中，所述第一凹部在俯视下与所述第一反射镜重叠，所述第二凹部在俯视下与所述第二反射镜重叠，并且所述槽在俯视下与所述第一端子、所述第二端子以及夹在所述第一端子和所述第二端子之间的区域重叠；
第二晶片切割工序，使第一切割刀片从所述第二晶片的在所述第二表面的相反侧的第三表面进入并沿所述槽对所述第二晶片进行切割，所述第一切割刀片的厚度比所述槽的宽度厚；
第一晶片切割工序，由第二切割刀片在所述第一端子和所述第二端子之间对所述第一晶片进行切割。
2.根据权利要求1所述的电光装置的制造方法，其特征在于，
所述第二切割刀片的厚度比所述第一切割刀片的厚度薄，
在所述第一晶片切割工序中，使所述第二切割刀片相对于所述第一晶片从所述第二表面侧进入并对所述第一晶片进行切割。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置的制造方法，其特征在于，
使用所述第二切割刀片与所述第一切割刀片在厚度方向层叠的多阶刀片，
使所述多阶刀片相对于所述第一晶片从所述第二晶片一侧进入并连续地进行所述第二晶片切割工序和所述第一晶片切割工序。
4.根据权利要求1或2所述的电光装置的制造方法，其特征在于，
在所述第二晶片形成工序中进行：
在第三晶片形成第一贯通孔、第二贯通孔以及所述槽的第一工序、
在所述第三晶片的所述槽开口的一侧的相反侧的表面将具有透光性的第四晶片重叠粘结的第二工序。
5.根据权利要求1或2所述的电光装置的制造方法，其特征在于，
在所述第二晶片形成工序中进行：
在第三晶片形成第一贯通孔以及第二贯通孔的第一工序、
将所述第三晶片和具有透光性的第四晶片重叠粘结的第二工序、
在所述第三晶片的粘结于所述第四晶片的表面的相反侧的表面形成所述槽的第三工序。
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