CN105659198B - 透明导电性薄膜 - Google Patents

透明导电性薄膜 Download PDF

Info

Publication number
CN105659198B
CN105659198B CN201580002254.XA CN201580002254A CN105659198B CN 105659198 B CN105659198 B CN 105659198B CN 201580002254 A CN201580002254 A CN 201580002254A CN 105659198 B CN105659198 B CN 105659198B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
optical adjustment
adjustment layer
transparent
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580002254.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105659198A (zh
Inventor
加藤大贵
川上梨恵
藤野望
梨木智刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN105659198A publication Critical patent/CN105659198A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105659198B publication Critical patent/CN105659198B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/301—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in group H01B3/302
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/303—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
    • H01B3/305—Polyamides or polyesteramides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/303—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
    • H01B3/306—Polyimides or polyesterimides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/307—Other macromolecular compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/38—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes condensation products of aldehydes with amines or amides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/42—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes polyesters; polyethers; polyacetals
    • H01B3/421—Polyesters
    • H01B3/422—Linear saturated polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • H01B3/423—Linear aromatic polyesters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/42—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes polyesters; polyethers; polyacetals
    • H01B3/421—Polyesters
    • H01B3/426—Polycarbonates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/42—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes polyesters; polyethers; polyacetals
    • H01B3/427—Polyethers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/44—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins
    • H01B3/442—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins from aromatic vinyl compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/44—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins
    • H01B3/447—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins from acrylic compounds
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/10—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances metallic oxides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
    • Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

透明导电性薄膜(1)依次具备透明基材(2)、第1光学调整层(4)、无机物层(5)和透明导电层(6)。第1光学调整层(4)具有比透明基材(2)的折射率nA更低的折射率nC，并且具有10nm以上且35nm以下的厚度TC。无机物层(5)具有比第1光学调整层(4)的折射率nC乘以1.13得到的值的绝对值|nC×1.13|更低的折射率nD。

Description

透明导电性薄膜
技术领域
本发明涉及透明导电性薄膜，详细而言，涉及在触摸屏用薄膜等中使用的透明导电性薄膜。
背景技术
迄今，已知将具备具有规定图案形状的透明导电层的透明导电性薄膜用于触摸屏的显示器显示部。
例如，提出了在透明薄膜基材的单面或两面依次形成有第1透明电介质层、第2透明电介质层和图案化了的透明导电层的透明导电性薄膜(例如参见专利文献1)。
专利文献1的透明导电性薄膜中，透明导电层的图案部与图案开口部的差异受到抑制，外观良好。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-27294号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，专利文献1记载的透明导电性薄膜存在透明导电层容易产生裂纹的不利情况。
本发明的目的在于提供在能够抑制布线图案被辨识的同时能够抑制透明导电层产生损伤的透明导电性薄膜。
用于解决问题的方案
本发明的透明导电性薄膜的特征在于，依次具备透明基材、第1光学调整层、无机物层和透明导电层，前述第1光学调整层具有比前述透明基材的折射率更低的折射率，并且具有10nm以上且35nm以下的厚度，前述无机物层具有比前述第1光学调整层的折射率乘以1.13得到的值的绝对值更低的折射率、或者与前述绝对值相同的折射率。
该透明导电性薄膜由于具备具有特定的折射率和厚度的第1光学调整层和具有特定的折射率的无机物层，因此能够在抑制透明导电层产生损伤的同时抑制布线图案被辨识，并且具有优异的抗划伤性和优异的透明性。
此外，对本发明的透明导电性薄膜而言，优选的是，还具备配置在前述透明基材与前述第1光学调整层之间的第2光学调整层，前述第2光学调整层具有比前述透明基材的折射率更高的折射率。
该透明导电性薄膜能够更进一步抑制布线图案被辨识，并且具有更为优异的抗划伤性。
此外，对本发明的透明导电性薄膜而言，优选的是，前述第2光学调整层具有100nm以上且300nm以下的厚度。
该透明导电性薄膜由于第1光学调整层的厚度在上述特定范围，因此能够更进一步抑制布线图案被辨识，并且具有更为优异的抗划伤性。
此外，对本发明的透明导电性薄膜而言，优选的是，前述无机物层具有1.5nm以上且10nm以下的厚度。
该透明导电性薄膜由于无机物层的厚度在特定范围，因此能够更进一步抑制透明导电层产生损伤。
此外，对本发明的透明导电性薄膜而言，优选的是，前述透明导电层的厚度为25nm以上。
透明导电层的厚度为上述特定值以上时，透明导电层容易产生损伤。然而，本发明的透明导电性薄膜由于具备上述第1光学调整层和无机物层，因此能够有效抑制透明导电层的上述损伤。
此外，对本发明的透明导电性薄膜而言，优选的是，前述第1光学调整层仅由树脂形成。
该透明导电性薄膜由于第1光学调整层仅由树脂形成，因此能够有效抑制透明导电层的上述损伤。
发明的效果
根据本发明的透明导电性薄膜，能够在抑制透明导电层产生损伤的同时抑制布线图案被辨识，并且具有优异的抗划伤性和优异的透明性。
附图说明
图1示出本发明的透明导电性薄膜的第1实施方式(具备第2光学调整层的方式)的剖视图。
图2示出透明导电层形成为布线图案的第1实施方式的透明导电性薄膜的剖视图。
图3示出本发明的透明导电性薄膜的第2实施方式(不具备第2光学调整层的方式)的剖视图。
图4示出透明导电层形成为布线图案的第2实施方式的透明导电性薄膜的剖视图。
具体实施方式
<第1实施方式>
在图1中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向的一个例子、第1方向)，纸面上侧为上侧(厚度方向的一侧、第1方向的一侧)，纸面下侧为下侧(厚度方向的另一侧、第1方向的另一侧)。具体按照各图的方向箭头。
1.透明导电性薄膜
透明导电性薄膜1呈具有规定厚度的薄膜形状(包括薄片形状)，沿与厚度方向正交的规定方向(面方向)延伸，具有平坦的上表面和平坦的下表面。透明导电性薄膜1例如是图像显示装置所具备的触摸屏用基材等的一个部件，即，并非图像显示装置。即，透明导电性薄膜1是用于制作图像显示装置等的部件，是不含LCD模块等的图像显示元件、作为部件单独流通、可在产业上利用的器件。
具体如图1所示，透明导电性薄膜1具备透明基材2、配置在透明基材2上的第2光学调整层3、配置在第2光学调整层3上的第1光学调整层4、配置在第1光学调整层4上的无机物层5和配置在无机物层5上的透明导电层6。即，透明导电性薄膜1在透明基材2上依次配置有第2光学调整层3、第1光学调整层4、无机物层5和透明导电层6。
透明导电性薄膜1优选仅由透明基材2、第2光学调整层3、第1光学调整层4、无机物层5和透明导电层6形成。以下对各层进行详细说明。
2.透明基材
透明基材2是透明导电性薄膜1的最下层，是确保透明导电性薄膜1的机械强度的支撑材料。透明基材2在支撑透明导电层6的同时支撑第2光学调整层3、第1光学调整层4和无机物层5。
透明基材2例如为具有透明性的高分子薄膜。作为高分子薄膜的材料，可列举出：例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂，例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)，例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物等烯烃树脂，例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、降冰片烯树脂等。这些高分子薄膜可以单独使用或组合使用2种以上。从透明性、耐热性、机械特性等角度来看，可优选列举出聚酯树脂，更优选列举出PET。
透明基材2的折射率nA例如为1.45以上，优选为1.55以上，此外，例如为1.80以下，优选为1.70以下。透明基材2的折射率nA例如通过阿贝折射率仪进行测定。
从机械强度、抗划伤性、将透明导电性薄膜1作为触摸屏用薄膜时的点触特性等角度来看，透明基材2的厚度TA例如为2μm以上，优选为20μm以上，此外，例如为200μm以下，优选为150μm以下。
另外，在透明基材2的下表面，可以根据需要而设有硬涂层、防粘连层、易粘接层、粘接剂层、隔离体等。
3.第2光学调整层3
第2光学调整层3是如下所述的光学调整层：与后述的第1光学调整层4和无机物层5一起，如图2所参照的那样，为了在将透明导电层6于后续工序中形成为布线图案后辨识不出图案部7与非图案部8的差异(即为了抑制布线图案的可见性)而对透明导电性薄膜1的光学物性进行调整。此外，第2光学调整层3也是用于使透明导电层6的上表面(即透明导电性薄膜1的表面)不容易产生划伤(即获得优异的抗划伤性)的划伤保护层。
第2光学调整层3具有薄膜形状(包括薄片形状)，例如在透明基材2的上表面整面以与透明基材2的上表面接触的方式配置。
第2光学调整层3由第2光学组合物制备。
第2光学组合物例如含有树脂。第2光学组合物优选含有树脂和颗粒。第2光学组合物更优选仅由树脂和颗粒形成。
作为树脂，可列举出固化性树脂、热塑性树脂(例如聚烯烃树脂)等，可优选列举出固化性树脂。
作为固化性树脂，可列举出：例如通过照射活性能量射线(具体为紫外线、电子射线等)而固化的活性能量射线固化性树脂，例如通过加热而固化的热固化性树脂等，可优选列举出活性能量射线固化性树脂。
活性能量射线固化性树脂例如可列举出分子中具有含聚合性碳-碳双键的官能团的聚合物。作为这种官能团，例如可列举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基(甲基丙烯酰基和/或丙烯酰基)等。
作为活性能量射线固化性树脂，例如可列举出在侧链含有官能团的(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)等。
这些树脂可以单独使用或组合使用2种以上。
对于树脂的含有比率，相对于第2光学组合物，例如为50质量％以上，优选为40质量％以上，此外，例如为95质量％以下，优选为90质量％以下。
作为颗粒，例如可列举出无机颗粒、有机颗粒等。作为无机颗粒，可列举出：例如二氧化硅颗粒(包括中空纳米二氧化硅颗粒)，例如由氧化锆、氧化钛等形成的金属氧化物颗粒，例如碳酸钙等碳酸盐颗粒等。作为有机颗粒，例如可列举出交联丙烯酸类树脂颗粒等。
作为颗粒，可优选列举出无机颗粒，更优选列举出金属氧化物颗粒，进一步优选列举出氧化锆颗粒(ZnO2)。
颗粒的平均粒径例如为5nm以上，优选为10nm以上，此外，例如为500nm以下，优选为100nm以下。
颗粒的平均粒径例如使用Beckman Coulter,Inc.制造的库尔特粒度分析仪用库尔特计数法进行测定。
对于颗粒的含有比例，相对于树脂100质量份，例如为5质量份以上，优选为10质量份以上，此外，例如为100质量份以下，优选为65质量份以下。此外，对于颗粒的含有比率，相对于第2光学组合物，例如为5质量％以上，优选为10质量％以上，此外，例如为50质量％以下，优选为40质量％以下。
第2光学调整层3例如具有比透明基材2的折射率nA更高的折射率nB。第2光学调整层3的折射率nB例如通过阿贝折射率仪进行测定。
另一方面，在第2光学调整层3的折射率nB比透明基材2的折射率nA更低或与之相同的情况下，有时透明导电性薄膜1的光学特性(具体为抑制布线图案被辨识)会降低。
第2光学调整层3的折射率nB相对于透明基材2的折射率nA之比(nB/nA)超过1，优选为1.01以上，更优选为1.05以上，此外，例如为1.50以下。
此外，用第2光学调整层3的折射率nB减去透明基材2的折射率nA的值(差值nB-nA)例如为0.01以上，优选为0.05以上，此外，例如为0.50以下，优选为0.20以下。
具体而言，第2光学调整层3的折射率nB例如为1.50以上，优选为1.60以上，此外，例如为1.80以下，优选为1.75以下。
第2光学调整层3的折射率nB、比值(nB/nA)和/或差值(nB-nA)高于上述下限时，能够抑制透明导电性薄膜1的光学特性(具体为抑制布线图案被辨识)的降低。
第2光学调整层3的厚度TB例如为100nm以上，优选为120nm以上，更优选为150nm以上，进一步优选为180nm以上，例如为300nm以下，优选为280nm以下，更优选为250nm以下，进一步优选为220nm以下，特别优选为200nm以下。第2光学调整层3的厚度TB例如通过基于透射型电子显微镜(TEM)的剖面观察进行测定。
第2光学调整层3的厚度TB相对于透明基材2的厚度TA之比(TB/TA)例如为0.0020以上，优选超过0.0020，更优选为0.0030以上，此外，例如小于0.0070，优选小于0.0060，更优选为0.0050以下。
第2光学调整层3的厚度TB和/或比值(TB/TA)为上述下限以上时，能够获得优异的抗划伤性。而第2光学调整层3的厚度TB为上述上限以下时，能够抑制布线图案被辨识。
4.第1光学调整层
第1光学调整层4是与第2光学调整层3和无机物层5一起用于在抑制透明导电层6的布线图案被辨识的同时确保透明导电性薄膜1优异的透明性而对透明导电性薄膜1的光学物性进行调整的光学调整层。
第1光学调整层4具有薄膜形状(包括薄片形状)，例如在第2光学调整层3的上表面整面以与第2光学调整层3的上表面接触的方式配置。
第1光学调整层4由第1光学组合物制备。
第1光学组合物例如含有树脂，优选实质上由树脂形成，更优选仅由树脂形成。即，第1光学组合物(进而是第1光学调整层4)优选实质上不含颗粒。
作为树脂，例如为选自第2光学组合物中例示的树脂。作为树脂，可优选列举出热固化性树脂。
作为热固化性树脂，例如可列举出：有机硅树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等。优选列举出环氧树脂、三聚氰胺树脂，更优选列举出环氧树脂。
作为环氧树脂，可列举出：例如双酚A型、双酚F型、双酚S型等双酚型环氧树脂，例如苯酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型等酚醛清漆型环氧树脂，例如三缩水甘油基异氰脲酸酯型、乙内酰脲型等的含氮环型环氧树脂，例如萘型环氧树脂、联苯型环氧树脂、缩水甘油醚型环氧树脂、二环型环氧树脂、酯型环氧树脂、它们的改性物或氢化物等。
此外，可以在环氧树脂中配混固化剂制成含有环氧树脂和固化剂的环氧树脂组合物。作为固化剂，例如可列举出：聚胺类固化剂、酰胺类固化剂、酸酐类固化剂、二酰肼类固化剂、尿素类固化剂、咪唑类固化剂、咪唑啉类固化剂等的环氧树脂用固化剂。
对于固化剂的配混比例，相对于环氧树脂100质量份，例如为0.05质量份以上，优选为0.1质量份以上，此外，例如为3.0质量份以下，优选为1.0质量份以下。
作为第1光学组合物的优选方式所记载的“实质上不含颗粒”是指：作为颗粒，可以以杂质的形式含有超微量的颗粒，该情况下，相对于第1光学组合物的全部固体成分，颗粒的含有比率例如小于1质量％，优选小于0.1质量％。
另一方面，第1光学组合物例如可以含有树脂和颗粒。
作为颗粒，可适当选择，可优选列举出二氧化硅颗粒等。
对于颗粒的含有比率，相对于树脂100质量份，例如为11质量份以上，优选为42质量份以上，此外，例如为150质量份以下，优选为110质量份以下。此外，对于颗粒的含有比率，相对于第1光学组合物，例如为10质量％以上，优选为30质量％以上，此外，例如为60质量％以下，优选为55质量％以下。
第1光学调整层4具有比透明基材2的折射率nA更低的折射率nC。第1光学调整层4的折射率nC例如通过阿贝折射率仪进行测定。
而第1光学调整层4的折射率nC比透明基材2的折射率nA更高或与之相同时，透明导电性薄膜1的光学特性(具体为抑制布线图案被辨识)会降低。
第1光学调整层4的折射率nC相对于透明基材2的折射率nA之比(nC/nA)小于1，优选为0.99以下，更优选为0.95以下，此外，例如为0.80以上。
用透明基材2的折射率nA减去第1光学调整层4的折射率nC的值(差nA-nC)例如为0.01以上，优选为0.05以上，更优选为0.10以上，此外，例如为0.30以下，优选为0.25以下。
具体而言，第1光学调整层4的折射率nC例如小于1.60，优选为1.55以下，更优选为1.53以下，此外，例如为1.20以上，优选为1.30以上。
而第1光学调整层4的折射率nC、比值(nC/nA)和/或差值(nA-nC)高于上述下限时，能够抑制透明导电性薄膜1的光学特性(具体为抑制图案被辨识)的降低。
第1光学调整层4的厚度TC为10nm以上且35nm以下。第1光学调整层4的厚度TB例如通过基于透射型电子显微镜(TEM)的剖面观察进行测定。
而第1光学调整层4的厚度TC小于10nm时，无法确保透明导电性薄膜1的优异的透明性。另一方面，第1光学调整层4的厚度TC超过35nm时，无法抑制透明导电层6的布线图案被辨识。
此外，第1光学调整层4的厚度TC优选为15nm以上。
进而，第1光学调整层4的厚度TC相对于第2光学调整层3的厚度TB之比(TC/TB)例如为0.020以上，优选为0.050以上，更优选为0.100以上，进一步优选为0.120以上，此外，例如为0.500以下，优选为0.200以下，更优选为0.250以下，进一步优选为0.150以下。
第1光学调整层4的厚度TC和/或比值(TC/TB)为上述下限以上时，能够确保优异的透明性。另一方面，第1光学调整层4的厚度TC为上述上限以下时，能够抑制透明导电层6的布线图案被辨识。
5.无机物层
无机物层5是与上述第2光学调整层3和第1光学调整层4一起为了抑制透明导电层6的布线图案被辨识而对透明导电性薄膜1的光学物性进行调整的光学调整层(第3光学调整层)。
无机物层5具有薄膜形状(包括薄片形状)，例如在第1光学调整层4的上表面整面以与第1光学调整层4的上表面接触的方式配置。
无机物层5由具有规定的光学物性的无机物制备。
作为无机物，例如可列举出氧化物、氟化物等。
作为氧化物，可列举出：氧化硅(具体为二氧化硅(SiO2)、一氧化硅(SiO)等)、氧化铝(Al2O3)等。
作为氟化物，可列举出：例如氟化钠(NaF)、六氟铝酸三钠(Na3AlF6)、氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)等氟化碱金属，例如氟化钙(CaF2)、氟化钡(BaF2)等氟化碱土金属，例如氟化镧(LaF3)、氟化铈(CeF)等氟化稀土类等。
无机物可以单独使用或组合使用2种以上。
作为无机物，从确保所期望的折射率nD(后述)的角度来看，可优选列举出氧化物，更优选列举出二氧化硅(SiO2：折射率1.47)。
无机物层5具有比第1光学调整层4的折射率nC乘以1.13得到的值的绝对值ABV(＝|nC×1.13|)更低或与之相同的折射率nD。无机物层5的折射率nD例如通过阿贝折射率仪进行测定。
另一方面，无机物层5的折射率nD具有比上述绝对值ABV更高的折射率nD时，无法抑制透明导电层6的布线图案被辨识。
优选具有比第1光学调整层4的折射率nC乘以1.13得到的值(＝nC×1.13)更低或与之相同的折射率nD。通过将无机物层5的折射率nD控制在上述范围内，可抑制第1光学调整层4与无机物层5之间的反射，结果能够使抑制布线图案被辨识的效果提高。
具体而言，无机物层5的折射率nD例如为1.30以上，优选为1.40以上，此外，例如为2.00以下，优选为1.90以下，更优选为1.80以下，进一步优选为1.72以下，特别优选为1.60以下，最优选为1.50以下。
无机物层5的折射率nD相对于第1光学调整层4的折射率nC之比(nD/nC)例如为0.800以上，此外，例如为1.500以下，优选为1.100以下。
无机物层5的折射率nD和/或比值(nD/nC)为上述下限以上时，能够抑制光学特性的降低。另一方面，无机物层5的nD和/或比值(nD/nC)为上述上限以下时，能够抑制布线图案被辨识。
无机物层5的厚度TD例如为20nm以下，优选为15nm以下，更优选为13nm以下，进一步优选为10nm以下，此外，例如为1.0nm以上，优选为1.5nm以上。无机物层5的厚度TD通过基于透射型电子显微镜(TEM)的剖面观察进行测定。
此外，无机物层5的厚度TD相对于第1光学调整层4的厚度TC之比(TD/TC)例如超过0.050，优选为0.060以上，更优选为0.070以上，此外，例如为0.500以下，优选为0.450以下，更优选为0.350以下，进一步优选为0.120以下，特别优选为0.100以下。
无机物层5的上述厚度TD和/或比值(TD/TC)为上述上限以下时，透明导电性薄膜1的透明性优异，并且能够减薄无机物层5和透明导电层6的总厚度，抑制施加于透明导电层6的应力的增加，抑制透明导电层6产生损伤。而无机物层5的上述厚度TD和/或比值(TD/TC)为上述下限以上时，能够抑制布线图案被辨识，并且能够抑制自第2光学调整层3和第1光学调整层4产生气体，抑制透明导电层6的损伤。
6.透明导电层
透明导电层6如图2所参照那样是用于在后续工序中形成为布线图案、形成图案部7的导电层。
如图1所示，透明导电层6是透明导电性薄膜1的最上层，具有薄膜形状(包括薄片形状)。
作为形成透明导电层6的材料，例如可列举出：含有选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W组成的组中的至少1种金属的金属氧化物。在金属氧化物中可以根据需要而进一步掺杂上述组中所示的金属原子。
作为材料，可优选列举出铟锡复合氧化物(ITO)、锑锡复合氧化物(ATO)等，更优选列举出ITO。
材料可以是结晶质和非晶态中的任一种，此外，也可以是结晶质和非晶态的混合体。材料优选为结晶质。
透明导电层6的折射率nE例如为1.70以上，优选为1.80以上，此外，例如为2.10以下，优选为2.00以下。透明导电层6的折射率nE例如通过阿贝折射率仪进行测定。
透明导电层6的厚度TE例如为15nm以上，优选为20nm以上，更优选为25nm以上，此外，例如为50nm以下，优选为35nm以下。
透明导电层6的厚度TE通过用粉末X射线衍射装置测定X射线反射率而算出，其细节在后面的实施例中详述。
透明导电层6的厚度TE相对于无机物层5的厚度TD之比(TE/TD)例如为5以上，优选为8以上，此外，例如为20以下，优选为15以下。
透明导电层6的厚度TE和/或比值(TE/TD)为上述下限以上时，在用于触摸屏时能够得到适宜的低电阻的透明导电层6。另一方面，透明导电层6的厚度TE和/或比值(TE/TD)为上述上限以下时，能够抑制施加于透明导电层6的应力，能够控制透明导电层6产生裂纹等损伤的风险。
7.透明导电性薄膜的制造方法
接着，对制造透明导电性薄膜1的方法进行说明。
要想制造透明导电性薄膜1，例如在透明基材2上将第2光学调整层3、第1光学调整层4、无机物层5和透明导电层6按上述顺序配置(层叠)。
其方法如图1所参照那样，首先准备透明基材2。
接着，通过例如湿式将第2光学组合物配置在透明基材2的上表面。
具体而言，首先，制备将第2光学组合物用溶剂稀释得到的稀释液，接着，将稀释液涂布在第2光学调整层3的上表面，干燥稀释液。
作为溶剂，例如可列举出有机溶剂、水系溶剂(具体为水)等，可优选列举出有机溶剂。作为有机溶剂，可列举出：甲醇、乙醇、异丙醇等醇化合物，例如丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮(MIBK)等酮化合物，例如乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯化合物，例如甲苯、二甲苯等芳香族化合物等。可优选列举出酮化合物。溶剂可以单独使用或组合使用2种以上。
通过溶剂将第2光学组合物稀释至稀释液中的固体成分浓度例如为0.5质量％以上且5.0质量％以下。
作为涂布方法，例如可列举出：喷注涂布法、模头涂布法、旋转涂布法、喷雾涂布法、照相凹版涂布法、辊式涂布法、棒涂布法等。
干燥温度例如为60℃以上，优选为80℃以上，例如为250℃以下，优选为200℃以下。
干燥时间例如为1.0分钟以上，优选为2.0分钟以上，例如为1.0小时以下，优选为0.5小时以下。
通过上述涂布和干燥，在透明基材2的上表面将第2光学组合物形成为薄膜形状。
然后，在第2光学组合物含有活性能量射线固化性树脂时，在稀释液干燥后，通过照射活性能量射线使活性能量射线固化性树脂固化。
由此，将第2光学调整层3形成在透明基材2的上表面整面。
接着，通过例如湿式将第1光学组合物配置在第2光学调整层3的上表面。
具体而言，首先，制备将第1光学组合物用溶剂稀释得到的稀释液，接着，将稀释液涂布在透明基材2的上表面，干燥稀释液。
作为稀释液中的固体成分浓度、溶剂、涂布方法和干燥方法，可列举出与第2光学组合物的稀释液中例示的相同的内容。
另外，在第1光学组合物含有热固化性树脂时，通过上述干燥，能够在溶剂干燥的同时使热固化性树脂热固化。
由此，将第1光学调整层4形成在第2光学调整层3的上表面。
然后，对于透明基材、第2光学调整层和第1光学调整层，根据需要而通过例如放置在为1×10-1Pa以下、优选为1×10-3Pa以下的减压气氛下而进行脱气处理。脱气处理使用后面会详细说明的干式的装置所具备的排气装置(具体包括涡轮分子泵等)来实施。
接着，例如通过干式将无机物层5配置在第1光学调整层4的上表面。
作为干式，例如可列举出：真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等。可优选列举出溅射法。具体可列举出磁控溅射法。
在采用溅射法时，作为靶材，可列举出上述无机物。
作为溅射法中使用的气体，例如可列举出Ar等非活性气体。
此外，在由氧化物制备无机物层5时，采用反应性溅射法。反应性溅射作为靶材使用氧化物所含有的元素，在反应性溅射过程中，作为气体导入氧气等反应性气体，在反应性溅射的过渡中使元素反应(具体为氧化)。此时，反应性气体的流量相对于非活性气体和反应性气体的总流量的百分率例如为0.1％以上且60％以下。
以反应性溅射将无机物层5形成(或者成膜)在第1光学调整层4的上表面时，通过监测等离子体的发光强度、反应性溅射时的放电电压并控制过渡区域，能够提高成膜速率。在此基础上，通过等离子体的发光强度等的控制，还能够控制无机物层5的氧化数(甚至是无机物层5的折射率nD)。
溅射法所使用的电源可以是例如DC电源、MF电源和RF电源中的任一种，此外，也可以是它们的组合。
由此，将无机物层5形成在第1光学调整层4的上表面整面。
接着，例如通过干式将透明导电层6配置在无机物层5的上表面整面。
作为干式，可列举出与上述相同的方法，优选列举出溅射法，更优选列举出磁控溅射法。
在采用溅射法时，作为靶材，可列举出上述的金属氧化物。
溅射法中使用的气体和流量与上述相同。
由此，将透明导电层6配置在无机物层5的上表面。
然后，根据需要而使透明导电层6结晶。要想使透明导电层6结晶，例如加热透明导电层6。
透明导电性薄膜1中的透明导电层6的电阻率例如为3.0×10-4Ω·cm以下，此外，例如为1.1×10-4Ω·cm以上。
由此，如图1所示，得到具备透明基材2、第2光学调整层3、第1光学调整层4、无机物层5和透明导电层6的透明导电性薄膜1。
透明导电性薄膜1的总厚度例如为2μm以上，优选为20μm以上，此外，例如为200μm以下，优选为150μm以下。
需要说明的是，上述制造方法可以以辊对辊方式一边输送透明基材2一边在该透明基材2的上表面依次形成第2光学调整层3、第1光学调整层4、无机物层5和透明导电层6，此外，也可以以分批方式形成这些层的一部分或全部。
然后，该透明导电性薄膜1如图2所示，通过蚀刻将透明导电层6形成为布线图案，在无机物层5上形成图案部7和非图案部8。非图案部8处，无机物层5的上表面从图案部7露出。各图案部7的宽度L例如为10μm以上且500μm以下，此外，邻接的图案部7的间隔S(即，非图案部8的宽度S)例如为10μm以上且500μm以下。
然后，透明导电性薄膜1例如为图像显示装置所具备。
尤其，该透明导电性薄膜1例如用于触摸屏用基材。作为触摸屏的形式，可列举出：光学方式、超声波方式、静电容量方式、电阻膜方式等各种方式，特别适宜用于静电容量方式的触摸屏。
8.作用效果
该透明导电性薄膜1由于具备具有特定的折射率nC和厚度TC的第1光学调整层4和具有特定的折射率nD的无机物层5，因此能够在抑制透明导电层6产生损伤的同时抑制透明导电层6的布线图案(图案部7、参见图2)被辨识，并且具有优异的抗划伤性和优异的透明性。
此外，该透明导电性薄膜1还具备配置在透明基材2与第1光学调整层4之间的第2光学调整层3，由于第2光学调整层3具有比透明基材2的折射率nA更高的折射率nB，因此能够更进一步抑制布线图案被辨识，并且具有更进一步优异的抗划伤性。
此外，该透明导电性薄膜1由于第2光学调整层3的厚度TB为上述特定范围，因此能够更进一步抑制布线图案被辨识，并且具有更进一步优异的抗划伤性。
此外，该透明导电性薄膜1由于无机物层5的厚度TD为特定范围，因此能够更进一步抑制透明导电层6产生损伤。
此外，该透明导电性薄膜1由于无机物层5的厚度TD为特定范围，因此能够更进一步抑制透明导电层6产生损伤。
此外，透明导电层6的厚度nE为上述25nm以上时，透明导电层6容易产生损伤。预想这是由于透明导电层6的下层含有大量的杂质气体的情况或热量引起的线膨胀率高达显著的程度。然而，该透明导电性薄膜1由于具备上述特定的第1光学调整层4和无机物层5，因此透明导电层6的下层不容易含有不纯气体，无机物层5的膨胀率低，因而能够有效抑制透明导电层6的上述损伤。
第1光学调整层4含有颗粒时，由于颗粒带来的凹凸会导致无机物层5和透明导电层6的局部应力增大，因此有时会无法有效地抑制透明导电层6的损伤。然而，对该透明导电性薄膜1而言，由于在第1光学调整层4仅由树脂形成时能够抑制上述的应力增大，因此能够有效抑制透明导电层6的损伤。
<变形例>
在第1实施方式中，使第2光学调整层3与透明基材2的上表面接触，但不限于此。例如，虽未图示，也可以不使第2光学调整层3接触透明基材2的上表面而在它们之间夹着其他层。
在第1实施方式中，使第1光学调整层4与第2光学调整层3的上表面接触，但不限于此。例如，也可以不使第1光学调整层4接触第2光学调整层3的上表面而在它们之间夹着其他层。
在第1实施方式中，使无机物层5与第1光学调整层4的上表面接触，但不限于此。例如，也可以不使无机物层5接触第1光学调整层4的上表面而在它们之间夹着其他层。
<第2实施方式>
在第2实施方式中，对于与第1实施方式同样的构件和工序标以相同的附图标记，省略其详细说明。
如图3所示，透明导电性薄膜1依次具备透明基材2、第1光学调整层4、无机物层5和透明导电层6。即，透明导电性薄膜1具备透明基材2、配置在透明基材2上的第1光学调整层4、配置在第1光学调整层4上的无机物层5和配置在无机物层5上的透明导电层6。即，第2实施方式的透明导电性薄膜1不具备在第1实施方式的透明导电性薄膜1中配置在透明基材2与第1光学调整层4之间的第2光学调整层3。优选透明导电性薄膜1仅由透明基材2、第1光学调整层4、无机物层5和透明导电层6形成。
第1光学调整层4例如在透明基材2的上表面整面以与透明基材2的上表面接触的方式配置。
要想制造第2实施方式的透明导电性薄膜1，例如在透明基材2上将第1光学调整层4、无机物层5和透明导电层6按上述顺序配置(层叠)。
根据第2实施方式的透明导电性薄膜1，能够发挥与第1实施方式的透明导电性薄膜1同样的作用效果。
尤其，图3所示的第2实施方式的透明导电性薄膜1由于不同于图1所示的第1实施方式的透明导电性薄膜1，不具备第2光学调整层3，因此能够减少制造成本并且简便地得到透明导电性薄膜1。进而，能够实现透明导电性薄膜1的薄型化。
另一方面，图1所示的第1实施方式的透明导电性薄膜1由于不同于图3所示的第2实施方式的透明导电性薄膜1，具备第2光学调整层3，因此能够获得优异的抗划伤性。
<变形例>
在第2实施方式中，第1光学调整层4与透明基材2的上表面接触，但不限于此。例如，虽未图示，也可以不使第1光学调整层4接触透明基材2的上表面而在它们之间夹着其他层。
实施例
以下示出实施例和比较例进一步对本发明进行具体说明。需要说明的是，本发明完全不限定于实施例和比较例。此外，在以下记载中所使用的配混比例(含有比率)、物性值、参数等具体的数值能够替换成上述“具体实施方式”中所记载的相对应的配混比例(含有比率)、物性值、参数等及该记载的上限值(以“以下”、“小于”的形式所定义的数值)或下限值(以“以上”、“超过”的形式所定义的数值)。
实施例1
(透明基材的准备)
作为透明基材，准备厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜(三菱树脂株式会社制造、商品名“DIAFOIL”)。
(第2光学调整层的形成)
将由紫外线固化型丙烯酸类树脂和氧化锆(ZnO2)颗粒(平均粒径20nm)形成的紫外线固化型树脂组合物(第2光学组合物)用MIBK稀释至固体成分浓度为5质量％，制得紫外线固化型树脂组合物的稀释液。接着，将稀释液涂布在透明基材的上表面，使其干燥，将紫外线固化型树脂组合物形成为薄膜形状。接着，对紫外线固化型树脂组合物照射紫外线使其固化。
由此，在透明基材的上表面整面形成厚度200nm的第2光学调整层。
(第1光学调整层的形成)
对由热固化型环氧树脂100质量份和环氧树脂用固化剂1质量份形成的热固化性树脂组合物(第1光学组合物)，用MIBK将热固化性树脂组合物稀释至固体成分浓度为0.8质量％，制得热固化性树脂组合物的稀释液。接着，将稀释液涂布在第2光学调整层的上表面，在195℃下加热1分钟，由此干燥稀释液，使热固化性树脂组合物固化。
由此，在第2光学调整层的上表面整面形成厚度25nm的第1光学调整层。
(脱气处理)
将由透明基材、第2光学调整层和第1光学调整层形成的层叠薄膜安装于DC磁控溅射装置，一边使它们在加热过的成膜辊上密合并行进，一边卷取。一边使层叠薄膜行进，一边通过DC磁控溅射装置所具备的排气装置(涡轮分子泵等)使气氛的真空度为1×10-4Pa。
(无机物层的形成)
通过DC磁控溅射法在第1光学调整层的上表面形成由SiO2(二氧化硅)形成的厚度2nm的无机物层。
需要说明的是，溅射条件如下。
靶材：Si
气体：Ar和O2(O2流量比：30％(/Ar和O2的总流量))
减压度：0.2Pa
(透明导电层的形成)
在维持真空溅射装置的真空度的状态下，通过DC磁控溅射法在无机物层的上表面形成由ITO形成的、厚度26nm的透明导电层。需要说明的是，无机物层为非晶态。
需要说明的是，溅射条件如下。
靶材：氧化锡浓度10质量％的ITO
气体：Ar和O2(O2流量比0.1％(/Ar和O2的总流量))
减压度：0.4Pa
(结晶)
接着，将在透明基材上依次形成第2光学调整层、第1光学调整层、无机物层和非晶态的透明导电层而得的层叠薄膜从DC磁控溅射装置取出，在150℃的烘箱内加热处理120分钟。由此，使透明导电层结晶。由此，制得在透明基材上依次形成有第2光学调整层、第1光学调整层、无机物层和结晶质的透明导电层的透明导电性薄膜(参见图1)。
实施例2
将第2光学调整层的厚度变更为100nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
实施例3
将第2光学调整层的厚度变更为300nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
实施例4
将第1光学调整层的厚度变更为5nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
实施例5
将第1光学调整层的厚度变更为35nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
实施例6
形成由SiO(一氧化硅)形成的无机物层，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
即，溅射条件变更如下。
靶材：Si
气体：Ar和O2(O2流量比：15％(/Ar和O2的总和流量))
减压度：0.2Pa
实施例7
使第1光学调整层含有中空纳米二氧化硅颗粒(平均粒径45nm)，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
即，如下形成第1光学调整层。
即，将含中空纳米二氧化硅颗粒的丙烯酸酯树脂(二氧化硅颗粒的平均粒径45nm、二氧化硅纳米颗粒的含量80质量％)与MIBK混合，制得固体成分浓度为1.5质量％的含颗粒树脂混合液。对该含颗粒树脂混合液实施5分钟的超声波分散，使各成分均匀分散。接着，使用棒涂布机将含颗粒树脂混合液涂覆在第2光学调整层的上表面，在80℃的烘箱中干燥1分钟后，照射UV(累积光量300mJ)，由此形成第1光学调整层(厚度25nm、含颗粒光学调整层)。
实施例8
将无机物层的厚度变更为10nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
实施例9
将无机物层的厚度变更为12nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
实施例10
未形成第2光学调整层，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图3)。
实施例11
将第2光学调整层的厚度变更为90nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
实施例12
将第2光学调整层的厚度变更为350nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
比较例1
未形成无机物层，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜。
即，透明导电性薄膜仅由透明基材、第2光学调整层、第1光学调整层和透明导电层形成。透明导电层与第1光学调整层的上表面接触。
比较例2
未形成第2光学调整层，并且将第1光学调整层的厚度变更为3nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图3)。
比较例3
未形成第2光学调整层，并且将第1光学调整层的厚度变更为40nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图3)。
比较例4
将第1光学调整层的厚度变更为3nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
比较例5
将第1光学调整层的厚度变更为40nm，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
比较例6
首先，按实施例1中形成第1光学调整层的配方形成第2光学调整层，然后，按实施例1中形成第2光学调整层的配方形成第1光学调整层，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜。
比较例7
作为无机物层形成Nb2O5层，除此之外与实施例1同样处理制得透明导电性薄膜(参见图1)。
即，溅射条件变更为如下条件。
靶材：Nb
气体：Ar和O2(O2流量比30％(/Ar和O2的总流量))
减压度：0.2Pa
(厚度的测定)
A.第2光学调整层的厚度(TB)、第1光学调整层的厚度(TC)和无机物层的厚度(TD)
在各实施例和各比较例的透明导电性薄膜中，通过基于透射型电子显微镜(TEM)的剖面观察分别测定第2光学调整层的厚度(TB)、第1光学调整层的厚度(TC)和无机物层的厚度(TD)。结果示于表1和表2。
B.透明导电层的厚度(TE)
在各实施例和各比较例的透明导电性薄膜中，通过如下测定X射线反射率来算出透明导电层的厚度(TE)。
即，以X射线反射率法作为测定原理，在以下测定条件下用粉末X射线衍射装置(Rigaku Corporation制造、“RINT-2000”)测定X射线反射率，用分析软件(RigakuCorporation制造、“GXRR3”)解析所取得的测定数据，由此算出。解析条件采用以下条件，采用透明基材与密度7.1g/cm3的透明导电层的2层模型，将透明导电层的厚度(TE)和表面粗糙度作为变量，实施最小二乘拟合，算出透明导电层的厚度。结果示于表1和表2。
[测定条件]
光源：Cu-Kα射线(波长：)、40kV、40mA
光学***：平行光束光学***
发散狭缝：0.05mm
受光狭缝：0.05mm
单色化·平行化：使用多层戈贝尔镜
测定模式：θ/2θ扫描模式
测定范围(2θ)：0.3～2.0°
[解析条件]
解析方法：最小二乘拟合
解析范围(2θ)：2θ＝0.3～2.0°
C.透明基材的厚度TA
对于透明基材的厚度TA，直接采用所准备的透明基材的产品目录中记载的数值。
D.厚度之比
分别算出厚度之比，即TB/TA、TC/TB、TD/TC、TE/TD。将结果示于表1和表2。
(折射率的测定)
在各实施例和各比较例的透明导电性薄膜中，通过阿贝折射率仪分别测得第2光学调整层的折射率(nB)、第1光学调整层的折射率(nC)、无机物层的折射率(nD)和透明导电层的折射率(nE)。
其中，对于透明基材的折射率(nA)，直接采用所准备的透明基材的产品目录中记载的数值。将结果示于表1和表2。
并且，分别算出折射率的比，即nB/nA、nC/nA、nD/nC。并且，算出“nC×1.13”值。将结果示于表1和表2。
(耐裂纹性(损伤抑制))
对于各实施例和各比较例的透明导电性薄膜，通过以下操作按照下述标准评价耐裂纹性(损伤抑制)。
即，从制得的透明导电薄膜上切下6cm×6cm，在所切下的透明导电薄膜的透明导电层的表面，将3根宽度1mm的聚酰亚胺胶带以10mm间隔在面内粘贴成条纹状。接着，在该状态下浸入50℃、10质量％的盐酸(HCl)，蚀刻透明导电层(参见图2和图4)。然后，将聚酰亚胺胶带自透明导电性薄膜剥离，在150℃下干燥30分钟后，使用透明的胶水粘贴于厚度700μm的玻璃板。具体而言，通过胶水将透明导电层粘贴于玻璃板。在该状态下，在85℃85％RH的环境下静置一定时间，然后，用激光显微镜以20倍的倍率观察透明导电层是否产生裂纹(损伤)。
标准
○：在85℃85％RH的环境下，经过120小时后和经过240小时后均没有裂纹产生。
△：在85℃85％RH环境下，经过120小时后没有裂纹产生，但在经过240小时后有裂纹产生。
×：在85℃85％RH环境下，经过120小时后和经过240小时后均有裂纹产生。
(抗划伤性)
对于各实施例和各比较例的透明导电性薄膜，通过以下操作按照下述标准评价抗划伤性。
从经140℃、90分钟加热的透明导电性薄膜上切下5cm×11cm的长方形，在长边一侧的两端部5mm部分涂银糊剂，自然干燥48小时。接着，将透明导电性薄膜的透明基材的下表面粘贴于带粘合剂的玻璃板，得到划伤性评价用样品。接着，使用10连式笔试验机(MTM公司制造)，在下述条件下，在前述划伤性评价用样品的短辺侧的中央位置(2.5cm位置)沿长边方向以10cm的长度划擦前述划伤性评价用样品的透明导电层表面。通过在划伤性评价用样品的长边侧的中央位置(5.5cm位置)使万能表接触两端部的银糊剂部来测定划擦前的划伤性评价用样品的电阻值(R0)和划擦后的划伤性评价用样品的电阻值(R20)，求出电阻变化率(R20/R0)，由此评价抗划伤性。
划块：Anticon Gold(CONTEC Co.,Ltd.制造)
载荷：127g/cm2
划伤速度：13cm/秒(7.8m/分钟)
划伤回数：20次(往返10次)
○：电阻变化率为1.5以下
△：电阻变化率超过1.5且为2.5以下
×：电阻变化率超过2.5
(透明性)
通过测定各实施例和各比较例的透明导电性薄膜的透射XYZ座标中的透射Y，按照下述标准评价透明性。
具体而言，测定装置使用DOT-3C(高速积分球式分光透射率测定器、村上色彩技术研究所制造)或其同等机型。使光从透明导电性薄膜的透明导电层侧入射，从透明基材侧得到透射光谱。接着，由光谱算出透射Y值。此时，使用光源采用JIS Z 8716规定的D65光源并且视场角采用2度。
标准
○：透射Y为88以上。
×：透射Y小于88。
(布线图案被辨识的抑制(外观))
布线图案辨识性按以下操作进行评价。在5cm×10cm的透明导电薄膜的透明导电层的表面，沿着透明导电性薄膜的短辺方向，以2mm间隔将宽度1mm的聚酰亚胺胶带粘贴成条纹状，在50℃、10质量％的盐酸中浸渍5分钟。由此，如图2所示，使透明导电层形成为具有条纹状的图案部的布线图案。
然后，剥离聚酰亚胺胶带，将透明导电层粘贴于黑板制得布线图案可见性评价用的样品。
然后，观察布线图案，按照下述标准评价被辨识的抑制(外观)。
标准
○：导电层的图案几乎不被辨识。
△：导电层的图案几乎不被辨识，但如果转动角度则有时会被辨识。
×：导电层的图案容易被辨识。
[表1]
[表2]
需要说明的是，虽然以本发明的例示的实施方式的形式提供了上述发明，但这仅仅是单纯的例示，不应做限定性解释。该技术领域的本领域技术人员所清楚的本发明的变形例包括在权利要求范围内。
产业上的可利用性
透明导电性薄膜例如用于触摸屏。
附图标记说明
1 透明导电性薄膜
2 透明基材
3 第2光学调整层
4 第1光学调整层
5 无机物层
6 透明导电层
ABV 绝对值(＝|nC×1.13|)
nA 折射率(透明基材)
nB 折射率(第2光学调整层)
nC 折射率(第1光学调整层)
nD 折射率(无机物层)
TB 厚度(第2光学调整层)
TC 厚度(第1光学调整层)
TE 厚度(透明导电层)

Claims (6)

1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，
所述透明导电性薄膜依次具备透明基材、第1光学调整层、无机物层和透明导电层，
所述第1光学调整层具有比所述透明基材的折射率更低的折射率，并且具有10nm以上且35nm以下的厚度，
所述无机物层具有比所述第1光学调整层的折射率乘以1.13得到的値的绝对值更低的折射率、或者与所述绝对值相同的折射率。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，
所述透明导电性薄膜还具备配置在所述透明基材与所述第1光学调整层之间的第2光学调整层，
所述第2光学调整层具有比所述透明基材的折射率更高的折射率。
3.根据权利要求2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，
所述第2光学调整层具有100nm以上且300nm以下的厚度。
4.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，
所述无机物层具有1.5nm以上且10nm以下的厚度。
5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，
所述透明导电层的厚度为25nm以上。
6.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，
所述第1光学调整层仅由树脂形成。
CN201580002254.XA 2014-04-30 2015-03-11 透明导电性薄膜 Active CN105659198B (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014093487 2014-04-30
JP2014-093487 2014-04-30
JP2014-104184 2014-05-20
JP2014104609 2014-05-20
JP2014104184 2014-05-20
JP2014-104609 2014-05-20
PCT/JP2015/057213 WO2015166724A1 (ja) 2014-04-30 2015-03-11 透明導電性フィルム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105659198A CN105659198A (zh) 2016-06-08
CN105659198B true CN105659198B (zh) 2019-06-18

Family

ID=54358464

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580002254.XA Active CN105659198B (zh) 2014-04-30 2015-03-11 透明导电性薄膜
CN201580001267.5A Active CN105452520B (zh) 2014-04-30 2015-03-11 透明导电性薄膜

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580001267.5A Active CN105452520B (zh) 2014-04-30 2015-03-11 透明导电性薄膜

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10186346B2 (zh)
JP (3) JP6207633B2 (zh)
KR (2) KR20160146492A (zh)
CN (2) CN105659198B (zh)
TW (2) TWI665092B (zh)
WO (2) WO2015166723A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6412539B2 (ja) 2015-11-09 2018-10-24 日東電工株式会社 光透過性導電フィルムおよび調光フィルム
CN106843623A (zh) * 2016-12-22 2017-06-13 张家港康得新光电材料有限公司 一种电阻式触摸屏
JP6596591B2 (ja) * 2017-07-10 2019-10-23 東山フイルム株式会社 透明導電性フィルム用の光学調整層付きハードコートフィルム、および透明導電性フィルム
WO2019031105A1 (ja) * 2017-08-08 2019-02-14 三井金属鉱業株式会社 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
JP2019200910A (ja) * 2018-05-16 2019-11-21 日東電工株式会社 透明導電性ガラス
JP7116994B2 (ja) * 2018-06-27 2022-08-12 ロック技研工業株式会社 Ｉｔｏフィルム及び透明導電性フィルム
CN112513315B (zh) 2018-08-01 2023-04-04 株式会社钟化 带有透明电极的基板及其制造方法
JP7305342B2 (ja) * 2018-12-17 2023-07-10 日東電工株式会社 導電性フィルム
JP7300855B2 (ja) * 2019-03-13 2023-06-30 日東電工株式会社 フィルム積層体、および、パターニング導電性フィルムの製造方法
JP2020167047A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 日東電工株式会社 ヒータ
KR20220025707A (ko) * 2019-06-27 2022-03-03 닛토덴코 가부시키가이샤 투명 도전성 필름
CN110230031B (zh) * 2019-06-28 2021-03-02 中北大学 一种宽频带无源耐高温柔性振动传感器及其制备工艺
KR102569310B1 (ko) * 2020-05-15 2023-08-22 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 방현 필름 및 화상 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1795516A (zh) * 2003-05-26 2006-06-28 日本曹达株式会社 带有透明导电膜的透光性基板
CN101226450A (zh) * 2007-01-18 2008-07-23 日东电工株式会社 透明导电性薄膜、其制造方法以及具备该透明导电性薄膜的触摸面板
CN103632755A (zh) * 2013-12-04 2014-03-12 汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司 透明导电膜及其制作方法和光学调整层

