CN105958976A - 一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器,包括触发脉冲电路、两路MOSFET高压控制电路,触发脉冲电路包括外部触发电路、隔离电路、CPLD控制电路,每路MOSFET高压控制电路包括两组MOSFET驱动电路及其驱动电源、两路MOSFET组合电路、一路正高压输入电路、一路负高压输入电路、两路MOSFET高压输出电路、衰减输出电路,每块电路均由直流电源供电。本发明的高压脉冲发生器造价便宜,性能可靠,可用于质谱仪中脉冲式地引出离子和电子,例如飞行时间质谱仪***。
Description
技术领域
本发明属于电子仪器技术领域,具体设计一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器。
技术背景
质谱仪是一种化学分析仪器,用于分子质量精确测定与化合物分析。在各种质谱仪器中,例如飞行时间质谱仪中,经常需要脉冲式地引出离子和电子。在这些场合中,脉冲发生器对金属板等部件施加脉冲电压,引出电子、离子对。脉冲发生器可由时序***或各种脉冲光源同步输出的电平触发。
由于质谱仪所要求的高质量分辨能力和高稳定性,对质谱仪的高压脉冲电源要求较高。为实现质谱野外和现场测试,对小型化和便携式质谱仪的需求不断提高,而传统的高压脉冲电源一般都比较复杂,其体积一般也较大。此外,传统高压脉冲电源往往缺乏简单有效的手段,来进行高压脉冲的多功能调节。
随着CPLD复杂可编程逻辑器件迅速发展,其具有容易使用、时序可预测和速度高等优点。根据需要而自行构造逻辑功能的数字集成电路,实现触发脉冲相位、宽度、延迟可调。CPLD电路可以大大缩短设计时间,减少PCB面积,提高了***的可靠性。利用CPLD的在线修改能力,随时修改设计而不必改动硬件电路,降低研发成本。
近年来,脉冲功率技术快速发展,对其技术参数的要求也越来越高,如:高重复频率、ns 量级上升沿、长寿命等等。传统的脉冲开关无法实现高频化,尽管半导体器件可以弥补此缺陷,但它的耐压以及通流能力有限。在脉冲功率技术中,上升沿是一个很重要的指标。半导体的导通速度影响着波形的上升沿,而导通速度与驱动设计紧密相连,故半导体器件的驱动设计至关重要。
传统的高压脉冲发生器利用触发器、电感电容、变压器等元器件,输出模式固定的高压脉冲。这种高压脉冲发生器往往结构繁琐,造价相对昂贵,难于维护。在特殊的需求环境中,传统的高压脉冲发生器通常不能满足我们的实验要求,用户无法根据实验情况改变脉冲延迟,宽度等参数。因此,设计一套应用于质谱仪的幅值、相位、延迟和宽度可调高压脉冲发生器,将具有非常重要的现实意义。和以前的高压脉冲器相比较,我们可以较为方便通过调节按键开关,滑动变阻器实现高压脉冲调节,实现模式转换。电路相应快,耐压值较高。其结构也更为简单,造价也将变得更为便宜。在质谱分析实验中,可以通过该高压脉冲发生器灵活性地进行实验测试,得到更加精准有效的实验数据,为后期的理论分析提供便利。
发明内容
本发明是为了克服现有技术中存在的不足之处,提供了一种应用于质谱仪的幅值、相位、延迟和宽度可调高压脉冲发生器,并且所述高压脉冲发生器结构简单、稳定性好。
本发明采用的技术方案是:
一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器,其特征在于:包括触发脉冲电路、两路MOSFET高压控制电路,触发脉冲电路包括外部触发电路、隔离电路、CPLD控制电路,每路MOSFET高压控制电路包括两组MOSFET驱动电路及其驱动电源、两路MOSFET组合电路、一路正高压输入电路、一路负高压输入电路、两路MOSFET高压输出电路、衰减输出电路;所述外部触发电路的输出端与隔离电路的输入端相连接,隔离电路的输出端与CPLD控制电路的输入端相连接,3组按键开关和2组滑动变阻器与CPLD控制电路的输入端相连接,CPLD控制电路的输出端与各MOSFET驱动电路的输入端相连接,各MOSFET驱动电路由其驱动电源供电,各MOSFET驱动电路输出端分别与一路MOSFET组合电路输入端相连接,各MOSFET组合电路输出端分别与一组高压输出电路输入端相连,高压输出电路与衰减输出电路相连,每块电路均由直流电源供电。
所述的一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器,其特征在于:所述外部触发电路的触发信号输出端串联一个电阻R1再与二极管D1并联后接入隔离电路的光耦隔离芯片,光耦隔离芯片输出端和CPLD控制电路的CPLD芯片输入端相连接。
所述的一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器,其特征在于:所述CPLD控制电路的CPLD芯片输入端外接滑动变阻器R2和R3,以及按键开关S1、S2和S3。滑动变阻器R2和R3分别作为调宽电阻和调延迟电阻,滑动变阻器R2和R3的阻值范围都是0 – 10万欧姆;在CPLD控制电路中,通过控制按键开关的状态,实现6种触发模式的转换,即:当按键开关S3关、S2开、S1开时,输出触发脉冲信号A与外部触发同步、等宽度、同相;当S3关、S2关、S1开时,通过调宽电阻R2调节信号A的宽度;当S3关、S2开、S1关时,可以通过滑动变阻器R2和R3同时调节信号A的延迟和宽度;后三种模式跟前三种类似,不同之处是输出触发脉冲信号A与外部触发相位相反;此外,输出触发脉冲信号B始终和信号A反相;两路同步但相位相反的触发脉冲信号A、B分别控制后续正、负高压输入电路的正、负高压脉冲模块的输出。
所述的一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器,其特征在于:所述MOSFET高压控制电路中4路MOSFET通道控制正负电路输入输出,包括MOSFET管U5、U8、U11、U14和驱动芯片U3、U6、U9、U12;其中,MOSFET管U5 和U8 组成的正高压脉冲模块控制正高压,MOSFET管U11 和U14组成的负高压脉冲模块控制负高压;在两路MOSFET高压控制电路中,上一级MOSFET的源极和下一级MOSFET的漏极串联,即MOSFET管U5的源极和U8的漏极相连接,MOSFET管U11的源极和U14的漏极相连接;相应地,上一级驱动电路的驱动芯片的阴极和下一级驱动芯片的阳极串联,即驱动芯片U3的阴极和U6的阳极相连接,U9的阴极和U12的阳极相连接,上一级驱动芯片的阳极接正5伏,下一级驱动芯片的阴极接触发脉冲信号A或者信号B。
本发明在触发脉冲电路部分中,为了实现电信号传输单向性,具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力,利用光耦合器进行输入输出间互相隔离。外部触发信号经用光耦合芯片后,接入CPLD芯片输入端,最终输出两路反相的方波信号。
复杂可编程逻辑器件(CPLD)是一种用户根据各自需要而自行构造逻辑功能的数字集成电路。该器件借助集成开发软件平台quartus,用硬件描述语言Verilog HDL的方法,生成相应的目标文件,通过下载电缆将代码传送到目标芯片中,实现设计的数字***。在本设计中,通过Verilog程序设计,CPLD主要实现双单稳态触发器,延时发生器以及强大运算处理等功能。利用CPLD来开发数字电路,可以大大缩短设计时间,减少PCB面积,提高了***的可靠性。利用CPLD的在线修改能力,随时修改设计而不必改动硬件电路,降低研发成本。两路同步但相位相反的信号A,B分别控制后续正负高压脉冲模块输出。
本发明在高压控制电路部分中,主要包括MOSFET驱动电路,MOSFET驱动电路的驱动电源,正负高压输入电路,MOSFET组合电路,高压输出及其衰减输出电路。
在脉冲功率技术中,上升沿是一个很重要的指标。MOSFET的导通速度影响着波形的上升沿,这与驱动电路的设计密切相关。在高压控制电路部分,为了实现较强驱动能力,快速开关以及光耦隔离的目的,设计了基于光电耦合器的MOSFET驱动电路。半导体中以MOSFET的导通速度最快,极间电容(特别是输入电容)影响 MOSFET 导通的上升沿与下降沿,为此要尽可能选取输入电容小的器件。结合本文的要求,没有必要选择输入电容很小,而功率却很小的MOSFET(一般来说,功率越小,输入电容就越小),否则会需要很多器件串联,反而会使驱动设计更具有挑战性。本发明采用一种折中的方法,选用功率大而输入电容尽可能小的MOSFET,是因为它的开关特性优良,且耐压高,其上升时间为13ns,漏极源极间耐压值可以达到1000V的高压。通过与其他大功率器件进行比较,发现此型号的输入电容相对较小,开通速度也相对较快些。
同时,为了提高半导体器件的耐压、通流能力,采用了串联MOSFET的方式。在4组MOSFET高压输出电路中,MOSFET驱动电路输出端与MOSFET组合电路输入端相连接,MOSFET管驱动电路由其驱动电源供电,MOSFET组合电路输出端与高压输出电路输入端相连。最终,高压输出电路与衰减输出电路相连,每块电路均由相应的直流电源供电。本文研制的一种基于MOSFET 串联的可调高压脉冲发生器,该脉冲发生器电压0 - ± 2000V幅值可调。
与现有技术相比,本发明有益效果体现在:
本发明利用复杂可编程逻辑器件开发数字电路,降低成本,提高电路稳定性;通过简单的硬件调节,可以控制高压脉冲的相位、延迟和宽度,实现电路的多功能性;设计基于光电耦合器的MOSFET驱动电路,提高电路驱动能力和可靠性;采用高速MOSFET串联方式,提高高压脉冲输出幅值。
附图说明
图1:可调高压脉冲发生器结构示意图。
图2:可调高压脉冲发生器中触发脉冲电路部分的原理图。
图3:可调高压脉冲发生器中高压控制电路部分的原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进一步说明:
如图1,一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器,其特征在于:包括触发脉冲电路、两路MOSFET高压控制电路,触发脉冲电路包括外部触发电路1、隔离电路2、CPLD控制电路3,每路MOSFET高压控制电路包括两组MOSFET驱动电路4及其驱动电源5、两路MOSFET组合电路6、一路正高压输入电路7、一路负高压输入电路8、两路MOSFET高压输出电路9、衰减输出电路10;所述外部触发电路的输出端与隔离电路的输入端相连接,隔离电路的输出端与CPLD控制电路的输入端相连接,3组按键开关和2组滑动变阻器与CPLD控制电路的输入端相连接,CPLD控制电路的输出端与各MOSFET驱动电路的输入端相连接,各MOSFET驱动电路由其驱动电源供电,各MOSFET驱动电路输出端分别与一路MOSFET组合电路输入端相连接,各MOSFET组合电路输出端分别与一组高压输出电路输入端相连,高压输出电路与衰减输出电路相连,每块电路均由直流电源供电。
在图2中,外部触发信号输出端通过二极管D1和电阻R1与光耦隔离芯片的输入端相连接。光耦隔离芯片的输入端属于电流型工作的低阻元件,因而具有很强的共模抑制能力。其作为信号隔离的接口器件可以大大增强工作的可靠性,提高抗干扰能力和传输效率。
光耦隔离芯片输出端和CPLD芯片输入端相连接。在CPLD控制电路中,芯片输入端外接滑动变阻器R2和R3,以及按键开关S1、S2和S3。调宽电阻R2和调延迟电阻R3的阻值范围都是0 – 10万欧姆。在该电路中,通过控制按键开关的状态,实现6种触发模式的转换。如表1所示,当按键开关S3关、S2开、S1开时,输出触发脉冲信号A与外部触发同步、等宽度、同相;当S3关、S2关、S1开时,通过调宽电阻R2调节信号A的宽度;当S3关、S2开、S1关时,可以通过滑动变阻器R2和R3同时调节信号A的延迟和宽度;后三种模式跟前三种类似,不同之处是输出触发脉冲信号A与外部触发相位相反。此外,输出触发脉冲信号B始终和信号A反相。两路同步但相位相反的触发脉冲信号A,B分别控制后续正负高压脉冲模块的输出。
表1为可调高压脉冲发生器可调节输出模式的说明表格:
S3 | S2 | S1 | 输出模式 |
关 | 开 | 开 | 与触发脉冲同步、等宽度、同相 |
关 | 关 | 开 | 与触发脉冲同步、宽度可调、同相 |
关 | 开 | 关 | 与触发脉冲同步、延迟、宽度可调、同相 |
开 | 开 | 开 | 与触发脉冲同步、等宽度、倒相 |
开 | 关 | 开 | 与触发脉冲同步、宽度可调、倒相 |
开 | 开 | 关 | 与触发脉冲同步、延迟、宽度可调、倒相 |
表1
图3是基于MOSFET的高压控制电路,4路MOSFET通道控制正负电路输入输出。其中,U5和U8 组成的MOSFET控制正高压,U11 和U14组成的MOSFET控制负高压。在高压控制模块中,为了提高半导体器件的耐压、通流能力,采用一种基于 MOSFET串联的方式。在两路MOSFET高压控制电路中,上一级MOSFET的源极和下一级MOSFET的漏极串联,如图3中U5的源极和U8的漏极相连接,U11的源极和U14的漏极相连接。相应地,上一级驱动芯片的阴极和下一级驱动芯片的阳极串联,上一级驱动芯片的阳极接正5伏,下一级驱动芯片的阴极接触发脉冲信号A或者信号B,如图3中U3的阴极和U6的阳极相连接,U9的阴极和U12的阳极相连接。
此外,我们设计了基于光耦隔离芯片的MOSFET驱动电路。光耦隔离芯片最大输出驱动电流为2A,驱动能力强;最大开关速度为 2MKZ;电内带光耦隔离。正常工作时,U6的阴极输入端与触发脉冲信号A相连接。当触发脉冲信号A为低电平时,通过内部光电耦合器在U3的V0脚输出最大幅值为Vcc的驱动脉冲信号;经过电阻R6稳压,形成幅值为Vcc的稳定正向驱动脉冲;当触发脉冲信号A为高电平时,V0脚输出为零,通过电阻R4、稳压管D2、电容C2产生-5V的负压,以提高开关管的关断速度,增强驱动电路的抗干扰能力,防止误导通。如图3所示,触发脉冲信号A经过光藕隔离后变为+15V开通、-5V截止的驱动信号。电阻R11串联在MOSFET的栅极和源极两端,避免了栅源两端电压过高造成MOSFET的损坏。电阻R6用来抑制MOSFET的栅极振荡,其他3路MOSFET通道电路结构与此一致。该驱动电路具有光耦隔离、负压关断等功能,驱动电路的可靠性比较高。
当触发脉冲信号A为低电平时,光耦隔离芯片U3和U6的V0脚输出最大幅值为Vcc的驱动脉冲信号。光耦隔离芯片的输入端与MOSFET的栅源极相连接。此时,MOSFET的栅极电压高于源极电压,MOSFET导通。稳定以后,MOSFET处于线性工作区域,正高压电源从漏极流入,在P3端输出正高压。同样地,触发脉冲信号B使得光耦隔离芯片U9和U12输出最大幅值为Vcc的驱动脉冲信号,导通MOSFET,使得负高压从漏极流入,在P3端输出负高压。P1,P2分别是正负高压输入接口。为了便于对输出高压进行测试,P3端输出的高压经过滤波电容,与衰减电阻相连,最终在P4端输出100:1的衰减电压。
Claims (4)
1.一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器,其特征在于:包括触发脉冲电路、两路MOSFET高压控制电路,触发脉冲电路包括外部触发电路、隔离电路、CPLD控制电路,每路MOSFET高压控制电路包括两组MOSFET驱动电路及其驱动电源、两路MOSFET组合电路、一路正高压输入电路、一路负高压输入电路、两路MOSFET高压输出电路、衰减输出电路;所述外部触发电路的输出端与隔离电路的输入端相连接,隔离电路的输出端与CPLD控制电路的输入端相连接,3组按键开关和2组滑动变阻器与CPLD控制电路的输入端相连接,CPLD控制电路的输出端与各MOSFET驱动电路的输入端相连接,各MOSFET驱动电路由其驱动电源供电,各MOSFET驱动电路输出端分别与一路MOSFET组合电路输入端相连接,各MOSFET组合电路输出端分别与一组高压输出电路输入端相连,高压输出电路与衰减输出电路相连,每块电路均由直流电源供电。
2.根据权利要求1所述的一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器,其特征在于:所述外部触发电路的触发信号输出端串联一个电阻R1再与二极管D1并联后接入隔离电路的光耦隔离芯片,光耦隔离芯片输出端和CPLD控制电路的CPLD芯片输入端相连接。
3.根据权利要求2所述的一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器,其特征在于:所述CPLD控制电路的CPLD芯片输入端外接滑动变阻器R2和R3,以及按键开关S1、S2和S3。滑动变阻器R2和R3分别作为调宽电阻和调延迟电阻,滑动变阻器R2和R3的阻值范围都是0 – 10万欧姆;在CPLD控制电路中,通过控制按键开关的状态,实现6种触发模式的转换,即:当按键开关S3关、S2开、S1开时,输出触发脉冲信号A与外部触发同步、等宽度、同相;当S3关、S2关、S1开时,通过调宽电阻R2调节信号A的宽度;当S3关、S2开、S1关时,可以通过滑动变阻器R2和R3同时调节信号A的延迟和宽度;后三种模式跟前三种类似,不同之处是输出触发脉冲信号A与外部触发相位相反;此外,输出触发脉冲信号B始终和信号A反相;两路同步但相位相反的触发脉冲信号A、B分别控制后续正、负高压输入电路的正、负高压脉冲模块的输出。
4.根据权利要求3所述的一种应用于质谱仪的可调高压脉冲发生器,其特征在于:所述MOSFET高压控制电路中4路MOSFET通道控制正负电路输入输出,包括MOSFET管U5、U8、U11、U14和驱动芯片U3、U6、U9、U12;其中,MOSFET管U5 和U8 组成的正高压脉冲模块控制正高压,MOSFET管U11 和U14组成的负高压脉冲模块控制负高压;在两路MOSFET高压控制电路中,上一级MOSFET的源极和下一级MOSFET的漏极串联,即MOSFET管U5的源极和U8的漏极相连接,MOSFET管U11的源极和U14的漏极相连接;相应地,上一级驱动电路的驱动芯片的阴极和下一级驱动芯片的阳极串联,即驱动芯片U3的阴极和U6的阳极相连接,U9的阴极和U12的阳极相连接,上一级驱动芯片的阳极接正5伏,下一级驱动芯片的阴极接触发脉冲信号A或者信号B。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107124165A (zh) * | 2016-09-29 | 2017-09-01 | 吉林大学 | 一种纳秒级高压脉冲发生器装置及工作方法 |
CN108809277A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-13 | 中国人民解放***箭军工程大学 | 一种脉冲信号发生装置 |
CN109039140A (zh) * | 2018-10-22 | 2018-12-18 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种紧凑的高压开关组件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2287353Y (zh) * | 1997-04-04 | 1998-08-05 | 中国科学技术大学 | 高压高速功率脉冲发生器 |
CN202057761U (zh) * | 2011-03-14 | 2011-11-30 | 山西省电力公司太原供电分公司 | 一种高压交联电缆局部放电在线监测用前端模组 |
CN103236701A (zh) * | 2013-04-10 | 2013-08-07 | 李国勇 | 用于高压tsc的晶闸管阀组的触发装置及触发控制方法 |
CN103956932A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-30 | 上海大学 | 一种用于飞行时间质谱仪的高压脉冲电源 |
CN104586435A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-05-06 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***及脉冲产生方法 |
-
2016
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2287353Y (zh) * | 1997-04-04 | 1998-08-05 | 中国科学技术大学 | 高压高速功率脉冲发生器 |
CN202057761U (zh) * | 2011-03-14 | 2011-11-30 | 山西省电力公司太原供电分公司 | 一种高压交联电缆局部放电在线监测用前端模组 |
CN103236701A (zh) * | 2013-04-10 | 2013-08-07 | 李国勇 | 用于高压tsc的晶闸管阀组的触发装置及触发控制方法 |
CN103956932A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-30 | 上海大学 | 一种用于飞行时间质谱仪的高压脉冲电源 |
CN104586435A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-05-06 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***及脉冲产生方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107124165A (zh) * | 2016-09-29 | 2017-09-01 | 吉林大学 | 一种纳秒级高压脉冲发生器装置及工作方法 |
CN108809277A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-13 | 中国人民解放***箭军工程大学 | 一种脉冲信号发生装置 |
CN108809277B (zh) * | 2018-06-25 | 2021-09-24 | 中国人民解放***箭军工程大学 | 一种脉冲信号发生装置 |
CN109039140A (zh) * | 2018-10-22 | 2018-12-18 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种紧凑的高压开关组件 |
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