CN105763165A - 一种石英振荡器真空溅射镀膜装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种石英振荡器真空溅射镀膜装置，包括底板、溅射夹具和多块掩膜板，溅射夹具安装在底板上，溅射夹具包括单边卡槽和双边卡槽，双边卡槽设置在两个所述单边卡槽之间，两个所述掩膜板分别嵌入所述双边卡槽与两个单边卡槽之间，掩膜板包括上框架、下框架、上掩膜板和下掩膜板，上掩膜板由所述上框架固定，下掩膜板由所述下框架固定，石英晶片放置在所述上掩膜板和所述下掩膜板之间。本发明为一种石英振荡器真空溅射镀膜装置，采用两片掩膜板***溅射，同一片掩膜板上镀膜厚度更加均匀，并且能够提高材料利用率，降低了生产成本，具有推广使用的价值。

Description

一种石英振荡器真空溅射镀膜装置

技术领域

本发明涉及一种石英晶体振荡器镀膜装置，尤其涉及一种石英振荡器真空溅射镀膜装置。

背景技术

石英晶体振荡器是一种高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及在通信***中用于频率发生器，为数据处理设备产生时钟信号和特定***提供基准信号。

近年来，随着智能手机和平板等的移动终端的高集成化、多功能化，为了开发出实现更加高密度封装的集成芯片组，与此相适应，芯片上的搭载器件被要求尺寸更小、厚度更薄和功耗更低。生产石英晶体振荡器的实际问题也愈发明显，如何在大批量生产小型化的石英晶体振荡器的同时降低生产成本以及增加生产产能，成为众多企业的当务之急。

生产石英晶体振荡器会用到溅射掩膜夹具，在目前的溅射掩膜夹具中，每片夹具能够搭载185片晶片，总有5片可以同时进行溅射，故总共有185*5＝925片晶片可以进行一次溅射镀膜，由于真空溅射原理决定，靶材是无间隙全方位的面向掩膜板进行溅射，故很多没有晶片的空缺位置也会有金属沉积，造成靶材利用率不高，并且晶片的产能较低。

发明内容

本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种石英振荡器真空溅射镀膜装置。

为了达到上述目的，本发明采用了以下技术方案：

一种石英振荡器真空溅射镀膜装置，包括底板、溅射夹具和多块掩膜板，所述溅射夹具安装在所述底板上，所述溅射夹具包括单边卡槽和双边卡槽，所述双边卡槽设置在两个所述单边卡槽之间，两个所述掩膜板分别嵌入所述双边卡槽与两个所述单边卡槽之间。

采用两片掩膜板***溅射，同一片掩膜板上镀膜厚度更加均匀，并且能够提高材料利用率。

具体地，所述掩膜板包括上框架、下框架、上掩膜板和下掩膜板，所述上掩膜板由所述上框架固定，所述下掩膜板由所述下框架固定，石英晶片放置在所述上掩膜板和所述下掩膜板之间。

具体地，所述掩膜板上的通孔为876个。

掩膜板增加了电极掩膜数量，每片夹具能够搭载768片石英晶片，当溅射设备工作时能够放入2片掩膜板进行溅射，一次通过设备的晶片数量为：768*2＝1536个晶片，大大提高了产量。

本发明的有益效果在于：

本发明为一种石英振荡器真空溅射镀膜装置，采用两片掩膜板***溅射，同一片掩膜板上镀膜厚度更加均匀，并且能够提高材料利用率，降低了生产成本，具有推广使用的价值。

附图说明

图1是本发明中所述溅射夹具的结构示意图；

图2为本发明中所述掩膜板的结构示意图；

图3是本发明中所述掩膜板的分层结构示意图。

图中：1-单边卡槽，2-双边卡槽，3-底板，4-掩膜板，5-上掩膜板，6-上框架，7-下框架，8-下掩膜板。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所参考附图仅用来辅助说明和解释本发明具体实施方式，本发明的附图并不用于限制上述所提供的附图。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下、左、右、前、后”及其他位置关系是按照的说明书附图来描述。

如图1和图2所示，本发明为一种石英振荡器真空溅射镀膜装置，包括底板3、溅射夹具和多块掩膜板4，溅射夹具安装在底板3上，溅射夹具包括单边卡槽1和双边卡槽2，双边卡槽2设置在两个单边卡槽1之间，两个掩膜板4分别嵌入双边卡槽2与两个单边卡槽1之间。

如图3所示，掩膜板包括上框架6、下框架7、上掩膜板5和下掩膜板8，上掩膜板5由上框架6固定，下掩膜板8由下框架7固定，石英晶片放置在上掩膜板5和下掩膜板8之间。掩膜板4上的通孔为876个。

本发明通过增加单位面积掩膜板4的数量已达到提高靶材溅射利用率的目的。掩膜板4适用于3225，2520，2016，1612等型号(3225指产品尺寸长3.2mm、宽2.5mm)的晶体振荡器溅射镀膜使用。掩膜板4适用于频率范围为15MHz---60MHz的石英晶体振荡器。

本发明中，溅射镀膜靶材材质一般选择金属金、金属银、金属镍。掩膜板4的厚度、长度、宽度等，可根据实际生产的晶体振荡器尺寸来确定。

本发明通过对溅射镀膜掩膜板4的排列以及溅射夹具的改进，已提高溅射靶材的利用率和设备产能。通过对溅射掩膜板4的改进能够有效节约靶材金的用量约40％，同时在不改变设备的情况下提高设备产能66％，

本发明采用紧密式的电极排布方式，掩膜板4的溅射方式改为2片式***溅射，这有利于在同一片掩膜板上镀膜厚度更加均匀，并且能够提高溅射靶材利用率，且在本发明中，掩膜板4增加了电极掩膜的数量，每片夹具能够搭载768片石英晶片，当溅射设备工作时能够放入2片掩膜板进行溅射，故一次通过设备的晶片数量为：768*2＝1536个晶片，相比采用5片掩膜板的溅射方式，一次溅射得到的925个晶片，整整多出了(1536-925)/925＝66％，即在不改变设备以及其他的投入下，使用本发明的掩膜板4就有66％的产量提升，同时一次溅射使用的靶材金重量是一定的，变相的节约金的用量，提高靶材金的利用率。

以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想的情况下，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (4)

1.一种石英振荡器真空溅射镀膜装置，包括底板、溅射夹具和多块掩膜板，所述溅射夹具安装在所述底板上，其特征在于：所述溅射夹具包括单边卡槽和双边卡槽，所述双边卡槽设置在两个所述单边卡槽之间，两个所述掩膜板分别嵌入所述双边卡槽与两个所述单边卡槽之间。

2.根据权利要求1所述的石英振荡器真空溅射镀膜装置，其特征在于：所述掩膜板包括上框架、下框架、上掩膜板和下掩膜板，所述上掩膜板由所述上框架固定，所述下掩膜板由所述下框架固定，石英晶片放置在所述上掩膜板和所述下掩膜板之间。

3.根据权利要求1所述的石英振荡器真空溅射镀膜装置，其特征在于：所述掩膜板上的通孔为876个。

4.根据权利要求1所述的石英振荡器真空溅射镀膜装置，其特征在于：所述双边卡槽与两个所述单边卡槽之间的距离不大于5mm。