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2002029830A1 (ja) * 2000-09-29 2004-02-19 松下電器産業株式会社 導電性を有する多層反射防止膜付透明基板、この多層反射防止膜付透明基板を用いた透明タッチパネルおよびこの透明タッチパネルを用いた電子機器
JP2002163933A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Toyobo Co Ltd 透明導電性フィルム、透明導電性シートおよびタッチパネル
JP2002371355A (ja) 2001-06-14 2002-12-26 Nitto Denko Corp 透明薄膜の製造方法
TWI290328B (en) * 2002-05-23 2007-11-21 Nof Corp Transparent conductive laminated film and touch panel
JP4889195B2 (ja) * 2003-09-26 2012-03-07 住友金属鉱山株式会社 ガスバリア性透明樹脂基板、ガスバリア性透明樹脂基板を用いたフレキシブル表示素子、およびガスバリア性透明樹脂基板の製造方法
WO2006126604A1 (ja) 2005-05-26 2006-11-30 Gunze Limited 透明面状体及び透明タッチスイッチ
JP4861707B2 (ja) 2006-01-20 2012-01-25 日東電工株式会社 透明導電積層体
TW200834610A (en) 2007-01-10 2008-08-16 Nitto Denko Corp Transparent conductive film and method for producing the same
TWI410830B (zh) * 2007-01-16 2013-10-01 Teijin Ltd A transparent conductive laminate and a touch panel formed therefrom
JP5160325B2 (ja) 2008-07-16 2013-03-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びタッチパネル
JP2011076932A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Nitto Denko Corp 透明導電性フィルム及びタッチパネル
KR20110038517A (ko) 2009-10-08 2011-04-14 엘지이노텍 주식회사 터치 패널용 면상 부재 및 그 제조방법
TW201129831A (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Ushine Photonics Corp Transparent conductive laminate comprising visual light adjustment layers
JP5504083B2 (ja) * 2010-07-16 2014-05-28 京セラ株式会社 無線基地局及び通信制御方法
WO2012036527A2 (ko) * 2010-09-17 2012-03-22 (주)엘지하우시스 시인성이 우수한 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법
JP5699352B2 (ja) * 2010-11-11 2015-04-08 北川工業株式会社 透明導電フィルム
JP5543907B2 (ja) * 2010-12-24 2014-07-09 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法
JP6023402B2 (ja) 2010-12-27 2016-11-09 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法
JP2012203701A (ja) 2011-03-25 2012-10-22 Dainippon Printing Co Ltd タッチパネル部材、透明電極層付き基板、基板積層型タッチパネル部材、および、上記タッチパネル部材または上記基板積層型タッチパネル部材を用いた座標検出装置
JP5382820B2 (ja) * 2011-06-22 2014-01-08 株式会社麗光 光学調整フィルム、並びにそれを使用して得る透明導電フィルム、透明導電積層体、及びタッチパネル
JP5540204B2 (ja) 2011-11-17 2014-07-02 北川工業株式会社 透明導電積層体
KR20170060192A (ko) 2011-11-28 2017-05-31 닛토덴코 가부시키가이샤 투명 도전성 필름의 제조 방법
JP6001943B2 (ja) * 2012-07-17 2016-10-05 株式会社カネカ 無機薄膜付き導電材用基板、透明電極付き基板及びその製造方法
WO2014020656A1 (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 株式会社麗光 透明導電フィルム及びタッチパネル
JP6171300B2 (ja) 2012-10-03 2017-08-02 日油株式会社 透明導電性フィルム、及び透明粘着層を積層した透明導電性粘着フィルム
JP6043158B2 (ja) 2012-11-08 2016-12-14 株式会社ダイセル 透明導電性シート及びタッチパネル
JPWO2014080742A1 (ja) 2012-11-26 2017-01-05 日本電気硝子株式会社 透明導電層付き光学部材
JP6328984B2 (ja) 2013-05-22 2018-05-23 日東電工株式会社 両面透明導電性フィルムおよびタッチパネル
JP5637327B1 (ja) 2014-03-18 2014-12-10 大日本印刷株式会社 中間基材フィルム、低屈折率層付き中間基材フィルム、およびタッチパネルセンサ
JP5683734B1 (ja) 2014-07-01 2015-03-11 グンゼ株式会社 透明導電性積層体、タッチパネル、および透明導電性積層体の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1795516A (zh) * 2003-05-26 2006-06-28 日本曹达株式会社 带有透明导电膜的透光性基板
CN101226450A (zh) * 2007-01-18 2008-07-23 日东电工株式会社 透明导电性薄膜、其制造方法以及具备该透明导电性薄膜的触摸面板
CN103632755A (zh) * 2013-12-04 2014-03-12 汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司 透明导电膜及其制作方法和光学调整层

Also Published As

Publication number Publication date
CN105452520B (zh) 2019-04-09
JP2017053038A (ja) 2017-03-16
CN105659198A (zh) 2016-06-08
TW201601930A (zh) 2016-01-16
JPWO2015166723A1 (ja) 2017-04-20
TWI665091B (zh) 2019-07-11
CN105452520A (zh) 2016-03-30
WO2015166724A1 (ja) 2015-11-05
KR20160146638A (ko) 2016-12-21
US10186346B2 (en) 2019-01-22
KR20160146492A (ko) 2016-12-21
TW201545898A (zh) 2015-12-16
WO2015166723A1 (ja) 2015-11-05
US10002687B2 (en) 2018-06-19
JP6207633B2 (ja) 2017-10-04
JP6082841B2 (ja) 2017-02-15
TWI665092B (zh) 2019-07-11
JPWO2015166724A1 (ja) 2017-04-20
US20160155531A1 (en) 2016-06-02
US20170047144A1 (en) 2017-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105659198B (zh) 透明导电性薄膜
JP6654865B2 (ja) 非晶質透明導電性フィルム、ならびに、結晶質透明導電性フィルムおよびその製造方法
CN101874275B (zh) 透明导电性层叠体和触摸面板
US9910545B2 (en) Transparent conductive film and touch panel
TWI450282B (zh) Transparent conductive film with adhesive layer and manufacturing method thereof
KR101318499B1 (ko) 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법
CN105934735B (zh) 双面透明导电性膜及其卷绕体、以及触控面板
CN106024109B (zh) 透明导电性膜
KR102558619B1 (ko) 투명 도전성 필름
KR20190045831A (ko) 투명 도전성 필름 및 투명 도전성 필름 적층체
CN110415863B (zh) 硬涂薄膜、透明导电性薄膜、透明导电性薄膜层叠体以及图像显示装置
JP2020128054A (ja) 導電性フィルムおよびタッチパネル
JP2006275833A (ja) 薄膜評価方法、機能性フィルムおよびその製造方法、透明電磁波遮蔽フィルムおよびその製造方法、光学フィルターならびにプラズマディスプレイ
CN111372776A (zh) 透明导电性薄膜
JP2014156112A (ja) 光透過性導電性フィルム及びそれを有する静電容量型タッチパネル
JP2018039154A (ja) 透明導電性積層体およびそれを有するタッチパネルデバイス
JP2021077509A (ja) 透明導電性フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant