CN105785707B - Vcm一体化性能测试方法及*** - Google Patents
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Abstract
一种VCM一体化性能测试方法,包括如下步骤:S1:通过MCU的AD信号采集,计算出VCM阻值,从而得出需要输入的电压V;S2:电源电路在VCM两端施加上述电压V,使得VCM中有对应的初始电流I通过,与VCM测试模块连接的镭射测距仪,其输出的距离数字通过VCM测试模块回传给MCU,MCU计算得出VCM震荡周期T,并将VCM震荡周期T上传服务器;S3:MCU询问是否测试震荡抑制,若是,进入如下步骤:S4:打开MCU的定时器,于第一个震荡周期T内的某一时间点t,调节电压,将对VCM的输入电流i减少到某一个小于初始电流I的电流值,使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震荡抑制。
Description
技术领域
本发明涉及一种VCM一体化性能测试方法及***,尤其是一种能够完成震荡周期测试之后实现震荡抑制的VCM一体化性能测试方法及***。
背景技术
VCM当运动到一个相应的位置是都有一个类似与弹簧的机械震荡,同样也有对应的震荡周期,VCM必须进过一定时间才能达到一个相对稳定期。手机端由于VCM震荡不利于快速对焦,因而抑制震荡是需要解决的一个问题。
发明内容
为了克服上述缺陷,本发明提供一种VCM一体化性能测试方法及***,所述VCM一体化性能测试方法及***能够在完成震荡周期测试之后继续实现震荡抑制。
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案一是:一种VCM一体化性能测试方法,包括如下步骤:S1:通过主控单元(MCU)的AD(模拟-数字)信号采集,计算出VCM阻值,从而得出需要输入的电压V;S2:电源电路在VCM两端施加上述电压V,使得VCM中有对应的初始电流I通过,与VCM测试模块连接的镭射测距仪,其输出的距离数字通过VCM测试模块回传给MCU,MCU计算得出VCM震荡周期T,并将VCM震荡周期T上传服务器;S3:MCU询问是否测试震荡抑制,若是,进入如下步骤:S4:打开MCU的定时器,于第一个震荡周期T内的某一时间点t(0<t<震荡周期(T)),调节电压,将对VCM的输入电流i减少到某一个小于初始电流I的电流值(0<i<初始电流(I)),使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震荡抑制。
作为本发明的进一步改进,所述步骤S4里减少输入电流的时间点t位于T/5与T/4之间,该时间点t的输入电流i为3I/4。
作为本发明的进一步改进,步骤S1之后还包括启动电流测试S11:持续增加电压使通过VCM的电流逐渐增大,观察镭射测距仪是否有质变?若是,将引起镭射测距仪质变的该电流值作为启动电流测试的结果上传服务器。
作为本发明的进一步改进,在步骤S1之后还包括VCM行程测试S12:调节电压使通过VCM的电流从能够承受的最小值逐渐增大到最大值,观察镭射测距仪上的数值变化量,将该数值变化量作为VCM行程测试的结果上传服务器。
作为本发明的进一步改进,在步骤S1之后还包括VCM寿命测试S13:调节电压不间断地给VCM输入能够承受的最小、最大电流,观察镭射测距仪有无大变化?若否,将测试的次数作为VCM寿命测试的结果上传服务器。
作为本发明的进一步改进,还包括步骤S0:MCU询问是EEPROM测试还是VCM测试?若是VCM测试,进入步骤S1;若是EEPROM测试S03,包括如下步骤:
S031:将一个随机数写入任意一个固定地址中;
S032:从同一个地址里读出数据;
S033:判断读出数据是否与写入数据一致?
若是,返回步骤S031;
若否,进入步骤S034:判断失败次数是否超过规定次数?
若否,返回步骤S031;
若是,将读写的次数、失败的次数以及计算得出的出错概率作为EEPROM测试的结果上传服务器。
作为本发明的进一步改进,在步骤S0之前还包括Hall测试S01,包括如下步骤:
S011:分别在水平面内相互垂直的左右方向和前后方向即X/Y方向上向VCM注入正负电流;
S012:测试X/Y方向上Hall是否有电压差?
