CN105872416A - 一种基于低频放大电路的高清图像信号处理*** - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于低频放大电路的高清图像信号处理***,其特征在于,主要由处理芯片U,场效应管MOS1,场效应管MOS2,分别与处理芯片U的BOOT管脚和VCC管脚相连接的信号输入放大电路,串接在场效应管MOS1的栅极和处理芯片U的UGATE管脚之间的电阻R5,串接在场效应管MOS2的栅极和处理芯片U的LGATE管脚之间的电阻R6,负极与场效应管MOS1的漏极相连接、正极经电阻R7后接地的电容C4等组成。本发明可以对掺杂在图像信号中的干扰信号进行过滤,提高了图像信号的质量,使图像在显示时更加清晰。同时,本发明可以对图像信号进行不失真的放大,提高了图像显示的清晰度。
Description
技术领域
本发明涉及电子领域,具体是指一种基于低频放大电路的高清图像信号处理***。
背景技术
随着社会的发展,图像处理***已被广泛应用于人脸识别、摄影摄像等领域;然而,目前的图像信号处理***存在很大的缺陷,即现有的图像信号处理***无法彻底的对掺杂在图像信号中的干扰信号进行过滤,使其对图像信号处理的效果不佳,导致图像显示效果无法满足人们的需求。
发明内容
本发明的目的在于克服传统的现有的图像信号处理***无法彻底的对掺杂在图像信号中的干扰信号进行过滤的缺陷,提供一种基于低频放大电路的高清图像信号处理***。
本发明的目的通过下述技术方案实现:一种基于低频放大电路的高清图像信号处理***,主要由处理芯片U,场效应管MOS1,场效应管MOS2,分别与处理芯片U的BOOT管脚和VCC管脚相连接的信号输入放大电路,串接在场效应管MOS1的栅极和处理芯片U的UGATE管脚之间的电阻R5,串接在场效应管MOS2的栅极和处理芯片U的LGATE管脚之间的电阻R6,负极与场效应管MOS1的漏极相连接、正极经电阻R7后接地的电容C4,分别与场效应管MOS1和场效应管MOS2相连接的信号滤波电路,串接在处理芯片U的PHASE管脚和信号滤波电路之间的低频放大电路,以及负极与信号滤波电路相连接、正极经电阻R4后与处理芯片U的FB管脚相连接的电容C3组成。
进一步的,所述低频放大电路由放大器P3,三极管VT2,正极与放大器P3的正极相连接、负极经电阻R15后与放大器P3的输出端相连接的电容C7,一端与放大器P3的负极相连接、另一端接地的电阻R13,N极经电阻R14后与放大器P3的负极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3,与二极管D3相并联的电阻R16,P极与二极管D3的N极相连接、N极与二极管D3的P极相连接的二极管D4,正极与放大器P3的输出端相连接、负极经电阻R18后作为该低频放大电路的输出端的电容C8,以及串接在三极管VT2的集电极和电容C8的负极之间的电阻R17组成;所述放大器P3的正极作为该低频放大电路的输入端并与处理芯片U的PHASE管脚相连接;所述三极管VT2的发射极接地;所述低频放大电路的输出端与信号滤波电路相连接。
所述的信号输入放大电路由放大器P1,正极与放大器P1的正极相连接、负极则与放大器P1的输出端相连接的电容C1,一端与放大器P1的负极相连接、另一端接地的电阻R1,串接在放大器P1的输出端和处理芯片U的VCC管脚之间的电阻R3,N极与处理芯片U的BOOT管脚相连接、P极接电源的二极管D1,以及负极接地、正极经电阻R2后与二极管D1的P极相连接的电容C2组成;所述放大器P1的正极作为该信号输入放大电路的输入端、其输出端则与电容C2的负极相连接。
所述信号滤波电路由放大器P2,三极管VT1,正极与场效应管MOS1的源极相连接、负极则与场效应管MOS2的漏极相连接的电容C5,串接在电容C5的正极和放大器P2的输出端之间的电阻R8,串接在电容C5的负极和放大器P2的正极之间的电阻R9,正极与场效应管MOS2的源极相连接、负极接地的电容C6,串接在电容C6的负极和放大器P2的负极之间的电阻R10,串接在放大器P2的输出端和三极管VT1的基极之间的电阻R11,一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端则与电容C3的负极相连接的同时接地的电阻R12,以及P极与三极管VT1的集电极相连接、N极则作为该信号滤波电路的输出端的二极管D2组成;所述电容C5的负极还与低频放大电路的输出端相连接;所述处理芯片U的GND管脚接地。
所述处理芯片U为APW7120集成芯片。
本发明较现有技术相比,具有以下优点及有益效果:
(1)本发明可以对掺杂在图像信号中的干扰信号进行过滤,提高了图像信号的质量,避免图像在显示时出现雪花现象。
(2)本发明采用APW7120集成芯片作为处理芯片,使本发明的结构更加简单。
(3)本发明可以对图像信号进行不失真的放大,提高了图像显示的清晰度。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图。
图2为本发明的低频放大电路的结构图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施方式并不限于此。
实施例
如图1所示,本发明的基于低频放大电路的高清图像信号处理***,主要由处理芯片U,场效应管MOS1,场效应管MOS2,分别与处理芯片U的BOOT管脚和VCC管脚相连接的信号输入放大电路,串接在场效应管MOS1的栅极和处理芯片U的UGATE管脚之间的电阻R5,串接在场效应管MOS2的栅极和处理芯片U的LGATE管脚之间的电阻R6,负极与场效应管MOS1的漏极相连接、正极经电阻R7后接地的电容C4,分别与场效应管MOS1和场效应管MOS2相连接的信号滤波电路,串接在处理芯片U的PHASE管脚和信号滤波电路之间的低频放大电路,以及负极与信号滤波电路相连接、正极经电阻R4后与处理芯片U的FB管脚相连接的电容C3组成。为了更好的实施本发明,所述处理芯片U优选APW7120集成芯片来实现。
其中,该信号输入放大电路由放大器P1,电阻R1,电容C1,电阻R2,电阻R3,电容C2以及二极管D1组成。
连接时,电容C1的正极与放大器P1的正极相连接、其负极则与放大器P1的输出端相连接。电阻R1的一端与放大器P1的负极相连接、其另一端接地。电阻R3串接在放大器P1的输出端和处理芯片U的VCC管脚之间。二极管D1的N极与处理芯片U的BOOT管脚相连接、其P极接电源。电容C2的负极接地、其正极经电阻R2后与二极管D1的P极相连接。所述放大器P1的正极作为该信号输入放大电路的输入端、其输出端则与电容C2的负极相连接。
另外,该信号滤波电路由放大器P2,三极管VT1,电容C5,电容C6,电阻R8,电阻R9,电阻R10,电阻R11,电阻R12以及二极管D2组成。
连接时,电容C5的正极与场效应管MOS1的源极相连接、其负极则与场效应管MOS2的漏极相连接。电阻R8串接在电容C5的正极和放大器P2的输出端之间。电阻R9串接在电容C5的负极和放大器P2的正极之间。电容C6的正极与场效应管MOS2的源极相连接、其负极接地。电阻R10串接在电容C6的负极和放大器P2的负极之间。电阻R11串接在放大器P2的输出端和三极管VT1的基极之间。电阻R12的一端与三极管VT1的发射极相连接、其另一端则与电容C3的负极相连接的同时接地。二极管D2的P极与三极管VT1的集电极相连接、其N极则作为该信号滤波电路的输出端。所述电容C5的负极还与低频放大电路的输出端相连接;所述处理芯片U的GND管脚接地。
如图2所示,低频放大电路由放大器P3,三极管VT2,电阻R13,电阻R14,电阻R15,电阻R16,电阻R17,电阻R18,二极管D3,二极管D4,电容C7以及电容C8组成。
连接时,电容C7的正极与放大器P3的正极相连接、其负极经电阻R15后与放大器P3的输出端相连接。电阻R13的一端与放大器P3的负极相连接、其另一端接地。二极管D3的N极经电阻R14后与放大器P3的负极相连接、其P极与三极管VT2的基极相连接。电阻R16与二极管D3相并联。二极管D4的P极与二极管D3的N极相连接、其N极与二极管D3的P极相连接。电容C8的正极与放大器P3的输出端相连接、其负极经电阻R18后作为该低频放大电路的输出端并与电容C5的负极相连接。电阻R17串接在三极管VT2的集电极和电容C8的负极之间。同时,所述放大器P3的正极作为该低频放大电路的输入端并与处理芯片U的PHASE管脚相连接。所述三极管VT2的发射极接地。
本发明可以对掺杂在图像信号中的干扰信号进行过滤,提高了图像信号的质量,使图像在显示时更加清晰。同时,本发明可以对图像信号进行不失真的放大,提高了图像显示的清晰度。
如上所述,便可很好的实现本发明。
Claims (5)
1.一种基于低频放大电路的高清图像信号处理***,其特征在于,主要由处理芯片U,场效应管MOS1,场效应管MOS2,分别与处理芯片U的BOOT管脚和VCC管脚相连接的信号输入放大电路,串接在场效应管MOS1的栅极和处理芯片U的UGATE管脚之间的电阻R5,串接在场效应管MOS2的栅极和处理芯片U的LGATE管脚之间的电阻R6,负极与场效应管MOS1的漏极相连接、正极经电阻R7后接地的电容C4,分别与场效应管MOS1和场效应管MOS2相连接的信号滤波电路,串接在处理芯片U的PHASE管脚和信号滤波电路之间的低频放大电路,以及负极与信号滤波电路相连接、正极经电阻R4后与处理芯片U的FB管脚相连接的电容C3组成。
2.根据权利要求1所述的一种基于低频放大电路的高清图像信号处理***,其特征在于,所述低频放大电路由放大器P3,三极管VT2,正极与放大器P3的正极相连接、负极经电阻R15后与放大器P3的输出端相连接的电容C7,一端与放大器P3的负极相连接、另一端接地的电阻R13,N极经电阻R14后与放大器P3的负极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3,与二极管D3相并联的电阻R16,P极与二极管D3的N极相连接、N极与二极管D3的P极相连接的二极管D4,正极与放大器P3的输出端相连接、负极经电阻R18后作为该低频放大电路的输出端的电容C8,以及串接在三极管VT2的集电极和电容C8的负极之间的电阻R17组成;所述放大器P3的正极作为该低频放大电路的输入端并与处理芯片U的PHASE管脚相连接;所述三极管VT2的发射极接地;所述低频放大电路的输出端与信号滤波电路相连接。
3.根据权利要求2所述的一种基于低频放大电路的高清图像信号处理***,其特征在于,所述的信号输入放大电路由放大器P1,正极与放大器P1的正极相连接、负极则与放大器P1的输出端相连接的电容C1,一端与放大器P1的负极相连接、另一端接地的电阻R1,串接在放大器P1的输出端和处理芯片U的VCC管脚之间的电阻R3,N极与处理芯片U的BOOT管脚相连接、P极接电源的二极管D1,以及负极接地、正极经电阻R2后与二极管D1的P极相连接的电容C2组成;所述放大器P1的正极作为该信号输入放大电路的输入端、其输出端则与电容C2的负极相连接。
4.根据权利要求3所述的一种基于低频放大电路的高清图像信号处理***,其特征在于,所述信号滤波电路由放大器P2,三极管VT1,正极与场效应管MOS1的源极相连接、负极则与场效应管MOS2的漏极相连接的电容C5,串接在电容C5的正极和放大器P2的输出端之间的电阻R8,串接在电容C5的负极和放大器P2的正极之间的电阻R9,正极与场效应管MOS2的源极相连接、负极接地的电容C6,串接在电容C6的负极和放大器P2的负极之间的电阻R10,串接在放大器P2的输出端和三极管VT1的基极之间的电阻R11,一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端则与电容C3的负极相连接的同时接地的电阻R12,以及P极与三极管VT1的集电极相连接、N极则作为该信号滤波电路的输出端的二极管D2组成;所述电容C5的负极还与低频放大电路的输出端相连接;所述处理芯片U的GND管脚接地。
5.根据权利要求4所述的一种基于低频放大电路的高清图像信号处理***,其特征在于,所述处理芯片U为APW7120集成芯片。
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