CN105680822B - 一种高q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感 - Google Patents

一种高q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感 Download PDF

Info

Publication number
CN105680822B
CN105680822B CN201610007381.5A CN201610007381A CN105680822B CN 105680822 B CN105680822 B CN 105680822B CN 201610007381 A CN201610007381 A CN 201610007381A CN 105680822 B CN105680822 B CN 105680822B
Authority
CN
China
Prior art keywords
inductance
nmos transistor
active
source
drain electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201610007381.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105680822A (zh
Inventor
张万荣
刘亚泽
谢红云
金冬月
陈吉添
黄鑫
邓蔷薇
王忠俊
赵彦晓
刘硕
赵馨仪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing University of Technology
Original Assignee
Beijing University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing University of Technology filed Critical Beijing University of Technology
Priority to CN201610007381.5A priority Critical patent/CN105680822B/zh
Publication of CN105680822A publication Critical patent/CN105680822A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105680822B publication Critical patent/CN105680822B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/04—Frequency selective two-port networks
    • H03H11/0422—Frequency selective two-port networks using transconductance amplifiers, e.g. gmC filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感，该有源电感包括可变电容、有源反馈电阻、正跨导放大器、负跨导放大器、第一可调电流源、第二可调电流源、隔直电容。其中负跨导放大器为在共源极‑共栅极结构上加入多重电压调制电路；可调节的有源反馈电阻连接于正负跨导放大器之间，用于改善有源电感的实部损耗，进而进一步地提高Q值；可变电容连接于正跨导放大器的输入端和负跨导放大器的输出端，用于调节有源电感的负载电容，进而扩展电感值和Q值的调节范围。两个可调电流源分别为正跨导放大器和负跨导放大器提供直流偏置，并可以调节有源电感的工作频率范围。这些组成部分使得该有源电感的工作频率、电感值和Q值均可进行调节。

Description

一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感
技术领域
本发明涉及射频器件与集成电路领域，特别是一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感。
背景技术
在射频集成电路(RFICs)中，电感是常用的元件之一。例如，在低噪声放大器中，使用电感可以实现输入输出的匹配，提高放大器的增益平坦度；在电压控制(电流控制)振荡器中，使用电感可以实现信号的发生；在混频器中，使用电感可以实现信号的调制。
在RFICs中通常使用片上螺旋电感。由于片上螺旋电感的电感值与其几何尺寸密切相关，电感值越大时，占据的芯片面积越大，在实际应用中，往往占据了大部分芯片面积，增加了芯片成本，限制了芯片集成度。且当芯片上存在多个电感时，不同电感之间会产生互感效应，严重影响了RFIC的整体性能。片上螺旋电感还存在着品质因子Q值低，电感值不可调等缺点。为了解决片上螺旋电感存在的问题，采用晶体管等有源器件合成的有源电感应运而生。
相比较于片上螺旋电感，有源电感具有占用芯片面积较小，电感值与Q值可调，制作成本较低等优点。有源电感除了可以代替无源电感使用外，还可以利用其可调性，补偿因工艺偏差、寄生效应等因素对RFIC性能产生的不利影响；可以重新配置RFIC参数，实现性能的调节。因此，在实际应用中有源电感具有较高的实用价值。
现有的有源电感通常采用回转器结构，将回转器自身的电容回转为等效电感，其中的负跨导放大器往往采用单级放大器结构，采用这种结构的有源电感存在着电感值可调范围小、Q值低、电感工作频率范围无法改变等缺点，限制了它们在高频RFICs中的应用。
发明内容
本发明提供一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感。本发明有源电感中的负跨导放大器，在共源极-共栅极结构的共栅极管上增加了多重电压调制电路，不但增大了负跨导放大器的输出阻抗，而且减小了由于等效串联电阻造成的损耗，提高了有源电感的Q值；进一步地，采用有源可调电阻作为反馈回路，能提高有源电感的Q值；另外，通过采用前置的可变电容，实现对负载电容的调节，增大了有源电感的电感值与Q值的可调范围；同时，通过调节有源反馈电阻的阻值以及调节负跨导放大器多重电压调制电路的控制电压，能够实现对有源电感的电感值和Q值的调节；通过调节正、负跨导放大器的偏置电流，可以改变正负跨导放大器的静态工作点，实现对工作频率范围的调节，从而使有源电感在不同工作频率范围内具有宽电感值调节范围，同时也具有高Q值，可满足宽调节范围、高性能RFICs设计对电感的需要。
本发明采用如下技术方案：
一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感，如图1所示，该有源电感包括可变电容、有源反馈电阻、正跨导放大器、负跨导放大器、第一可调电流源、第二可调电流源、隔直电容。
所述负跨导放大器的输出端与正跨导放大器的输入端通过有源反馈电阻连接；所述正跨导放大器的输出端与负跨导放大器的输入端连接；正跨导放大器与负跨导放大器相互交叉连接构成回转器，回转器将正跨导放大器包括可变电容在内的输入电容回转成等效电感。
所述的第一可调电流源与负跨导放大器连接，为负跨导放大器提供偏置电流；第二可调电流源与正跨导放大器连接，为正跨导放大器提供偏置电流。调节两个可调电流源，能够改变正负跨导放大器的偏置电流的大小，从而调节正负跨导放大器的静态工作点，使得有源电感的工作频率范围发生改变，进而实现对于有源电感工作频率范围的调节。
所述隔直电容的第一端为有源电感的输入端，第二端连接正跨导放大器的输出端和负跨导放大器的输入端。所述隔直电容能够滤除跨导放大器中因直流偏置产生的信号干扰。
所述有源反馈电阻连接于正跨导放大器的输入端和负跨导放大器的输出端之间。有源反馈电阻的加入，增大了有源电感的输出阻抗，减小了实部损耗，从而增大了有源电感的Q值，同时，调节有源反馈电阻的大小，也能够实现对电感值和Q值的调节。
所述可变电容由一个NMOS晶体管构成，可变电容的源极和漏极相连；栅极为可变电容的一端，栅极分别连接于正跨导放大器的输入端和负跨导放大器的输出端；衬底电极为可变电容的另一端，衬底电极与地端连接。通过调节可变电容的源极和漏极的电压，栅极相对于地端的电容大小将发生改变，以此实现对有源电感负载电容的调节，从而实现对有源电感的电感值和Q值的调节。
所述正跨导放大器与负跨导放大器均由NMOS晶体管构成。正跨导放大器采用单级放大器结构，是回转器的一个重要构成部分。对负跨导放大器，是在共源极-共栅极结构的共栅极管上，加入多重电压调制结构的复合结构，是回转器的另一个重要构成部分。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明有源电感中的负跨导放大器，在共源极-共栅极结构的共栅极管上增加了多重电压调制电路，不但增大了负跨导放大器的输出阻抗，而且减小了由于等效串联电阻造成的损耗，提高了有源电感的Q值；进一步地，采用了有源可调电阻作为反馈回路，提高了有源电感的Q值；另外，采用了前置的可变电容，实现了对负载电容的调节，增大了有源电感的电感值与Q值的可调范围；同时，通过调节有源反馈电阻的阻值以及调节负跨导放大器多重电压调制电路的控制电压，可以实现对有源电感的电感值和Q值的调节；通过调节正负跨导放大器的偏置电流，可以改变正负跨导放大器的静态工作点，实现对工作频率范围的调节，从而使有源电感在不同工作频率范围内具有宽电感值调节范围，同时具有高Q值，可满足宽调节范围、高性能RFICs设计对电感的需要。
附图说明
图1是本发明有源电感的结构框图；
图2是本发明有源电感的实施例电路拓扑示意图；
图3是本发明有源电感实施例在不同组合偏置条件下电感值与工作频率的关系图；
图4是本发明有源电感实施例在不同组合偏置条件下Q值与工作频率的关系图；
图5是本发明有源电感的负跨导放大器的另一个实施例。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图，对本发明作进一步详细说明。
图2是高Q值、电感值和工作频率范围可调谐的有源电感的一个实施例。包括可变电容、有源反馈电阻、正跨导放大器、负跨导放大器、第一可调电流源、第二可调电流源、隔直电容。
可变电容由第九MOS晶体管(M9)构成，其源极与漏极相连接，栅极为电容的一端，衬底电极为电容的另一端，与地端连接，调节第九MOS晶体管(M9)的源极和漏极的电压将改变第九MOS晶体管(M9)的沟道厚度，使得沟道电容发生改变，从而改变了有源电感的负载电容，为实现调节有源电感的电感值与Q值提供了第一个必要条件。
有源反馈电阻由第七MOS晶体管(M7)与电阻(R1)并联构成，连接在正负跨导放大器之间。第七MOS晶体管(M7)工作在线性区，调节第七MOS晶体管(M7)的栅极电压能实现其电阻值的变化。有源反馈电阻的加入，增大了有源电感的输出阻抗，改善了实部损耗，提高了有源电感的Q值；通过调节有源反馈电阻的阻值能够调节有源电感的输出阻抗，进而改变有源电感的电感值与Q值，为实现调节有源电感的电感值与Q值提供了第二个必要条件。
负跨导放大器由第三MOS晶体管(M3)、第四MOS晶体管(M4)、第五MOS晶体管及第六MOS晶体管(M6)构成。第三MOS晶体管(M3)与第六MOS晶体管(M6)构成共源极-共栅极结构，第四MOS晶体管(M4)与第五MOS晶体管构成多重电压调制电路，与第三MOS晶体管(M3)、第六MOS晶体管(M6)构成的共源极-共栅极结构一起构成了复合结构。可调制的负跨导放大器的采用，不但增大了有源电感的输出阻抗，而且减小了由于等效串联电阻造成的损耗，提高了有源电感的Q值；同时，由于多重电压调制结构的加入，增强了有源电感的可调性，为实现调节有源电感的电感值与Q值提供了第三个必要条件。
正跨导放大器由第八MOS晶体管(M8)构成，为单级共源极放大器。正跨导放大器与负跨导放大器相互交叉连接构成了回转器结构，将正跨导放大器的输入电容回转为等效电感。
第一可调电流源由第一MOS晶体管(M1)和第二MOS晶体管(M2)构成，为负跨导放大器提供直流偏置。第二可调电流源由第十MOS晶体管(M10)构成，为正跨导放大器提供直流偏置。调节两个可调电流源，将改变正负跨导放大器的偏置电流的大小，从而调节正负跨导放大器的静态工作点，使得有源电感的工作频率范围发生变化，实现了对于有源电感工作频率范围的调节。
隔直电容由电容(C1)构成，用来滤除跨导放大器中因直流偏置产生的信号干扰。
该实施例中电路的具体实施方式为：
第一MOS晶体管(M1)的漏极与VDD相连，源极与第四MOS晶体管(M4)的漏极相连，栅极连接第一可调电压源Vtune1；第二MOS晶体管(M2)的漏极与VDD相连，源极与第三MOS晶体管(M3)的漏极相连，栅极连接第二可调电压源Vtune2。第四MOS晶体管(M4)的源极与第五MOS晶体管(M5)的漏极相连，栅极连接第三可调电压源Vtune3；第五MOS晶体管(M5)的源极连接地端，栅极连接第六MOS晶体管(M6)的漏极，第三MOS(M3)晶体管的栅极与第四MOS(M4)晶体管的漏极相连，源极与第五MOS(M5)晶体管的栅极和第六MOS晶体管(M6)的漏极相连，第六MOS晶体管(M6)的栅极连接第八MOS晶体管(M8)的源极和第十MOS晶体管(M10)的漏极，漏极连接地端。第九MOS晶体管(M9)的栅极与第三MOS晶体管(M3)的漏极相连，第九MOS晶体管(M9)的源极和漏极相连并连接可调电压源Vtune5。第七MOS晶体管(M7)的源极和漏极分别连接第一电阻(R1)的第一端和第二端，栅极连接第四可调电压源Vtune4。第八MOS晶体管(M8)的漏极连接VDD，源极与第十MOS晶体管(M10)的漏极和第六MOS晶体管(M6)的栅极相连，栅极与有源反馈电阻相连。第一电容(C1)的第一端为RF输入端，第二端连接第八MOS晶体管(M8)的源极、第六MOS晶体管(M6)的栅极以及第十MOS晶体管的漏极。第十MOS晶体管(M10)的源极连接地端，栅极连接第六可调电压源Vtune6。
所述第一MOS晶体管(M1)与第二MOS晶体管(M2)为PMOS管；所述第三MOS晶体管(M3)、第四MOS晶体管(M4)、第五MOS晶体管(M5)、第六MOS晶体管(M6)、第七MOS晶体管(M7)、第八MOS晶体管(M8)、第九MOS晶体管(M9)、第十MOS晶体管(M10)为NMOS管。
图3和图4分别是本发明有源电感，在不同组合偏置条件(Vbias1，Vbias2，Vbias3)下，电感值和Q值与工作频率的关系图。其中，组合偏置条件Vbias1为：Vtune1＝1.05V、Vtune2＝1.65V、Vtune3＝1.64V、Vtune4＝2.44V、Vtune5＝2.7V、Vtune6＝1.15V；组合偏置条件Vbias2为：Vtune1＝1.65V、Vtune2＝1.49V、Vtune3＝0.57V、Vtune4＝2.48V、Vtune5＝1.8V、Vtune6＝0.79V；组合偏置条件Vbias3为：Vtune1＝1.52V、Vtune2＝1.62V、Vtune3＝1.08V、Vtune4＝2.47V、Vtune5＝1.75V、Vtune6＝0.78V，电源电压VDD为3V且保持不变。从图中可以看出，在组合偏置条件Vbias1下，本发明有源电感在0.1GHz-6.2GHz频带内呈感性，电感值在0.1GHz-5.1GHz频带内变化范围为10.7nH-30.6nH，同时，在2GHz-3.3GHz频带内Q值均大于20，最大为2707，且在该频段内，电感值的变化范围为13.9nH-21.7nH。在组合偏置条件Vbias2下，本发明有源电感在0.1GHz-8.3GHz频带内呈感性，电感值在0.1GHz-7.4GHz频带内变化范围为7.2nH-22.4nH，同时，在3GHz-4.7GHz频带内Q值均大于20，最大为4139，且在该频段内，电感值的变化范围为9.9nH-15.7nH。在组合偏置条件Vbias3下，本发明有源电感在0.1GHz-11.6GHz频带内呈感性，电感值在0.1GHz-11.3GHz频带内变化范围为4.8nH-19.1nH，同时，在4.7GHz-8GHz频带内Q值均大于20，最大为4614，且在该频段内，电感值的变化范围为6.2nH-11.1nH。总之，本发明有源电感呈感性的最大、最小工作频率范围分别为0.1-11.6GHz和0.1-6.2GHz；其中，在0.1-11.3GHz频率范围内，电感值能在4.8nH到30.6nH之间进行调节；在2GHz-8GHz频率范围之间，Q值可进行调节，且均可大于20，最大值高达4614。以上结果显示了该有源电感的工作频率、电感值和Q值均可在不同外部电压偏置或组合偏置下进行调节，获得不同的电感值和Q值，且具有高的Q值和宽的电感值调谐范围，同时电感也能工作在不同的频率范围内。
本发明提供的所述负跨导放大器的另一个实施例电路图如图5所示。第一MOS晶体管(M1)与第三MOS晶体管(M3)相连构成共源极-共栅极结构，第二MOS晶体管(M2)作为电压调制管，第二MOS晶体管(M2)的漏极与第一MOS晶体管(M1)的栅极相连，栅极与第一MOS晶体管(M1)的源极和第三MOS晶体管(M3)的漏极相连，源极连接地端，构成了电压调制结构。第一MOS晶体管(M1)与第二MOS晶体管(M2)的漏极连接第一可调电流源，第一MOS晶体管(M1)的漏极连接有源反馈电阻，第三MOS晶体管(M3)的栅极连接正跨导放大器的输入端。本实施例中所述第一MOS晶体管(M1)、第二MOS晶体管(M2)、第三MOS晶体管(M3)均为NMOS管。
图2与图5所示的实施例相比较，图2所示的实施例中负跨导放大器由于采用了多重电压调制结构，因而具有更大的跨导值、更大的输出阻抗以及更小的等效串联电阻，使有源电感具有更高的电感值与Q值；同时，由于负跨导放大器的跨导值与共栅极连接的电压调制管的栅极电压直接相关，因此增大了有源电感的可调性。图5所示的负跨导放大器实施例可以提供较大的等效电感值，但会使得Q值下降，并且其可调性有所下降。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (1)

1.一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感，其特征在于：该有源电感包括可变电容、有源反馈电阻、正跨导放大器、负跨导放大器、第一可调电流源、第二可调电流源、隔直电容；
其中，负跨导放大器由第三NMOS晶体管(M3)、第四NMOS晶体管(M4)、第五NMOS晶体管及第六MOS晶体管(M6)构成；第三NMOS晶体管(M3)与第六NMOS晶体管(M6)构成共源极-共栅极结构，第四NNMOS晶体管(M4)与第五NMOS晶体管构成多重电压调制电路，与第三NMOS晶体管(M3)、第六NMOS晶体管(M6)构成的共源极-共栅极结构一起构成了复合结构，不但增大了有源电感的输出阻抗，而且减小了由于等效串联电阻造成的损耗，提高了有源电感的Q值；同时，多重电压调制电路的引入，也增强了有源电感的可调性；正跨导放大器由第八NMOS晶体管(M8)构成，为单级共源极放大器；正跨导放大器与负跨导放大器相互交叉连接构成了回转器结构，将正跨导放大器包括可变电容在内的输入电容回转成等效电感；可变电容由第九NMOS晶体管(M9)构成，其源极与漏极相连接，栅极为可变电容的第一端，连接于正跨导放大器的输入端和负跨导放大器的输出端，衬底电极为可变电容的第二端，与地端连接，一方面，可变电容作为回转电容的一部分，增强了电路的回转性能，另一方面，通过调节第九NMOS晶体管(M9)的源极和漏极的电压Vtune5，将改变第九NMOS晶体管(M9)的沟道厚度，使得沟道电容发生改变，从而实现对有源电感的电感值和Q值的调节；有源反馈电阻由第七NMOS晶体管(M7)与电阻(R1)并联构成，连接于正跨导放大器的输入端和负跨导放大器的输出端之间，增大了有源电感的输出阻抗，改善了实部损耗，提高了有源电感的Q值；通过调节有源反馈电阻的阻值能够实现对有源电感的电感值和Q值的调节；第一可调电流源由第一PMOS晶体管(M1)和第二PMOS晶体管(M2)构成，为负跨导放大器提供直流偏置；第二可调电流源由第十NMOS晶体管(M10)构成，为正跨导放大器提供直流偏置；第一可调电流源可独立对负跨导放大器进行调节；同时调节两个可调电流源，将改变正负跨导放大器的偏置电流的大小，从而调节正负跨导放大器的静态工作点，使得有源电感的工作频率范围发生变化，实现了对于有源电感工作频率范围的调节；隔直电容由电容(C1)构成；
其中：第一PMOS晶体管(M1)的源极与VDD相连，漏极与第四NMOS晶体管(M4)的漏极相连，栅极连接第一可调电压源Vtune1；第二PMOS晶体管(M2)的源极与VDD相连，漏极与第三NMOS晶体管(M3)的漏极相连，栅极连接第二可调电压源Vtune2；第四NMOS晶体管(M4)的源极与第五NMOS晶体管(M5)的漏极相连，栅极连接第三可调电压源Vtune3；第五NMOS晶体管(M5)的源极连接地端，栅极连接第六NMOS晶体管(M6)的漏极，第三NMOS(M3)晶体管的栅极与第四NMOS(M4)晶体管的漏极相连，源极与第五NMOS(M5)晶体管的栅极和第六NMOS晶体管(M6)的漏极相连，第六NMOS晶体管(M6)的栅极连接第八NMOS晶体管(M8)的源极和第十NMOS晶体管(M10)的漏极，源极连接地端；第九NMOS晶体管(M9)的栅极与第三NMOS晶体管(M3)的漏极和有源反馈电阻的一端相连，第九NMOS晶体管(M9)的源极和漏极相连并连接可调电压源Vtune5；第七NMOS晶体管(M7)的源极和漏极分别连接电阻(R1)的第一端和第二端，栅极连接第四可调电压源Vtune4；第八NMOS晶体管(M8)的漏极连接VDD，栅极与有源反馈电阻的一端相连；隔直电容(C1)的第一端为RF输入端，第二端连接第八NMOS晶体管(M8)的源极、第六NMOS晶体管(M6)的栅极以及第十NMOS晶体管的漏极；第十NMOS晶体管(M10)的源极连接地端，栅极连接第六可调电压源Vtune6。
CN201610007381.5A 2016-01-06 2016-01-06 一种高q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感 Expired - Fee Related CN105680822B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610007381.5A CN105680822B (zh) 2016-01-06 2016-01-06 一种高q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610007381.5A CN105680822B (zh) 2016-01-06 2016-01-06 一种高q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105680822A CN105680822A (zh) 2016-06-15
CN105680822B true CN105680822B (zh) 2018-09-04

Family

ID=56299097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610007381.5A Expired - Fee Related CN105680822B (zh) 2016-01-06 2016-01-06 一种高q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105680822B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108318783B (zh) * 2018-02-06 2023-11-28 国网四川省电力公司电力科学研究院 一种电流互感器行波传变模型及其构建方法
CN108768341B (zh) * 2018-03-23 2021-09-14 湖南师范大学 一种基于高q值可调谐有源电感的微型功分器
CN108768342B (zh) * 2018-05-31 2021-09-03 北京工业大学 一种射频集成有源电感
CN108964620B (zh) * 2018-07-05 2022-01-28 湖南师范大学 一种基于折叠式Cascode结构的有源电感
CN109714810B (zh) * 2018-10-29 2022-03-22 Oppo（重庆）智能科技有限公司 移动终端功耗控制方法和相关产品

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102332912A (zh) * 2011-09-30 2012-01-25 中国科学技术大学 一种可调节增益线性度的vco以及基于该vco的两点调制器
CN104898761A (zh) * 2015-06-25 2015-09-09 北京工业大学 晶体管合成电感
CN104980125A (zh) * 2015-07-07 2015-10-14 北京工业大学 采用负阻结构的宽频带、高q值、可调谐的有源电感
CN105071784A (zh) * 2015-07-19 2015-11-18 北京工业大学 一种宽频带、高q值有源电感

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042317B2 (en) * 2003-09-08 2006-05-09 State Of Oregon, Acting By And Through The Board Of Higher Education On Behalf Of Portland State University High-frequency active inductor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102332912A (zh) * 2011-09-30 2012-01-25 中国科学技术大学 一种可调节增益线性度的vco以及基于该vco的两点调制器
CN104898761A (zh) * 2015-06-25 2015-09-09 北京工业大学 晶体管合成电感
CN104980125A (zh) * 2015-07-07 2015-10-14 北京工业大学 采用负阻结构的宽频带、高q值、可调谐的有源电感
CN105071784A (zh) * 2015-07-19 2015-11-18 北京工业大学 一种宽频带、高q值有源电感

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
兼有高Q值、高电感值、高线性度的新型全差分有源电感;邓蔷薇 等;《电子器件》;20150630;第38卷(第3期);全文 *
基于有源电阻反馈和分流支路的新型有源电感;高栋 等;《微电子学》;20131231;第43卷(第6期);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN105680822A (zh) 2016-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105680822B (zh) 一种高q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感
Li et al. G/sub m/-boosted common-gate LNA and differential colpitts VCO/QVCO in 0.18-/spl mu/m CMOS
US7463106B2 (en) Push-push voltage controlled oscillator for obtaining differential signals
CN108964620B (zh) 一种基于折叠式Cascode结构的有源电感
Mansour et al. Dual band VCO based on a high-quality factor switched interdigital resonator for the Ku band using 180-nm CMOS technology
CN103956986B (zh) 高q值可调谐差分式有源电感
CN107124157B (zh) 一种高q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感
CN104980125B (zh) 采用负阻结构的宽频带、高q值、可调谐的有源电感
CN105071784B (zh) 一种宽频带、高q值有源电感
El-Gamal et al. Very low-voltage (0.8 V) CMOS receiver frontend for 5 GHz RF applications
Ghorbani et al. A 35.6 dB, 43.3% PAE class E differential power amplifier in 2.4 GHz with cross coupling neutralization for IoT applications
Sunca et al. A wide tunable bandpass filter design based on CMOS active inductor
Marzuki et al. A differential cross-coupling common gate low noise amplifier (lna) for medradio band application
Wu et al. A constant power consumption CMOS LC oscillator using improved high-Q active inductor with wide tuning-range
CN106130484B (zh) 基于缓冲器反馈的压控振荡器
CN105281762B (zh) 60GHz锁相环低电压下抗工艺涨落的电压控制CMOS LC振荡器
Hammadi et al. Design of wide-tuning high-Q differential active inductor for multistandard applications
CN105162463B (zh) 60GHz锁相环低相噪自注入型电压控制振荡器及无线收发机
KR101481466B1 (ko) 이동통신에 적용을 위한 초저위상잡음 ｃｍｏｓ 전압제어 발진기
Guo et al. Improved quality-factor of cascode-grounded active inductor
Niranjan et al. CMOS active inductor for low voltage and low power wireless applications
Yu et al. Analysis and design of transformer-based CMOS ultra-wideband millimeter-wave circuits for wireless applications: a review
US8493155B2 (en) Multiband voltage controlled oscillator without switched capacitor
CN111988016A (zh) 高频下大电感值高q值且在同一频率下q峰值可独立调节的有源电感
CN111884622B (zh) 一种宽频带工作的差分有源电感

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180904

Termination date: 20220106

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee