CN105588977A - 一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，其特征在于，主要由单片机，无线电压传感器，无线电流传感器，分别与单片机相连接的相位检测电路、显示器和存储器，分别与相位检测电路相连接的整形电路和电流比较电路，与整形电路相连接的电压比较电路，与电压比较电路相连接的稳频电路等组成。本发明所采集到的电压信号和电流信号通过无线网络进行传输，因此测试人员不需要身临现场即可得知设备的运行情况，避免测试人员长时间在恶劣的现场测试而给身体健康还来影响。本发明设置有稳频电路，该稳频电路可以对接收到的电压模拟信号的频率稳定在一定范围内，从而避免因频率波动而影响本发明的测试精度。

Description

一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪

技术领域

本发明涉及一种功率测试仪，具体是指一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪。

背景技术

目前功率测试仪已被广泛应用于工业设备的在线检测和维修。然而，传统的功率测试仪功在使用时测试人员只能身临现场进行操作，而现场车间通常都是噪音、粉尘很大，检测人员长时间在这种恶劣环境中工作对其身体健康带来很大的影响。

发明内容

本发明的目的在于克服人们采用传统的功率测试仪时只能身临车间现场进行操作而给人们身体健康带来影响的缺陷，提供一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪。

本发明的目的通过下述技术方案实现：一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，主要由单片机，无线电压传感器，无线电流传感器，分别与单片机相连接的相位检测电路、显示器和存储器，分别与相位检测电路相连接的整形电路和电流比较电路，与整形电路相连接的电压比较电路，与电压比较电路相连接的稳频电路，与稳频电路相连接的无线电压接收电路，以及与电流比较电路相连接的无线电流接收电路组成；所述无线电压传感器通过无线网络与无线电压接收电路相连接，所述无线电流传感器则通过无线网络与无线电流接收电路相连接。

进一步的，所述整形电路由整形芯片U3，三极管VT7，三极管VT8，一端与整形芯片U3的RC管脚相连接、另一端则接5V电压的电阻R28，正极与整形芯片U3的RC管脚相连接、负极则与整形芯片U3的C管脚相连接的电容C14，P极与整形芯片U3的A管脚相连接、N极则经电阻R30后与整形芯片U3的Q2管脚相连接的二极管D14，P极与整形芯片U3的CLR管脚相连接、N极则经电阻R31后与三极管VT7的基极相连接的二极管D12，与二极管D12相并联的电阻R29，P极与整形芯片U3的Q1管脚相连接、N极则与三极管VT8的基极相连接的二极管D11，P极与三极管VT8的基极相连接、N极接地的二极管D13，以及一端与三极管VT8的发射极相连接、另一端则与相位检测电路相连接的电阻R32组成；所述整形芯片U3的RC管脚与电压比较电路的输出端相连接，其C管脚接地；所述二极管D14的N极接地；所述三极管VT7的发射极接地，其集电极则与三极管VT8的基极相连接；所述三极管VT8的发射极和集电极均接地。

所述稳频电路由放大器P4，放大器P5，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，一端与放大器P4的正极相连接、另一端则与无线电压接收电路的输出端相连接的电阻R22，串接在放大器P4的正极和输出端之间的电阻R23，串接在放大器P4的输出端和三极管VT6的基极之间的电阻R25，一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端接地的电阻R24，N极与放大器P5的正极相连接、P极则经电容C13后与三极管VT5的基极相连接的二极管D10，一端与电容C13的正极相连接、另一端则与三极管VT5的集电极相连接的电阻R26，以及一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端则与电压比较电路相连接的电阻R27组成；所述放大器P4的负极与三极管VT4的发射极相连接；所述放大器P5的输出端与三极管VT4的基极相连接、其负极接地；所述三极管VT6的发射极接地，其集电极则与三极管VT5的发射极相连接。

所述无线电压接收电路由放大器P3，三极管VT3，负极顺次经电阻R16和电阻R15后与天线相连接、正极则与电阻R15和电阻R16的连接点相连接的电容C6，正极与电容C6的正极相连接、负极则与电容C6的负极相连接的同时接地的电容C7，正极与电容C6的正极相连接、负极则与放大器P3的正极相连接的可调电容C8，与可调电容C8相并联的电感L1，正极经电阻R17后与放大器P3的负极相连接、负极接地的电容C9，P极与电容C9的负极相连接、N极则经电阻R18后与放大器P3的输出端相连接的二极管D7，负极与放大器P3的输出端相连接、正极则与三极管VT3的基极相连接的电容C12，N极与三极管VT3的集电极相连接、P极接地的二极管D8，串接在电容C12的负极和二极管D8的P极之间的电阻R19，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端则经电阻R21后接5V电压的电阻R20，正极与电阻R21和电阻R20的连接点相连接、负极则与三极管VT3的发射极相连接的同时接地的电容C11，正极与电容C11的正极相连接、负极则与电容C11的负极相连接的电容C10，以及P极与三极管VT3的集电极相连接、N极则经电阻R22后与放大器P4的正极相连接的二极管D9组成。

所述相位检测电路由电流输入电路，电压输入电路，同时与电流输入电路和电压输入电路相连接的耦合电路，以及与耦合电路相连接的相位处理电路组成。

所述电流输入电路由放大器P1，串接在放大器P1的正极和输出端之间的电阻R3，P极与放大器P1的正极相连接、N极则与放大器P1的负极相连接的二极管D2，N极与放大器P1的正极相连接、P极则与放大器P1的负极相连接的同时接地的二极管D1，一端与放大器P1的正极相连接、另一端则与电流比较电路相连接的电阻R1，以及正极与放大器P1的输出端相连接、负极则与耦合电路相连接的电容C1组成。

所述电压输入电路由放大器P2，串接在放大器P2的正极和输出端之间的电阻R4，P极与放大器P2的正极相连接、N极则与放大器P2的负极相连接的二极管D4，N极与放大器P2的正极相连接、P极则与放大器P2的负极相连接的同时接地的二极管D3，一端与放大器P2的正极相连接、另一端则经电阻R32后与三极管VT8的发射极相连接的电阻R2，以及正极与放大器P2的输出端相连接、负极则与耦合电路相连接的电容C2组成。

所述耦合电路由耦合芯片U1，三极管VT1，电容C3，N极与三极管VT1的发射极相连接、P极则经电阻R5后与电容C3的正极相连接的二极管D5，串接在电容C3的负极和耦合芯片U1的VDD管脚之间的电阻R7，一端与耦合芯片U1的CS管脚相连接、另一端则与电容C2的负极相连接的电阻R6，串接在三极管VT1的基极和发射极之间的电阻R8，以及串接在三极管VT1的发射极和耦合芯片U1的FB管脚之间的电阻R10组成；所述耦合芯片U1的BD管脚与三极管VT1的基极相连接，其GND管脚则与电容C3的负极相连接的同时接地，其FB管脚则与相位处理电路相连接，其SW管脚则与三极管VT1的集电极相连接；所述三极管VT1的发射极则同时与电容C1的负极和相位处理电路相连接。

所述相位处理电路由处理芯片U2，三极管VT2，正极经电阻R9后与处理芯片U2的RD管脚相连接、负极接地的电容C4，N极经电阻R12后与处理芯片U2的VDD管脚相连接、P极则与处理芯片U2的B管脚相连接的二极管D6，串接在电容C4的负极和处理芯片U2的VSS管脚之间的电阻R11，串接在处理芯片U2的VDD管脚和CX管脚之间的电阻R13，正极与处理芯片U2的Q管脚相连接、负极则与三极管VT2的发射极相连接的电容C5，以及一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端则与处理芯片U2的Q管脚共同形成该相位处理电路的输出端的电阻R14组成；所述处理芯片U2的VDD管脚与三极管VT1的发射极相连接，其CX管脚则与电容C5的正极相连接，其A管脚则与三极管VT2的基极相连接，其RX管脚与三极管VT2的集电极相连接，其VSS管脚接地，其B管脚则与耦合芯片U1的FB管脚相连接；所述相位处理电路的输出端与单片机相连接。

所述耦合芯片U1为ACT364US-T集成芯片，处理芯片U2则为CD4528集成芯片，所述整形芯片U3为CD4528集成芯片。

本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

(1)本发明所采集到的电压信号和电流信号通过无线网络进行传输，因此测试人员不需要身临现场即可得知设备的运行情况，避免测试人员长时间在恶劣的现场测试而给身体健康还来影响。

(2)本发明的无线电压接收电路和无线电流接收电路可以对接收到的信号进行放大，从而抵消了信号在远距离无线传输过程中出现的衰减，提高了本发明的测试精度。

(3)本发明设置有稳频电路，该稳频电路可以对接收到的电压模拟信号的频率稳定在一定范围内，从而避免因频率波动而影响本发明的测试精度。

(4)本发明设置有整形电路，该整形电路可以把转换后出现失真的方波进行修真，避免因方波信号失真而影响本发明的测试精度。

附图说明

图1为本发明的整体结构框图。

图2为本发明的相位检测电路的结构图。

图3为本发明的无线电压接收电路的结构图。

图4为本发明的稳频电路的结构图。

图5为本发明的整形电路的结构图。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式并不限于此。

实施例

如图1所示，本发明的一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，主要由单片机，无线电压传感器，无线电流传感器，分别与单片机相连接的相位检测电路、显示器和存储器，分别与相位检测电路相连接的整形电路和电流比较电路，与整形电路相连接的电压比较电路，与电压比较电路相连接的稳频电路，与稳频电路相连接的无线电压接收电路，以及与电流比较电路相连接的无线电流接收电路组成；所述无线电压传感器通过无线网络与无线电压接收电路相连接，所述无线电流传感器则通过无线网络与无线电流接收电路相连接。

其中，单片机作为本发明的处理中心，其优先采用AT89C51型单片机来实现。无线电压传感器用于采集设备的电压信号并通过无线网络把电压信号传输给无线电压接收电路，其优先选用上海牧坤电子科技有限公司生产的M51型无线电压传感器。电流传感器用于采集设备的电流信号并通过无线网络把电流信号传输给无线电流接收电路，其优先选用深圳市文德丰科技有限公司生产的WTC-200-10-400-20型无线电流传感器。无线电压接收电路用于接收并放大无线电压传感所传输过来的电压信号。无线电流接收电路用于接收并放大无线电流传感所传输过来的电流信号。电流比较电路可以把接收到的电流信号转换为相应的方波信号。稳频电路可以对接收到的电压模拟信号的频率稳定在一定范围内，从而避免因频率波动而影响本发明的测试精度。电压比较电路则可以把接收到的电压信号转换为相应的方波信号。整形电路可以把转换后出现失真的方波进行修真，避免因方波信号失真而影响本发明的测试精度。该相位检测电路则用于对电流比较电路和电压比较电路所输送的方波信号进行处理，从而得到一组互补的相位信号输送经单片机。显示器则用于显示设备的输出功率。存储器则用于对信号进行储存。该电流比较电路、电压比较电路、无线电流接收电路以及存储器均采用现有的技术即可实现。

为了更好的对电流比较电路和电压比较电路所输送的方波信号进行处理，如图2所示，该相位检测电路由电流输入电路，电压输入电路，同时与电流输入电路和电压输入电路相连接的耦合电路，以及与耦合电路相连接的相位处理电路组成。

其中，所述电流输入电路用于接收电流比较电路输出的方波信号，其由放大器P1，电阻R1，电阻R3，二极管D1，二极管D2以及电容C1组成。连接时，电阻R3串接在放大器P1的正极和输出端之间。二极管D2的P极与放大器P1的正极相连接、其N极则与放大器P1的负极相连接。二极管D1的N极与放大器P1的正极相连接、其P极则与放大器P1的负极相连接的同时接地。电阻R1的一端与放大器P1的正极相连接、其另一端则与电流比较电路相连接。电容C1的正极与放大器P1的输出端相连接、其负极则与耦合电路相连接。

所述电压输入电路则用于接收电压比较电路输出的方波信号，其由放大器P2，串接在放大器P2的正极和输出端之间的电阻R4，P极与放大器P2的正极相连接、N极则与放大器P2的负极相连接的二极管D4，N极与放大器P2的正极相连接、P极则与放大器P2的负极相连接的同时接地的二极管D3，一端与放大器P2的正极相连接、另一端则与整形电路的输出端相连接的电阻R2，以及正极与放大器P2的输出端相连接、负极则与耦合电路相连接的电容C2组成。

所述耦合电路用于对电流输入电路和电压输入电路所输送进来的方波信号进行耦合，其由耦合芯片U1，三极管VT1，电容C3，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，电阻R10，以及二极管D5组成。

其中，耦合芯片U1，三极管VT1以及电阻R8组成一级耦合放大电路，该一级耦合放大电路的具体结构为：电阻R8串接在三极管VT1的基极和发射极之间。耦合芯片U1的BD管脚与三极管VT1的基极相连接，其SW管脚则与三极管VT1的集电极相连接。同时，二极管D5的N极与三极管VT1的发射极相连接、其P极则经电阻R5后与电容C3的正极相连接。电阻R7串接在电容C3的负极和耦合芯片U1的VDD管脚之间。电阻R6的一端与耦合芯片U1的CS管脚相连接、其另一端则与电容C2的负极相连接。电阻R10则串接在三极管VT1的发射极和耦合芯片U1的FB管脚之间。所述的耦合芯片U1的GND管脚与电容C3的负极相连接的同时接地，其FB管脚则与相位处理电路相连接。所述三极管VT1的发射极则同时与电容C1的负极和相位处理电路相连接。

该二极管D5，电阻R5，电阻R6，电容C3以及电阻R7组成识别电路，该识别电路可以识别出电流比较电路所输出的方波信号和电压比较电路所输出的方波信号。经过识别后的方波信号输入到一级耦合放大电路进行耦合放大处理，经耦合放大处理后的两种方波传输效率更高，且可以避免方波信号在传输的过程中出现损耗。为了达到更好的实施效果，该耦合芯片优选为ACT364US-T集成芯片来实现，而该电容C3则采用耦合电容。

所述相位处理电路由处理芯片U2，三极管VT2，电阻R9，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电容C4，电容C5以及二极管D6组成。

连接时，电容C4的正极经电阻R9后与处理芯片U2的RD管脚相连接、其负极接地。二极管D6的N极经电阻R12后与处理芯片U2的VDD管脚相连接、其P极则与处理芯片U2的B管脚相连接。电阻R11串接在电容C4的负极和处理芯片U2的VSS管脚之间。电阻R13串接在处理芯片U2的VDD管脚和CX管脚之间。电容C5的正极与处理芯片U2的Q管脚相连接、其负极则与三极管VT2的发射极相连接。电阻R14的一端与三极管VT2的集电极相连接、其另一端则与AT89C51型单片机的XTAL2管脚相连接。所述处理芯片U2的Q管脚则与AT89C51型单片机的XTAL1管脚相连接。所述处理芯片U2的VDD管脚与三极管VT1的发射极相连接，其CX管脚则与电容C5的正极相连接，其A管脚则与三极管VT2的基极相连接，其RX管脚与三极管VT2的集电极相连接，其VSS管脚接地，其B管脚则与耦合芯片U1的FB管脚相连接。

其中，电阻R12，电阻R9，电阻R11，电容C4以及二极管D6组成检测电路，该检测电路可以检测出两种不同方波的相位差。而处理芯片U2则根据该相位差对两种方波进行处理，从而得到一组成互补的相位信号输送给单片机。该电容C5则起滤波作用，其可以过滤掉电路自身产生的干扰信号。为了达到更好的实施效果，处理芯片U2优选为CD4528集成芯片来实现。

如图3所示，所述无线电压接收电路由放大器P3，三极管VT3，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R20，电阻R21，电容C6，电容C7，可调电容C8，电容C9，电容C10，电容C11，电容C12，电感L1，二极管D7，二极管D8以及二极管D9。

连接时，电容C6的负极顺次经电阻R16和电阻R15后与天线相连接、其正极则与电阻R15和电阻R16的连接点相连接。电容C7的正极与电容C6的正极相连接、其负极则与电容C6的负极相连接的同时接地。可调电容C8的正极与电容C6的正极相连接、其负极则与放大器P3的正极相连接。电感L1与可调电容C8相并联。电容C9的正极经电阻R17后与放大器P3的负极相连接、其负极接地。二极管D7的P极与电容C9的负极相连接、其N极则经电阻R18后与放大器P3的输出端相连接。电容C12的负极与放大器P3的输出端相连接、其正极则与三极管VT3的基极相连接。二极管D8的N极与三极管VT3的集电极相连接、其P极接地。电阻R19串接在电容C12的负极和二极管D8的P极之间。电阻R20的一端与三极管VT3的发射极相连接、其另一端则经电阻R21后接5V电压。电容C11的正极与电阻R21和电阻R20的连接点相连接、其负极则与三极管VT3的发射极相连接的同时接地。电容C10的正极与电容C11的正极相连接、其负极则与电容C11的负极相连接。二极管D9的P极与三极管VT3的集电极相连接、其N极则与稳频电路的输入端相连接。

其中，电阻R15，电阻R16，电容C6，电容C7，可调电容C8以及电感L1组成接收电路，该接收电路可以接收无线电压传感器电压频率信号，调节可调电容C8则可以调整该接收电路的接收谐振频率。同时，放大器P3，电阻R17，电阻R18，电容C9以及二极管D7则组成第一级放大电路。三极管VT3电容C12，电阻R19，二极管D8以及二极管D9则组成第二级放大电路。该无线电压接收电路所接收到的信号经第一级放大电路和第二级放大电路后可以抵消掉因长距离无线传输而产生的信号衰减。电阻R21，电阻R20，电容C10以及电容C11则组成电源输入电路，其可以确保输入恒定的工作电压。

如图4所示，所述稳频电路由放大器P4，放大器P5，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，电阻R22，电阻R23，电阻R24，电阻R25，电阻R26，电阻R27，二极管D10以及电容C13组成。

连接时，电阻R22的一端与放大器P4的正极相连接、其另一端则与二极管D9的N极相连接。电阻R23串接在放大器P4的正极和输出端之间。电阻R25串接在放大器P4的输出端和三极管VT6的基极之间。电阻R24的一端与三极管VT4的集电极相连接、其另一端接地。二极管D10的N极与放大器P5的正极相连接、其P极则经电容C13后与三极管VT5的基极相连接。电阻R26的一端与电容C13的正极相连接、其另一端则与三极管VT5的集电极相连接。电阻R27的一端与三极管VT5的发射极相连接、其另一端则与电压比较电路相连接。所述放大器P4的负极与三极管VT4的发射极相连接。所述放大器P5的输出端与三极管VT4的基极相连接、其负极接地。所述三极管VT6的发射极接地，其集电极则与三极管VT5的发射极相连接。该稳频电路为正反馈结构，即当电压模拟信号输入进行后经放大器P4，电阻R25以及三极管VT6处理后频率变得相对稳定，经处理后的电压模拟信号从三极管VT6的集电极输出并经三极管VT5，电容C13，二极管D10，放大器P5以及三极管VT4后返回到放大器P4的负极。因此从稳频电路输出的电压模拟信号变得很稳定。

如图5所示，所述整形电路由整形芯片U3，三极管VT7，三极管VT8，一端与整形芯片U3的RC管脚相连接、另一端则接5V电压的电阻R28，正极与整形芯片U3的RC管脚相连接、负极则与整形芯片U3的C管脚相连接的电容C14，P极与整形芯片U3的A管脚相连接、N极则经电阻R30后与整形芯片U3的Q2管脚相连接的二极管D14，P极与整形芯片U3的CLR管脚相连接、N极则经电阻R31后与三极管VT7的基极相连接的二极管D12，与二极管D12相并联的电阻R29，P极与整形芯片U3的Q1管脚相连接、N极则与三极管VT8的基极相连接的二极管D11，P极与三极管VT8的基极相连接、N极接地的二极管D13，以及一端与三极管VT8的发射极相连接、另一端则经电阻R2后与放大器P2的正极相连接的电阻R32组成。

同时，所述整形芯片U3的RC管脚与电压比较电路的输出端相连接，其C管脚接地；所述二极管D14的N极接地；所述三极管VT7的发射极接地，其集电极则与三极管VT8的基极相连接；所述三极管VT8的发射极和集电极均接地。

在上述结构中，电容C14，二极管D14，电阻R28，电阻R30以及整形芯片U3形成单稳态多谐振荡器，该单稳态多谐振荡器可以把脉冲宽度不符合要求的脉冲变换成脉冲宽度符合要求的脉冲，即把转换后失真的方波信号进行修真，其整形的宽度由电阻R28和电容C14决定，在本实施例中电阻R28的阻值设置为22KΩ，而电容C14的容量为0.1μF，这时单稳态多谐振荡器的脉宽为0.05s，因此其整形效果更好，所述整形芯片U3优选为CD4528集成芯片。

工作时，无线电压传感器采集设备的工作电压模拟信号并通过无线网络发送给无线电压接收电路，而无线电流传感器则采集设备的工作电流模拟信号并通过无线网络发送给无线电流接收电路。该电压模拟信号经无线电压接收电路处理后输入给稳频电路进行处理，经稳频电路处理后的电压模拟信号再输入到电压比较电路，而电流模拟信号经无线电流接收电路处理后输入给电流比较电路。该电压比较电路把输入的电压模拟信号转换为相应的方波信号并发送给整形电路进行处理，经整形电路处理后的方波信号输送给相位检测电路，电流比较电路也把输入的电流模拟信号转换为相应的方波信号发送给相位检测电路，该相位检测电路把两种方波信号进行处理后形成一组互补的相位信号发送给单片机，单片机通过该信号计算出设备的输出功率，并把功率信号发送给显示器，显示器则显示出具体功率参数，而存储器则对信号进行储存。

如上所述，便可很好的实施本发明。

Claims (10)

1.一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，其特征在于，主要由单片机，无线电压传感器，无线电流传感器，分别与单片机相连接的相位检测电路、显示器和存储器，分别与相位检测电路相连接的整形电路和电流比较电路，与整形电路相连接的电压比较电路，与电压比较电路相连接的稳频电路，与稳频电路相连接的无线电压接收电路，以及与电流比较电路相连接的无线电流接收电路组成；所述无线电压传感器通过无线网络与无线电压接收电路相连接，所述无线电流传感器则通过无线网络与无线电流接收电路相连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，其特征在于：所述整形电路由整形芯片U3，三极管VT7，三极管VT8，一端与整形芯片U3的RC管脚相连接、另一端则接5V电压的电阻R28，正极与整形芯片U3的RC管脚相连接、负极则与整形芯片U3的C管脚相连接的电容C14，P极与整形芯片U3的A管脚相连接、N极则经电阻R30后与整形芯片U3的Q2管脚相连接的二极管D14，P极与整形芯片U3的CLR管脚相连接、N极则经电阻R31后与三极管VT7的基极相连接的二极管D12，与二极管D12相并联的电阻R29，P极与整形芯片U3的Q1管脚相连接、N极则与三极管VT8的基极相连接的二极管D11，P极与三极管VT8的基极相连接、N极接地的二极管D13，以及一端与三极管VT8的发射极相连接、另一端则与相位检测电路相连接的电阻R32组成；所述整形芯片U3的RC管脚与电压比较电路的输出端相连接，其C管脚接地；所述二极管D14的N极接地；所述三极管VT7的发射极接地，其集电极则与三极管VT8的基极相连接；所述三极管VT8的发射极和集电极均接地。

3.根据权利要求2所述的一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，其特征在于：所述稳频电路由放大器P4，放大器P5，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，一端与放大器P4的正极相连接、另一端则与无线电压接收电路的输出端相连接的电阻R22，串接在放大器P4的正极和输出端之间的电阻R23，串接在放大器P4的输出端和三极管VT6的基极之间的电阻R25，一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端接地的电阻R24，N极与放大器P5的正极相连接、P极则经电容C13后与三极管VT5的基极相连接的二极管D10，一端与电容C13的正极相连接、另一端则与三极管VT5的集电极相连接的电阻R26，以及一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端则与电压比较电路相连接的电阻R27组成；所述放大器P4的负极与三极管VT4的发射极相连接；所述放大器P5的输出端与三极管VT4的基极相连接、其负极接地；所述三极管VT6的发射极接地，其集电极则与三极管VT5的发射极相连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，其特征在于：所述无线电压接收电路由放大器P3，三极管VT3，负极顺次经电阻R16和电阻R15后与天线相连接、正极则与电阻R15和电阻R16的连接点相连接的电容C6，正极与电容C6的正极相连接、负极则与电容C6的负极相连接的同时接地的电容C7，正极与电容C6的正极相连接、负极则与放大器P3的正极相连接的可调电容C8，与可调电容C8相并联的电感L1，正极经电阻R17后与放大器P3的负极相连接、负极接地的电容C9，P极与电容C9的负极相连接、N极则经电阻R18后与放大器P3的输出端相连接的二极管D7，负极与放大器P3的输出端相连接、正极则与三极管VT3的基极相连接的电容C12，N极与三极管VT3的集电极相连接、P极接地的二极管D8，串接在电容C12的负极和二极管D8的P极之间的电阻R19，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端则经电阻R21后接5V电压的电阻R20，正极与电阻R21和电阻R20的连接点相连接、负极则与三极管VT3的发射极相连接的同时接地的电容C11，正极与电容C11的正极相连接、负极则与电容C11的负极相连接的电容C10，以及P极与三极管VT3的集电极相连接、N极则经电阻R22后与放大器P4的正极相连接的二极管D9组成。

5.根据权利要求4所述的一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，其特征在于：所述相位检测电路由电流输入电路，电压输入电路，同时与电流输入电路和电压输入电路相连接的耦合电路，以及与耦合电路相连接的相位处理电路组成。

6.根据权利要求5所述的一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，其特征在于：所述电流输入电路由放大器P1，串接在放大器P1的正极和输出端之间的电阻R3，P极与放大器P1的正极相连接、N极则与放大器P1的负极相连接的二极管D2，N极与放大器P1的正极相连接、P极则与放大器P1的负极相连接的同时接地的二极管D1，一端与放大器P1的正极相连接、另一端则与电流比较电路相连接的电阻R1，以及正极与放大器P1的输出端相连接、负极则与耦合电路相连接的电容C1组成。

7.根据权利要求6所述的一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，其特征在于：所述电压输入电路由放大器P2，串接在放大器P2的正极和输出端之间的电阻R4，P极与放大器P2的正极相连接、N极则与放大器P2的负极相连接的二极管D4，N极与放大器P2的正极相连接、P极则与放大器P2的负极相连接的同时接地的二极管D3，一端与放大器P2的正极相连接、另一端则经电阻R32后与三极管VT8的发射极相连接的电阻R2，以及正极与放大器P2的输出端相连接、负极则与耦合电路相连接的电容C2组成。

8.根据权利要求7所述的一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，其特征在于：所述耦合电路由耦合芯片U1，三极管VT1，电容C3，N极与三极管VT1的发射极相连接、P极则经电阻R5后与电容C3的正极相连接的二极管D5，串接在电容C3的负极和耦合芯片U1的VDD管脚之间的电阻R7，一端与耦合芯片U1的CS管脚相连接、另一端则与电容C2的负极相连接的电阻R6，串接在三极管VT1的基极和发射极之间的电阻R8，以及串接在三极管VT1的发射极和耦合芯片U1的FB管脚之间的电阻R10组成；所述耦合芯片U1的BD管脚与三极管VT1的基极相连接，其GND管脚则与电容C3的负极相连接的同时接地，其FB管脚则与相位处理电路相连接，其SW管脚则与三极管VT1的集电极相连接；所述三极管VT1的发射极则同时与电容C1的负极和相位处理电路相连接。

9.根据权利要求8所述的一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，其特征在于：所述相位处理电路由处理芯片U2，三极管VT2，正极经电阻R9后与处理芯片U2的RD管脚相连接、负极接地的电容C4，N极经电阻R12后与处理芯片U2的VDD管脚相连接、P极则与处理芯片U2的B管脚相连接的二极管D6，串接在电容C4的负极和处理芯片U2的VSS管脚之间的电阻R11，串接在处理芯片U2的VDD管脚和CX管脚之间的电阻R13，正极与处理芯片U2的Q管脚相连接、负极则与三极管VT2的发射极相连接的电容C5，以及一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端则与处理芯片U2的Q管脚共同形成该相位处理电路的输出端的电阻R14组成；所述处理芯片U2的VDD管脚与三极管VT1的发射极相连接，其CX管脚则与电容C5的正极相连接，其A管脚则与三极管VT2的基极相连接，其RX管脚与三极管VT2的集电极相连接，其VSS管脚接地，其B管脚则与耦合芯片U1的FB管脚相连接；所述相位处理电路的输出端与单片机相连接。

10.根据权利要求9所述的一种基于整形电路的高精度无线功率测试仪，其特征在于：所述耦合芯片U1为ACT364US-T集成芯片，处理芯片U2则为CD4528集成芯片，所述整形芯片U3为CD4528集成芯片。