CN105576092B - 一种发光二极管的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管的制备方法,属于半导体技术领域。所述制备方法包括:在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层;在AlGaInP外延层上设置P型电极,在GaAs衬底的第二表面设置N型电极,得到晶元;对晶元的第一表面进行切割,在晶元的第一表面形成P面切割道;采用刻蚀技术对晶元的第二表面进行切割,在晶元的第二表面形成N面切割道;将晶元的第二表面粘附在胶膜上,并在晶元的第一表面覆盖薄膜;对晶元的第一表面进行裂片,得到若干独立的发光二极管芯片;对胶膜进行扩张,分离发光二极管芯片。本发明通过至少一个表面采用刻蚀技术进行切割,切割效率大大提高,降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种发光二极管的制备方法。
背景技术
作为目前全球最受瞩目的新一代光源,发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)因其高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点,被称为时21世纪最有发展前景的绿色照明光源。其中,AlGaInP发光二极管在黄绿、橙色、橙红色、红色波段性能优越,在白光光源、全色显示、交通信号灯、城市亮化工程等领域广泛应用。
AlGaInP发光二极管的制备方法包括:在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层;在AlGaInP外延层上设置P型电极,在GaAs衬底的第二表面设置N型电极,得到晶元,GaAs衬底的第二表面为与GaAs衬底的第一表面相反的表面;采用刀片切割晶元,得到若干独立的LED芯片。
在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:
为了保证切割质量,采用刀片切割晶元时刀头的行进速度不能太快,切割效率较低。而且随着芯片尺寸越来越小,单片晶元的切割时间越来越长,设备产能降低,造成人力和设备成本增高。
发明内容
为了解决现有技术切割效率较低、生产成本高的问题,本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法。所述技术方案如下:
本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法,所述制备方法包括:
在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层;
在所述AlGaInP外延层上设置P型电极,在所述GaAs衬底的第二表面设置N型电极,得到晶元,所述GaAs衬底的第二表面为与所述GaAs衬底的第一表面相反的表面;
对所述晶元的第一表面进行切割,在所述晶元的第一表面形成P面切割道,所述晶元的第一表面为设有所述P型电极的表面;
采用刻蚀技术对所述晶元的第二表面进行切割,在所述晶元的第二表面形成N面切割道,所述N面切割道与P面切割道图形相同且位置相对,所述晶元的第二表面为与所述晶元的第一表面相反的表面,各个发光二极管芯片之间通过GaAs衬底连接在一起;
将所述晶元的第二表面粘附在胶膜上,并在所述晶元的第一表面覆盖薄膜,所述胶膜包括聚氯乙烯PVC基材和亚克力系粘着剂,所述薄膜为塑料膜或聚氨酯PU膜;
采用滚压裂片的方式对所述晶元的第一表面进行裂片,得到若干独立的发光二极管芯片;
对所述胶膜进行扩张,分离所述发光二极管芯片;
所述对所述晶元的第一表面进行切割,在所述晶元的第一表面形成P面切割道,包括:
在所述晶元的第一表面涂覆光刻胶;
采用光刻技术形成设定图形的光刻胶;
在所述设定图形的光刻胶的保护下,对所述晶元进行电感耦合等离子体ICP刻蚀,在所述晶元的第一表面形成N面切割道,所述N面切割道的宽度为10~20μm;
去除所述设定图形的光刻胶。
具体地,所述采用刻蚀技术对所述晶元的第二表面进行切割,在所述晶元的第二表面形成N面切割道,包括:
在所述晶元的第二表面涂覆光刻胶;
采用光刻技术形成设定图形的光刻胶;
在所述设定图形的光刻胶的保护下,对所述晶元进行电感耦合等离子体ICP刻蚀,在所述晶元的第二表面形成N面切割道;
去除所述设定图形的光刻胶。
可选地,所述对所述晶元的第一表面进行切割,在所述晶元的第一表面形成P面切割道,包括:
采用刀片对所述晶元的第一表面进行切割,在所述晶元的第一表面形成P面切割道。
可选地,所述对所述晶元的第一表面进行裂片,得到若干独立的发光二极管芯片,包括:
采用滚压裂片的方式对所述晶元的第一表面进行裂片,得到若干独立的发光二极管芯片。
可选地,所述N面切割道的宽度为10~20μm。
可选地,所述N面切割道的深度为50~60μm。
可选地,所述P面切割道的深度为15~40μm。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
通过分别对晶元两个相对的表面进行切割,至少一个表面采用刻蚀技术进行切割,再对晶元进行劈裂,得到若干独立的发光二极管芯片,切割效率大大提高,降低了生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种发光二极管的制备方法的流程图;
图2a-图2g是本发明实施例一提供的发光二极管制备过程中的结构示意图;
图3a-图3d是本发明实施例一提供的形成N型切割道的过程中发光二极管的结构示意图;
图4a和图4b是本发明实施例一提供的滚裂机的结构示意图;
图5是本发明实施例二提供的一种发光二极管的制备方法的流程图;
图6a-图6g是本发明实施例二提供的发光二极管制备过程中的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法,参见图1,该制备方法包括:
步骤101:在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层。
图2a为步骤101执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层。
在本实施例中,AlGaInP外延层可以包括依次层叠在GaAs衬底上的N型AlInP限制层、交替层叠的两种Al组分不同的AlGaInP多量子阱层、P型AlInP限制层。
具体地,该步骤101可以包括:
采用金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organic ChemicalVaporDeposition,简称MOCVD)技术在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层。
步骤102:在AlGaInP外延层上设置P型电极,在GaAs衬底的第二表面设置N型电极,得到晶元。
图2b为步骤102执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极。
在本实施例中,GaAs衬底的第二表面为与GaAs衬底的第一表面相反的表面。
具体地,在AlGaInP外延层上设置P型电极,可以包括:
在AlGaInP外延层上蒸镀P型电极;
退火形成欧姆接触。
具体地,在GaAs衬底的第二表面设置N型电极,可以包括:
在GaAs衬底的第二表面蒸镀N型电极;
退火形成欧姆接触。
可选地,在GaAs衬底的第二表面设置N型电极之前,该制备方法还可以包括:
减薄GaAs衬底。
步骤103:采用刀片对晶元的第一表面进行切割,在晶元的第一表面形成P面切割道。
图2c为步骤103执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极,5为P面切割道。
在本实施例中,晶元的第一表面为设有P型电极的表面。P面切割道将晶元的第一表面划分成矩阵形式的网格状。
可选地,P面切割道的深度可以为15~30μm。当P面切割道的深度小于15μm时,芯片的P面没有完全分离,从P型电极注入的电流不会沿垂直方向扩展,而转向电阻更小的P-P导电;当P面切割道的深度大于30μm时,容易造成晶元裂片。
具体地,该步骤103可以包括:
使用刀片切割机对晶元的第一表面进行切割,在晶元的第一表面形成P面切割道。
在本实施例的一种实现方式中,在该步骤103之后,该制备方法还可以包括:
对晶元中AlGaInP外延层已分离的各个LED芯片进行光电参数测试。
需要说明的是,在对晶元的第一表面进行切割之后,各个LED芯片的AlGaInP外延层已经分离,相互之间通过GaAs衬底连接在一起,此时可以对各个LED芯片进行光电参数测试。同时由于LED芯片的P型电极和N型电极分别位于芯片的两侧,即垂直结构,因此若在各个LED芯片相互独立之后进行光电参数测试将会十分不便,此时进行光电性能测试,实现简单方便。
步骤104:采用刻蚀技术对晶元的第二表面进行切割,在晶元的第二表面形成N面切割道。
图2d为步骤104执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极,5为P面切割道,6为N面切割道。
在本实施例中,N面切割道与P面切割道图形相同且位置相对,晶元的第二表面为与晶元的第一表面相反的表面。
可选地,N面切割道的宽度可以为10~20μm。该范围比现有采用刀片切割的切割道宽度25μm小,切割道宽度缩窄,发光区面积增大,亮度提高。
优选地,N面切割道的宽度可以为10~15μm。
需要说明的是,刀片切割的切割道的宽度大于25μm,刻蚀切割的切割道的宽度可以小于刀片切割的切割道的宽度,宽度精度得到提高。
可选地,N面切割道的深度可以为50~60μm。当N面切割道的深度小于50μm时,后续进行裂片比较困难;当N面切割道的深度大于60μm时,容易造成晶元裂片。
此时,各个LED芯片之间通过60~80μm的GaAs衬底连接在一起。
具体地,该步骤104可以包括:
在晶元的第二表面涂覆光刻胶;
采用光刻技术形成设定图形的光刻胶;
在设定图形的光刻胶的保护下,对晶元进行电感耦合等离子体(InductiveCoupled Plasma,简称ICP)刻蚀,在晶元的第二表面形成N面切割道;
去除设定图形的光刻胶。
图3a为在晶元的第二表面涂覆光刻胶后的发光二极管的示意图,图3b为采用光刻技术形成设定图形的光刻胶后的发光二极管的示意图,图3c为对晶元进行ICP刻蚀后的发光二极管的示意图,图3d为去除设定图形的光刻胶后的发光二极管的示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极,5为P面切割道,6为N面切割道,10为光刻胶。
更具体地,采用光刻技术形成设定图形的光刻胶,可以包括:
激光通过光刻版图对光刻胶进行曝光;
采用显影液溶解光刻胶,得到设定图形的光刻胶。
步骤105:将晶元的第二表面粘附在胶膜上,并在晶元的第一表面覆盖薄膜。
图2e为步骤105执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极,5为P面切割道,6为N面切割道,7为胶膜,8为薄膜。
可选地,胶膜可以包括聚氯乙烯(Polyvinyl chloride,简称PVC)基材和亚克力系粘着剂。采用业界通用的材料,成本较低。
可选地,薄膜可以为塑料膜或聚氨酯(Polyurethane,简称PU)膜,可以起到缓冲作用。其中,塑料膜为用聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯以及其他树脂制成的薄膜,不具有粘性。
步骤106:对晶元的第一表面进行裂片,得到若干独立的发光二极管芯片。
图2f为步骤106执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极,5为P面切割道,6为N面切割道,7为胶膜,8为薄膜。
具体地,该步骤106可以包括:
采用滚压裂片的方式对晶元的第一表面进行裂片,得到若干独立的发光二极管芯片。
各个LED芯片之间通过60~80μm的GaAs衬底连接在一起,滚压裂片时60~80μm的GaAs衬底沿P面切割道和N面切割道的走向裂开,各个发光二极管芯片之间没有连接,即相互独立。
在实际应用中,滚压裂片的方式采用滚裂机实现。参见图4a和图4b,滚裂机包括座体11、分别设置座体11两侧的两行导轨12、圆柱状的橡胶辊13、穿过橡胶辊13中轴的圆棒14、设置在圆棒14两端的滑块15,滑块15设置在导轨12内,两行导轨12可沿座体11侧面所在平面作圆周运动。
裂片时,如图4a所示,先将两行导轨12沿座体11侧面所在平面作圆周运动,使两行导轨12位于座体11的上表面,如图4b所示;再将橡胶辊13沿导轨12方向滑动,在橡胶辊13的压力下,GaAs衬底沿P面切割道和N面切割道的走向裂开,裂片完成。
步骤107:对胶膜进行扩张,分离发光二极管芯片。
图2g为步骤107执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极,5为P面切割道,6为N面切割道,7为胶膜,8为薄膜。
对胶膜进行扩张,可以使发光二极管芯片之间具有一定的间距,实现分离。此时目检没有问题即可入库。
本发明实施例通过分别对晶元两个相对的表面进行切割,一个表面采用刻蚀技术进行切割,再对晶元进行劈裂,得到若干独立的发光二极管芯片,切割效率大大提高,降低了生产成本。切割过程也不会造成晶元表面崩裂,降低不良率,进一步降低生产成本。而且采用刻蚀技术进行切割的宽度精度较高,可以最大限度地降低由于切割损失的发光面积(多量子阱层的横截面积),提高发光二极管芯片的亮度。
实施例二
本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法,参见图5,该制备方法包括:
步骤201:在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层。
图6a为步骤201执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层。
具体地,该步骤201可以与实施例一中的步骤101相同,在此不再详述。
步骤202:在AlGaInP外延层上设置P型电极,在GaAs衬底的第二表面设置N型电极,得到晶元。
图6b为步骤202执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极。
在本实施例中,GaAs衬底的第二表面为与GaAs衬底的第一表面相反的表面。
具体地,该步骤202可以与实施例一中的步骤102相同,在此不再详述。
步骤203:采用刻蚀技术对晶元的第一表面进行切割,在晶元的第一表面形成P面切割道。
图6c为步骤203执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极,5为P面切割道。
在本实施例中,晶元的第一表面为设有P型电极的表面。
可选地,P面切割道的宽度可以为10~20μm。该范围比现有采用刀片切割的切割道宽度25μm小,切割道宽度缩窄,发光区面积增大,亮度提高。
可选地,P面切割道的深度可以为15~30μm。
具体地,该步骤203可以包括:
在晶元的第一表面涂覆光刻胶;
采用光刻技术形成设定图形的光刻胶;
在设定图形的光刻胶的保护下,对晶元进行ICP刻蚀,在晶元的第一表面形成N面切割道;
去除设定图形的光刻胶。
步骤204:采用刻蚀技术对晶元的第二表面进行切割,在晶元的第二表面形成N面切割道。
图6d为步骤204执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极,5为P面切割道,6为N面切割道。
在本实施例中,N面切割道与P面切割道图形相同且位置相对,晶元的第二表面为与晶元的第一表面相反的表面。
具体地,该步骤204可以与实施例一中的步骤104相同,在此不再详述。
步骤205:将晶元的第二表面粘附在胶膜上,并在晶元的第一表面覆盖薄膜。
图6e为步骤205执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极,5为P面切割道,6为N面切割道,7为胶膜,8为薄膜。
具体地,该步骤205可以与实施例一中的步骤105相同,在此不再详述。
步骤206:对晶元的第一表面进行裂片,得到若干独立的发光二极管芯片。
图6f为步骤206执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极,5为P面切割道,6为N面切割道,7为胶膜,8为薄膜。
具体地,该步骤206可以与实施例一中的步骤106相同,在此不再详述。
步骤207:对胶膜进行扩张,分离发光二极管芯片。
图6g为步骤207执行后的发光二极管的结构示意图。其中,1为GaAs衬底,2为AlGaInP外延层,3为P型电极,4为N型电极,5为P面切割道,6为N面切割道,7为胶膜,8为薄膜。
具体地,该步骤207可以与实施例一中的步骤107相同,在此不再详述。
本发明实施例通过分别对晶元两个相对的表面进行切割,两个表面均采用刻蚀技术进行切割,再对晶元进行劈裂,得到若干独立的发光二极管芯片,切割效率大大提高,降低了生产成本。切割过程也不会造成晶元表面崩裂,降低不良率,进一步降低生产成本。而且采用刻蚀技术进行切割的宽度精度较高,可以最大限度地降低由于切割损失的发光面积(多量子阱层的横截面积),提高发光二极管芯片的亮度。另外,切割过程中没有使用刀片切割机,节省设备成本;没有碎屑产生,可以有效避免LED芯片由于粘附有碎屑而漏电,LED芯片的性能和可靠性较好,进一步提高发光二极管的良率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种发光二极管的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层;
在所述AlGaInP外延层上设置P型电极,在所述GaAs衬底的第二表面设置N型电极,得到晶元,所述GaAs衬底的第二表面为与所述GaAs衬底的第一表面相反的表面;
对所述晶元的第一表面进行切割,在所述晶元的第一表面形成P面切割道,所述晶元的第一表面为设有所述P型电极的表面;
采用刻蚀技术对所述晶元的第二表面进行切割,在所述晶元的第二表面形成N面切割道,所述N面切割道与P面切割道图形相同且位置相对,所述晶元的第二表面为与所述晶元的第一表面相反的表面,各个发光二极管芯片之间通过GaAs衬底连接在一起;
将所述晶元的第二表面粘附在胶膜上,并在所述晶元的第一表面覆盖薄膜,所述胶膜包括聚氯乙烯PVC基材和亚克力系粘着剂,所述薄膜为塑料膜或聚氨酯PU膜;
采用滚压裂片的方式对所述晶元的第一表面进行裂片,得到若干独立的发光二极管芯片;
对所述胶膜进行扩张,分离所述发光二极管芯片;
所述对所述晶元的第一表面进行切割,在所述晶元的第一表面形成P面切割道,包括:
在所述晶元的第一表面涂覆光刻胶;
采用光刻技术形成设定图形的光刻胶;
在所述设定图形的光刻胶的保护下,对所述晶元进行电感耦合等离子体ICP刻蚀,在所述晶元的第一表面形成N面切割道,所述N面切割道的宽度为10~20μm;
去除所述设定图形的光刻胶。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述采用刻蚀技术对所述晶元的第二表面进行切割,在所述晶元的第二表面形成N面切割道,包括:
在所述晶元的第二表面涂覆光刻胶;
采用光刻技术形成设定图形的光刻胶;
在所述设定图形的光刻胶的保护下,对所述晶元进行电感耦合等离子体ICP刻蚀,在所述晶元的第二表面形成N面切割道;
去除所述设定图形的光刻胶。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述对所述晶元的第一表面进行切割,在所述晶元的第一表面形成P面切割道,包括:
采用刀片对所述晶元的第一表面进行切割,在所述晶元的第一表面形成P面切割道。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述N面切割道的宽度为10~20μm。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述N面切割道的深度为50~60μm。
6.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述P面切割道的深度为15~40μm。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1679144A (zh) * | 2002-07-19 | 2005-10-05 | 克里公司 | 沟槽分割的发光二极管及其制造方法 |
CN101015070A (zh) * | 2004-08-20 | 2007-08-08 | 昭和电工株式会社 | 制造半导体发光器件的方法以及采用该方法制造的器件 |
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