CN105957948A - 一种防漏蓝芯片 - Google Patents
一种防漏蓝芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105957948A CN105957948A CN201610414577.6A CN201610414577A CN105957948A CN 105957948 A CN105957948 A CN 105957948A CN 201610414577 A CN201610414577 A CN 201610414577A CN 105957948 A CN105957948 A CN 105957948A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- gallium nitride
- nitride layer
- hole
- type gallium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 25
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 claims description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 206010023126 Jaundice Diseases 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种防漏蓝芯片，具有第一通孔，且在第一通孔侧壁具有高反射性能的金属反射层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域，尤其是涉及一种LED芯片。
背景技术
LED作为新一代的固体冷光源，具有低能耗、寿命长、易控制、安全环保等特点，是理想的节能环保产品，适用各种照明场所。
现有封装过程中，直接在LED芯片上喷涂一层荧光粉，然后用模具进行透镜封装。传统的LED芯片具有五面出光的特点，因此除了正面喷涂荧光粉能正常出光外，其他四面侧壁容易出现漏蓝、发黄等的问题，存在较严重不同角度颜色差异。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种防漏蓝芯片， 以解决现有技术中LED芯片漏蓝、发黄等的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种防漏蓝芯片，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；
第一通孔，所述第一通孔完全贯穿所述发光结构，延伸至所述衬底表面；
绝缘层，所述绝缘层位于所述第一通孔的侧壁；
金属反射层，所述金属反射层位于所述第一通孔的侧壁；
电极结构，所述电极结构包括：位于所述N型氮化镓层表面的N型电极和位于所述P型氮化镓层表面的P型电极。
优选的，所述金属放射层的材料为Au、Ag、Al、Pt、Zn中的一种或多种。
优选的，所述P型电极和N型电极的材料为Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一种或几种合金。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：
本发明提供的一种防漏蓝芯片，具有第一通孔，把LED晶圆分成多个LED芯片，并且，第一通孔侧壁具有高反射性能的金属反射层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种防漏蓝芯片的结构示意图。
具体实施例
正如背景技术所述，现有技术中的LED芯片在封装过程中容易出现漏蓝等的问题。
基于此，本发明提供了一种防漏蓝芯片，以克服现有技术存在的上述问题，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；
第一通孔，所述第一通孔完全贯穿所述发光结构，延伸至所述衬底表面；
绝缘层，所述绝缘层位于所述第一通孔的侧壁；
金属反射层，所述金属反射层位于所述第一通孔的侧壁；
电极结构，所述电极结构包括：位于所述N型氮化镓层表面的N型电极和位于所述P型氮化镓层表面的P型电极。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：
本发明提供的一种防漏蓝芯片，具有第一通孔，把LED晶圆分成多个LED芯片，并且，第一通孔侧壁具有高反射性能的金属反射层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。
以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
下面通过具体实施例详细描述。
实施例一
本实施例提供了一种防漏蓝芯片，如图1所示，包括：
衬底10；
发光结构20，发光结构20位于衬底10表面包括：位于衬底10表面的N型氮化镓层21，位于N型氮化镓层21背离衬底10一侧的有源层22，位于有源层22背离N型氮化镓层21一侧的P型氮化镓层23；
第一通孔30，第一通孔30完全贯穿发光结构20，并延伸至衬底10表面；
绝缘层31，绝缘层31位于第一通孔30侧壁；
金属反射层32，金属反射层32位于第一通孔30侧壁；
电极结构，电极结构包括：位于N型氮化镓层21表面的N型电极41和位于P型氮化镓层21表面的P型电极42。
其中，本实施例中的衬底10可以为本领域技术人员常用的衬底，如，衬底10可以为蓝宝石衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底、硅衬底等，优选采用蓝宝石衬底。
本实施例中的P型电极61和N型电极62可以采用本领域熟知的电极材料，例如Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一种或几种合金。
进一步地，本实施例中的金属反射层40采用Au、Ag、Al、Pt、Zn中的一种或多种制成。本实施例优选使用Ag作为金属反射层，可以提高LED芯片的抗热性、抗腐蚀性，使LED芯片更具稳定性。此外，本实施例中的绝缘层能将后续形成的金属反射层、P/N电极进行绝缘，防止芯片出现短路。
本实施例提供的一种防漏蓝芯片，具有第一通孔，把LED晶圆分成多个LED芯片，并且，第一通孔侧壁具有高反射性能的金属反射层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (3)
1.一种防漏蓝芯片，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；
第一通孔，所述第一通孔完全贯穿所述发光结构，延伸至所述衬底表面；
绝缘层，所述绝缘层位于所述第一通孔的侧壁；
金属反射层，所述金属反射层位于所述第一通孔的侧壁；
电极结构，所述电极结构包括：位于所述N型氮化镓层表面的N型电极和位于所述P型氮化镓层表面的P型电极。
2.根据权利要求1所述，其特征在于，所述金属放射层的材料为Au、Ag、Al、Pt、Zn中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述，其特征在于，所述P型电极和N型电极的材料为Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一种或几种合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610414577.6A CN105957948A (zh) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 一种防漏蓝芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610414577.6A CN105957948A (zh) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 一种防漏蓝芯片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105957948A true CN105957948A (zh) | 2016-09-21 |
