CN105695954A - 一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法 - Google Patents

一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105695954A
CN105695954A CN201610045503.XA CN201610045503A CN105695954A CN 105695954 A CN105695954 A CN 105695954A CN 201610045503 A CN201610045503 A CN 201610045503A CN 105695954 A CN105695954 A CN 105695954A
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbon
single crystal
thermal field
composite material
crucible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610045503.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105695954B (zh
Inventor
王彩华
刘汝强
周清波
王洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong Daopuan Brake Material Co., Ltd.
Original Assignee
SHANDONG GUOJING NEW MATERIALS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANDONG GUOJING NEW MATERIALS CO Ltd filed Critical SHANDONG GUOJING NEW MATERIALS CO Ltd
Priority to CN201610045503.XA priority Critical patent/CN105695954B/zh
Publication of CN105695954A publication Critical patent/CN105695954A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105695954B publication Critical patent/CN105695954B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明涉及一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法，该方法是对单晶炉热场材料表面进行涂层，包括步骤如下：以惰性气体为载气，将碳源气体通过化学气相沉积的方式在单晶炉热场材料表面沉积一层涂层，沉积温度900-960℃，沉积压力3-6kPa。本发明对单晶炉热场材料尤其是碳/碳复合材料表面进行涂层，涂层后的产品表面形成一层致密的碳层，能够提高炭纤维与碳基体的结合能力。经过涂层后减少产品中的空隙，增大产品的密度，增加碳/碳复合材料的力学能行。由于致密的碳层存在，能够保护碳/碳复合材料中基体碳与硅蒸气的反应程度，减少腐蚀的程度。

Description

一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法
技术领域
本发明涉及一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法，属于碳/碳复合材料技术领域。
背景技术
目前，随着太阳能光伏行业的快速发展，带动了多晶、单晶硅行业的快速发展。在拉制单晶硅热场中主要使用的材料有坩埚，电极，导流筒，坩埚筒，热屏，支撑环等碳/碳复合材料。现在单晶炉热场中坩埚有石墨和碳/碳两种材料；石墨材料的坩埚受到加工难，纯度低，需要进口，受到国外的控制和打压等因素，已经难以满足国内单晶硅行业的发展。随着国内技术的发展，热场碳/碳复合材料具有质量轻，耐腐蚀，高温下性能稳定，易加工等优点正在逐渐取代石墨在单晶硅热场中的位置。碳/碳坩埚的能够满足单晶硅中不同的尺寸的热场，但是在使用中存在着吸硅等现象，严重影响着单晶炉热场中碳/碳零件的使用寿命。
目前，针对碳/碳材料在单晶炉热产中存在硅腐蚀现象，出现了涂层技术。但是，现有的涂层技术只针对石墨、多孔陶瓷材料、炭纤维等材料表面进行碳化硅涂层，包括纤维表面碳化硅涂层和石墨表面碳化硅涂层。在炭纤维表面碳化硅涂层的方法是将硅料和硅块粉碎置于石墨坩埚中，加热融化，将纤维置于坩埚上，让炭纤维完全浸在硅蒸气中，形成SiC包覆的炭纤维。石墨表面碳化硅涂层的方法是配置硅粉、石墨粉、石墨胶溶液和稀释剂配制合适比例的溶液，与石墨在1100-1300度下加热处理形成一种石墨表面碳化硅涂层。
然而，上述涂层针对炭纤维、石墨或者多孔陶瓷材料，而针对碳/碳坩埚等碳/碳复合材料的涂层却很少。另一方面，上述涂层均使用SiC涂层，碳化硅涂层的原料是硅料或者有机硅烷，存在成本高，有毒等缺点。最后，纤维和石墨表面涂层工艺需要在高温下进行，同时存在着生产周期长，生产工艺复杂等缺点。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供一种对单晶炉热场碳/碳复合材料表面进行涂层的方法，以提高如坩埚或者坩埚筒等热场碳/碳复合材料的力学性能，增加产品在单晶热场中的使用寿命。
本发明的技术方案如下：
一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法，该方法是对单晶炉热场材料表面进行涂层，包括步骤如下：
以惰性气体为载气，将碳源气体通过化学气相沉积的方式在单晶炉热场材料表面沉积一层涂层，沉积温度900-960℃，沉积压力3-6kPa。
根据本发明，优选的，所述的碳源气体为丙烯，所述的惰性气体为氮气。
根据本发明，优选的，碳源气体用量为0.2-0.5kg/h，惰性气体流量为1-2m3/h。
根据本发明，优选的，沉积时间为5-10h。
根据本发明，优选的，所述的单晶炉热场材料为碳/碳复合材料，进一步优选碳/碳复合材料坩埚、碳/碳复合材料坩埚筒。
根据本发明，优选的，上述碳/碳复合材料坩埚或碳/碳复合材料坩埚筒按如下方法制备得到：
a)将碳/碳复合材料坩埚预制体或碳/碳复合材料坩埚筒预制体置于在真空感应炉中，3-6kPa下，利用丙烯为碳源气体，高纯氮气为载气，在900-950℃下进行反应，形成碳/碳复合材料坩埚前驱体或者碳/碳复合材料坩埚筒前驱体；
b)将步骤a)制得的碳/碳复合材料坩埚前驱体或者碳/碳复合材料坩埚筒前驱体，在氩气的保护下，900℃高温煅烧48h，即得到碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒。
根据本发明，优选的，步骤a)中碳源气体用量为1-2kg/h，惰性气体流量为1.5-2m3/h；反应时间为70-100h。
本发明适用于碳/碳复合材料，包括碳/碳复合材料坩埚、坩埚筒以及单晶炉热场中其它的碳/碳复合材料。本发明对单晶炉热场材料表面进行涂层，使得其表面增加一层致密的碳层，增加了材料的密度，炭纤维与基体的结合能力，增加产品的力学性能，使得产品在热场中即使受到硅蒸气的腐蚀也不会减少强度，增加使用寿命。在热场中经过涂层的产品和零件，涂层减少了产品中纤维和基体碳的空隙，涂层保护碳/碳复合材料使其避免或者减缓与硅蒸气接触，减缓碳材料被硅蒸气的腐蚀程度。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1、本发明对单晶炉热场材料尤其是碳/碳复合材料表面进行涂层，涂层后的产品表面形成一层致密的碳层，能够提高炭纤维与碳基体的结合能力。经过涂层后减少产品中的空隙，增大产品的密度，增加碳/碳复合材料的力学能行。由于致密的碳层存在，能够保护碳/碳复合材料中基体碳与硅蒸气的反应程度，减少腐蚀的程度。
2、本发明可以通过调节涂层工艺的温度、载气和碳源气体的比例调节产品表面涂层的厚度。本发明涂层方式具有温度低，便捷，时间短等优点。
具体实施方式：
下面通过具体实施例对本发明做进一步说明，但发明不限于具体实例。
实施例1
一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法，该方法是对单晶炉热场材料表面进行涂层，包括步骤如下：
(1)碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒的制备
a.将碳/碳复合材料坩埚预制体或者坩埚筒预制体在真空感应炉中，炉压为4kPa下，利用丙烯为碳源气体，高纯氮气为载气，在900℃下进行反应，形成碳/碳复合材料坩埚或者坩埚筒的前驱体。碳源气体用量为1kg/h，惰性气体流量为1.5m3/h；反应时间为100h。
b.将步骤(a)的坩埚或者坩埚筒前驱体放置于电阻炉中，在氩气的保护下，900℃高温煅烧48h，即得碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒。
(2)碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒的涂层工艺
a.将碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒置于真空感应炉中，对真空感应炉进行抽真空至3kPa，并进行保压，确定炉子的密封性良好。保压合格后，通入载气高纯氮，流量为1.2m3/h，将炉压增加至5.5kPa。
b.运行升温程序，将感应炉从室温升至900℃，高温恒温10h。
c.通入丙烯气体，浓度为0.2kg/h，保持高纯氮的流量不变，通气10h，即完成对单晶炉热场材料表面进行涂层。
对比例1
如实施例1所述，不同的是不对碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒进行涂层。
将实施例1和对比例1的产品加工成长度为100mm、宽度为10mm、高度为10mm的抗拉测试样块，进行抗拉、抗压测试。结果如表1所示。
表1.未涂层和图层材料力学性能对比
样块 抗拉(MPa) 抗压(MPa)
对比例1.未涂层样块 63 92
实施例1.图层样块 82 115
实施例2
一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法，该方法是对单晶炉热场材料表面进行涂层，包括步骤如下：
(1)碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒的制备
a.将碳/碳复合材料坩埚预制体或者坩埚筒预制体在真空感应炉中，5kPa下，利用丙烯为碳源气体，高纯氮气为载气，在920℃下进行反应，形成碳/碳复合材料坩埚或者坩埚筒的前驱体。碳源气体用量为1.5kg/h，惰性气体流量为1.5m3/h；反应时间为90h。
b.将步骤(a)的坩埚或者坩埚筒前驱体放置于电阻炉中，在氩气的保护下，900℃高温煅烧48h，即得碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒。
(2)碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒的涂层工艺
a.将碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒置于真空感应炉中，对真空感应炉进行抽真空至3kPa，并进行保压，确定炉子的密封性良好。保压合格后，通入载气高纯氮，流量为1.2m3/h，将炉压增加至4kPa。
b.运行升温程序，将感应炉从室温升至920℃，高温恒温8h。
c.通入丙烯气体，浓度为0.5kg/h，保持高纯氮的流量不变，通气8h，即完成对单晶炉热场材料表面进行涂层。
对比例2
如实施例2所述，不同的是不对碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒进行涂层。
将实施例2和对比例2的产品加工成长度为100mm、宽度为10mm、高度为10mm的抗拉测试样块，进行抗拉、抗压测试。结果如表2所示。
表2.未涂层和图层材料力学性能对比
样块 抗拉(MPa) 抗压(MPa)
对比例2.未涂层样块 61 89
实施例2.图层样块 86 110
实施例3
一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法，该方法是对单晶炉热场材料表面进行涂层，包括步骤如下：
(1)碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒的制备
a.将碳/碳复合材料坩埚预制体或者坩埚筒预制体在真空感应炉中，6kPa下，利用丙烯为碳源气体，高纯氮气为载气，在950℃下进行反应，形成碳/碳复合材料坩埚或者坩埚筒的前驱体。碳源气体用量为1.8kg/h，惰性气体流量为1.5m3/h；反应时间为80h。
b.将步骤(a)的坩埚或者坩埚筒前驱体放置于电阻炉中，在氩气的保护下，900℃高温煅烧48h，即得碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒。
(2)碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒的涂层工艺
a.将碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒置于真空感应炉中，对炉真空感应炉进行抽真空至3kPa，并进行保压，确定炉子的密封性良好。保压合格后，通入载气高纯氮，流量为1.2m3/h，将炉压增加至5.5kPa。
b.运行升温程序，将感应炉从室温升至950℃，高温恒温5h。
c.通入丙烯气体，浓度为0.5kg/h，保持高纯氮的流量不变，通气5h，即完成对单晶炉热场材料表面进行涂层。
对比例3
如实施例3所述，不同的是不对碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒进行涂层。
将实施例3和对比例3的产品加工成长度为100mm、宽度为10mm、高度为10mm的抗拉测试样块，进行抗拉、抗压测试。结果如表3所示。
表3.未涂层和图层材料力学性能对比
样块 抗拉(MPa) 抗压(MPa)
对比例3.未涂层样块 69 99
实施例3.图层样块 82 122
实施例4
一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法，该方法是对单晶炉热场材料表面进行涂层，包括步骤如下：
(1)碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒的制备
a.将碳/碳复合材料坩埚预制体或者坩埚筒预制体在真空感应炉中，3kPa下，利用丙烯为碳源气体，高纯氮气为载气，在920℃下进行反应，形成碳/碳复合材料坩埚或者坩埚筒的前驱体。碳源气体用量为2kg/h，惰性气体流量为2m3/h；反应时间为75h。
b.将步骤(a)的坩埚或者坩埚筒前驱体放置于电阻炉中，在氩气的保护下，900℃高温煅烧48h，即得碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒。
(2)碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒的涂层工艺
a.将碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒置于真空感应炉中，对炉真空感应炉进行抽真空至3kPa，并进行保压，确定炉子的密封性良好。保压合格后，通入载气高纯氮，流量为1.5m3/h。
b.运行升温程序，将感应炉从室温升至910℃，高温恒温9h。
c.通入丙烯气体，浓度为0.3kg/h，保持高纯氮的流量不变，通气9h，即完成对单晶炉热场材料表面进行涂层。
对比例4
如实施例4所述，不同的是不对碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒进行涂层。
将实施例4和对比例4的产品加工成长度为100mm、宽度为10mm、高度为10mm的抗拉测试样块，进行抗拉、抗压测试。结果如表4所示。
表4.未涂层和图层材料力学性能对比
样块 抗拉(MPa) 抗压(MPa)
对比例4.未涂层样块 78 89
实施例4.图层样块 95 110
通过表1-4数据可知，经过本发明处理后的碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒，比未经过本发明处理的碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒，力学性能大大提高。

Claims (8)

1.一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法，该方法是对单晶炉热场材料表面进行涂层，包括步骤如下：
以惰性气体为载气，将碳源气体通过化学气相沉积的方式在单晶炉热场材料表面沉积一层涂层，沉积温度900-960℃，沉积压力3-6kPa。
2.根据权利要求1所述的增强单晶炉热场材料力学性能的方法，其特征在于，所述的碳源气体为丙烯，所述的惰性气体为氮气。
3.根据权利要求1所述的增强单晶炉热场材料力学性能的方法，其特征在于，碳源气体用量为0.2-0.5kg/h，惰性气体流量为1-2m3/h。
4.根据权利要求1所述的增强单晶炉热场材料力学性能的方法，其特征在于，沉积时间为5-10h。
5.根据权利要求1所述的增强单晶炉热场材料力学性能的方法，其特征在于，所述的单晶炉热场材料为碳/碳复合材料。
6.根据权利要求5所述的增强单晶炉热场材料力学性能的方法，其特征在于，所述的单晶炉热场材料为碳/碳复合材料坩埚、碳/碳复合材料坩埚筒。
7.根据权利要求6所述的增强单晶炉热场材料力学性能的方法，其特征在于，所述的碳/碳复合材料坩埚或碳/碳复合材料坩埚筒按如下方法制备得到：
a)将碳/碳复合材料坩埚预制体或碳/碳复合材料坩埚筒预制体置于在真空感应炉中，3-6kPa下，利用丙烯为碳源气体，高纯氮气为载气，在900-950℃下进行反应，形成碳/碳复合材料坩埚前驱体或者碳/碳复合材料坩埚筒前驱体；
b)将步骤a)制得的碳/碳复合材料坩埚前驱体或者碳/碳复合材料坩埚筒前驱体，在氩气的保护下，900℃高温煅烧48h，即得到碳/碳复合材料坩埚或坩埚筒。
8.根据权利要求7所述的增强单晶炉热场材料力学性能的方法，其特征在于，碳/碳复合材料坩埚或碳/碳复合材料坩埚筒的制备方法中，步骤a)中碳源气体用量为1-2kg/h，惰性气体流量为1.5-2m3/h；反应时间为70-100h。
CN201610045503.XA 2016-01-22 2016-01-22 一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法 Active CN105695954B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610045503.XA CN105695954B (zh) 2016-01-22 2016-01-22 一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610045503.XA CN105695954B (zh) 2016-01-22 2016-01-22 一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105695954A true CN105695954A (zh) 2016-06-22
CN105695954B CN105695954B (zh) 2018-07-24

Family

ID=56229113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610045503.XA Active CN105695954B (zh) 2016-01-22 2016-01-22 一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105695954B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1059795A (ja) * 1996-08-20 1998-03-03 Toyo Tanso Kk 半導体単結晶引き上げ用ｃ／ｃルツボ
JP2000272990A (ja) * 1999-03-25 2000-10-03 Ibiden Co Ltd 熱分解黒鉛からなる単結晶成長用のルツボ
JP2002145675A (ja) * 2000-11-09 2002-05-22 Tokai Carbon Co Ltd 炭素繊維強化炭素材の製造方法
CN102206852A (zh) * 2011-04-26 2011-10-05 湖南金博复合材料科技有限公司 碳/碳复合材料保温筒及制备方法
CN102660768A (zh) * 2012-05-26 2012-09-12 保定顺天新材料股份有限公司 一种单晶硅炉用炭/炭复合材料坩埚的制备工艺
CN102731119A (zh) * 2012-07-05 2012-10-17 湖南金博复合材料科技有限公司 碳/碳/碳化硅复合材料坩埚及制备方法
CN102731134A (zh) * 2012-07-12 2012-10-17 北京京仪世纪电子股份有限公司 直拉单晶炉及用于直拉单晶炉的碳碳复合材料的加工方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1059795A (ja) * 1996-08-20 1998-03-03 Toyo Tanso Kk 半導体単結晶引き上げ用ｃ／ｃルツボ
JP2000272990A (ja) * 1999-03-25 2000-10-03 Ibiden Co Ltd 熱分解黒鉛からなる単結晶成長用のルツボ
JP2002145675A (ja) * 2000-11-09 2002-05-22 Tokai Carbon Co Ltd 炭素繊維強化炭素材の製造方法
CN102206852A (zh) * 2011-04-26 2011-10-05 湖南金博复合材料科技有限公司 碳/碳复合材料保温筒及制备方法
CN102660768A (zh) * 2012-05-26 2012-09-12 保定顺天新材料股份有限公司 一种单晶硅炉用炭/炭复合材料坩埚的制备工艺
CN102731119A (zh) * 2012-07-05 2012-10-17 湖南金博复合材料科技有限公司 碳/碳/碳化硅复合材料坩埚及制备方法
CN102731134A (zh) * 2012-07-12 2012-10-17 北京京仪世纪电子股份有限公司 直拉单晶炉及用于直拉单晶炉的碳碳复合材料的加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105695954B (zh) 2018-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110105075B (zh) 高纯碳纤维增强碳化硅复合材料及其制备方法
CN109824374B (zh) 在碳碳复合保温材料表面制备高性能碳化硅涂层的方法
CN104817336B (zh) (BN/SiC)n复合界面相涂层、涂层纤维及其制备方法
CN100537485C (zh) 碳化硅纳米线的制备方法
KR102331308B1 (ko) 큰사이즈 고순도 탄화규소 단결정, 기판 및 그 제조 방법과 제조용 장치
CN103993474B (zh) 一种硬质碳纤维毡表面碳化硅涂层的制备方法
CN105506579A (zh) 一种石墨烯包覆碳化硅纳米线的制备方法
CN110176505A (zh) 一种石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法
CN104532549A (zh) 一种基于微波诱导等离子体快速获取碳/碳化硅同轴纤维的方法及应用
CN102167623A (zh) 炭素材料抗氧化涂层及制备方法
CN110371955A (zh) 一种石墨烯-金属复合材料的制备方法
CN105130506A (zh) 在球形石墨材料表面制备SiC涂层的方法
CN204490989U (zh) 一种基于等离子体辅助生长石墨烯的化学气相沉积设备
CN104611916B (zh) 外表沉积SiBCN涂层的碳纤维及其制备方法
CN101219788A (zh) 一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法
CN107265416A (zh) 热解氮化硼材料的制备方法
CN105525277B (zh) 等离子体增强化学气相沉积用碳化硅陶瓷舟及其制备方法
CN113896556A (zh) 一种低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备方法
CN116496103B (zh) 一种高强度、低密度碳化硅及其制备方法和应用
CN112851334A (zh) 一种基于氮化硅的加热体及其制备工艺
CN105695954B (zh) 一种增强单晶炉热场材料力学性能的方法
CN108385087A (zh) 一种连续、快速制备SiC纤维表面BN涂层的方法
CN104609892A (zh) 外表沉积SiBCN涂层的莫来石纤维及其制备方法
CN105541405A (zh) 石墨发热体炉内碳素材料表面均匀沉积SiC涂层的方法
CN108752012A (zh) 一种纤维表面氮化硼/氮化硅复合界面层的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190125

Address after: No. 90 Nanhuan East Road, Yucheng National High-tech Industrial Development Zone, Dezhou City, Shandong Province, 251200

Patentee after: Shandong Daopuan Brake Material Co., Ltd.

Address before: 251200 No. 88 Nanhuan East Road, Yucheng City, Dezhou City, Shandong Province

Patentee before: Shandong Guojing New Materials Co., Ltd.