若是,将Hall是良品作为Hall测试的结果上传服务器;
若否,将Hall是不良品作为Hall测试的结果上传服务器。
作为本发明的进一步改进,在步骤S0之前还包括Gyro测试S02,包括如下步骤:
S021:固定测试***于振动台,实时监控Gyro输出数据;
S022:测试获得Gyro数据的角度以及震动率是否与震动台一致?
若是,将Gyro是良品作为Gyro测试的结果上传服务器;
若否,则将Gyro是不良品作为Gyro测试的结果上传服务器。
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案二是:一种VCM一体化性能测试***,包括给VCM两端施加电压的电源电路、设有定时器的主控单元(MCU)、与主控单元(MCU)连接的服务器、VCM测试模块以及与VCM测试模块连接的镭射测距仪,MCU控制VCM测试模块的运行,VCM测试模块能够在完成VCM震荡测试之后且打开MCU定时器的情况下,通过在第一个震荡周期T内的某一时间点t(0<t<震荡周期(T)),调节电压,将对VCM的输入电流i减少到某一个小于初始电流I的电流值(0<i<初始电流(I)),使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震荡抑制。
作为本发明的进一步改进,还包括受MCU控制运行的EEPROM测试模块、Hall测试模块以及Gyro测试模块。
本发明的有益效果是:本发明VCM一体化性能测试方法及***在完成VCM震荡测试之后且打开MCU定时器的情况下,通过在第一个震荡周期内的某一时间点(0<t<震荡周期(T)),调节电压,将对VCM的输入电流(i)减少到某一个小于初始电流(I)的电流值(0<i<初始电流(I)),使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流,最终恢复初始输入的电流值,从而实现了VCM震荡抑制,即经过本发明VCM一体化性能测试***测试合格的VCM,能够使手机摄像头快速对焦。
附图说明
图1为本发明VCM一体化性能测试方法的整体***原理框图。
图2为本发明VCM一体化性能测试方法中Hall测试***原理框图。
图3为本发明VCM一体化性能测试方法中Gyro测试***原理框图。
图4为本发明VCM一体化性能测试方法中EEPROM测试***原理框图。
图5为本发明VCM一体化性能测试方法中VCM震荡测试及震荡抑制***原理框图。
图6为本发明VCM一体化性能测试方法中VCM启动电流测试***原理框图。
图7为本发明VCM一体化性能测试方法中VCM行程测试***原理框图。
图8为本发明VCM一体化性能测试方法中VCM寿命测试***原理框图。
图9为本发明VCM一体化性能测试***的结构框图。
图10为本发明VCM一体化性能测试***的VCM震荡测试效果图。
图11为本发明VCM一体化性能测试***的VCM震荡抑制实现效果图。
具体实施方式
一种VCM一体化性能测试***,其特征是:包括给VCM两端施加电压的电源电路、设有定时器的主控单元(MCU)、与主控单元(MCU)连接的服务器、VCM测试模块以及与VCM测试模块连接的镭射测距仪,MCU控制VCM测试模块的运行,VCM测试模块能够在完成VCM震荡测试之后且打开MCU定时器的情况下,通过在第一个震荡周期T内的某一时间点t(0<t<震荡周期(T)),调节电压,将对VCM的输入电流i减少到某一个小于初始电流I的电流值(0<i<初始电流(I)),使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震荡抑制。
本发明VCM一体化性能测试***还包括受MCU控制运行的EEPROM测试模块、Hall测试模块以及Gyro测试模块。
本发明VCM一体化性能测试***,其对应于一种VCM一体化性能测试方法,包括如下步骤:
S1:通过主控单元(MCU)的AD(模拟-数字)信号采集,计算出VCM阻值,从而得出需要输入的电压V;
S2:电源电路在VCM两端施加上述电压V,使得VCM中有对应的初始电流I通过,与VCM测试模块连接的镭射测距仪,其输出的距离数字通过VCM测试模块回传给MCU,MCU计算得出VCM震荡周期T,并将VCM震荡周期T上传服务器;
S3:MCU询问是否测试震荡抑制,若是,进入如下步骤:
S4:打开MCU的定时器,于第一个震荡周期T内的某一时间点t(0<t<震荡周期(T)),调节电压,将对VCM的输入电流i减少到某一个小于初始电流I的电流值(0<i<初始电流(I)),使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震荡抑制。
优选实施方式中,镭射测距仪输出的距离数字可以转化成模拟信号在示波器上显示,示波器只是用来显示震荡曲线而已。
优选实施方式中,所述步骤S4里减少输入电流的时间点t位于T/5与T/4之间,该时间点t的输入电流i为3I/4。
VCM震荡测试:VCM当运动到一个相应的位置是都有一个类似与弹簧的机械震荡,同样也有对应的震荡周期,VCM必须进过一定时间才能达到一个相对稳定期。
VCM震荡测试的效果图,请参考图10:该图是VCM输入电流为40mA,镭射输出距离的模拟信号在示波器上的显示,明显可以看出VCM在做振幅衰减的正弦震荡,并经过一段时间趋于平衡(平衡条件峰峰值≤3um);将镭射输出距离的数字,经过***计算得出对应的震荡周期以及稳定时间,并将对应的测试结果显示在PC机的同时上传服务器。
震荡抑制实现:手机端由于VCM震荡不利于快速对焦,因而抑制震荡是需要解决的一个问题。本发明VCM一体化性能测试***基本实现抑制功能。
震荡抑制实现的效果图,请参考图11:在测试VCM震荡时(电流40mA),得到了VCM震荡的周期,***的做法是在先输出40mA到VCM,打开MCU的定时器,当快接近第一个1/4周期时,减少对VCM的输入电流,使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流,直到40mA。
减少输入电流的时间点不同,在该时间点输入电流的骤减的大小程度不同,震荡抑制实现的效果不同,即所需的稳定时间不同。
步骤S1之后还包括启动电流测试S11:持续增加电压使通过VCM的电流逐渐增大,观察镭射测距仪是否有质变?若是,将引起镭射测距仪质变的该电流值作为启动电流测试的结果上传服务器。
对于普通VCM(中置VCM不存在启动电流,故中置VCM此项不测),通过在VCM两端由小到大逐渐输入正向电压,从而通过VCM的电流逐渐增大,使VCM在电流的作用下能向上运动;在加电压的同时监控镭射测距仪,如果测距仪测出的距离数据有明显的上升(排除抖动引起的上升),则该电流值即为VCM的启动电流,将测试结果显示在PC机的同时上传服务器。
在步骤S1之后还包括VCM行程测试S12:调节电压使通过VCM的电流从能够承受的最小值逐渐增大到最大值,观察镭射测距仪上的数值变化量,将该数值变化量作为VCM行程测试的结果上传服务器。
普通VCM,电路中在VCM两端加入正向电压,使输入的电流值(Uout/Rvcm)达到VCM最大值,通过镭射读取当前的高度-数值变化量;中置VCM要分别输入双向电压,使之达到双向最大高度-数值变化量,此时高度即为VCM行程,并将结果显示在PC机的同时上传服务器。
在步骤S1之后还包括VCM寿命测试S13:调节电压不间断地给VCM输入能够承受的最小、最大电流,观察镭射测距仪有无大变化?若否,将测试的次数作为VCM寿命测试的结果上传服务器。
普通VCM测试在VCM两端不间断的输入0V,正向Imax*Rvcm电压,从而使VCM可以在0/Imax mA两个电流值切换运行;中置VCM在VCM两端不间断输入-Imax*Rvcm以及Imax*RvcmmA,使VCM两个电流值中不间断往返运动,使用镭射测距仪对VCM进行测试,当镭射测试在0mA与100mA时距离相差不大时,则认为VCM出现问题,并将该VCM已经测试的次数显示在PC机的同时上传服务器。
还包括步骤S0:MCU询问是EEPROM测试还是VCM测试?若是VCM测试,进入步骤S1;若是EEPROM测试S03,包括如下步骤:
S031:将一个随机数写入任意一个固定地址中;
S032:从同一个地址里读出数据;
S033:判断读出数据是否与写入数据一致?
若是,返回步骤S031;
若否,进入步骤S034:判断失败次数是否超过规定次数?
若否,返回步骤S031;
若是,将读写的次数、失败的次数以及计算得出的出错概率作为EEPROM测试的结果上传服务器。
通过上述步骤,本发明VCM一体化性能测试***通过IIC接口测试EEPROM在不同speed下的稳定性以及读写次数。本发明VCM一体化性能测试***会向同一个地址单元里写入不同的随机数,然后再读出比较,会将出现写入跟读出不一致的次数记录下,直到最终连续写入与读出不一致的次数超过一定次数将认定该EEPROM寿命结束,将测试得到的数据上传服务器,并将出错的概率计算出来;同时***会验证按页写以及连续读等方式下的出错概率等。
在步骤S0之前还包括Hall测试S01,包括如下步骤:
S011:分别在水平面内相互垂直的左右方向和前后方向即X/Y方向上向VCM注入正负电流;
S012:测试X/Y方向上Hall是否有电压差?
若是,将Hall是良品作为Hall测试的结果上传服务器;
若否,将Hall是不良品作为Hall测试的结果上传服务器。
通过上述步骤,本发明VCM一体化性能测试***实时的监控Hall输出的模拟信号,如果一旦检测出模拟信号输出的压差超过一定范围,该***将通过对该方向上的VCM加入电流达到矫正效果。同时矫正效果也可以实时的监控。
在步骤S0之前还包括Gyro测试S02,包括如下步骤:
S021:固定测试***于振动台,实时监控Gyro输出数据;
S022:测试获得Gyro数据的角度以及震动率是否与震动台一致?
若是,将Gyro是良品作为Gyro测试的结果上传服务器;
若否,则将Gyro是不良品作为Gyro测试的结果上传服务器。
通过上述步骤,本发明VCM一体化性能测试***将测试***平台固定于震动机台(固定频率、固定角度)上,主控单元通过SPI接口不断接受Gyro输出的数据,通过串口将数据上传PC,并在PC端判断该Gyro性能是否正常。反之通过性能正常的Gyro也可用于震动台的检测,检测振动台的震动频率以及震动的角度是否有偏差,如有偏差可以及时发出警告。
本发明VCM一体化性能测试方法及***在完成VCM震荡测试之后且打开MCU定时器的情况下,通过在第一个震荡周期内的某一时间点(0<t<震荡周期(T)),调节电压,将对VCM的输入电流(i)减少到某一个小于初始电流(I)的电流值(0<i<初始电流(I)),使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流,最终恢复初始输入的电流值,从而实现了VCM震荡抑制,即经过本发明VCM一体化性能测试***测试合格的VCM,能够使手机摄像头快速对焦。
Claims (10)
1.一种VCM一体化性能测试方法,其特征是:包括如下步骤:
S1:通过主控单元的模拟-数字信号采集,计算出VCM阻值,从而得出需要输入的电压V,并依次询问是否进行VCM震荡测试、是否启动电流测试、是否进行VCM行程测试以及是否进行VCM寿命测试;若询问的结果是进行VCM震荡测试,则进入步骤S2;
S2:电源电路在VCM两端施加上述电压V,使得VCM中有对应的初始电流I通过,与VCM测试模块连接的镭射测距仪,其输出的距离数字通过VCM测试模块回传给主控单元,主控单元计算得出VCM震荡周期T,并将VCM震荡周期T上传服务器;
S3:主控单元询问是否测试震荡抑制,若是,进入如下步骤:
S4:打开主控单元的定时器,于第一个震荡周期T内的某一时间点t,调节电压,将对VCM的输入电流i减少到某一个小于初始电流I的电流值,使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震荡抑制。
2.根据权利要求1所述的VCM一体化性能测试方法,其特征是:所述步骤S4里减少输入电流的时间点t位于T/5与T/4之间,该时间点t的输入电流i为3I/4。
3.根据权利要求1所述的VCM一体化性能测试方法,其特征是:若步骤S1询问的结果是启动电流测试,则进入步骤S11:持续增加电压使通过VCM的电流逐渐增大,观察镭射测距仪是否有质变;若是,将引起镭射测距仪质变的电流值作为启动电流测试的结果上传服务器。
4.根据权利要求1所述的VCM一体化性能测试方法,其特征是:若步骤S1询问的结果是进行VCM行程测试,则进入步骤S12:调节电压使通过VCM的电流从能够承受的最小值逐渐增大到最大值,观察镭射测距仪上的数值变化量,将该数值变化量作为VCM行程测试的结果上传服务器。
5.根据权利要求1所述的VCM一体化性能测试方法,其特征是:若步骤S1询问的结果是进行VCM寿命测试,则进入步骤S13:调节电压不间断地给VCM输入能够承受的最小、最大电流,观察镭射测距仪有无大变化;若否,将测试的次数作为VCM寿命测试的结果上传服务器。
6.根据权利要求1所述的VCM一体化性能测试方法,其特征是:在步骤S1之前还包括步骤S0:主控单元询问是EEPROM测试还是VCM测试;若是VCM测试,进入步骤S1;若是EEPROM测试S03,包括如下步骤:
S031:将一个随机数写入任意一个固定地址中;
S032:从同一个地址里读出数据;
S033:判断读出数据是否与写入数据一致;
若是,返回步骤S031;
若否,进入步骤S034:判断失败次数是否超过规定次数;
若否,返回步骤S031;
若是,将读写的次数、失败的次数以及计算得出的出错概率作为EEPROM测试的结果上传服务器。
7.根据权利要求6所述的VCM一体化性能测试方法,其特征是:在步骤S0之前还包括Hall测试S01,包括如下步骤:
S011:分别在水平面内相互垂直的左右方向和前后方向即X方向和Y方向上向VCM注入正负电流;
S012:测试X方向和Y方向上Hall是否有电压差;
若是,将Hall是良品作为Hall测试的结果上传服务器;
若否,将Hall是不良品作为Hall测试的结果上传服务器。
8.根据权利要求6所述的VCM一体化性能测试方法,其特征是:在步骤S0之前还包括Gyro测试S02,包括如下步骤:
S021:固定测试***于振动台,实时监控Gyro输出数据;
S022:测试获得Gyro数据的角度以及震动率是否与震动台一致;
若是,将Gyro是良品作为Gyro测试的结果上传服务器;
若否,则将Gyro是不良品作为Gyro测试的结果上传服务器。
9.一种VCM一体化性能测试***,其特征是:包括给VCM两端施加电压的电源电路、设有定时器的主控单元、与主控单元连接的服务器、VCM测试模块以及与VCM测试模块连接的镭射测距仪,主控单元控制VCM测试模块的运行,VCM测试模块能够在完成VCM震荡测试之后且打开主控单元定时器的情况下,通过在第一个震荡周期T内的某一时间点t,调节电压,将对VCM的输入电流i减少到某一个小于初始电流I的电流值,使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震荡抑制。
10.根据权利要求9所述的VCM一体化性能测试***,其特征是:还包括受主控单元控制运行的EEPROM测试模块、Hall测试模块以及Gyro测试模块。
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
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Address after: No.3, Taihong Road, Kunshan hi tech Industrial Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Kunshan Qiuti Microelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: No.3, Taihong Road, Kunshan hi tech Industrial Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: KUNSHAN Q TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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