Family
ID=56907249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610414577.6A Pending CN105957948A (zh) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 一种防漏蓝芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105957948A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101872824A (zh) * | 2010-06-07 | 2010-10-27 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法 |
| WO2015008184A1 (en) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | Koninklijke Philips N.V. | Highly reflective flip chip led die |
| CN104821351A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-08-05 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Iii族半导体发光器件倒装结构的制作方法 |
| CN105591002A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-05-18 | 大连德豪光电科技有限公司 | 一种含有反射层的led倒装芯片及其制备方法 |
| CN205723629U (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-23 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种防漏蓝芯片 |
-
2016
- 2016-06-15 CN CN201610414577.6A patent/CN105957948A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101872824A (zh) * | 2010-06-07 | 2010-10-27 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法 |
| WO2015008184A1 (en) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | Koninklijke Philips N.V. | Highly reflective flip chip led die |
| CN104821351A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-08-05 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Iii族半导体发光器件倒装结构的制作方法 |
| CN105591002A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-05-18 | 大连德豪光电科技有限公司 | 一种含有反射层的led倒装芯片及其制备方法 |
| CN205723629U (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-23 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种防漏蓝芯片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8742654B2 (en) | Solid state light emitting devices including nonhomogeneous luminophoric particle size layers | |
| Taguchi | Present status of white LED lighting technologies in Japan | |
| CN102130143B (zh) | 白色led芯片及其形成方法 | |
| TWI500185B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製作方法 | |
| CN102130144A (zh) | 白色led芯片及其形成方法 | |
| CN102479896A (zh) | 一种发光二极管芯片 | |
| TWI622188B (zh) | 發光二極體晶片 | |
| CN105932120A (zh) | 一种具有侧壁dbr的led芯片的制造方法 | |
| TWI463705B (zh) | Light emitting device | |
| TW201735477A (zh) | 雷射激發之白光照明系統 | |
| CN205789976U (zh) | 一种led芯片 | |
| CN205723629U (zh) | 一种防漏蓝芯片 | |
| CN104953002A (zh) | 一种高压倒装led芯片及其制作方法 | |
| CN108051951A (zh) | Led光源、背光模组及液晶显示装置 | |
| KR101288367B1 (ko) | 백색광 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| CN105957948A (zh) | 一种防漏蓝芯片 | |
| CN106410010A (zh) | 一种防漏蓝led芯片的制造方法 | |
| CN202585519U (zh) | 具有反射电极的发光二极管 | |
| CN202074285U (zh) | 发光二极管照明灯管 | |
| CN106409857A (zh) | 一种led芯片 | |
| CN209766471U (zh) | 一种led晶片变色装置 | |
| CN203176832U (zh) | 光源装置 | |
| CN103904175B (zh) | 具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法 | |
| CN108054259A (zh) | 一种led芯片及其制作方法 | |
| KR20190099620A (ko) | 나노 입자를 이용한 고효율 led |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160921 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |