CN105565798B - 氧化锌靶材的制备方法及氧化锌薄膜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种氧化锌靶材的制备方法及氧化锌薄膜的制备方法。氧化锌靶材的制备方法，包括如下步骤：提供靶材原料，将所述靶材原料进行第一次球磨处理得到粉体；将所述粉体进行煅烧处理；将煅烧处理后的所述粉体进行第二次球磨处理后造粒得到粒料；将所述粒料进行成型处理得到素坯；在空气气氛下将所述素坯进行脱脂处理得到脱脂后的素坯；及将所述脱脂后的素坯进行缺氧烧结得到氧化锌靶材。这种氧化锌靶材的制备方法，制备的氧化锌靶材的导电性较好。导电靶材采用直流磁控溅射，在氧气气氛镀膜，可以获得高电阻率和透光率的氧化锌薄膜。本发明所制备的靶材可满足直流磁控溅射，以及高阻氧化锌薄膜制备的要求。

Description

氧化锌靶材的制备方法及氧化锌薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种氧化锌靶材的制备方法及氧化锌薄膜的制备方法。
背景技术
ZnO薄膜是一种具有广泛用途的材料，其性质随掺杂组分和制备条件的不同而表现出很大的差异性。ZnO薄膜的应用主要集中在透明导电性、压电性、光电性、气敏性、压敏性等方面。ZnO材料难以达到完美的化学计量比，天然存在着锌填隙和氧空位，除了锌填隙和氧空位这两种主导的具有施主性质的缺陷外，ZnO还有氧填隙、氧错位和锌空位等缺陷。因此，ZnO材料的本征态为n型极性半导体，无论是块体还是薄膜都具有非常弱的导电性。为了获得具有良好导电性的ZnO材料，人们用Al、Ga、In、Si、Ge、Y、Sc、F、Sn、Ti、B、V、Nb、Ta、Zr、Hf、W、Mo等元素进行掺杂改性，用这些元素取代ZnO晶格中的Zn原子，产生大量的自由电子，使ZnO材料具有类金属的导电能力。同时，为了调节ZnO薄膜的禁带宽度，控制其紫外吸收边的位置，人们掺入Mg、Cd、Be等材料来进行带隙调控。
ZnO薄膜的制备方法较多，主要有射频溅射法、双离子束溅射沉积法、化学气相沉积法、分子束蒸发沉积、脉冲激光沉积、喷雾热分解法以及溶胶-凝胶法等。在上述薄膜制备工艺中，磁控溅射工艺由于具有可溅射导电和介电材料、沉积速度快、基材温升低、对膜层的损伤小、与基片结合好、纯度高、致密、均匀性好、大面积、连续化及工业化等优势，自问世后就获得了迅速的发展和广泛的应用。
ZnO薄膜除了用于透明导电、压电、气敏、压敏等领域，还可以利用其优异的绝缘性能用于CIGS薄膜太阳能电池的窗口层，以及电子元器件的绝缘隔离层。在磁控溅射制备ZnO薄膜时，由于现有的ZnO陶瓷靶材不导电，这就要求电源必须为交流(中频、射频)电源。但是，交流磁控溅射制备氧化物薄膜时存在溅射效率低的问题，为了获得一定厚度的薄膜，需要花费较长的工作时间。低的溅射效率和薄膜生长速率影响了生产的节奏，尤其是在大规模连续化生产时劣势更为明显。
发明内容
基于此，有必要提供一种能制备导电性能较好的氧化锌靶材的制备方法及使用该氧化锌靶材的氧化锌薄膜的制备方法。
一种氧化锌靶材的制备方法，包括如下步骤：
提供靶材原料，将所述靶材原料进行第一次球磨处理得到粉体；
将所述粉体进行煅烧处理；
将煅烧处理后的所述粉体进行第二次球磨处理后造粒得到粒料；
将所述粒料进行成型处理得到素坯；
在空气气氛下将所述素坯进行脱脂处理得到脱脂后的素坯；及
将所述脱脂后的素坯进行缺氧烧结得到氧化锌靶材。
在其中一个实施例中，所述靶材原料包括氧化锌及掺杂材料，所述掺杂材料选自含镁化合物、含铍化合物、含钙化合物、含锶化合物及含钡化合物中的至少一种，所述掺杂材料对应的氧化物与所述氧化锌的质量比为0:100～5:100。
在其中一个实施例中，所述第一次球磨处理时还加入去离子水及分散剂，所述分散剂与所述氧化锌的质量比为1：100～3：100。
在其中一个实施例中，所述煅烧处理在空气气氛下进行，所述煅烧处理的温度为550℃～1000℃，所述煅烧处理的时间为2小时～5小时。
在其中一个实施例中，所述第二次球磨处理时还加入去离子水、粘结剂及分散剂，所述粘结剂与煅烧处理后的所述粉体的质量比为0.5:100～1.5：100，所述分散剂与煅烧处理后的所述粉体的质量比为0.5:100～2：100；所述造粒的方法为喷雾造粒。
在其中一个实施例中，所述素坯在400℃～600℃下保温5小时～10小时进行脱脂处理得到脱脂后的素坯。
在其中一个实施例中，所述缺氧烧结为还原性气氛烧结，所述还原性气氛为氢气与氮气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为0.5％～5％，所述气氛烧结的烧结温度为1000℃～1500℃，所述缺氧烧结的烧结时间为2小时～6小时。
一种氧化锌薄膜的制备方法，采用上述任一项所述的氧化锌靶材的制备方法制备的氧化锌靶材进行直流磁控溅射。
上述氧化锌靶材的制备方法，将素坯先脱脂处理，之后再进行缺氧烧结，使得氧化锌在一定程度上脱氧，氧化锌靶材从本征半导体变为半导体，提高了氧化锌靶材的导电性，满足直流磁控溅射工艺对靶材导电性的要求，并且在氧气气氛下溅射制备的氧化锌薄膜仍然保持高的电阻率和透光率。
附图说明
图1为一实施方式的氧化锌靶材的制备方法的流程图；
图2为实施例1制备的ZnO靶材的扫描电镜照片；
图3为实施例2制备的ZnO靶材的扫描电镜照片。
具体实施方式
下面主要结合具体实施例及附图对氧化锌靶材的制备方法及氧化锌薄膜的制备方法作进一步详细的说明。
请参阅图1，一实施方式的氧化锌靶材的制备方法，包括如下步骤：
S10、提供靶材原料，将靶材原料进行第一次球磨处理得到粉体。
优选的，靶材原料包括氧化锌及掺杂材料。掺杂材料选自含镁化合物、含铍化合物、含钙化合物、含锶化合物及含钡化合物中的至少一种。靶材原料中掺杂材料对应的氧化物与氧化锌的质量比为0:100～5:100。当掺杂材料含量为0时，制备的氧化锌靶材为纯氧化锌靶材。含镁化合物、含铍化合物、含钙化合物、含锶化合物及含钡化合物对应的氧化物分别为氧化镁、氧化铍、氧化钙、氧化锶及氧化钡。
进一步优选的，氧化锌为粉体，粉体的中心粒度(D50)为0.9μm～4μm。氧化锌的纯度优选不低于99.95％。
含镁化合物优选为MgO。含铍化合物优选为BeCO3。含钙化合物优选为CaCO3。含锶化合物优选为SrCO3。含钡化合物优选为BaCO3。当然，上述掺杂元素不限于为上述列举的材料，可以是含有这些元素的其他化合物，在此不一一列举。
优选的，第一次球磨处理的时间为12小时小时。
优选的，第一次球磨处理采用滚筒式球磨处理，锆球作为研磨材料。
优选的，第一次球磨处理时还加入去离子水及分散剂。分散剂与所述氧化锌的质量比为1：100～3：100。去离子水的量根据靶材原料、去离子水及分散剂混合形成的浆料的固含量为50％～70％来称取。
进一步优选的，分散剂为聚丙烯酸铵。当然，分散剂不限于为上述材料，也可以为业内常用的其他材料。
优选的，球磨后过滤锆球得到浆料，将浆料在90℃下干燥24小时得到粉体。
S20、将粉体进行煅烧处理。
优选的，煅烧处理在空气气氛下进行，煅烧处理的温度为550℃～1000℃，煅烧处理的时间为2小时～5小时。
S30、将煅烧处理后的所述粉体进行第二次球磨处理后造粒得到粒料。
优选的，第二次球磨处理时还加入去离子水、粘结剂及分散剂，粘结剂与煅烧处理后的粉体的质量比为0.5:100～1.5：100，分散剂与煅烧处理后的粉体的质量比为0.5:100～2：100。去离子水的量根据煅烧后的粉体、去离子水、粘结剂及分散剂形成的浆料的固含量为35％来称取。
进一步优选的，粘结剂为聚乙烯醇，分散剂为聚丙烯酸铵。当然，粘结剂和分散剂不限于为上述材料，也可以为业内常用的其他材料。
优选的，第二次球磨处理的时间为6小时～8小时。
优选的，第二次球磨处理采用滚筒式球磨处理，锆球作为研磨材料。
优选的，造粒的方法为喷雾造粒。
S40、将粒料进行成型处理得到素坯。
优选的，成型处理为冷等静压成型，成型压力为150MPa～300MPa。
S50、在空气气氛下，将素坯进行脱脂处理得到脱脂后的素坯。
优选的，脱脂处理在400℃～600℃下保温5小时～10小时。
S60、将脱脂后的素坯进行缺氧烧结得到氧化锌靶材。
优选的，所述缺氧烧结为还原性气氛烧结，所述还原性气氛为氢气与氮气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为0.5％～5％，缺氧烧结的烧结温度为1000℃～1500℃，缺氧烧结的烧结时间为2小时～6小时。
上述氧化锌靶材的制备方法，将素坯先脱脂处理，之后再进行缺氧烧结，使得氧化锌在一定程度上脱氧，氧化锌靶材从本征半导体变为半导体，提高了氧化锌靶材的导电性，满足直流磁控溅射工艺对靶材导电性的要求，并且在氧气气氛下溅射制备的氧化锌薄膜仍然保持高的电阻率和透光率。掺杂剂引入抑制了氧化锌薄膜本征缺陷的产生，提高了氧化锌薄膜的电阻率。
一实施方式的氧化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S910、提供靶材。
优选的，靶材由上述氧化锌靶材的制备方法制备。
优选的，靶材的直径为60mm，厚度为3mm。
步骤S920、采用直流磁控溅射在基片的表面制备氧化锌薄膜。
优选的，基片为厚度为1mm的玻璃片。
优选的，溅射功率密度为60W～120W。
优选的，溅射气压为0.5Pa～2Pa，基片温度为150℃～400℃。
优选的，通入气体为氧气和氩气的混合气体，混合气体中氧气的摩尔百分含量为5％～20％。
优选的，膜厚为50nm～600nm。
上述氧化锌薄膜的制备方法采用上述氧化锌靶材的制备方法制备的靶材，氧气气氛下溅射制备的氧化锌薄膜仍然保持高的电阻率和透光率。
以下结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
本实施例纯ZnO靶材制备方法包括以下步骤：
步骤一、纯度为99.95％，中心粒度为0.9μm的ZnO粉体1000g，与去离子水、30g聚丙烯酸铵混合，按照固含量为50％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨12h后过滤锆球获得陶瓷浆料，在90℃干燥24h得到粉体。
步骤二、将步骤一中的干燥粉体进行煅烧，煅烧温度为550℃，气氛为空气，煅烧时间为2h。
步骤三、将步骤二中所述的煅烧粉体进行第二次球磨，与去离子水、15g的聚乙烯醇和20g的聚丙烯酸铵混合，按照固含量为35％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨6h后喷雾干燥造粒得到粒料。
步骤四、将粒料在200MPa进行冷等静压成型，素坯为直径100mm，厚度10mm的圆片。
步骤五、将步骤四中所述的素坯在大气气氛，600℃保温5h进行脱脂。
步骤六、将步骤五中所述的脱脂素坯进行还原性气氛烧结，混合气氛中氢气的体积百分含量为5.0％，烧结温度为1200℃，高温保温时间为4h。
图2为实施例1制备的ZnO靶材的扫描电镜照片，从图2中可看出，本实施例制备的ZnO靶材含有少量的气孔。
采用阿基米德排水法和四探针法测量靶材的相对密度及电阻率，实施例1制备的ZnO靶材的密度为95.2％，电阻率为0.06Ω·cm。
实施例2
本实施例ZnO:Mg靶材制备方法包括以下步骤：
步骤一、纯度为99.95％，中心粒度为4μm的ZnO粉体1000g，MgO添加量为1g，与去离子水和10g聚丙烯酸铵盐混合，按照固含量为70％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨12h后过滤锆球获得陶瓷浆料，在90℃干燥24h得到粉体。
步骤二、将粉体进行煅烧，煅烧温度为1000℃，气氛为空气，煅烧时间为1h。
步骤三、将步骤二中所述的煅烧粉体进行第二次球磨，与去离子水、5g的聚乙烯醇和5g的聚丙烯酸铵混合，按照固含量为35％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨7h后喷雾干燥造粒得到粒料。
步骤四、将粒料在150MPa进行冷等静压成型，素坯为直径100mm，厚度10mm的圆片。
步骤五、将步骤四中所述的素坯在大气气氛，400℃保温10h进行脱脂。
步骤六、将步骤五中所述的脱脂素坯进行还原性气氛烧结，烧结温度为1250℃，混合气氛中氢气的体积百分含量为0.5％，高温保温时间为4h。
图3为实施例2制备的ZnO靶材的扫描电镜照片，从图3中可看出，本实施例制备的ZnO靶材含有少量的气孔。
实施例2制备的MgO掺杂的ZnO靶材的密度为96.6％，电阻率为0.41Ω·cm。
实施例3
实施例3的MgO掺杂的ZnO靶材的制备方法与实施例2大致相同，不同之处在于：步骤一中，中心粒度为4μm的ZnO粉体1000g，MgO添加量为25g，与去离子水、25g聚丙烯酸铵混合，按照固含量为70％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨12h后过滤锆球获得陶瓷浆料，在90℃干燥24h得到粉体；步骤六中，脱脂素坯进行还原性气氛烧结，烧结温度为1300℃，混合气氛中氢气的体积百分含量为4％，高温保温时间为4h。
实施例3制备的MgO掺杂的ZnO靶材的密度为95.6％，电阻率为0.08Ω·cm。
实施例4
本实施例ZnO:Be靶材制备方法包括以下步骤：
步骤一、纯度为99.95％，中心粒度为2μm的ZnO粉体1000g，BeCO3添加量为50g，与去离子水和30g聚丙烯酸铵混合，按照固含量为65％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨12h后过滤锆球获得陶瓷浆料，在90℃干燥24h得到粉体。
步骤二、将粉体进行空气气氛煅烧，在1000℃持续保温2h。
步骤三、将步骤二中所述的煅烧粉体进行第二次球磨，与去离子水、15g的聚乙烯醇和20g的聚丙烯酸铵混合，按照固含量为35％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨8h后喷雾干燥造粒得到粒料。
步骤四、将粒料在280MPa进行冷等静压成型，素坯为直径100mm，厚度20mm的圆片。
步骤五、将步骤四中所述的素坯在大气气氛，400℃保温10h进行脱脂。
步骤六、将步骤五中所述的脱脂素坯进行还原性气氛烧结，烧结温度为1250℃，混合气氛中氢气的体积百分含量为3.5％，高温保温时间为4h。
实施例4制备的靶材的密度为95.6％，电阻率为0.07Ω·cm。
实施例5
本实施例ZnO:Ca靶材制备方法包括以下步骤：
步骤一、纯度为99.95％，中心粒度为2μm的ZnO粉体1000g，CaCO3添加量为60g，与去离子水和30g聚丙烯酸铵混合，按照固含量为55％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨12h后过滤锆球获得陶瓷浆料，在90℃干燥24h得到粉体。
步骤二、将步骤一中所述的干燥粉体进行空气气氛煅烧，在1000℃持续保温2h。
步骤三、将步骤二中所述的煅烧粉体进行第二次球磨，与去离子水、15g的聚乙烯醇和20g的聚丙烯酸铵混合，按照固含量为35％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨8h后喷雾干燥造粒得到粒料。
步骤四、将粒料在200MPa进行冷等静压成型，素坯为直径100mm，厚度20mm的圆片。
步骤五、将步骤四中所述的素坯在大气气氛，500℃保温6h进行脱脂。
步骤六、将步骤五中所述的脱脂素坯进行还原性气氛烧结，烧结温度为1250℃，混合气氛中氢气的体积百分含量为2.5％，高温保温时间为4h。
实施例5制备的靶材的相对密度为95.2％，电阻率为0.48Ω·cm。
实施例6
本实施例ZnO:Sr靶材制备方法包括以下步骤：
步骤一、纯度为99.95％，中心粒度为2μm的ZnO粉体1000g，SrCO3添加量为50g，与去离子水和30g聚丙烯酸铵混合，按照固含量为55％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨12h后过滤锆球获得陶瓷浆料，在90℃干燥24h得到粉体。
步骤二、将步骤一中所述的干燥粉体进行空气气氛煅烧，在1000℃持续保温2h。
步骤三、将步骤二中所述的煅烧粉体进行第二次球磨，与去离子水、10g的聚乙烯醇和10g的聚丙烯酸铵混合，按照固含量为35％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨8h后喷雾干燥造粒得到粒料。
步骤四、将粒料在200MPa进行冷等静压成型，素坯为直径100mm，厚度20mm的圆片。
步骤五、将步骤四中所述的素坯在大气气氛，500℃保温6h进行脱脂。
步骤六、将步骤五中所述的脱脂素坯进行还原性气氛烧结，烧结温度为1300℃，混合气氛中氢气的体积百分含量为1.5％，高温保温时间为4h。
实施例6制备的靶材的相对密度为97.2％，电阻率为0.73Ω·cm。
实施例7
本实施例ZnO:Ba靶材制备方法包括以下步骤：
步骤一、纯度为99.95％，中心粒度为1μm的ZnO粉体1000g，BaCO3添加量为50g，与去离子水30g聚丙烯酸铵混合，按照固含量为60％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨12h后过滤锆球获得陶瓷浆料，在90℃干燥24h得到粉体。
步骤二、将粉体进行空气气氛煅烧，在1000℃持续保温2h。
步骤三、将步骤二中所述的煅烧粉体进行第二次球磨，与去离子水、15g的聚乙烯醇和20g的聚丙烯酸铵混合，按照固含量为35％的浆料来控制去离子水的量，采用滚筒式球磨，锆球为磨球，球磨8h后喷雾干燥造粒得到粒料。
步骤四、将粒料在200MPa进行冷等静压成型，素坯为直径100mm，厚度20mm的圆片。
步骤五、将步骤四中所述的素坯在大气气氛，400℃保温10h进行脱脂。
步骤六、将步骤五中所述的脱脂素坯进行还原性气氛烧结，烧结温度为1300℃，混合气氛中氢气的体积百分含量为1.5％，高温保温时间为4h。
实施例7制备的靶材的相对密度为96.7％，电阻率为0.92Ω·cm。
实施例8
本实施例ZnO:Sr靶材制备方法包括以下步骤：
实施例8的ZnO:Sr靶材的制备方法与实施例6大致相同，不同之处在于：步骤六、将步骤五中所述的脱脂素坯进行还原性气氛烧结，烧结温度为1400℃，混合气氛中氢气的体积百分含量为1.5％，高温保温时间为4h。
实施例8制备的靶材的相对密度为97.5％，电阻率为0.72Ω·cm。
实施例9
本实施例ZnO:Ba靶材制备方法包括以下步骤：
实施例9的ZnO:Ba靶材的制备方法与实施例7大致相同，不同之处在于：步骤六、将步骤五中所述的脱脂素坯进行还原性气氛烧结，烧结温度为1500℃，混合气氛中氢气的体积百分含量为1.5％，高温保温时间为4h。
实施例9制备的靶材的相对密度为98.4％，电阻率为0.67Ω·cm。
实施例10
用上述实施例1～9的氧化锌靶材制备氧化锌薄膜，先将靶材切割成直径60mm，厚度3mm的靶材，装入真空室进行溅射镀膜。溅射的工艺条件为：1mm厚的普通玻璃为基片，功率为80W，溅射气压为1.0Pa，通入气体为氧气体积百分含量10％的氧气与氩气的混合气体，基片温度为200℃，膜厚控制在500nm左右。
采用四探针方法测试制备的ZnO薄膜的电阻率，采用紫外-可见光分光光度计方法测试制备的ZnO薄膜的550nm处的透光率，结果如表1所示。
表1 ZnO薄膜的光电性能
靶材 膜厚(nm) 电阻率(Ω·cm) 透光率
实施例1 497 2.3×1010 86％
实施例2 503 5.3×1011 88％
实施例3 510 7.2×1011 87％
实施例4 506 6.4×1011 85％
实施例5 500 5.2×1011 88％
实施例6 495 8.3×1011 89％
实施例7 497 7.6×1011 88％
实施例8 509 7.3×1011 86％
实施例9 510 8.8×1011 86％
从表1可以看出由实施例1～9的靶材制备的ZnO薄膜，其电阻率均大于1010Ω·cm，550nm处的透光率高于85％。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种氧化锌靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供靶材原料，将所述靶材原料进行第一次球磨处理得到粉体；
将所述粉体进行煅烧处理；
将煅烧处理后的所述粉体进行第二次球磨处理后造粒得到粒料；
将所述粒料进行成型处理得到素坯；
在空气气氛下将所述素坯进行脱脂处理得到脱脂后的素坯；及
在还原性气氛下将所述脱脂后的素坯进行缺氧烧结得到氧化锌靶材。
2.如权利要求1所述的氧化锌靶材的制备方法，其特征在于，所述靶材原料包括氧化锌及掺杂材料，所述掺杂材料选自含镁化合物、含铍化合物、含钙化合物、含锶化合物及含钡化合物中的至少一种，所述掺杂材料对应的氧化物与所述氧化锌的质量比为0:100～5:100。
3.如权利要求1所述的氧化锌靶材的制备方法，其特征在于，所述第一次球磨处理时还加入去离子水及分散剂，所述分散剂与所述氧化锌的质量比为1：100～3：100。
4.如权利要求1所述的氧化锌靶材的制备方法，其特征在于，所述煅烧处理在空气气氛下进行，所述煅烧处理的温度为550℃～1000℃，所述煅烧处理的时间为2小时～5小时。
5.如权利要求1所述的氧化锌靶材的制备方法，其特征在于，所述第二次球磨处理时还加入去离子水、粘结剂及分散剂，所述粘结剂与煅烧处理后的所述粉体的质量比为0.5:100～1.5：100，所述分散剂与煅烧处理后的所述粉体的质量比为0.5:100～2：100；所述造粒的方法为喷雾造粒。
6.如权利要求1所述的氧化锌靶材的制备方法，其特征在于，所述素坯在400℃～600℃下保温5小时～10小时进行脱脂处理得到脱脂后的素坯。
7.如权利要求1所述的氧化锌靶材的制备方法，其特征在于，所述缺氧烧结为还原性气氛烧结，所述还原性气氛为氢气与氮气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为0.5％～5％，所述气氛烧结的烧结温度为1000℃～1500℃，所述缺氧烧结的烧结时间为2小时～6小时。
8.一种氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的氧化锌靶材的制备方法制备的氧化锌靶材进行直流磁控溅射。
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