CN105895754B - 一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法 - Google Patents
一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105895754B CN105895754B CN201610286233.1A CN201610286233A CN105895754B CN 105895754 B CN105895754 B CN 105895754B CN 201610286233 A CN201610286233 A CN 201610286233A CN 105895754 B CN105895754 B CN 105895754B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- inp
- layers
- nanometers
- clads
- technology
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims abstract description 4
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 11
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- -1 PH3 phosphines Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000009933 burial Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012014 optical coherence tomography Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极管芯片的制作方法，包括：在掺硫的InP磷化铟衬底上采用MOCVD外延生长技术依次生长缓冲层、下限制层、多量子阱有源区、上限制层和P型欧姆接触层，构成一次外延片；对一次外延片进行刻蚀形成脊，在MOCVD反应室中采用高温及有大流量PH3磷烷气体保护条件下对一次外延片进行长时间的烘烤，再降到低温条件下继续采用MOCVD外延生长技术对脊的侧面进行掩埋生长；继续采用MOCVD外延生长技术生成高掺的覆盖层和接触层；通过光刻、刻蚀、溅射工艺、合金、划片解理制作成超辐射发光二极管芯片。本发明所提供的制作方法的优点在于：材料生长出的界面缺陷少，质量可靠，制成的器件可靠性高，高功率，宽光谱及高温工作表现。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法。
背景技术
超辐射发光二极管是一种自发将辐射光放大的器件，其发光机理是一种强激发状态下定向的辐射现象，其光电特性介于激光器与发光二极管之间，兼具激光器的高输出功率及发光二极管的宽光谱特性等优点，在光纤陀螺 (FOG)，光学相干层析(OCT)成像技术以及光纤通信等领域具有着广泛的应用。
而在超辐射发光管的波导结构设计上，通常采用脊型波导(RWG)结构，其优点是工艺简单，可靠性好，但因为RWG结构是弱折射率波导，而在有源层侧向，既没有有效的光场限制，在材料生长方向上较大的远场发散角使得光纤耦合功率损耗较大，出纤功率较低。同时也没有注入电流的限制，因为泄漏电流无法控制，所以在阈值电流、远场特性以及可靠性等方面都没有脊型掩埋波导结构好。
然而，采用脊型掩埋结构，将光场模限制在掩埋发光区内，可以较好地进行对电流进行限制，同时形成侧向的折射率导引的波导效果，制成的芯片具有更小的阈值电流、近圆光斑、稳定的模式和更小的热阻，但是采用反应离子刻蚀技术及化学腐蚀方法湿法选择性腐蚀技术对一次外延片进行刻蚀形成脊的过程中，会刻过四元材料有源区，由于外延材料横向和纵向腐蚀速率的不同，且四元材料(InGaAsP)腐蚀速率相对二元材料(InP)更快；有源区为四元材料区，随着腐蚀深度的增加，沿脊的侧面上会形成凹坑，因此造成脊的侧面出现不平，在对脊进行掩埋生长时很容易形成空洞，即存在缺陷，给二次外延生长质量带来了困难。
因此，提高脊型掩埋二次外延生长质量，减少各种缺陷是提高芯片可靠性的最佳途径,因此脊型掩埋生长的质量好坏最为关键。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的主要目的在于提供一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法。该方法可应用于改进光通讯、 CATV***、光电技术中掩埋结构光发射器件芯片可靠性的外延生长技术方法。
为实现上述目的，本发明提供一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法，其特征在于，包括：步骤一，采用MOCVD外延生长技术，在掺硫的InP磷化铟衬底上依次生长N型InP缓冲层、下波导层、多量子阱发光区、上波导层和第一P型接触层，构成一次外延片；步骤二，继续采用反应离子刻蚀技术及化学腐蚀方法湿法选择性腐蚀技术对一次外延片进行刻蚀，蚀刻深度为1600～1800纳米，形成脊的形状；步骤三，在高温及有大流量 PH3磷烷气体保护条件下对一次外延片进行长时间的烘烤，再降到低温条件下通过选择性生长技术在脊结构是依次生长I-InP包覆层，P-INP包覆层，N-INP 包覆层，高掺的P-INP层以及高掺的P-InGaAsP层和重掺杂接触层P+InGaAs层；步骤四，继续采用MOCVD外延生长技术生成高掺的覆盖层和接触层，完成整个外延片材料的全结构制作；以及步骤五，依次采用光刻、刻蚀、溅射工艺形成P面电极，再磨片和溅射工艺形成N面电极，合金后划片解理，并对所述芯片的出光端面镀增透膜形成1310nm超辐射发光二极管芯片，其中所述衬底为掺S的铟化磷InP衬底；所述铟化磷InP的缓冲层的厚度为800纳米；所述下波导层为InGaAsP，厚度为80纳米；所述覆盖层为P型INP覆盖层，厚度为180纳米；所述InGaAsP覆盖层为高掺组份渐变的P型InGaAsP覆盖层，厚度为180纳米；所述接触层为高掺的P型InGaAs欧姆接触层，厚度为350纳米。
进一步地，在步骤三中，采用MOCVD外延生长技术，其中对脊进行掩埋生长过程中，所述高温烘烤是在720度～730度温度下，所述大流量PH3磷烷气体保护其流量为300～350毫升每分钟，经过长时间烘烤后再降至低温通过选择性生长技术在脊结构是依次生长I-InP层，P-INP层，N-INP层。
进一步地，在步骤三中，所述长时间烘烤时间为15～25分钟。
进一步地，在步骤三中，低温生长I-InP包覆层，P-INP包覆层，N-INP包覆层是在660～680度进行，其中所述I-InP包覆层为本征磷化铟INP层，厚度为 200纳米；所述P-INP包覆层为P型磷化铟INP层，厚度为500纳米；所述N-INP 包覆层为n型INP层，厚度为750纳米。
与现有技术相比，本发明所提供的InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法的有益效果在于：通过高温热处理适当地及过饱和的气体保护，同时增加处理时间的叠加，使得半导体材料表面发生更有利的质量输运效应，采用本发明化优化后的参数可以填平刻蚀形成的凹坑，使得在掩埋时脊梁侧壁界面较为光滑，缺陷少。此外，发光二极芯片的制造工艺过程重复性好且能保证精确控制，从而可靠好并且稳定性强。
附图说明
图1是本发明的1310nm InGaAsP材料超辐射发光二极管一次外延结构示意图。
图2是本发明的按常规条件掩埋生长结构示意图。
图3是本发明的优化工艺参数后的掩埋生长完整结构示意图。
元件说明：
图1：1.衬底、2.缓冲层、3.U－型层、4.多量子阱、41.量子阱、42.量子垒、 5.U型层、6.P型层；
图2：7.I-InP包覆层、8.P-INP包覆层、9.N-INP包覆层；
图3：1.掺S的INP衬底、2.INP缓冲层、3.InGaAsP下限制层、4.多量子阱层、5.InGaAsP上限制层、6.P型InP层、7.I-InP包覆层、8.P-INP包覆层、9.N-INP 包覆层、10.高掺P型InP覆盖层、11.高掺的P-InGaAsP层及重掺P-InGaAs欧姆接触层、12.出光端、13.背光端。
本发明的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图作进一步说明。
具体实施方式
以下结合说明书附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明，并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
图1是本发明的1310nm InGaAsP材料超辐射发光二极管一次外延结构示意图。如图1所示，根据本发明实施例的InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法包括以下步骤：
步骤一，采用MOCVD外延生长技术，在掺硫的InP磷化铟衬底上依次生长N型InP缓冲层、下波导层、多量子阱发光区、上波导层和第一P型接触层，构成一次外延片。在一个实施例中，步骤一具体包括：先在MOCVD反应腔中将衬底1在740℃进行烘烤，除去衬1底表面异物。在690℃在衬底上依次生长 0.8um的N型INP缓冲层(buffer)、下波导层、多量子阱发光区、上波导层和第一P型接触层，构成一次外延片。
步骤二，继续采用反应离子刻蚀技术及化学腐蚀方法湿法选择性腐蚀技术对一次外延片进行刻蚀，蚀刻深度为1600～1800纳米，形成脊的形状。
步骤三，在高温及有大流量PH3磷烷气体保护条件下对一次外延片进行长时间的烘烤，再降到低温条件下通过选择性生长技术在脊结构是依次生长 I-InP包覆层，P-INP包覆层，N-INP包覆层，高掺的P-INP层以及高掺的 P-InGaAsP层和重掺杂接触层P+InGaAs层。
进一步地，在一个实施例中的步骤三中，采用MOCVD外延生长技术，其中对脊进行掩埋生长过程中，所述高温烘烤是在720度～730度温度下，所述大流量PH3磷烷气体保护其流量为300～350毫升每分钟，经过长时间烘烤后再降至低温通过选择性生长技术在脊结构是依次生长I-InP层，P-INP层，N-INP层。
进一步地，在一个实施例中的步骤三中，所述长时间烘烤时间为15～25分钟。
进一步地，在一个实施例中的步骤三中，低温生长I-InP包覆层，P-INP包覆层，N-INP包覆层是在660～680度进行，其中所述I-InP包覆层为本征磷化铟 INP层，厚度为200纳米；所述P-INP包覆层为P型磷化铟INP层，厚度为500纳米；所述N-INP包覆层为n型INP层，厚度为750纳米。
请注意，对比图2和图3可明显看到进行本发明的优化工艺参数的效果，其中图2是本发明的按常规条件掩埋生长结构示意图，而图3是本发明的优化工艺参数后的掩埋生长完整结构示意图。
由图2可以看出：通过SEM(扫描电子显微镜)查侧壁状态，按常规条件进行掩埋生长(即外延片清洗完毕后放置在MOCVD反应腔上升至设定温度后直接开始生长)，脊的侧面边界仍然凹凸不平，特别是在四元材料区域有凹坑存在，平侧壁没有完全被INP包覆层填平。相对地，如图3所示，重新选用完整的一次外延片后进行脊的制作后，清洗干净氮气吹干继续放置到MOCVD反应室中，在掩埋生长前，在720度～730度高温及有大流量PH3磷烷(300～350 毫升/分钟)保护条件下对一次外延片进行15～25分钟的烘烤，再降到低温 (660～680度)条件下材料通过选择性生长技术依次生长I-InP包覆层、P-INP 包覆层、N-INP包覆层。通过烘烤时间的不同进行多次实验对比，如图2、图3 和下表1所示，在优化工艺参数后，扫描电子显微镜(SEM)查看侧壁状态，脊梁侧壁界面较为光滑，缺陷少。
表1在735℃时及大流量磷烷气体保护下，侧壁状态与烘烤时间的比较
步骤四，继续采用MOCVD外延生长技术生成高掺的覆盖层(例如，高掺的P-INP层以及高掺的P-InGaAsP层)和接触层(例如，重掺杂接触层P+InGaAs 层)，从而完成整个外延片材料的全结构制作。
步骤五，依次采用光刻、刻蚀、溅射工艺形成P面电极，再磨片和溅射工艺形成N面电极，合金后划片解理，并对所述芯片的出光端面镀增透膜形成 1310nm超辐射发光二极管芯片。
在上述InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法中，所述衬底为掺S的铟化磷InP衬底；所述铟化磷InP的缓冲层的厚度为800纳米；所述下波导层为InGaAsP，厚度为80纳米；所述覆盖层为P型INP覆盖层，厚度为 180纳米；所述InGaAsP覆盖层为高掺组份渐变的P型InGaAsP覆盖层，厚度为 180纳米；所述接触层为高掺的P型InGaAs欧姆接触层，厚度为350纳米。
有利地，本发明所提供的InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法的有益效果在于：通过高温热处理适当地及过饱和的气体保护，同时增加处理时间的叠加，使得半导体材料表面发生更有利的质量输运效应，采用本发明化优化后的参数可以填平刻蚀形成的凹坑，使得在掩埋时脊梁侧壁界面较为光滑，缺陷少。此外，发光二极芯片的制造工艺过程重复性好且能保证精确控制，从而可靠好并且稳定性强。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (2)
1.一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法，其特征在于，包括：
步骤一，采用MOCVD外延生长技术，在掺硫的InP磷化铟衬底上依次生长N型InP缓冲层、下波导层、多量子阱发光区、上波导层和第一P型接触层，构成一次外延片；
步骤二，继续采用反应离子刻蚀技术及化学腐蚀方法湿法选择性腐蚀技术对一次外延片进行刻蚀，蚀刻深度为1600～1800纳米，形成脊的形状；
步骤三，在高温及有大流量PH3磷烷气体保护条件下对一次外延片进行长时间的烘烤，再降到低温条件下通过选择性生长技术在脊结构是依次生长I-InP包覆层，P-INP包覆层，N-INP包覆层，高掺的P-INP层以及高掺的P-InGaAsP层和重掺杂接触层P+InGaAs层；
步骤四，继续采用MOCVD外延生长技术生成高掺的覆盖层和接触层，完成整个外延片材料的全结构制作；以及
步骤五，依次采用光刻、刻蚀、溅射工艺形成P面电极，再磨片和溅射工艺形成N面电极，合金后划片解理，并对所述芯片的出光端面镀增透膜形成1310nm超辐射发光二极管芯片，
其中所述衬底为掺S的铟化磷InP衬底；所述铟化磷InP的缓冲层的厚度为800纳米；所述下波导层为InGaAsP，厚度为80纳米；所述覆盖层为P型INP覆盖层，厚度为180纳米；所述InGaAsP覆盖层为高掺组份渐变的P型InGaAsP覆盖层，厚度为180纳米；所述接触层为高掺的P型InGaAs欧姆接触层，厚度为350纳米；
在步骤三中，采用MOCVD外延生长技术，其中对脊进行掩埋生长过程中，所述高温烘烤是在720度～730度温度下，所述大流量PH3磷烷气体保护其流量为300～350毫升每分钟，经过长时间烘烤后再降至低温通过选择性生长技术在脊结构是依次生长I-InP层，P-INP层，N-INP层；所述长时间烘烤时间为15～25分钟。
2.根据权利要求1所述的InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法，其特征在于，在步骤三中，低温生长I-InP包覆层，P-INP包覆层，N-INP包覆层是在660～680度进行，其中所述I-InP包覆层为本征磷化铟INP层，厚度为200纳米；所述P-INP包覆层为P型磷化铟INP层，厚度为500纳米；所述N-INP包覆层为n型INP层，厚度为750纳米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610286233.1A CN105895754B (zh) | 2016-05-03 | 2016-05-03 | 一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610286233.1A CN105895754B (zh) | 2016-05-03 | 2016-05-03 | 一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105895754A CN105895754A (zh) | 2016-08-24 |
| CN105895754B true CN105895754B (zh) | 2018-08-31 |
Family
ID=56703179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610286233.1A Expired - Fee Related CN105895754B (zh) | 2016-05-03 | 2016-05-03 | 一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105895754B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112838152B (zh) * | 2019-11-25 | 2022-06-14 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种具有特定图形的发光二极管外延结构及其制备方法 |
| CN111180313A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-05-19 | 中国科学院半导体研究所 | 一种低位错原位刻蚀mocvd二次外延生长方法 |
| CN112663137B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-05 | 中电晶华(天津)半导体材料有限公司 | 一种硅反外延片的制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101540358B (zh) * | 2008-03-19 | 2012-05-30 | 中国科学院半导体研究所 | 宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的制作方法 |
| CN105098006B (zh) * | 2015-09-09 | 2017-08-25 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种超辐射发光二极管芯片的制备方法及制得的发光二极管芯片 |
| CN105280763B (zh) * | 2015-09-14 | 2017-08-29 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种超辐射发光二极管的制作方法及制得的发光二极管 |
-
2016
- 2016-05-03 CN CN201610286233.1A patent/CN105895754B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105895754A (zh) | 2016-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107710381B (zh) | 涉及具有晶格匹配的覆层的高限制因子的iii族氮化物边发射激光二极管的方法和器件 | |
| CN101859983B (zh) | 带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器及其制作方法 | |
| US20030209771A1 (en) | Dopant diffusion blocking for optoelectronic devices using InAlAs or InGaAlAs | |
| CN105895754B (zh) | 一种InGaAsP材料掩埋波导结构超辐射发光二极芯片的制作方法 | |
| CN103314488A (zh) | 半导体发光元件及发光装置 | |
| CN102611002B (zh) | 低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列 | |
| CN101316027A (zh) | 一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法 | |
| CN102545052A (zh) | 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器 | |
| CN103532014A (zh) | 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法 | |
| CN102593719A (zh) | 一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器 | |
| CN102891435B (zh) | 带有非吸收窗口的大功率半导体激光器 | |
| CN104485578B (zh) | 一种晶体管激光器及其制作方法 | |
| JP2011249767A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| US8472490B2 (en) | Semiconductor optical element and integrated semiconductor optical element | |
| CN112259649B (zh) | 一种超辐射发光二极管及其制作方法 | |
| JPH01501586A (ja) | 半導体構造およびその製造方法 | |
| CN105244761B (zh) | 量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法 | |
| JP6807691B2 (ja) | 半導体光素子、及びその製造方法 | |
| JP2005286192A (ja) | 光集積素子 | |
| CN101841124A (zh) | 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构 | |
| CN103401140A (zh) | 一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器 | |
| TWI741940B (zh) | 邊射型雷射元件 | |
| JP6251934B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| CN208078380U (zh) | 一种高速集成dfb半导体激光器芯片 | |
| Camacho-Aguilera et al. | Electroluminescence of highly doped Ge pnn diodes for Si integrated lasers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180831 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |