CN105765868A - 用于在电子装置中控制压控振荡器的输出幅度的装置和方法 - Google Patents

用于在电子装置中控制压控振荡器的输出幅度的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105765868A
CN105765868A CN201480061919.XA CN201480061919A CN105765868A CN 105765868 A CN105765868 A CN 105765868A CN 201480061919 A CN201480061919 A CN 201480061919A CN 105765868 A CN105765868 A CN 105765868A
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
control bit
electronic installation
circuit
vco
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480061919.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105765868B (zh
Inventor
李准熙
崔钟元
李永宅
赵丙学
夫荣健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN105765868A publication Critical patent/CN105765868A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105765868B publication Critical patent/CN105765868B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L5/00Automatic control of voltage, current, or power
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/093Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal using special filtering or amplification characteristics in the loop
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/099Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop

Landscapes

  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

提供了用于在电子装置中控制压控振荡器(VCO)的输出幅度的电子装置和方法。该电子装置包括:第一电路,配置为输出与控制电压对应的频率信号;和第二电路,配置为基于频率信号的峰值电压和频率信号的基准电压之间的比较结果来生成控制频率信号的幅度的控制位。

Description

用于在电子装置中控制压控振荡器的输出幅度的装置和方法
技术领域
本公开涉及电子装置中的压控振荡器(VCO)的输出控制。
背景技术
电子装置用许多电路形成。特别地,用于通信的电子装置可以包括用于控制射频(RF)的RF电路,且该RF电路通常包括生成正弦波信号和/或RF信号的频率合成器。在频率合成器的部分配置中,生成期望频率的信号的块被称为压控振荡器(VCO)。
VCO的输出信号的幅度可以根据VCO的消耗电流的量而改变。VCO的消耗电流通常可以根据VCO的工艺偏离和电容而改变。因此,为了将VCO的输出信号的幅度数值恒定地保持为期望值,需要优化电流。根据控制现有技术的VCO的电流的方法,VCO的输出幅度数值与基准电压比较,且通常使用根据比较结果调整以VCO的电流源操作的晶体管的栅极电压的模拟反馈环路方法。
在模拟组件中,比如上述反馈环路方法中频繁地使用的运算放大器(OP-AMP)和比较器,增益、操作速度和带宽可能容易地根据工艺改变而改变。因此,当每个模拟组件不顾工艺改变地执行稳定操作时,可以精确地控制VCO的输出电压。因此,需要构成反馈环路的模拟电路以及VCO的设计的高设计完成度。
另外,当使用模拟反馈环路时,为了测量VCO的输出电压,每个模拟组件应该总是操作。由此,除了VCO的消耗电流之外的附加的电流消耗增加,且非常难以优化VCO的电流。另外,VCO的相位噪声可能由模拟组件生成的噪声恶化。另外,在模拟电路中,当现有的工艺改变为新工艺处理时,例如,当180nm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺改变为65nmCMOS工艺时,性能极大地改变且因此应该再次设计适于其的反馈环路。
以上信息被呈现为背景信息仅为了帮助理解本公开。关于是否任意以上所述相对于本公开可应用为现有技术还未做出确定,且不做出断言。
发明内容
问题的解决方案
本公开的方面至少解决上述问题和/或缺点和至少提供如下所述的优点。因此,本公开的一方面是提供用于在电子装置中控制压控振荡器(VCO)的输出的装置和方法。
本公开的另一方面是提供用于在电子装置中将VCO的输出信号的幅度维持到期望值的装置和方法。
本公开的另一方面是提供用于在电子装置中调整供应到VCO的电流量的装置和方法。
本公开的另一方面是提供用于在电子装置中减小由于VCO的输出控制电路导致的电流消耗量的装置和方法。
根据本公开的一方面,提供了电子装置。该电子装置包括:第一电路,配置为输出与控制电压对应的频率信号;和第二电路,配置为基于频率信号的峰值电压和频率信号的基准电压之间的比较结果来生成控制频率信号的幅度的控制位,其中,该第一电路进一步配置为根据控制位调整频率信号的幅度。
根据本公开的另一方面,提供了操作电子装置的方法。该方法包括:输出与控制电压对应的频率信号,基于频率信号的峰值电压和频率信号的基准电压之间的比较结果来生成控制频率信号的幅度的控制位,和根据控制位调整频率信号的幅度。
对于本领域技术人员,本公开的其它方面、优点和显著特征将从以下详细说明变得明显,以下的详细说明结合附图公开了本公开的各种实施例。
附图说明
根据结合附图进行的以下描述,本公开的某些实施例的上述及其他方面、特征和优点将更为明显,在附图中:
图1是图示根据本公开的实施例的电子装置的配置的框图;
图2是图示根据本公开的实施例的用于电子装置中的压控振荡器(VCO)输出的控制电路的配置的框图;
图3是图示根据本公开的实施例的用于在电子装置中控制VCO输出的信号的改变示例的图;
图4是图示根据本公开的实施例的用于控制电子装置中的VCO输出的信号的另一改变示例的图;
图5是图示根据本公开的实施例的VCO的电路配置的示例的框图;
图6是图示根据本公开的实施例的VCO的信号生成电路的电路配置的示例的图;
图7是图示根据本公开的实施例的VCO的电流源的电路配置的示例的图;
图8是图示根据本公开的实施例的VCO的电路配置的另一示例的框图;
图9是图示根据本公开的实施例的VCO的电流源的电路配置的另一示例的图;
图10是图示根据本公开的实施例的VCO的电路配置的另一示例的框图;
图11是图示根据本公开的实施例的电子装置的操作过程的流程图;和
图12是图示根据本公开的另一实施例的电子装置的操作过程的流程图。
遍及附图,应当注意相同的附图标记用于描述相同或者类似的元件、特征和结构。
具体实施方式
提供参考附图的以下描述以帮助如权利要求和它们的等效物所定义的本公开的各种实施例的全面理解。它包括各种特定细节以帮助理解,但是这些被认为仅是示例性的。因此,本领域普通技术人员将认识到在不脱离本公开的范围和精神的情况下可以做出在这里描述的各种实施例的各种改变且修改。另外,为了清楚和简明可以省略公知的功能和结构的描述。
以下说明书和权利要求中使用的术语和词不限于字面的含义,而是仅由本发明人使用来实现本公开的清楚的和一致的理解。因此,仅为了说明的目的而不是为了限制如所附权利要求和它们的等效物所定义的本公开的目的而提供本公开的各种实施例的以下描述对本领域技术人员是明显的。
将理解单数形式“一”、“一个”和“该”包括多个指代物除非上下文清楚地指示例外情况。因此,例如,“组件表面”的引用包括一个或多个这种表面的引用。
在下文中,将描述根据本公开的实施例在电子装置中控制压控振荡器(VCO)的输出的技术。
图1是图示根据本公开的实施例的电子装置的配置的框图。
参考图1,电子装置包括相位-频率检测单元110、电荷泵120、环路滤波器130、VCO140、N-分配单元150和输出控制器160。
相位-频率检测单元110接收基准时钟和来自N-分配单元150的反馈信号Fdiv,并确定在基准时钟和反馈信号Fdiv之间是否存在频率差和相位差。相位-频率检测单元110基于基准时钟和反馈信号Fdiv输出向上信号UP和向下信号DN之一。也就是,相位-频率检测单元110比较基准时钟和反馈信号Fdiv的相位,并根据比较结果输出向上信号UP和向下信号DN之一。特别地,如果基准时钟的相位比反馈信号Fdiv的相位快,则相位-频率检测单元110输出向上信号UP,且如果基准时钟的相位比反馈信号Fdiv的相位慢,则相位-频率检测单元110输出向下信号DN。
电荷泵120基于来自相位-频率检测单元110的信号输出,将特定量的电荷供应到环路滤波器130或者从环路滤波器130收集特定量的电荷。因为电荷泵120应该以基准电压值根据基准时钟和反馈信号之间的差升高或者降低电压,所以电荷泵120执行两个分支操作。也就是,当升高电压时,电荷泵120供应电荷,且当降低电压时,电荷泵120收集电荷。换句话说,当输入向上信号时,电荷泵120供应电荷,且当输入向下信号时,电荷泵120收集电荷。
环路滤波器130累积和释放从电荷泵120供应或者收集的电荷。在该情况下,环路滤波器130内累积的电荷量由电荷泵120改变。例如,环路滤波器130可以具有低通滤波器(LPF)形式。环路滤波器130施加控制电压到VCO140。也就是,环路滤波器130改变VCO140的控制电压。
VCO140输出与控制电压对应的频率的信号。也就是,VCO140输出与从环路滤波器130输入的电压对应的频率的信号。另外,根据本公开的实施例,VCO140根据输出控制器160的控制来调整电流供应量和输出幅度。
N-分配单元150分配VCO140的输出信号,并将分配的输出信号提供到相位-频率检测单元110。也就是,N-分配单元150将VCO140的输出信号的频率改变为适于相位-频率检测单元110的相位比较的频率。例如,可以类似于数字计数器形成N-分配单元150。
为了将VCO140的输出幅度维持到期望值,输出控制器160控制VCO140。根据本公开的实施例,输出控制器160输出控制位到VCO140。例如,输出控制器160可以控制VCO140的调节器或者电流源。当控制电流源时,控制位可以指令是否激活供应电流的每个晶体管。输出控制器160的具体配置的示例如图2所示。
图2是图示根据本公开的实施例的用于电子装置中的VCO输出的控制电路的配置的框图。图2是图示图1的输出控制器160的配置的框图。
参考图2,输出控制器160包括时钟发生器210、峰值检测单元220、比较器230和幅度控制器240。
时钟发生器210接收基准时钟REF_CLK,并生成要用于VCO140的输出信号的幅度调整的时钟CON_CLK。时钟发生器210提供时钟CON_CLK到幅度控制器240。
峰值检测单元220检测VCO140的输出信号的幅度数值,或者换句话说,检测和/或确定VCO140的输出信号的幅度的数值。峰值检测单元220可以是数字组件。也就是,峰值检测单元220可以根据控制被开启/关闭。
比较器230比较基准电压VREF和由峰值检测单元220检测到的检测电压DET_OUT。比较器230可以是数字组件。也就是,比较器230可以根据控制被开启/关闭。
幅度控制器240根据比较器230的比较结果,生成基于COM_OUT控制VCO140的控制位AMP<n:0>。控制位AMP<n:0>控制VCO的调节器或者电流源。AMP<n:0>包括n个位。
另外,在控制之后,即,完成VCO140的输出信号的幅度的校准之后,幅度控制器240关闭峰值检测单元220和比较器230。为此,幅度控制器240生成停止峰值检测单元220和比较器230的操作的控制信号保持。因此,峰值检测单元220和比较器230停止操作,且电流消耗不由峰值检测单元220和比较器230发生。例如,当初始驱动电子装置时,即,当功率施加到电子装置时,幅度控制器240操作峰值检测单元220和比较器230,且当控制位AMP<n:0>固定时,幅度控制器240关闭峰值检测单元220和比较器230。
如上所述,当初始驱动电子装置时,执行校准,且因此控制VCO的输出幅度的电路可以不总是操作。由此,当VCO操作时,附加的电流消耗量减小,且由于控制输出幅度的电路,VCO的相位噪声恶化可能性极大地减小。另外,因为大多数构成组件用数字电路形成,即使VCO的工艺改变,也可以容易地设计构成组件。另外,由于数字输出,控制输出幅度的电路可以容易地应用于其他电路以及应用于VCO。另外,通过调整可以根据VCO的工艺偏离和电容改变的VCO的输出幅度,可以优化电流。
图3是图示根据本公开的实施例的用于在电子装置中控制VCO输出的信号的改变示例的图。图3图示VCO的输出幅度小于目标值的情况。
参考图3,REF_CLK302是供应到控制VCO的输出幅度的电路的基准时钟,且CON_CLK304是控制基于REF_CLK302生成的VCO的输出幅度的电路内的组件的时钟。参考图3,通过将REF_CLK302的频率划分为1/2而生成CON_CLK304。COM_OUT306是表示基准电压和从VCO的输出信号检测到的峰值电压的比较结果的信号,保持308是停止控制VCO的输出幅度的电路内的组件当中的至少一个操作的信号,且AMP310是控制VCO的幅度的控制位。
参考图3,因为VCO的输出幅度小于目标值,所以COM_OUT306维持高值。例如,图2的比较器230可以输出高值。在作为CON_CLK304的上升边界的时间点t1,因为COM_OUT306是高值,所以AMP310中设置为1的位数增加。在时间点t2,时间点t3和时间点t4,因为COM_OUT306维持高值,所以AMP310中连续地设置为1的位数增加。
此后,在时间点t4之后和时间点t5之前,COM_OUT306改变为低值。也就是,随着AMP310增加,VCO的输出幅度连续地增加且因此在特定时间点,VCO的输出幅度超过基准电压,且因此出现COM_OUT306改变为低值的时刻。因此,在时间点t5,保持308改变为高值。因此,停止接收保持308的控制的至少一个组件的操作。例如,至少一个组件可以包括图2的峰值检测单元220和比较器230。因此,减小至少一个组件的电流消耗。
图4是图示根据本公开的实施例的用于在电子装置中控制VCO输出的信号的另一改变示例的图。图4图示VCO的输出幅度大于目标值的情况。
参考图4,REF_CLK402是供应到控制VCO的输出幅度的电路的基准时钟,且CON_CLK404是控制基于REF_CLK402生成的VCO的输出幅度的电路内的组件的时钟。参考图4,通过将REF_CLK402的频率划分为1/2而生成CON_CLK404。COM_OUT406是表示基准电压和从VCO的输出信号检测到的峰值电压的比较结果的信号,保持408是停止控制VCO的输出幅度的电路内的至少一个组件的操作的信号,且AMP410是控制VCO的幅度的控制位。
参考图4,因为VCO的第一输出幅度大于目标值,所以COM_OUT406维持低值。例如,图2的比较器230可以输出高值。在作为CON_CLK404的上升边界的时间点t1,因为COM_OUT406是低值,所以AMP410中设置为1的位数减少。在时间点t2,时间点t3和时间点t4,因为COM_OUT406维持低值,所以AMP410中连续地设置为1的位数减少。
此后,在时间点t4之后和时间点t5之前,COM_OUT406改变为高值。也就是,随着AMP410增加,VCO的输出幅度连续地增加且因此在特定时间点,VCO的输出幅度超过基准电压,且因此出现COM_OUT406改变为高值的时刻。因此,在时间点t5,保持408改变为高值。因此,停止接收保持408的控制的至少一个组件的操作。例如,至少一个组件可以包括图2的峰值检测单元220和比较器230。因此,减小至少一个组件的电流消耗。
如上所述,控制VCO的输出幅度的电路输出控制位,且VCO的输出幅度由控制位增大或减小。控制位可以控制从VCO的电流源供应的电流量或者可以控制VCO的调节器。在下文中,将参考附图具体描述通过控制位控制幅度的方法。
图5是图示根据本公开的实施例的VCO的电路配置的示例的框图。
参考图5,VCO包括信号生成电路510和电流源520。信号生成电路510生成频率信号,且该频率信号输出到端子VOUT和端子VOUTB。信号生成电路510消耗用于操作的电流,且电流输入到端子IIN并流到端子IOUT。可以形成信号生成电路510,如图6所示。
图6是图示根据本公开的实施例的VCO的信号生成电路的电路配置的示例的图。
参考图6,信号生成电路510包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管602、第二PMOS晶体管604、电容器606、电感器608、可变电容器610和612、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管614和第二NMOS晶体管616。第一PMOS晶体管602和第二PMOS晶体管604的源极连接到端子IIN,第一PMOS晶体管602的栅极连接到第二PMOS晶体管604的漏极,且第二PMOS晶体管604的栅极连接到第一PMOS晶体管602的漏极。电容器606和电感器608的两端分别连接到端子VOUT和端子VOUTB,且可变电容器610的一端和612的一端彼此连接,且它们的另一端分别连接到端子VOUT和端子VOUTB。第一NMOS晶体管614和第二NMOS晶体管616的源极连接到端子IOUT,第一NMOS晶体管614的栅极连接到第二NMOS晶体管616的漏极,且第二NMOS晶体管616的栅极连接到第一NMOS晶体管614的漏极。
电流源520连接到端子IOUT,并供应用于信号生成电路510的操作的电流。连接到端子IOUT的电流源520是使用NMOS晶体管的情况的电流源,且具有小于使用PMOS晶体管的情况的电流源的尺寸,但是可能产生相对大的噪声。电流源520根据控制位AMP调整电流量供应。例如,电流源520可以包括供应电流的多个晶体管,且仅激活控制位AMP中包括的设置为正值例如1的位数的晶体管,由此调整供应电流量。例如,可以形成电流源520,如图7所示。
图7是图示根据本公开的实施例的VCO的电流源的电路配置的示例的图。
参考图7,电流源520包括N个NMOS晶体管702-1到702-N。N个NMOS晶体管702-1到702-N中的每一个根据控制位AMP的每一位的值供应电流。N个NMOS晶体管702-1到702-N的漏极连接到端子IOUT,且其源极接地。控制位AMP的每一位施加于N个NMOS晶体管702-1到702-N中的每一个的栅极。在该情况下,仅接收正值(例如,1)的NMOS晶体管供应电流。也就是,因为仅并联连接的N个NMOS晶体管702-1到702-N当中的整体或者由控制位AMP指令的部分供应电流,所以可以调整电流源520的整体供应电流量。
图8是图示根据本公开的实施例的VCO的电路配置的另一示例的图。
参考图8,VCO包括信号生成电路810和电流源820。信号生成电路810生成频率信号,且该频率信号输出到端子VOUT和端子VOUTB。信号生成电路810消耗用于操作的电流,且该电流输入到端子IIN并流到端子IOUT。可以形成信号生成电路810,如图6所示。
电流源820连接到端子IIN,并供应用于信号生成电路810的操作的电流。连接到端子IOUT的电流源820是使用PMOS晶体管的情况的电流源,且具有大于使用NMOS晶体管的情况的尺寸的尺寸,但是可能产生相对小的噪声。电流源820根据控制位AMP调整电流量供应。例如,电流源820可以包括供应电流的多个晶体管,且仅激活控制位AMP中包括的设置为正值例如1的位数的晶体管,由此调整供应电流量。例如,可以形成电流源820,如图9所示。
图9是图示根据本公开的实施例的VCO的电流源的电路配置的另一示例的图。
参考图9,电流源820包括反相器902和N个PMOS晶体管904-1到904-N。为了与图7所示的使用PMOS晶体管的情况以相同控制位AMP执行相同控制,反相器902反转控制位AMP的值。N个PMOS晶体管904-1到904-N中的每一个根据反转的控制位AMP的每一位的值供应电流。N个PMOS晶体管904-1到904-N的漏极连接到端子IIN。反转的控制位AMP的每一位施加于N个PMOS晶体管904-1到904-N中的每一个的栅极。在该情况下,仅接收负值例如0的PMOS晶体管供应电流。也就是,因为仅并联连接的N个PMOS晶体管904-1到904-N当中的整体或者由控制位AMP指令的部分供应电流,所以可以调整电流源820的整体供应电流量。
图10是图示根据本公开的实施例的VCO的电路配置的另一示例的图。
参考图10,VCO包括信号生成电路1010和低压差(LDO)调节器1020。信号生成电路1010生成频率信号,且该频率信号输出到端子VOUT和端子VOUTB。信号生成电路1010消耗用于操作的电流,且该电流输入到端子IIN并流到端子IOUT。可以形成信号生成电路1010,如图6所示。
LDO调节器1020连接到端子IIN并提供供应电压,且在该情况下,LDO调节器1020根据控制位AMP调整供应电压。例如,LDO调节器1020可以根据控制位AMP中包括的设置为正值例如1的位数确定供应电压的值。例如,随着设置为正值的位数增加,供应电压的值可以增加。
图11是图示根据本公开的实施例的电子装置的操作过程的流程图。
参考图11,在操作1101,电子装置根据VCO输出的峰值电压和基准电压之间的比较结果,改变控制VCO的输出幅度的控制位(即,位串)的值。也就是,控制位具有初始值,且电子装置根据比较结果改变控制位的值。这里,改变控制位的值以增大或者减小幅度。例如,改变可以包括设置为1的位数目的增大或者减小。虽然图11中未示出,电子装置周期性地比较VCO输出的峰值电压和基准电压,并确定其数值。
此后,在操作1103,电子装置根据控制位(即,位串)控制VCO输出的幅度。例如,控制位可以控制VCO的电流源或者VCO的调节器。当控制电流源时,控制位可以指令是否激活供应电流的每个晶体管。替代地,当控制调节器时,控制位可以指令调节器的供应电压。也就是,电子装置输入控制位到电流源或者调节器。因此,VCO输出的幅度增大或者减小。
此后,在操作1105,电子装置确定VCO输出的峰值电压和基准电压之间的比较结果是否改变。例如,电子装置可以确定VCO输出的峰值电压之前大于基准电压但是VCO输出的峰值电压由于控制位的改变而变得小于基准电压的情形是否发生,或者VCO输出的峰值电压之前小于基准电压但是VCO输出的峰值电压由于控制位的改变而变得大于基准电压的情形是否发生。也就是,电子装置确定是否到达确定控制位的值的时间点。
如果VCO输出的峰值电压和基准电压之间的比较结果未改变,即,如果无论控制位的改变,VCO输出的峰值电压和基准电压的数值关系都维持,则处理返回到操作1101。如果VCO输出的峰值电压和基准电压之间的比较结果改变,即,如果无论控制位的改变,VCO输出的峰值电压和基准电压的数值关系都改变,则在操作1107电子装置确定控制位(即,位串)的值为当前值。也就是,电子装置不再改变控制位的值。
图12是图示根据本公开的另一实施例的电子装置的操作过程的流程图。
参考图12,在操作1201,电子装置确定是否最初驱动电子装置。例如,电子装置可以确定其电源是否在关闭状态下被打开。
如果初始驱动电子装置,则在操作1203电子装置调整VCO的输出幅度。例如,电子装置可以基于VCO的输出的峰值电压调整输出幅度。特别地,电子装置根据VCO输出的峰值电压和基准电压之间的比较结果来改变控制VCO的输出幅度的控制位的值,并根据所改变的值的控制位来控制VCO输出的幅度。在重复地执行控制位的值改变和VCO输出的幅度控制的处理中,当比较结果改变时,例如,VCO输出的峰值电压之前大于基准电压,但是当VCO输出的峰值电压由于控制位的改变而变得小于基准电压的情形出现时,或者VCO输出的峰值电压之前小于基准电压,但是当VCO输出的峰值电压由于控制位的改变而变得大于基准电压的情形出现时,电子装置确定控制位的值。
此后,在操作1205电子装置关闭幅度调整电路。换句话说,在确定VCO的输出幅度之后,即,在确定控制VCO的输出幅度的控制位的值之后,电子装置关闭幅度调整电路。也就是,电子装置禁用幅度调整电路内的至少一个组件。
如上所述,当初始驱动电子装置时执行VCO幅度调整过程。特别地,可以在电子装置的电源首次打开之后的预定时间之后执行VCO幅度调整过程。这是由于直到至少电子装置内的电路正常地操作可能需要预定时间。例如,在需要工艺偏离的补偿的电路和用于补偿工艺偏离的电路变为正常状态之后,可以执行VCO幅度调整过程。也就是,在本公开中,“初始驱动”包括可以正常地操作的状态。
如上所述,在本公开的实施例中,当初始驱动电子装置时,电子装置执行校准,且用于调整幅度的电路可以不总是操作。由此,除了VCO电路的操作之外的用于幅度调整的另外的电流消耗可以不发生,且要补偿的电路的相位噪声恶化可能性非常低。
在电子装置中,因为用于VCO的幅度调整的校准过程不是总是操作,当VCO实际上操作时,最小化另外的电流消耗。另外,因为使用相对简单的数字电路形成用于幅度的调整的电路,所以即使工艺改变,也可以容易地设计电路。另外,由于数字输出,电路可以容易地应用于其他电路以及VCO。
根据说明书中的权利要求和描述的本发明的实施例可以以硬件、软件或者硬件和软件的组合的形式实现。
这种软件可以存储在计算机可读存储介质中。计算机可读存储介质存储一个或多个程序(软件模块),该一个或多个程序包括指令,该指令在由电子装置中的一个或多个处理器执行时使得电子装置执行本发明的方法。
这种软件可以以易失性或者非易失性存储的形式存储,例如,比如只读存储器(ROM)的存储装置,无论是可擦除的或者可重写的或者不是,或者以存储器的形式存储,例如,随机存取存储器(RAM)、存储器芯片、器件或者集成电路,或者存储在光或者磁地可读介质上,例如,致密盘(CD)、数字视频盘(DVD)、磁盘或者磁带等。将认识到存储器件和存储介质是适于存储包括指令的一个或多个程序的机器可读存储设备的实施例,该指令当被执行时实现本发明的实施例。实施例提供包括用于实现如本说明书的任何一个权利要求中所请求的设备或者方法的代码的程序和存储这种程序的机器可读存储设备。此外,这种程序可以经由任何介质,比如在有线或者无线连接之上携带的通信信号电子地传送,且实施例适当地包含其。
在本公开的前述各种实施例中,本公开中包括的构成组件根据提出的实施例以单数或者复数表示。但是,选择适于为了描述的便利提出的情形的单数或者复数的表示,且本公开不限于单个构成组件或者多个构成组件,且以复数表示的构成组件可以以单数形成,或者以单数表示的构成组件可以以复数形成。
虽然已经参考本公开的各种实施例示出和描述了本公开,本领域技术人员将理解在其中可以做出形式和细节上的各种改变而不脱离如所附权利要求及其等效物所定义的本公开的精神和保护范围。

Claims (15)

1.一种电子装置,包括:
第一电路,配置为输出与控制电压对应的频率信号;和
第二电路,配置为基于频率信号的峰值电压和频率信号的基准电压之间的比较结果来生成控制频率信号的幅度的控制位,
其中,所述第一电路进一步配置为根据所述控制位调整所述频率信号的幅度。
2.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述第二电路包括:
检测单元,配置为检测所述峰值电压;
比较器,配置为比较所述峰值电压和所述基准电压;和
控制器,配置为根据所述比较器的比较结果来生成控制位。
3.如权利要求2所述的电子装置,其中,所述检测单元和所述比较器中的每一个配置为能够被打开/关闭的数字组件。
4.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述第二电路进一步配置为当所述峰值电压大于所述基准电压时顺序地改变所述控制位的值从而减小幅度,和如果所述峰值电压小于所述基准电压,则确定所述控制位的值。
5.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述第二电路进一步配置为当所述峰值电压小于所述基准电压时顺序地改变所述控制位的值从而增大幅度,和如果所述峰值电压大于所述基准电压,则确定所述控制位的值。
6.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述第二电路进一步配置为如果所述频率信号的幅度具有与所述基准电压对应的数值,则被关闭。
7.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述第二电路进一步配置为当初始驱动所述电子装置时操作。
8.一种用于操作电子装置的方法,所述方法包括:
输出与控制电压对应的频率信号;
基于频率信号的峰值电压和频率信号的基准电压之间的比较结果来生成控制频率信号的幅度的控制位;和
根据所述控制位调整所述频率信号的幅度。
9.如权利要求8所述的方法,其中,所述控制位的生成包括:
检测所述峰值电压;
比较所述峰值电压和所述基准电压;和
根据比较器的比较结果生成所述控制位。
10.如权利要求9所述的方法,其中,所述峰值电压的检测以及所述峰值电压与所述基准电压的比较中的每一个由能够被打开/关闭的数字组件执行。
11.如权利要求8所述的方法,进一步包括:
当所述峰值电压大于所述基准电压时顺序地改变所述控制位的值从而减小幅度;和
如果所述峰值电压小于所述基准电压,则确定所述控制位的值。
12.如权利要求8所述的方法,进一步包括:
当所述峰值电压小于所述基准电压时顺序地改变所述控制位的值从而增大幅度;和
如果所述峰值电压大于所述基准电压,则确定所述控制位的值。
13.如权利要求1所述的电子装置或者如权利要求8所述的方法,其中,所述控制位指令是否激活从所述第一电路的电流源供应电流的每个组件。
14.如权利要求1所述的电子装置或者如权利要求8所述的方法,其中,所述控制位指令所述第一电路的调节器的供应电压。
15.如权利要求1所述的电子装置或者如权利要求8所述的方法,其中,所述第一电路包括压控振荡器(VCO)。
CN201480061919.XA 2013-11-12 2014-10-29 用于在电子装置中控制压控振荡器的输出幅度的装置和方法 Expired - Fee Related CN105765868B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0137011 2013-11-12
KR1020130137011A KR20150054506A (ko) 2013-11-12 2013-11-12 전자 장치에서 전압 제어 오실레이터의 출력 진폭 제어 장치 및 방법
PCT/KR2014/010227 WO2015072679A1 (en) 2013-11-12 2014-10-29 Device and method for controlling output amplitude of voltage control oscillator in electronic device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105765868A true CN105765868A (zh) 2016-07-13
CN105765868B CN105765868B (zh) 2019-10-11

Family

ID=53043297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480061919.XA Expired - Fee Related CN105765868B (zh) 2013-11-12 2014-10-29 用于在电子装置中控制压控振荡器的输出幅度的装置和方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9252784B2 (zh)
KR (1) KR20150054506A (zh)
CN (1) CN105765868B (zh)
WO (1) WO2015072679A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107800387A (zh) * 2017-09-11 2018-03-13 西安电子科技大学 一种振幅控制电路及电感电容压控振荡器电路

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210022355A (ko) 2019-08-20 2021-03-03 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 신호 진폭 조절 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7123113B1 (en) * 2004-06-11 2006-10-17 Cypress Semiconductor Corp. Regulated, symmetrical crystal oscillator circuit and method
JP2011082744A (ja) * 2009-10-06 2011-04-21 Nec Corp 電圧制御発振装置および振幅調整方法
CN102868397A (zh) * 2011-07-05 2013-01-09 杭州中科微电子有限公司 可优化压控振荡器性能的自校正频率综合器及其优化方法
CN203014748U (zh) * 2012-11-29 2013-06-19 杭州士兰微电子股份有限公司 微机械陀螺仪闭环驱动自动增益控制电路

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7062229B2 (en) 2002-03-06 2006-06-13 Qualcomm Incorporated Discrete amplitude calibration of oscillators in frequency synthesizers
US7038552B2 (en) 2003-10-07 2006-05-02 Analog Devices, Inc. Voltage controlled oscillator having improved phase noise
TWI264875B (en) 2005-01-14 2006-10-21 Ind Tech Res Inst Voltage controlled oscillator capable of resisting supply voltage variation and/or process variation
KR100830899B1 (ko) 2006-09-15 2008-05-22 한국과학기술원 전압 제어 발진기의 이득 측정 방법 및 이를 이용하는주파수 합성기
US7961056B2 (en) 2009-09-10 2011-06-14 Intel Corporation Low phase noise voltage controlled oscillator

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7123113B1 (en) * 2004-06-11 2006-10-17 Cypress Semiconductor Corp. Regulated, symmetrical crystal oscillator circuit and method
JP2011082744A (ja) * 2009-10-06 2011-04-21 Nec Corp 電圧制御発振装置および振幅調整方法
CN102868397A (zh) * 2011-07-05 2013-01-09 杭州中科微电子有限公司 可优化压控振荡器性能的自校正频率综合器及其优化方法
CN203014748U (zh) * 2012-11-29 2013-06-19 杭州士兰微电子股份有限公司 微机械陀螺仪闭环驱动自动增益控制电路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107800387A (zh) * 2017-09-11 2018-03-13 西安电子科技大学 一种振幅控制电路及电感电容压控振荡器电路
CN107800387B (zh) * 2017-09-11 2020-11-10 西安电子科技大学 一种振幅控制电路及电感电容压控振荡器电路

Also Published As

Publication number Publication date
US20150130542A1 (en) 2015-05-14
WO2015072679A1 (en) 2015-05-21
US9252784B2 (en) 2016-02-02
CN105765868B (zh) 2019-10-11
KR20150054506A (ko) 2015-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7595682B2 (en) Multi-stage charge pump without threshold drop with frequency modulation between embedded mode operations
US8143940B2 (en) Internal supply voltage generating circuit and method for generating internal supply voltage
KR100891300B1 (ko) 반도체 장치 및 그 구동방법
US10193558B2 (en) Clock signal and supply voltage variation tracking
CN104980126A (zh) 一种时钟占空比调整电路及多相位时钟产生器
CN104426360A (zh) 用于电荷泵的调节电路和调节方法
KR101001145B1 (ko) 상변환 메모리 장치의 내부전압 생성회로 및 생성방법
CN102169710B (zh) 半导体装置
US9467121B2 (en) Apparatus and method for compensating for process variation in electronic device
KR101034613B1 (ko) 내부전압발생회로
CN105765868A (zh) 用于在电子装置中控制压控振荡器的输出幅度的装置和方法
US10921837B2 (en) Voltage regulator and operating method thereof
US8300489B2 (en) Charge pump system and method utilizing adjustable output charge and compilation system and method for use by the charge pump
CN109286313A (zh) 倍压电路的控制方法及装置、存储介质
KR20140017221A (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작방법
US7348828B2 (en) Voltage supplier of semiconductor memory device
KR20120068228A (ko) 반도체 장치 및 그 동작방법
US20140028276A1 (en) Internal voltage generator having immunity to ground bouncing
US7795936B2 (en) Data center tracking circuit and semiconductor integrated circuit including the same
CN104020807A (zh) 读出放大器电压调节器
KR100566301B1 (ko) 내부전원 발생장치
US7656222B2 (en) Internal voltage generator
US20140167849A1 (en) Differential amplifier
KR100772711B1 (ko) 내부전원 생성장치
KR100634441B1 (ko) 고전압 발생회로

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20191011

Termination date: 20211029

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee