CN105610041B - 低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器*** - Google Patents

低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器*** Download PDF

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Abstract

本发明所述低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***，包括由第一透镜和第二透镜组成泵浦耦合装置、分光镜、微片激光器；还包括外腔式半导体脉冲激光器。所述微片激光器由耦合输出镜、增益介质、半导体可饱和吸收体和热沉组成；泵浦耦合装置位于外腔式半导体脉冲激光器输出光路上，外腔式半导体脉冲激光器输出的泵浦光经泵浦耦合装置中第一透镜准直后入射到第二透镜，经第二透镜汇聚形成汇聚光束，增益介质接收泵浦光产生皮秒脉冲激光经耦合输出镜输出。本发明的微片激光器***增加了激光增益介质对泵浦光吸收量，从而提高微片激光器转换效率，降低微片激光器工作阈值，以及增高其损伤阈值，并降低皮秒脉冲激光输出的时间抖动性。

Description

低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***
技术领域
本发明属于皮秒脉冲输出被动调Q微片激光器领域，具体涉及一种外腔式半导体脉冲激光器泵浦的低时间抖动皮秒脉冲输出的被动调Q微片激光器***。
背景技术
通过被动调Q微片激光器可获得皮秒脉冲，相比于采用锁模技术获得皮秒脉冲的办法，被动调Q微片激光器具有体积小、价格低、机械稳定性高的优点。激光腔的腔长越短，被动调Q脉冲的脉宽越短。为了获得约100皮秒的被动调Q脉冲输出，一般来说整个微片激光器的等效腔长小于两百微米，并使用半导体可饱和吸收体(SESAM)作为被动调Q器件以进一步减少由于可饱和吸收体其厚度带来的对激光腔腔长的影响。
增益介质对泵浦光的吸收ηa＝1-exp(-αl)，其中α为该增益介质的吸收系数，l为增益介质的长度。对于长度一定的增益介质，为了提高其对泵浦光的吸收效率只有增大增益介质的吸收系数。吸收系数α＝σa，effΔN，其中ΔN为反转粒子数密度，它与泵浦光功率密度以及激光增益介质参数有关。为增益介质的有效吸收截面，其与泵浦光波长以及激光增益介质的参数有关，若泵浦光波长越靠近激光增益介质峰值吸收波长，那么泵浦光的谱宽越窄，有效吸收截面积越大。对于被动调Q皮秒脉冲输出的微片激光器，其激光增益介质对泵浦光的吸收大小会对其激光性能产生三个方面的影响：(1)增益介质对泵浦光的吸收越小，激光的阈值越高，且转换效率越低，所需的泵浦光功率越高；(2)没有被增益介质吸收的泵浦光将通过增益介质后入射到可饱和吸收体上，可饱和吸收体将吸收这部分泵浦光并将其转化为热，产生的热应力将引起可饱和吸收体的热致损伤，导致微片激光器不能工作；(3)增益介质对泵浦光的吸收越大，获得的激光增益越高，则时间抖动特性越小。时间抖动特性会影响被动调Q皮秒脉冲输出的稳定性，并进一步影响其在工业加工或者科研上的使用，因而时间抖动特性越小越好。
对于普通半导体激光器，当输出功率增高时激光器的温度升高，激光波长红移；此时用普通半导体激光器泵浦的微片激光器中的增益介质对泵浦光的吸收能力减弱，激光的阈值增高，且转换效率越低，半导体可饱和吸收体吸收的泵浦光增多，产生的热量增大，温度差增高，热应力增大，造半导体可饱和吸收体成损伤，同样导致微片激光器不能工作。此外，普通半导体激光器的谱宽一般都有2-3nm，且波长随温度及输出功率变化较大，这会使被动调Q微片激光器输出的脉冲串的时间抖动较大。
发明内容
本发明的目的正是在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种外腔式半导体脉冲激光器泵浦的低时间抖动皮秒脉冲输出的被动调Q微片激光器***，以提高激光增益介质对泵浦光的吸收，从而提高微片激光器的转换效率，降低微片激光器的工作阈值，以及增高其损伤阈值，并降低皮秒脉冲激光输出的时间抖动性。
本发明所述低时间抖动皮秒脉冲输出的被动调Q微片激光器***，包括由第一透镜和第二透镜组成的泵浦耦合装置、分光镜、微片激光器；所述微片激光器由耦合输出镜、增益介质、半导体可饱和吸收体和热沉组成，耦合输出镜、增益介质、半导体可饱和吸收体依次胶合在一起，所述半导体可饱和吸收体焊接在热沉上；按照本发明还包括外腔式半导体脉冲激光器；
所述泵浦耦合装置位于外腔式半导体脉冲激光器的输出光路上，外腔式半导体脉冲激光器输出的泵浦光经泵浦耦合装置中的第一透镜准直后入射到第二透镜上，经第二透镜汇聚形成汇聚光束；所述微片激光器的增益介质位于该汇聚光束的束腰处，增益介质接收泵浦光并产生皮秒脉冲激光经耦合输出镜输出，所述分光镜位于经耦合输出镜输出的皮秒脉冲激光的光路上。
上述低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***，所述外腔式半导体脉冲激光器的输出波长为微片激光器的增益介质的峰值吸收波长，其输出谱宽小于1nm。
上述低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***，所述外腔式半导体脉冲激光器由半导体激光器、用于保持半导体激光器工作温度稳定的制冷模块、用于控制制冷模块的制冷温度的温控装置、为半导体脉冲激光器和温控装置提供电源的驱动电源、用于准直泵浦光的准直装置、利特罗闪耀光栅和聚焦透镜装置构成；所述制冷模块安装在半导体激光器上并与温控装置连接，所述半导体激光器、温控装置分别与驱动电源连接；所述半导体激光器输出泵浦光经准直装置准直后入射到利特罗闪耀光栅上，泵浦激光经利特罗闪耀光栅分光后部分入射到位于其光路上的聚焦透镜装置中，经聚焦透镜装置准直、汇聚后出射。
上述低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***，所述聚焦透镜装置由柱面镜和一个球透镜组成，所述泵浦激光经利特罗闪耀光栅分光后部分入射到位于其光路上的聚焦透镜装置中的柱面镜上，被准直后经球透镜汇聚耦合至单模光纤中出射。
上述低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***，所述分光镜位于经耦合输出镜输出的脉冲激光的光路上，并与该光路呈45°角放置，用于将脉冲激光反射输出。
上述低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***，其特征在于所述微片激光器的激光增益介质的厚度小于200μm，为输出皮秒级的脉冲激光。
所述外腔式半导体激光器是指具有外腔反馈技术的半导体激光器。相比于普通半导体激光器，外腔式半导体激光器具有谱线窄、波长稳定性高、效率高、寿命长等优点，被广泛应用于光波器件测量、计量检测、高分辨率光谱分析、大气环境及水质检测等领域。本发明采用外腔式半导体脉冲激光器来泵浦微片激光器，通过调节半导体激光器的输出波长在激光增益介质的吸收峰处，并且使谱宽小于1nm，大大提高激光增益介质对泵浦光的吸收量，增高微片激光器的光转换效率；同时减少半导体可饱和吸收体对泵浦光的吸收，降低可饱和吸收体上的热沉积量，降低热致损伤的风险，增高微片激光器的损伤阈值；增益介质对泵浦光的吸收增大，微片激光器获得的激光增益增高，可降低微片激光器输出的时间抖动性。此外，在获得较低脉冲重复频率的激光时，一般需要减小泵浦激光的功率密度，此时如果采用连续激光泵浦，小的泵浦功率密度将增大微片激光器输出的时间抖动性。为了在较小重复频率工作情况下，依然能够保持微片激光器输出较低的时间抖动性，本发明采用了脉冲泵浦方式的外腔式半导体脉冲激光器来泵浦微片激光器。其原理为：当泵浦激光脉冲宽度和周期远小于激光增益介质的上能级寿命的时候，可以通过调整泵浦脉冲光的功率密度来控制用于微片激光器产生一个脉冲输出的泵浦脉冲数。而在微片激光器脉冲输出前，增益介质中的反转粒子数在几个泵浦脉冲间会基本保持一个相对不变的值，即反转粒子数在多脉冲泵浦的过程中处于增加-保持-增加-保持的重复过程，因此最后一个泵浦脉冲到来时，反转粒子数已经较大，最后一个泵浦脉冲将进一步使得反转粒子数增大超过阈值，获得激光脉冲输出。在这样的泵浦方式下，微片激光器的脉冲输出将建立在一个较大的反转粒子数的基础上，因此激光脉冲建立时间快且稳定，激光输出时间抖动小，而激光稳定性高。
本发明所述低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***与现有技术相比，具有以下有益技术效果：
1、本发明所述微片激光器***，采用外腔式半导体脉冲激光器作为泵浦源，有效地增加激光增益介质对泵浦光的吸收量，从而提高微片激光器的转换效率。
2、本发明所述微片激光器***，采用外腔式半导体脉冲激光器作为泵浦源，有效地增加激光增益介质对泵浦光的吸收量，减少半导体可饱和吸收体对泵浦光的吸收，降低可饱和吸收体上的热沉积量，降低热致损伤的风险，增高微片激光器的损伤阈值。
3、本发明所述微片激光器***，采用外腔式半导体脉冲激光器作为泵浦源，可以通过调整泵浦脉冲光的功率密度来控制用于微片激光器产生一个脉冲输出的泵浦脉冲数，并使得微片激光器的输出建立在一个相对较大的反转粒子数的基础上，从而可降低微片激光器输出的时间抖动性。
4、本发明所述微片激光器***，采用外腔式半导体脉冲激光器作为泵浦源，可以在较小重复频率工作的情况下，依然保持微片激光器输出较低的时间抖动特性。
附图说明
图1是本发明所述微片激光器***的整体结构示意图。
图2是采用普通半导体激光器对微片激光器持续泵浦半小时后微片激光器的半导体饱和吸收体的损伤图。
图3是采用本发明所述微片激光器***的输出功率和时间抖动随输出激光脉冲频率变化的曲线。
图4是采用本发明所述微片激光器***获得的皮秒脉冲激光光斑图。
图5是采用本发明所述微片激光器***控制两个泵浦脉冲获得一个输出激光脉冲的示波器记录图。
图中，1—外腔式半导体脉冲激光器，1-1—半导体激光器，1-2—制冷模块，1-3—温度控制装置，1-4—驱动电源，1-5—准直装置，1-6—利特罗闪耀光栅，1-7—聚焦透镜装置，1-7-1—球透镜，1-7-2—柱面镜，2—单模光纤，3—泵浦耦合装置，3-1—第一透镜，3-2—第二透镜，4—微片激光器，4-1—微片激光器的耦合输出镜，4-2—微片激光器的增益介质，4-3—微片激光器的半导体可饱和吸收体，4-4—微片激光器的热沉，5—分光镜。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式对本发明所述低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***作进一步详细说明，但并不意味着是对本发明保护内容的任何限定。
实施例1
本实施例所述外腔式半导体脉冲激光器泵浦的低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***的结构如图1所示，由第一透镜3-1和第二透镜3-2组成的泵浦耦合装置3、分光镜5和微片激光器4；所述微片激光器由耦合输出镜4-1、增益介质4-2、半导体可饱和吸收体4-3和热沉4-4组成，耦合输出镜、增益介质、半导体可饱和吸收体依次胶合在一起形成激光腔，所述半导体可饱和吸收体焊接在热沉上，还包括外腔式半导体脉冲激光器，该外腔式半导体脉冲激光器作为皮秒脉冲输出的微片激光器***的泵浦源，所述外腔式半导体脉冲激光器的输出波长为微片激光器的增益介质的峰值吸收波长，其输出谱宽小于1nm；
所述泵浦耦合装置3位于外腔式半导体脉冲激光器的输出光路上，输出的泵浦光经泵浦耦合装置中的第一透镜3-1准直后入射到第二透镜3-2上，经第二透镜汇聚形成汇聚光束，所述微片激光器4的增益介质4-2位于该汇聚光束的束腰处，增益介质接收泵浦光并产生脉冲激光经耦合输出镜4-1输出，所述分光镜5位于经耦合输出镜4-1输出的脉冲激光的光路上，并与该光路呈45°角度放置，用于将脉冲激光反射输出。
所述外腔式半导体脉冲激光器由半导体激光器1-1、用于吸收半导体激光器散发的热量的制冷模块1-2、用于控制制冷模块的制冷温度的温控装置1-3、为半导体脉冲激光器1和温控装置1-3提供电源的驱动电源1-4、用于准直泵浦光的准直装置1-5、利特罗闪耀光栅1-6和聚焦透镜装置1-7构成，所述制冷模块1-2安装在半导体激光器1-1上并与温控装置1-3连接，所述半导体激光器1-1、温控装置1-3分别与驱动电源1-4连接，所述聚焦透镜装置1-7由一柱面镜1-7-2和一个球透镜1-7-1组成；
所述半导体激光器1-1输出泵浦光经准直装置1-5准直后入射到利特罗闪耀光栅1-6上，泵浦激光经利特罗闪耀光栅分光得到一级衍射光和零级光，其中一级衍射光反馈回半导体激光器1-1的有源区，并与有源区内的光场作用，以选取激光输出波长和压缩输出谱宽，零级光入射到位于其光路上的聚焦透镜装置1-7中的柱面镜1-7-2上，被准直后经球透镜1-7-1汇聚耦合至单模光纤2中出射。
本实施例中外腔式半导体脉冲激光器泵浦的低时间抖动微片激光器***的各元件均于市场购买得到，各元件的参数及规格如下：
外腔式半导体脉冲激光器最大输出的偏振激光中心波长为808.4nm，激光输出脉宽为0.4nm，激光脉冲峰值功率为650mW，脉冲宽度为200ns，脉冲周期为1000KHz，单模光纤纤芯直径6μm；第一透镜、第二透镜均镀有对泵浦光808nm的高透介质膜；分光镜面向泵浦光的一面镀有对泵浦光808nm 45°角度高透介质膜，面向微片激光器的一面镀有对泵浦光808nm 45°角度高透以及对微片激光器输出的脉冲激光1064nm 45°角度高反射的介质膜；微片激光器的耦合输出镜面向泵浦光的一面镀有对泵浦光808nm以及对微片激光器输出的脉冲激光1064nm高透射的介质膜，而面向增益介质的一面镀有对泵浦光808nm高透射、对脉冲激光1064nm为10％透过率的介质膜；微片激光器的增益介质为Nd:YVO4，厚度为150μm，两端镀有对脉冲激光1064nm高透射的介质膜；微片激光器的半导体可饱和吸收体为SESAM，其饱和能流为98μJ/cm2，调制深度为5％，弛豫时间为1ps。
采用普通半导体激光器泵浦微片激光器，在微片激光器输出波长为1064nm激光约30分钟内，微片激光器的激光输出功率下降迅速，此时在水平或者竖直方向移动微片激光器，直到在泵浦光聚焦位置处的微片激光器上没有损伤点，输出功率上升恢复至初始值，但是在短时间后又开始下降。此时，在显微镜下观察微片激光器，发现如图2所示的损伤。这是由于激光增益介质对泵浦光的吸收较小，可饱和吸收体吸收了大量的泵浦光，形成了较大的温度差及热应力，引起的热致损伤。
采用外腔式半导体脉冲激光器泵浦的微片激光器***，其中外腔式半导体脉冲激光器的输出波长为808.4nm，谱宽为1nm；耦合单模光纤的直径为6μm，数值孔径为0.12；激光脉冲峰值功率为650mW，脉冲宽度为200ns，脉冲周期为1000KHz。使用的第一透镜的焦距为20mm，第二透镜的焦距为60mm，移动微片激光器距离第二透镜的位置，直至获得稳定的1000KHz的皮秒脉冲激光输出。然后移动微片激光器远离第二透镜，以增大在微片激光器上的泵浦光斑，即减小加在微片激光器上的泵浦功率密度。随着泵浦光斑的增大，输出功率减小，泵浦脉冲重复频率减小，且时间抖动也随着减小，如图3所示。由图3可知，该外腔式半导体脉冲激光器泵浦的微片激光器***在输出平均功率为2.13mW的时候，其脉冲输出频率为111.1KHz，即九个泵浦脉冲泵浦产生一个激光脉冲输出，测量的时间抖动仅为0.0315％，图3及图4为激光输出平均功率为5.57mW，激光重复频率500KHz，时间抖动0.094％时的输出光斑图及示波器纪录的泵浦激光与输出激光的脉冲形状图。由图5可知，本发明所述低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***的输出光斑为高斯分布输出。由图5可知，在该种输出情况下，通过两个泵浦脉冲获得一个激光脉冲输出。

Claims (2)

1.一种低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***，包括由第一透镜(3-1)和第二透镜(3-2)组成的泵浦耦合装置(3)、分光镜(5)和微片激光器(4)；所述微片激光器由耦合输出镜(4-1)、增益介质(4-2)、半导体可饱和吸收体(4-3)和热沉(4-4)组成；耦合输出镜、增益介质、半导体可饱和吸收体依次胶合在一起形成激光腔；所述半导体可饱和吸收体焊接在热沉上，其特征在于还包括外腔式半导体脉冲激光器(1)；所述外腔式半导体脉冲激光器作为皮秒脉冲输出的微片激光器***的泵浦源，其输出波长为微片激光器的增益介质的峰值吸收波长，输出谱宽小于1nm；
所述泵浦耦合装置位于外腔式半导体脉冲激光器的输出光路上，外腔式半导体脉冲激光器输出的泵浦光经泵浦耦合装置中的第一透镜准直后入射到第二透镜上，经第二透镜汇聚形成汇聚光束，所述微片激光器的增益介质位于该汇聚光束的束腰处，增益介质接收泵浦光并产生脉冲激光经耦合输出镜输出，所述分光镜位于经耦合输出镜输出的脉冲激光的光路上。
2.根据权利要求1所述低时间抖动皮秒脉冲输出的微片激光器***，其特征在于所述外腔式半导体脉冲激光器(1)由半导体脉冲激光器(1-1)、用于保持半导体脉冲激光器工作温度稳定的制冷模块(1-2)、用于控制制冷模块的制冷温度的温控装置(1-3)、为半导体脉冲激光器(1-1)和温控装置(1-3)提供电源的驱动电源(1-4)、用于准直泵浦光的准直装置(1-5)、利特罗闪耀光栅(1-6)和聚焦透镜装置(1-7)构成；所述制冷模块安装在半导体脉冲激光器上并与温控装置连接，所述半导体脉冲激光器、温控装置分别与驱动电源连接；半导体脉冲激光器输出泵浦光经准直装置准直后入射到利特罗闪耀光栅上，泵浦激光经利特罗闪耀光栅分光后部分入射到位于其光路上的聚焦透镜装置中，经聚焦透镜装置准直、汇聚后出射。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108063364B (zh) * 2018-01-05 2020-06-26 南京大学 基于砷化镉材料的半导体外腔锁模激光器
CN112713493A (zh) * 2020-12-29 2021-04-27 华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所） 可提高抗热损伤性能的半导体可饱和吸收镜及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101640371A (zh) * 2009-08-26 2010-02-03 福州高意通讯有限公司 一种高功率微片激光器
CN102420385A (zh) * 2011-11-14 2012-04-18 北京工业大学 被动调q微片激光器
DE102011114975B3 (de) * 2011-10-06 2013-02-21 Batop Gmbh Passiv gütegeschalteter Mikrochip-Laser mit optischem Verstärker
CN104184027A (zh) * 2014-07-29 2014-12-03 奉化市宇创产品设计有限公司 被动调q微片激光器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070121689A1 (en) * 2003-09-22 2007-05-31 Snake Creek Lasers Llc Methods for Producing Diode-Pumped Micro Lasers
US7756175B2 (en) * 2008-10-30 2010-07-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Pumped semiconductor laser systems and methods

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101640371A (zh) * 2009-08-26 2010-02-03 福州高意通讯有限公司 一种高功率微片激光器
DE102011114975B3 (de) * 2011-10-06 2013-02-21 Batop Gmbh Passiv gütegeschalteter Mikrochip-Laser mit optischem Verstärker
CN102420385A (zh) * 2011-11-14 2012-04-18 北京工业大学 被动调q微片激光器
CN104184027A (zh) * 2014-07-29 2014-12-03 奉化市宇创产品设计有限公司 被动调q微片激光器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Spin-exchange optical pumping using a frequency-narrowed high power diode laser;I. A. Nelson 等;《APPLIED PHYSICS LETTERS》;20000313;第76卷(第11期);第1356-1357页 *

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