CN105895568A - 制造显示装置的设备 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 208000035126 Facies Diseases 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000519996 Teucrium chamaedrys Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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Abstract
公开了一种用于制造显示装置的设备,所述设备包括:装载室,构造成从外部接收基板;传送室,连接到装载室并且包括构造成输送基板的机械手臂;沉积室,连接到传送室并且构造成在基板从传送室输送到沉积室之后将沉积材料沉积到基板上;掩模供给室,连接到沉积室并构造成向沉积室供给堆叠在掩模供给室中的多个掩模中的一个;以及站,连接到掩模供给室并且构造成向掩模供给室逐个地供给所述多个掩模。
Description
本申请要求于2015年2月16日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0023148号韩国专利申请的优先权和权益,所述申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个示例性实施例的方面涉及一种用于制造显示装置的设备。
背景技术
包括显示面板的电子装置被广泛使用。诸如移动电话的小型装置和平板PC近来被广泛地用作电子装置。另外,TV和监视器是通常使用的电子装置。
为了支持各种功能,电子装置包括用于向用户显示诸如图像的视觉信息的显示单元。近来,随着用于驱动显示单元的其他部件已经被小型化,电子装置中的被显示单元占据的区域已经逐渐增大。因此,已经开发了可从平坦状态改变成结构在预定角度下弯曲的状态的结构。
发明内容
附加的方面将在随后的描述中被部分地阐述,并且通过描述部分地将是明显的,或者可通过提供的实施例的实践来了解。
根据一个或更多个示例性实施例,提供了一种用于制造显示装置的设备,所述设备包括:装载室,构造成从外部接收基板;传送室,连接到装载室并且包括构造成输送基板的机械手臂;沉积室,连接到传送室并且构造成在基板从传送室输送到沉积室之后将沉积材料沉积到基板上;掩模供给室,连接到沉积室并构造成向沉积室供给堆叠在掩模供给室中的多个掩模中的一个;以及站,连接到掩模供给室并且构造成向掩模供给室逐个地供给所述多个掩模。
在实施例中,传送室包括:第一传送室;以及第二传送室,与第一传送室分隔开并且经由连接室连接到第一传送室,其中,沉积室包括:第一沉积室,连接到第一传送室;以及第二沉积室,连接到第二传送室并且与第一沉积室分隔开。
在实施例中,掩模供给室包括:第一掩模供给室,连接到第一沉积室;以及第二掩模供给室,连接到第二沉积室。
在实施例中,掩模供给室连接到第一沉积室和第二沉积室两者。
在实施例中,掩模供给室包括构造成支承所述多个掩模并且构造成向上和向下移动的第二匣盒。
在实施例中,站包括:站室,在其中具有空间;第一匣盒,构造成接收所述多个掩模,第一匣盒在站室中;以及第一匣盒移动器,在站室中并且构造成移动第一匣盒。
在实施例中,掩模供给室包括构造成接收所述多个掩模的梭,并且构造成输送装载在其上的所述多个掩模中的一个。
在实施例中,梭构造成移动到掩模供给室和沉积室中。
在实施例中,设备还包括在掩模供给室中的第一掩模移动器,其中,第一掩模移动器构造成将所述多个掩模中的一个从站输送到掩模供给室或者将所述多个掩模中的一个从掩模供给室输送到站。
在实施例中,掩模供给室中的压力在大气压与真空状态下的压力之间变化。
附图说明
通过下面结合附图对示例性实施例的描述,这些和/或其他方面将变得明显和更容易理解,在附图中:
图1是示出根据示例性实施例的用于制造显示装置的设备的概念图;
图2是示出根据示例性实施例的图1的掩模供给室和站的概念图;
图3是示出根据示例性实施例的通过使用图1的设备制造的显示装置的部分的剖视图。
图4是示出根据另一示例性实施例的用于制造显示装置的设备的概念图;以及
图5是示出根据另一示例性实施例的用于制造显示装置的设备的概念图。
具体实施方式
本发明构思可包括各种实施例和修改,本发明构思的示例性实施例将在附图中示出并且将在这里详细地描述。通过下面结合附图对实施例的描述,本发明构思的效果和特征及其伴随的方法将变得明显。然而,本发明构思不限于下面描述的实施例,并且可以以各种模式来实施。
现在将详细地参照实施例,实施例的示例在附图中示出。在附图中,相同的元件通过相同的附图标记来表示,将不给出其重复的解释。
图1是示出根据示例性实施例的用于制造显示装置200的设备100的概念图。图2是示出根据示例性实施例的图1的实施例的掩模供给室140和站150的概念图。图3是示出根据示例性实施例的通过使用图1的实施例的设备100制造的显示装置200的部分的剖视图。
参照图1至图3,设备100可通过使用沉积工艺来形成显示装置200的各种膜或层。然而,为了便于解释,下面将集中在设备100通过使用沉积工艺来形成中间层282的情况。
设备100可包括装载室110、传送室120、沉积室130、连接室160、掩模供给室140、站150和卸载室170。
基板210可从外部供给到装载室110,装载室110可在其中暂时性地储存基板210,然后可将基板210供给到传送室120。
传送室120可从装载室110接收基板210并且可在其中暂时性地储存基板210。另外,传送室120可连接到其他室并且可将基板210供给到其他室。在这种情况下,用于运送(例如,输送)基板210的机械手臂R可提供在传送室120中。
机械手臂R可以是机械手臂R仅形成在一侧上的单型或者机械手臂R形成在两侧上的双型。当机械手臂R为双型时,机械手臂R可在一侧处支撑已经对其执行了沉积的一个基板210并且可在另一侧处支撑将对其执行沉积的另一基板210。为了便于解释,下面将集中在机械手臂R为双型的情况。
机械手臂R可包括提供在第一传送室121中的第一机械手臂R1和提供在第二传送室122中的第二机械手臂R2。
传送室120可包括连接到装载室110的第一传送室121和与第一传送室121分隔开的第二传送室122。在这种情况下,第一传送室121和第二传送室122可形成为彼此相同或相似。
连接室160可设置在第一传送室121与第二传送室122之间并且可连接第一传送室121和第二传送室122。在这种情况下,连接室160可充当基板210通过其从第一传送室121运送(例如,输送)到第二传送室122的路径。
可提供多个沉积室130。在这种情况下,沉积材料可在多个沉积室130中的每个中沉积在基板210上。具体地,每个沉积室130可通过使用沉积源来蒸发沉积材料,然后可通过掩模M将沉积材料沉积在基板210上。例如,沉积室130可沉积中间层282。
沉积室130可包括连接到第一传送室121的第一沉积室131和连接到第二传送室122的第二沉积室132。在这种情况下,第一沉积室131和第二沉积室132可形成为彼此相同或相似,并且可在基板210上沉积相同的沉积材料。可选择地,第一沉积室131和第二沉积室132可在基板210上沉积不同的沉积材料。然而,为了便于解释,下面将集中在将不同的沉积材料沉积在基板210上的情况。
可提供多个第一沉积室131和多个第二沉积室132。在这种情况下,多个第一沉积室131中的每个可连接到第一传送室121。另外,多个第二沉积室132中的每个可连接到第二传送室122。
多个第一沉积室131可彼此面对。即,第一沉积室131可关于第一传送室121彼此面对。
另外,与第一沉积室131相似,多个第二沉积室132可关于第二传送室122彼此面对。
第一门D1和第二门D2可分别提供在第一沉积室131和第二沉积室132中,因此当梭(shuttle)141发生故障时,梭141可被替换或修复。另外,掩模供给室140和第一沉积室131可经由第一连接件181彼此连接。在这种情况下,第一连接件181可形成为使得一个掩模M移动,并且可提供门阀。另外,第一连接件181可包括第三门D3,使得当梭141发生故障时,梭141被替换或修复。
掩模供给室140和第二沉积室132可经由第二连接件182彼此连接。在这种情况下,第二连接件182可形成为使得一个掩模M移动,并且可提供门阀。另外,梭141可停留的空间可形成在第二连接件182中,第四门D4可提供在所述空间中,使得当梭141发生故障时,梭141被替换或修复。
第一沉积室131、第二沉积室132、第一传送室121和第二传送室122可以以多边形来布置。例如,第一沉积室131、第二沉积室132、第一传送室121和第二传送室122可布置成具有四边形。在这种情况下,第一沉积室131和第二沉积室132可彼此平行地设置。
掩模供给室140可提供在第一沉积室131与第二沉积室132之间。在这种情况下,掩模供给室140可连接到第一沉积室131和第二沉积室132,使得掩模M被分别提供到第一沉积室131和第二沉积室132。
另外,掩模供给室140可从外部直接接收掩模M并且可将掩模M供给到第一沉积室131或第二沉积室132。可选择地,站150可连接到掩模供给室140,掩模供给室140可从站150接收掩模M,然后可将掩模M供给到第一沉积室131或第二沉积室132。为了便于解释,下面将集中在站150连接到掩模供给室140的情况。
掩模供给室140可包括堆叠有多个掩模M的第二匣盒142。另外,掩模供给室140可包括将掩模M从第一匣盒152移动到第二匣盒142的第一掩模移动器143。在这种情况下,第一掩模移动器143可被提供为在掩模供给室140中线性地移动。例如,第一掩模移动器143可沿掩模供给室140的内壁向上和向下移动,并且可在特定位置处从掩模供给室140线性地移动到站150。(例如,第一掩模移动器143可沿图1和图2的Z轴向上和向下移动并且可沿图1和图2的Y轴线性地移动)。在这种情况下,第一掩模移动器143可以以轨道形状来形成。
掩模供给室140可包括位于第二匣盒142中的梭141。第二匣盒142可在掩模供给室140中线性地移动。在这种情况下,用于线性地移动第二匣盒142的第二匣盒移动器144可提供在掩模供给室140中。
可提供位于第二匣盒142中的多个梭141,多个梭141可随着第二匣盒142移动而在掩模供给室140中线性地移动。另外,每个梭141可沿与掩模供给室140的竖直方向垂直的方向(例如,掩模供给室140的宽度方向或长度方向)移动。具体地,在这种情况下,梭141可从掩模供给室140移动到第一沉积室131,或者可从第一沉积室131移动到掩模供给室140。
在将掩模M定位之后,多个梭141可将掩模M从掩模供给室140运送(例如,输送)到第一沉积室131或者可将掩模M从掩模供给室140运送到第二沉积室132。在这种情况下,因为梭141支撑掩模M的边缘,所以可防止掩模M在运送掩模M时变形或者可减小掩模变形的发生率。
用于运送每个掩模M的第二掩模移动器190可提供在掩模供给室140与第一沉积室131之间或者提供在掩模供给室140与第二沉积室132之间。在这种情况下,第二掩模移动器190可形成为线性电机。在实施例中,第二掩模移动器190可包括:电磁体构件191,具有轨道形状并且连接到掩模供给室140、第一连接件181和第一沉积室131或者连接到掩模供给室140、第二连接件182和第二沉积室132;以及磁体构件192,提供在每个梭141上。在这种情况下,电磁体构件191可通过将电磁力施加到磁体构件192来运送梭141。另外,电磁体构件191和磁体构件192不限于上述的位置并且可相反地提供。
站150可连接到掩模供给室140并且可将掩模M提供到掩模供给室140。在这种情况下,站150可包括连接到掩模供给室140的站室151和可***到站室151中或者从站室151移除的第一匣盒152。另外,站150可包括提供在站室151中并移动第一匣盒152的第一匣盒移动器153。
站室151可连接到掩模供给室140。在这种情况下,在站室151和掩模供给室140中的压力可为大气压。
站室151和掩模供给室140可彼此连接以使堆叠在第一匣盒152中的其中一个掩模M移动。具体地,在掩模供给室140将掩模M提供到第一沉积室131之前,掩模供给室140可维持在真空状态。当站室151与掩模供给室140之间的空间减小或最小化时,掩模供给室140可快速地达到真空状态。
第一匣盒152可从外部提供到站室151。在这种情况下,站室151可包括当第一匣盒152***或移除时打开的第五门D5。具体地,第五门D5可形成在站室151的上部处。
第一匣盒152可形成为包括多个台阶并且可暂时性储存或支撑多个掩模M。具体地,多个掩模M可并发地(例如,同时地)装载在第一匣盒152中。
第一匣盒移动器153可在站室151中线性地移动第一匣盒152。例如,第一匣盒移动器153可沿站室151的竖直方向移动第一匣盒152。可选择地,第一匣盒移动器153可沿站室151的长度方向或宽度方向移动第一匣盒152。在这种情况下,第一匣盒移动器153可将第一匣盒152移动到站室151的形成有第五门D5的上部或者可将第一匣盒152从第五门D5移动到站室151的中心部。
第一匣盒移动器153可以以各种合适的方式中的任何一种来形成。例如,第一匣盒移动器153可包括连接到第一匣盒152的轴和连接到轴并使轴移动的圆筒。可选择地,第一匣盒移动器153可包括在其上定位第一匣盒152的定位板以及连接到定位板且其长度变化的圆筒。可选择地,第一匣盒移动器153可包括在其上定位第一匣盒152的定位板、连接到定位板的齿轮单元以及连接到齿轮单元并通过使齿轮单元旋转来改变(例如,变动)定位板的位置的电机。然而,第一匣盒移动器153不限于此,并且可包括可使第一匣盒152在站室151中移动的任何设备和结构。
现在将解释设备100的操作。首先,可在基板210上形成多个层,然后可将基板210运送到装载室110。
在实施例中,可在基板210上形成薄膜晶体管(TFT),且可将钝化膜270形成为覆盖TFT。
在这种情况下,基板210可由玻璃材料形成。然而,本示例性实施例不限于此,基板210可由塑性材料或者诸如SUS和/或钛(Ti)等的金属材料形成。可选择地,基板210可由聚酰亚胺(PI)形成。为了便于解释,下面将集中在基板210由玻璃材料形成的情况。
还可在基板210的顶表面上形成由有机化合物和/或诸如SiOx(x≥1)或SiNx(x≥1)的无机化合物形成的缓冲层220。
在具有设定或预定的图案的有源层230形成在缓冲层220上之后,通过栅极绝缘层240来覆盖有源层230。有源层230包括源区231和漏区233以及形成在源区231与漏区233之间的沟道区232。
有源层230可形成为包括各种合适的材料。例如,有源层230可包括诸如非晶硅和/或晶体硅等的无机半导体材料。可选择地,有源层230可包括氧化物半导体。可选择地,有源层230可包括有机半导体材料。然而,为了便于解释,下面将集中在有源层230由非晶硅形成的情况。
可通过在缓冲层220上形成非晶硅膜、使非晶硅膜结晶以形成多晶硅膜以及图案化多晶硅膜来形成有源层230。有源层230的源区231和漏区233根据诸如驱动TFT或开关TFT的TFT的类型而用杂质掺杂。
在栅极绝缘层240的顶表面上形成与有源层230对应的栅电极250和覆盖栅电极250的层间绝缘层260。
在层间绝缘层260和栅极绝缘层240中形成接触孔H1之后,将源电极271和漏电极272在层间绝缘层260上形成以分别接触源区231和漏区233,由此完成TFT。
在TFT上形成钝化膜270,在钝化膜270上形成有机发光装置(OLED)280的像素电极281。像素电极281通过形成在钝化膜270中的通孔H2来接触TFT的漏电极272。钝化膜270可由无机材料和/或有机材料形成以具有单层结构或多层结构。钝化膜270可不考虑底表面的弯曲形状而形成为具有平坦顶表面的平坦化膜或可形成为具有遵循底表面的弯曲形状的弯曲的顶表面。为了获得共振效应,钝化膜270可由透明绝缘材料形成。
在钝化膜270上形成像素电极281之后,像素限定膜290由有机材料和/或无机材料形成以覆盖像素电极281和钝化膜270,并且被开口以暴露像素电极281。
在像素电极281上至少形成中间层282和对电极283。
像素电极281用作阳极,对电极283用作阴极。然而,在其他实施例中,像素电极281和对电极283的极性可颠倒。
像素电极281和对电极283通过中间层282彼此绝缘。当具有不同极性的电压施加到中间层282时,有机发射层发射光。
中间层282可包括有机发射层。可选择地,中间层282可包括有机发射层,并且还可包括来自空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)当中的至少一个。
一个单元像素可包括多个子像素,多个子像素可发射各种颜色的光。例如,多个子像素可包括分别发射红光、绿光和蓝光的红色、绿色和蓝色子像素,或者可包括发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素。
当将基板210引入装载室110中时,第一传送室121的第一机械手臂R1可将第一沉积室131中的基板210运送到第一传送室121。第一传送室121的第一机械手臂R1可将运送的基板210从第一传送室121运送到连接室160。可选择地,第一机械手臂R1可维持第一机械手臂R1支撑运送的基板210的状态。在这种情况下,第一沉积室131中的掩模M可通过梭141运送到掩模供给室140。位于梭141上的掩模M可设置在掩模供给室140中。具体地,在其中定位已经完全使用的掩模M的第二匣盒142可在掩模供给室140中向上和向下移动,并且掩模M可储存在第二匣盒142中。
新的掩模M可通过第一掩模移动器143从站室151供给到掩模供给室140。在这种情况下,已经定位在第二匣盒142中的掩模M可从掩模供给室140运送到第一沉积室131。在实施例中,梭141可通过第二掩模移动器190从掩模供给室140运送到第一沉积室131。
另外,第一传送室121的第一机械手臂R1可将已经从装载室110供给的基板210从第一传送室121运送到第一沉积室131。在这种情况下,如果第一机械手臂R1支撑在第一沉积室131中已经对其完成沉积的基板210,则在第一机械手臂R1将新的基板210从第一传送室121运送到第一沉积室131之前,第一机械手臂R1可将在第一沉积室中已经对其完成沉积的基板210运送到连接室160。
当将基板210引入到第一沉积室131中时,可在第一沉积室131中执行沉积。在这种情况下,可在第一沉积室131中形成来自中间层282的层当中的至少一层。
连接室160中的基板210可被运送到第二传送室122。在这种情况下,掩模M可从站室151运送到掩模供给室140,然后可被运送到第二沉积室132。运送掩模M的方法与上述的方法相同或相似,因此可不给出其详细的解释。
另外,与第一传送室121的第一机械手臂R1相似,第二传送室122的第二机械手臂R2可将已经对其上完成沉积的基板210从第二沉积室132运送到卸载室170,或者可从第二沉积室132运送已经对其完成沉积的基板210并且维持第二机械手臂R2支撑运送的基板210的状态。为了便于解释,下面将集中在已经对其完成沉积的基板210通过第二机械手臂R2从第二传送室122运送到卸载室170的情况。
第二传送室122的第二机械手臂R2可将连接室160的基板210运送到第二传送室122,然后可将基板210运送回到第二沉积室132。与在第一沉积室131中相似,沉积材料可在第二沉积室132中沉积在基板210上。
可重复地执行上面的工艺。在这种情况下,可在第二沉积室132中执行在第一沉积室131中已经对其完成沉积工艺的基板210的沉积工艺,可在第一沉积室131中执行新的基板210的沉积工艺。具体地,可在第一沉积室131和第二沉积室132中并发地(例如,同时地)执行沉积工艺,掩模供给室140可将掩模M提供到第一沉积室131和第二沉积室132。
在第一沉积室131和第二沉积室132中已经对其完成沉积的基板210可通过第二传送室122的第二机械手臂R2而运送到卸载室170。在这种情况下,卸载室170可将基板210卸到外部,或者可连接到用于执行另一工艺的设备并且可将基板210运送到所述设备。
当沉积材料完全沉积在基板210上时,薄膜包封层E可形成在对电极283上。在这种情况下,薄膜包封层E可包括多个无机层,或者可包括无机层和有机层。
为了防止或基本上防止湿气进入OLED 280,薄膜包封层E的暴露到外部的最上层可以是无机层。
薄膜包封层E可包括至少一个有机层***在至少两个无机层之间的至少一个夹层(sandwich)结构。可选择地,薄膜包封层E可包括至少一个无机层***在至少两个有机层之间的至少一个夹层结构。可选择地,薄膜包封层E可包括至少一个有机层***在至少两个无机层之间的夹层结构以及至少一个无机层***在至少两个有机层之间的夹层结构。
因此,在设备100和制造显示装置200的方法中,因为掩模供给室140在沉积工艺期间直接供给掩模M,所以可减少用于制造显示装置200所花费的时间并且可简化制造显示装置200的工艺。
在设备100和制造显示装置200的方法中,因为提供在第一传送室121和第二传送室122中的每个中的机械手臂R可不运送掩模M,所以可减少或最小化施加到机械手臂R的负载。
图4是示出根据另一示例性实施例的用于制造显示装置200的设备100A的概念图。
参照图4,设备100A可包括装载室110A、传送室120A、沉积室130A、连接室160A、掩模供给室140A、站150A和卸载室170A。
传送室120A可包括第一传送室121A和第二传送室122A,沉积室130A可包括第一沉积室131A和第二沉积室132A。
在这种情况下,装载室110A、传送室120A、沉积室130A、连接室160A和卸载室170A分别与图1至图3的实施例的装载室110、传送室120、沉积室130、连接室160和卸载室170相同或相似,因此可不给出其详细的解释。
掩模供给室140A可包括连接到第一沉积室131A(并且例如不连接到第二沉积室132A)的第一掩模供给室141A。另外,掩模供给室140A可包括连接第二沉积室132A(并且例如不连接到第一沉积室131A)的第二掩模供给室142A。在这种情况下,第一掩模供给室141A和第二掩模沉积室142A与图1至图3的实施例的掩模供给室140相同或相似,因此可不给出其详细的描述。
第一掩模供给室141A和第二掩模供给室142A可彼此面对。即,第一掩模供给室141A和第二掩模供给室142A可设置在第一沉积室131A与第二沉积室132A之间。
站150A可以以各种合适的方式中的任何一种连接到掩模供给室140A。例如,站150A可连接到第一掩模供给室141A和第二掩模供给室142A两者。可选择地,站150A可单独地连接到第一掩模供给室141A和第二掩模供给室142A中的每个。然而,为了便于解释,下面将集中在站150A单独地连接到第一掩模供给室141A和第二掩模供给室142A中的每个的情况。
站150A可包括连接到第一掩模供给室141A(并且例如不连接到第二掩模供给室142A)的第一站151A以及连接到第二掩模供给室142A(并且例如不连接到第一掩模供给室141A)的第二站152A。在这种情况下,第一站151A和第二站152A与图1至图3的实施例的站150相同或基本上相同,因此可不给出其详细的解释。
现在将解释设备100A的操作。首先,基板210可通过装载室110A引入到第一传送室121A中,然后可被运送到第一沉积室131A。在这种情况下,已经在第一沉积室131A中使用的掩模M可定位在从第一掩模供给室141A移动的梭上并可运送到第一掩模供给室141A。另外,在第一沉积室131A中已经对其完成沉积的基板210可通过第一机械手臂R1从第一沉积室131A运送到第一传送室121A。
新的掩模M可通过第一掩模供给室141A从第一站151A运送到第一沉积室131A。可在第一沉积室131A中对基板210执行沉积工艺。
在第一沉积室131A中已经对其完成沉积工艺的基板210可通过第一传送室121A从第一沉积室131A运送到连接室160A。基板210可通过第二传送室122A从连接室160A运送到第二沉积室132A。
在这种情况下,已经在第二沉积室132A中使用的掩模M可如上所述地运送到第二掩模供给室142A,在第二沉积室132A中已经对其完成沉积的基板210可通过第二机械手臂R2从第二沉积室132A运送到第二传送室122A。
另外,新的掩模M可从第二掩模供给室142A运送到第二沉积室132A。接着,可在第二沉积室132A中执行沉积工艺。
已经对其完成沉积工艺的基板210可通过第二传送室122A从第二沉积室132A运送到卸载室170A。
因此,设备100A以及制造显示装置200的方法可减少在沉积工艺期间用于制造显示装置200所花费的时间,并且可简化制造显示装置200的工艺。
在设备100A和制造显示装置200的方法中,因为提供在第一传送室121A和第二传送室122A中的每个中的机械手臂R可不运送掩模M,所以可减小或最小化施加到机械手臂R的负载。
图5是示出根据另一示例性实施例的用于制造显示装置200的设备100B的概念图。
参照图5,设备100B可包括装载室110B、传送室120B、沉积室130B、连接室160B、掩模供给室140B、站150B和卸载室170B。
传送室120B可包括第一传送室121B和第二传送室122B,沉积室130B可包括第一沉积室131B和第二沉积室132B。
在这种情况下,装载室110B、传送室120B、沉积室130B、连接室160B和卸载室170B分别与图1至图3的实施例的装载室110、传送室120、沉积室130、连接室160和卸载室170相同或相似,因此可不给出其详细的解释。
掩模供给室140B可包括连接到第一沉积室131B(并且例如不连接到第二沉积室132B)的第一掩模供给室141B。另外,掩模供给室140B可包括连接到第二沉积室132B(并且例如不连接到第一沉积室131B)的第二掩模供给室142B。在这种情况下,第一掩模供给室141B和第二掩模供给室142B与图1至图3的实施例的掩模供给室140相同或相似,因此,可不给出其详细的解释。
第一掩模供给室141B和第二掩模供给室142B可沿相同的方向设置。例如,当第一掩模供给室141B设置在第一沉积室131B的右侧时,第二掩模供给室142B可设置在第二沉积室132B的右侧。另外,当第一掩模供给室141B设置在第一沉积室131B的左侧时,第二掩模供给室142B可设置在第二沉积室132B的左侧。
站150B可以以各种合适的方式中的任何一种连接到掩模供给室140B。例如,站150B可连接到第一掩模供给室141B和第二掩模供给室142B两者。可选择地,站150B可单独地连接到第一掩模供给室141B和第二掩模供给室142B中的每个。然而,为了便于解释,下面将集中在站150B单独地连接到第一掩模供给室141B和第二掩模供给室142B中的每个的情况。
站150B可包括连接到第一掩模供给室141B(并且例如不连接到第二掩模供给室142B)的第一站151B以及连接到第二掩模供给室142B(并且例如不连接到第一掩模供给室141B)的第二站152B。在这种情况下,第一站151B和第二站152B与图1至图3的实施例的站150相同或相似,因此可不给出其详细的解释。
现在将解释设备100B的操作。首先,可通过装载室110B将基板210引入到第一传送室121B中,然后可将基板210运送到第一沉积室131B。在这种情况下,已经对其完成沉积的基板210可通过第一机械手臂R1从第一沉积室131B运送到第一传送室121B,已经在第一沉积室131B中使用的掩模M可定位在从第一掩模供给室141B移动的梭上并且可运送到第一掩模供给室141B。另外,新的掩模M可通过第一掩模供给室141B从第一站151B运送到第一沉积室131B。新的基板210可从第一传送室121B运送到第一沉积室131B,并且可在第一沉积室131B中对基板210执行沉积工艺。
在第一沉积室131B中已经对其完成沉积工艺的基板210可通过第一传送室121B从第一沉积室131B运送到连接室160B。基板210可通过第二传送室122B从连接室160B运送到第二沉积室132B。
在这种情况下,已经在第二沉积室132B中使用的掩模M可如上所述地运送到第二掩模供给室142B,已经对其完成沉积的基板210可通过第二机械手臂R2从第二沉积室132B运送到第二传送室122B。另外,新的掩模M可从第二掩模供给室142B运送到第二沉积室132B。接着,可在第二沉积室132B中执行沉积工艺。
在第二沉积室132B中已经对其完成沉积工艺的基板210可通过第二传送室122B从第二沉积室132B运送到卸载室170B。
因此,设备100B和制造显示装置200的方法可减少在沉积工艺期间用于制造显示装置200所花费的时间并且可简化制造显示装置200的工艺。
在设备100B和制造显示装置200的方法中,因为提供在第一传送室121B和第二传送室122B中的每个中的机械手臂R可不运送掩模M,所以可减小或最小化施加到机械手臂R的负载。
如上所述,根据上面的示例性实施例中的一个或更多个示例性实施例的设备和制造显示装置的方法,可延长设备的寿命。
根据上面的示例性实施例中的一个或更多个示例性实施例的设备和制造显示装置的方法,因为基板和掩模被单独移动,所以当制造大的显示装置时,可传送掩模。
根据上面的示例性实施例中的一个或更多个示例性实施例的设备和制造显示装置的方法,因为用于运送基板和掩模的结构和工艺被简化,因此可缩短工艺时间。
根据上面的示例性实施例中的一个或更多个示例性实施例的设备和制造显示装置的方法,因为传送室的机械手臂仅运送基板,所以可延长机械手臂的寿命并且可减小故障率。
将理解的是,虽然可在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下,下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于描述,这里可使用诸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……下方”、“在……上面”和“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是,除了在附图中描绘的方位之外,空间相对术语意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则描述为“在”其他元件或特征“下面”或“之下”或“下方”的元件随后将被定位为“在”其他元件或特征“上面”。因此,示例术语“在……下面”或“在……下方”可包括在……上面和在……下面两种方位。装置可被另外定位(例如,旋转90度或在其他方位),并应该相应地解释这里使用的空间相对描述语。此外,还将理解的是,当元件被称为“在”两个组件“之间”时,它可以是在所述两个组件之间的唯一组件,或者也可存在一个或更多个中间组件。
这里使用的术语出于描述具体实施例的目的,而不意图限制本发明构思。除非上下文另外清楚地表示,否则如这里使用的单数形式“一个”和“一种”也意图包括复数形式。还将理解的是,当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时,说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。当诸如“……中的至少一个”的表述在一系列元件之后时,修饰整列的元件(要素)而不是修饰列中的单个元件(要素)。此外,当描述本发明构思的实施例时“可(可以)”的使用是指“本发明构思的一个或更多个实施例”。另外,术语“示例性”意图表示示例或例证。
将理解的是,当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“结合到”或“邻近于”另一元件或层时,它可直接在另一元件或层上、直接连接到、直接结合到或者直接邻近于另一元件或层,或者可存在一个或更多个中间元件或层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接结合到”或“直接邻近于”另一元件或层时,不存在中间元件或层。
如在这里所使用的,术语“基本上”或“大约”以及相似的术语用作包括近似值的术语而不用作程度的术语,并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量或计算值的固有偏差。
如在这里使用的,术语“使用”可被认为与术语“利用”同义。
为了便于解释,可夸大附图中的元件的尺寸。换句话说,因为为了便于解释而任意地示出附图中的元件的尺寸和厚度,所以下面的实施例不限于此。
当可不同地实施特定实施例时,可与描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如,可基本上同时执行或按照与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
尽管已经参照本发明构思的示例性实施例具体示出并描述了本发明构思,但是提供实施例是出于举例说明的目的,并且本领域普通技术人员将理解的是,可从本发明构思作出各种合适的修改和等同的其他实施例。因此,本发明构思的真实技术范围由所附权利要求及其等同物的技术精神来限定。
Claims (10)
1.一种用于制造显示装置的设备,其特征在于,所述设备包括:
装载室,构造成从外部接收基板;
传送室,连接到所述装载室并且包括构造成输送所述基板的机械手臂;
沉积室,连接到所述传送室并且构造成在所述基板从所述传送室输送到所述沉积室之后将沉积材料沉积到所述基板上;
掩模供给室,连接到所述沉积室并构造成向所述沉积室供给堆叠在所述掩模供给室中的多个掩模中的一个;以及
站,连接到所述掩模供给室并且构造成向所述掩模供给室逐个地供给所述多个掩模。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述传送室包括:
第一传送室;以及
第二传送室,与所述第一传送室分隔开并且经由连接室连接到所述第一传送室,
其中,所述沉积室包括:
第一沉积室,连接到所述第一传送室;以及
第二沉积室,连接到所述第二传送室并且与所述第一沉积室分隔开。
3.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述掩模供给室包括:
第一掩模供给室,连接到所述第一沉积室;以及
第二掩模供给室,连接到所述第二沉积室。
4.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述掩模供给室连接到所述第一沉积室和所述第二沉积室两者。
5.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述掩模供给室包括构造成支承所述多个掩模并且构造成向上和向下移动的第二匣盒。
6.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述站包括:
站室,在其中具有空间;
第一匣盒,构造成接收所述多个掩模,所述第一匣盒在所述站室中;以及
第一匣盒移动器,在所述站室中并且构造成移动所述第一匣盒。
7.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述掩模供给室包括构造成接收所述多个掩模的梭,并且构造成输送装载在其上的所述多个掩模中的一个。
8.如权利要求7所述的设备,其特征在于,所述梭构造成移动到所述掩模供给室和所述沉积室中。
9.如权利要求1所述的设备,所述设备还包括在所述掩模供给室中的第一掩模移动器,其中,所述第一掩模移动器构造成将所述多个掩模中的一个从所述站输送到所述掩模供给室或者将所述多个掩模中的一个从所述掩模供给室输送到所述站。
10.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述掩模供给室中的压力在大气压与真空状态下的压力之间变化。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2015-0023148 | 2015-02-16 | ||
KR1020150023148A KR102426712B1 (ko) | 2015-02-16 | 2015-02-16 | 표시 장치 제조 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105895568A true CN105895568A (zh) | 2016-08-24 |
CN105895568B CN105895568B (zh) | 2021-03-09 |
Family
ID=56621265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610011946.7A Active CN105895568B (zh) | 2015-02-16 | 2016-01-08 | 制造显示装置的设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9644258B2 (zh) |
KR (1) | KR102426712B1 (zh) |
CN (1) | CN105895568B (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |