CN105655457A - 用于qled的像素限定结构、像素单元及显示面板 - Google Patents

用于qled的像素限定结构、像素单元及显示面板 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种用于QLED的像素限定结构、包括其的QLED的像素单元及QLED显示面板。该像素限定结构设置在基板上,包括多层叠置的绝缘层和设置在绝缘层中的发光区域,相邻绝缘层的亲水-疏水性能相反,绝缘层中位于基板上的一个绝缘层为第一绝缘层,位于第一绝缘层中的发光区域为第一发光区域;与第一绝缘层相邻的绝缘层为第二绝缘层,位于第二绝缘层中的发光区域为第二发光区域,第一发光区域和第二发光区域的位于同一侧的侧壁不在同一平面上,且第一发光区域的最大宽度小于或等于第二发光区域的最小宽度。第一绝缘层和第二绝缘层对液态功能层材料的作用力相反,第一发光区域和第二发光区域的形状优化了液态功能层材料的分散性。

Description

用于QLED的像素限定结构、像素单元及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种用于QLED的像素限定结构、包括其的QLED的像素单元及QLED显示面板。
背景技术
量子点(QuantumDots)又称半导体纳米晶体,受到光或电的刺激,能发出有色光线,光线的颜色由量子点的组成和大小形状决定。另外由于它的发光波长范围极窄,颜色非常纯粹,现在已经被用于量子点电视的背光光源。
量子点发光器件(QLED,QuantumDotlightEmittingDevice)是近些年显示领域的重要突破,它和OLED一样都是采用电致发光原理进行发光。传统的OLED制备方法中有机发光层采用蒸镀法制备,成本昂贵。目前OLED也有溶液制备法的研究,但是目前仍处于研究阶段,离应用还有一段距离。《Nature》上题目为“Solution-processed,high-performancelight-emittingdiodesbasedonquantumdots”的文章公开了一种QLED的溶液制备法。QLED的功能层一般包括电子注入层,电子传输层,发光层,空穴传输层,空穴注入层,要实现QLED的发光还需要阳极和阴极。阴极通常用银材料,阳极通常用ITO。溶液制备法的优势在于不需要成本高昂的设备,且为QLED显示面板的喷墨打印工艺提供了很好的基础。
各个QLED器件制作在每一像素单元中由像素界定层(PDL)界定的发光区域内。在利用喷墨打印技术制备QLED器件时,各功能层材料由于包括溶剂因此均呈液态,各液态功能层材料分别包括作为电子注入/传输层的氧化锌材料、作为发光层的量子点材料、作为空穴注入层的聚乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)以及作为空穴传输层的聚乙烯咔唑(PVK)材料,PDL有利于将喷墨打印喷出的液态功能层材料限定在发光区域中,打印后液态功能层材料中的溶剂挥发后成为干燥的各个功能层。
公开号为CN104393192A和CN103413819A的专利申请披露了一种应用于OLED的PDL结构,包括亲水绝缘层和疏水绝缘层叠加,利用疏水绝缘层与亲水的液态有机发光材料之间的排斥性,使滴落在疏水绝缘层上的液态有机发光材料流入发光区域内,并且进一步利用亲水绝缘层与亲水的液态有机发光材料之间的亲和性使液态材料在发光区域内均匀分散,形成平整的发光层。但是现有技术中揭露的绝缘层形状并非适用于QLED,因为QLED中的发光材料是量子点,是无机材料,而OLED是有机材料,两者的溶剂都是有机溶剂,但溶质和溶剂的结合力是不同的,即有机溶剂挥发对于量子点溶质和有机发光物质溶质成膜的影响是不同的。而有机溶剂的挥发会影响各功能材料的分散性,各功能材料分散均匀才能使像素发光均匀,且能够避免像素内阳极与阴极因液滴不均匀导致边缘产生易短路情形。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种用于QLED的像素限定结构、包括其的QLED像素单元及QLED显示面板,以解决现有技术中的像素限定结构不能使各液态功能层材料在发光区域的均匀分散的问题。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种用于QLED的像素限定结构,设置在基板上,该像素限定结构包括多层叠置的绝缘层和设置在绝缘层中的发光区域,相邻绝缘层的亲水-疏水性能相反,绝缘层中位于基板上的绝缘层为第一绝缘层,位于第一绝缘层中的发光区域为第一发光区域;与第一绝缘层相邻的绝缘层为第二绝缘层,位于第二绝缘层中的发光区域为第二发光区域,第一发光区域和第二发光区域的位于同一侧的侧壁不在同一平面上,且第一发光区域的最大宽度小于或等于第二发光区域的最小宽度。
进一步地,上述第一发光区域的垂直于第一绝缘层的截面为倒梯形。
进一步地,上述倒梯形的底角大于或等于150°。
进一步地,上述第一发光区域的侧壁为向第一绝缘层凸起的弧面。
进一步地,上述弧面的切面与第一绝缘层的最大夹角小于或等于30°。
进一步地,上述第二发光区域的侧壁垂直于第一绝缘层。
进一步地,上述第二发光区域的侧壁为向第二绝缘层凹陷的弧面。
进一步地,上述绝缘层的层数至少为三层,且相邻绝缘层的同一侧的侧壁不在同一平面内。
根据本发明的另一方面,提供了一种量子点发光器件的像素单元,包括:基板;像素限定结构,设置在基板上且具有绝缘层和发光区域;多个阳极,设置在基板对应发光区域的位置;发光功能层,设置在阳极上;阴极,设置在发光功能层上,像素限定结构为上述的像素限定结构,阳极与像素限定结构的第一绝缘层的亲水-疏水性能相同。
进一步地,上述发光功能层包括依次远离阳极层叠设置的可选的第一注入层、可选的第一传输层、量子点发光层、可选的第二传输层以及可选的第二注入层,第一注入层与第二注入层不同且选自电子注入层和空穴注入层中的一种,第一传输层和第二传输层不同且选自电子传输层和空穴传输层中的一种,上述各绝缘层与形成对应其的发光功能层的液态功能层材料的亲水-疏水性能相同,且第一绝缘层与形成发光功能层中靠近基板的部分的液态功能层材料的亲水-疏水性能相同。
进一步地,上述绝缘层与发光功能层的层数相同且一一对应设置。
根据本发明的另一方面,提供了一种QLED显示面板,具有像素单元,该像素单元为上述的像素单元。
应用本发明的技术方案,利用第一绝缘层和第二绝缘层对液态功能层材料的相反作用力的基础上,利用第一发光区域和第二发光区域的形状进一步优化了液态功能层材料在发光区域的分散性,具体为:位于上方的第二发光区域的最小宽度大于位于下方的第一发光区域的最大宽度,从而使具有无机量子点材料的液态功能层材料更有利于向第一发光区域流动;第一发光区域的侧壁与第二发光区域的侧壁不在同一平面,使得液态功能层材料在第一发光区域的侧壁处表面张力不能延伸至第二发光区域,从而使得液态功能层材料可以均匀分散在发光区域的整个平面,而不会造成液态功能层材料在干燥后边缘的厚度大于其他位置的厚度,从而有助于形成均匀的发光层。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1示出了根据本发明一种优选实施例的像素限定结构的剖面结构示意图;
图2示出了根据本发明另一种优选实施例的像素限定结构的剖面结构示意图;
图3示出了根据本发明又一种优选实施例的像素限定结构的剖面结构示意图;
图4示出了测量得到的实施例1至7以及对比例1的电压和电流密度关系曲线;
图5示出了测量得到的实施例1至7以及对比例1的光谱图;以及
图6示出了测量得到的实施例1至7以及对比例1的电流密度和亮度关系曲线。
其中,上述附图包括以下附图标记:
1、绝缘层;11、第一绝缘层;12、第二绝缘层;2、发光区域;21、第一发光区域;22、第二发光区域。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
本领域技术人员应该清楚的是,物质对按照水的亲和力的不同分为亲水性物质和疏水性物质,因此,本申请的以下所记载的亲水-疏水性能相反是指,两个结构中,其中一个结构为亲水性结构,另一个结构为疏水性结构。
如背景技术所描述的,现有技术的像素限定结构仍然存在不能使各液态功能层材料在发光区域2均匀分散的问题,为了解决该问题,在本发明一种典型的实施方式中提供了一种用于QLED的像素限定结构,如图1至3所示,该像素限定结构设置在基板上,且包括多层叠置的绝缘层1和设置在绝缘层1中的发光区域2,相邻绝缘层1的亲水-疏水性能相反,绝缘层1中位于基板上的绝缘层1为第一绝缘层11,位于第一绝缘层11中的发光区域2为第一发光区域21;与第一绝缘层11相邻的绝缘层1为第二绝缘层12,位于第二绝缘层12中的发光区域2为第二发光区域22,第一发光区域21和第二发光区域22的位于同一侧的侧壁不在同一平面上,且第一发光区域21的最大宽度小于或等于第二发光区域22的最小宽度。
由于像素限定结构对液态功能材料的分散性的影响与液态功能材料对水的亲和力相关,但是两者的作用原理是相似的,因此以下以第一绝缘层11为亲水层,液态功能层材料为亲水材料,第二绝缘层12为疏水层为例进行说明,第一绝缘层11为疏水层,液态功能层材料为疏水材料,第二绝缘层12为亲水层的情况就不再赘述。
具有上述结构的像素限定结构,在利用第二绝缘层12对亲水性的液态功能层材料的排斥作用以及第一绝缘层11对液态功能层材料的亲和作用的基础上,利用第一发光区域21和第二发光区域22的形状进一步优化了液态功能层材料在发光区域2的分散性,具体为:位于上方的第二发光区域22的最小宽度大于位于下方的第一发光区域21的最大宽度,从而使具有无机量子点材料的液态功能层材料更有利于向第一发光区域21流动;第一发光区域21的侧壁与第二发光区域22的侧壁不在同一平面,使得液态功能层材料在第一发光区域21的侧壁处表面张力不能延伸至第二发光区域22,从而使得液态功能层材料可以均匀分散在发光区域2的整个平面,而不会造成液态功能层材料在干燥后边缘的厚度大于其他位置的厚度,从而有助于形成均匀的发光层。
在本申请优选的实施例一中,上述第一发光区域21的垂直于第一绝缘层11的截面为倒梯形。如图1所示,具有该结构的第一发光区域21不仅比较容易制作,而且开口由底面到上表面逐渐增大,更有助于液态功能层材料的流动和分散。
本申请发明人在对液态功能层材料的成膜过程进行研究时发现,液态功能层材料的液滴在沉降过程中,由于液体***中的功能性材料,它们接触到界面上时,因为重力与有机溶剂挥发产生瞬间的带动力,会很快被吸附在界面上,并被液体的运动带向液滴的尾后部分。这种变化,会引起表面张力改变,出现表面张力梯度,从而引起附加的剪切应力,这种剪切应力的方向从表面张力较小处指向较大处,且该剪切应力会力图阻碍液滴表面的运动,以阻止功能性材料在液滴尾后部分的继续积累,从而优化成膜的均匀性。
为了解决由于剪切应力造成的上述问题,优选上述倒梯形的底角大于或等于150°。底角越大会缓和这种变化,同时第一绝缘层11上方的亲水物质在上述角度下能很好地牵引这些功能层材料,所得到的膜层均匀性越好。
在本申请优选的实施例二中,上述第一发光区域21的侧壁为向第一绝缘层11凸起的弧面。如图2所示,第一发光区域21的凸起的弧面侧壁使得亲水性的侧壁与液态功能层材料的接触面积增大,增大了两者的亲和力,从而优化了材料在第一发光区域21的分散性。
同样是为了解决剪切应力造成的上述问题,优选上述弧面的切面与第一绝缘层11的最大夹角小于或等于30°。
在本申请优选的实施例三中,上述第二发光区域22的侧壁垂直于第一绝缘层11。如图1所示,第二发光区域22的垂直于第一绝缘层11的侧壁结构更有利于液态功能层材料向第一发光区域21中流动。
本申请的优选实施例四中,上述第二发光区域22的侧壁为向第二绝缘层12凹陷的弧面。如图2所示,第二发光区域22的侧壁向第二绝缘层12内凹陷,进一步减小了液态功能层材料在第二发光区域22侧壁上的表面张力,进而优化了材料在第二发光区域22的分散性。
当然,上述各实施例可以进行合理组合,比如具有图1所示的第一发光区域21和具有图2所示的第二发光区域22。
在本申请优选的实施例五中,上述像素限定结构的绝缘层1的层数至少为三层,且相邻绝缘层1的同一侧的侧壁不在同一平面内。比如当绝缘层的层数为四层时,沿该四层绝缘层以疏水-亲水-疏水-亲水的方式设置,或以亲水-疏水-亲水-疏水的方式设置。上述结构有利于各功能层的液态功能层材料在各层中的均匀分散。
在本申请另一种典型的实施方式中,提供了一种QLED的像素单元,包括基板、像素限定结构、多个阳极、发光功能层和阴极,像素限定结构设置在基板上且具有绝缘层和发光区域;阳极设置在基板对应发光区域的位置;发光功能层设置在所述阳极上;阴极设置在发光功能层上,该像素限定结构为本申请上述的像素限定结构,阳极与像素限定结构的第一绝缘层的亲水-疏水性能相同,且第一绝缘层与形成发光功能层中靠近基板的部分的液态功能层材料的亲水-疏水性能相同。
如前所述,本申请的像素限定结构具有上述优势,因此,利用具有其的QLED的像素单元中液态功能层材料能够在发光区域均匀分散,形成性能较好的发光功能层,进而有利于改善其发光效果。且由于阳极与第一绝缘层的亲水-疏水性能相同,使得与阳极直接接触的液态功能层材料与阳极的接触效果较好且在阳极上的分散效果也较为理想,进而有效避免了阳极与阴极短路的发生。
含有本申请像素限定结构的像素单元,各绝缘层的厚度可以对应于一个或多个干燥后的功能材料层厚度。各功能层材料层中的亲水性和疏水性可以通过溶剂或添加剂进行调节。各绝缘层的厚度可以根据实际需要进行调整。在一种优选实施例中,上述各绝缘层与形成对应其的发光功能层的液态功能层材料的亲水-疏水性能相同。上述发光功能层包括依次远离阳极层叠设置的可选的第一注入层、可选的第一传输层、量子点发光层、可选的第二传输层以及可选的第二注入层,第一注入层与第二注入层不同且选自电子注入层和空穴注入层中的一种,第一传输层和第二传输层不同且选自电子传输层和空穴传输层中的一种,进一步优选绝缘层与发光功能层的层数相同且一一对应设置。绝缘层与发光功能层的层数相同且一一对应设置,且使得绝缘层与形成的层数相同且功能层的液态功能层材料的相互作用得到充分发挥,进一步对应优化了各功能层的液态功能层材料的分散性。
在本申请又一种典型的实施方式中,提供了一种QLED显示面板,包括像素单元,该像素单元为本申请上述的像素单元。利用上述制作方法能够使各功能层材料在发光区域均匀分散,进而形成厚度和材料均匀的功能层,从而保证了QLED显示面板发光效果和工作时的稳定性。
为了是本领域技术人员更好地理解本申请,以下将结合实施例和对比例进一步说明本申请的技术效果。
以下各实施例中,第一绝缘层为亲水绝缘层,形成其的绝缘材料为日本Toray的PSPI(感光性聚酰亚胺);第二绝缘层为疏水层,形成的绝缘材料为美国Sigma-Aldrich的感光性酚醛树脂或丙烯酸树脂。
其中,各功能层均采用喷墨打印技术进行打印,且各功能层的厚度按照喷墨打印技术的固有特点进行调整,比如:如果想要打印20nm厚度的功能层,选用1%固含量的液态功能层材料进行打印,且需要形成2μm厚度的液滴。因此,以下实施例将不再详细描述各形成各功能层的液态功能材料的固含量和具体的打印方法。
实施例1
步骤S1,在基板上设置ITO电极层形成ITO基板,然后在紫外光照射下通入臭氧对ITO基板进行亲水性处理;
步骤S2,在亲水处理后的ITO基板上用光刻制作图1所示的第一绝缘层,并通过控制曝光能量为80mj/cm2,显影时间35秒得到倾斜角为小于30度的第一绝缘层,然后对其进行热固化;
步骤S3,在固化后的第一绝缘层上方用丝网印刷工艺制作图1所示的第二绝缘层,得到实施例1的像素限定结构。
实施例2
步骤S1,在基板上设置ITO电极层形成ITO基板,然后采用O2-plasma方法对ITO基板进行亲水性处理;
步骤S2,在亲水处理后的ITO基板上用打印机制作图2所示的第一绝缘层,然后热固化,其中通过紫外光照射15秒调节界面亲水性达到接触角小于10度,控制打印机喷嘴压力以及液滴的体积小于60皮升/滴,使液滴在ITO基板上自然流淌,得到弧面的切面与ITO基板的最大夹角为30的第一绝缘层;
步骤S3,在第一绝缘层上方采用slit-coater沉积疏水绝缘材料,正面采用15mj/cm2,反面采用60-75mj/cm2进行曝光,然后光刻和湿刻的方式形成图2所示的第二绝缘层,得到实施例2的像素限定结构。
实施例3
步骤S1,重复实施例1的步骤S1;
步骤S2,重复实施例1的步骤S2得到第一绝缘层;
步骤S3,在固化后的第一绝缘层上方用丝印工艺制作图1所示的第二绝缘层。
步骤S4,采用丝印工艺在第二绝缘层上形成亲水-疏水交替的两层绝缘层,得到实施例3的像素限定结构。
实施例4
步骤S1,重复实施例2的步骤S1;
步骤S2,重复实施例1的步骤S2得到第一绝缘层;
步骤S3,重复实施例2的步骤S3形成具有凹陷弧面侧壁的第二绝缘层,得到实施例4的像素限定结构。
实施例5
步骤S1,重复实施例1的步骤S1;
步骤S2,重复实施例2的步骤S2制作第一绝缘层;
步骤S3,在固化后的第一绝缘层上方用丝印工艺制作具有垂直于第一绝缘层的侧壁的第二绝缘层,得到实施例5的像素限定结构。
实施例6
步骤S1,重复实施例1的步骤S1;
步骤S2,在亲水处理后的ITO基板上用光刻制作图1所示的第一绝缘层,并通过控制曝光能量为60mj/cm2,显影时间20秒得到倾斜角为大于30度的第一绝缘层,然后对其进行热固化;
步骤S3,重复实施例1的步骤S3形成第二绝缘层,得到实施例6的像素限定结构。
实施例7
步骤S1,重复实施例1的步骤S1;
步骤S2,在亲水处理后的ITO基板上用打印的方法制作图2所示的第一绝缘层,热固化后,其中通过紫外光照射15秒调节界面亲水性达到接触角小于10度,控制打印机喷嘴压力以及液滴的体积小于60皮升/滴,并控制干燥时间使弧面的切面与第一绝缘层的最大倾斜角为33°;
步骤S3,重复实施例2的步骤S3形成第二绝缘层,得到实施例7的像素限定结构。
对比例1
步骤S1,重复实施例1的步骤S1;
步骤S2,重复实施例1的步骤S2得到第一绝缘层;
步骤S3,在固化后的第一绝缘层上方用丝印工艺制作第二绝缘层,该第二绝缘层的开口为倒梯形,且其第二绝缘层开口的侧壁与第一绝缘层开口的侧壁在同一平面上,得到对比例1的像素限定结构。
利用实施例1至7以及对比例1的像素限定结构制作绿光发光器件,制作方法为:
在具有该像素限定结构的ITO电极层上打印PEDOT:PSS材料(cas:155090-83-8),然后经真空低压热板干燥形成厚度35nm的空穴注入层,然后在空穴注入层上打印PVK材料(cas:25067-59-8)并利用真空低压热板热压后干燥形成5nm的空穴传输层,在空穴传输层上打印绿色量子点的正辛烷溶液材料并利用真空低压热压板热压后干燥形成40nm的发光层,在发光层上打印ZnO的乙醇溶液并利用真空低压热压板热压后干燥形成100nm的电子传输层,最后蒸镀银形成100nm的电极层,封装形成发光器件。用keithley2400作为电流源表,Pr670作为光谱仪进行亮度及光谱采集进行检测,检测结果见图4至6。
从图4可以看出,实施例与对比例相同电压下,产生的电流是相同的,说明器件各层的膜层厚度是相同的,器件结构一致,表明实施例和对比例中功能层的溶剂挥发完全;在此相同条件下进行下述比较,由图5可以看出颜色纯度无影响,都发出纯正的绿光,说明各功能层材料的溶剂完全挥发;由图6可以看出相同电流下,发光亮度存在差异,说明像素限定结构对发光均匀性起到作用,其中,实施例1至7比对比例1的相同电流密度下亮度要好,说明本申请将第一发光区域的侧壁与第二发光区域的侧壁设置在不同一平面上,能够优化液态功能层材料在发光区域的分散性;实施例1比实施例6的相同电流密度下亮度要好,实施例2比实施例7的相同电流密度下亮度要好,说明当将第一绝缘层的侧壁倾斜角度控制在30度以下时,能够优化液态有机材料的分散均匀性,进而实现更好的发光效果。
从以上的描述中,可以看出,本发明上述的实施例实现了如下技术效果:
位于上方的第二发光区域的最小宽度大于位于下方的第一发光区域的最大宽度,从而使具有无机量子点材料的液态功能层材料更有利于向第一发光区域流动;第一发光区域的侧壁与第二发光区域的侧壁不在同一平面,使得液态功能层材料在第一发光区域的侧壁处表面张力不能延伸至第二发光区域,从而使得液态功能层材料可以均匀分散在整个发光区域,而不会造成液态功能层材料在干燥后边缘的厚度大于其他位置的厚度,从而有助于形成均匀的发光层。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种用于QLED的像素限定结构,设置在基板上,所述像素限定结构包括多层叠置的绝缘层(1)和设置在所述绝缘层(1)中的发光区域(2),其特征在于,相邻所述绝缘层(1)的亲水-疏水性能相反,
所述绝缘层(1)中位于所述基板上的绝缘层(1)为第一绝缘层(11),位于所述第一绝缘层(11)中的所述发光区域(2)为第一发光区域(21);
与所述第一绝缘层(11)相邻的绝缘层(1)为第二绝缘层(12),位于所述第二绝缘层(12)中的所述发光区域(2)为第二发光区域(22),所述第一发光区域(21)和所述第二发光区域(22)的位于同一侧的侧壁不在同一平面上,且所述第一发光区域(21)的最大宽度小于或等于所述第二发光区域(22)的最小宽度。
2.根据权利要求1所述的像素限定结构,其特征在于,所述第一发光区域(21)的垂直于所述第一绝缘层(11)的截面为倒梯形。
3.根据权利要求2所述的像素限定结构,其特征在于,所述倒梯形的底角大于或等于150°。
4.根据权利要求1所述的像素限定结构,其特征在于,所述第一发光区域(21)的侧壁为向所述第一绝缘层(11)凸起的弧面。
5.根据权利要求4所述的像素限定结构,其特征在于,所述弧面的切面与所述第一绝缘层(11)的最大夹角小于或等于30°。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的像素限定结构,其特征在于,所述第二发光区域(22)的侧壁垂直于所述第一绝缘层(11)。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的像素限定结构,其特征在于,所述第二发光区域(22)的侧壁为向所述第二绝缘层(12)凹陷的弧面。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的像素限定结构,其特征在于,所述绝缘层(1)的层数至少为三层,且相邻所述绝缘层(1)的同一侧的侧壁不在同一平面内。
9.一种QLED的像素单元,包括:
基板;
像素限定结构,设置在所述基板上且具有绝缘层和发光区域;
多个阳极,设置在所述基板对应所述发光区域的位置;
发光功能层,设置在所述阳极上;
阴极,设置在所述发光功能层上,其特征在于,所述像素限定结构为权利要求1至8中任一项所述的像素限定结构,所述阳极与所述像素限定结构的第一绝缘层的亲水-疏水性能相同,且所述第一绝缘层与形成所述发光功能层中靠近所述基板的部分的液态功能层材料的亲水-疏水性能相同。
10.根据权利要求9所述的像素单元,其特征在于,各所述绝缘层与形成对应其的发光功能层的液态功能层材料的亲水-疏水性能相同。
11.根据权利要求10所述的像素单元,其特征在于,所述发光功能层包括依次远离所述阳极层叠设置的可选的第一注入层、可选的第一传输层、量子点发光层、可选的第二传输层以及可选的第二注入层,所述第一注入层与所述第二注入层不同且选自电子注入层和空穴注入层中的一种,所述第一传输层和所述第二传输层不同且选自电子传输层和空穴传输层中的一种,所述绝缘层与所述发光功能层的层数相同且一一对应设置。
12.一种QLED显示面板,具有像素单元,其特征在于,所述像素单元为权利要求9至11中任一项所述的像素单元。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107706222A (zh) * 2017-09-28 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN109449148A (zh) * 2018-09-25 2019-03-08 深圳市奥拓电子股份有限公司 Led封装结构及led显示***

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050112341A1 (en) * 2003-11-11 2005-05-26 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
CN101425565A (zh) * 2007-09-28 2009-05-06 大日本印刷株式会社 电致发光元件及其制造方法
CN103187434A (zh) * 2013-04-01 2013-07-03 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及制备有机电致发光器件的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050112341A1 (en) * 2003-11-11 2005-05-26 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
CN101425565A (zh) * 2007-09-28 2009-05-06 大日本印刷株式会社 电致发光元件及其制造方法
CN103187434A (zh) * 2013-04-01 2013-07-03 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及制备有机电致发光器件的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107706222A (zh) * 2017-09-28 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN107706222B (zh) * 2017-09-28 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN109449148A (zh) * 2018-09-25 2019-03-08 深圳市奥拓电子股份有限公司 Led封装结构及led显示***
CN109449148B (zh) * 2018-09-25 2020-10-16 深圳市奥拓电子股份有限公司 Led封装结构及led显示***

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