CN105514239B - 一种发光二极管 - Google Patents
一种发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105514239B CN105514239B CN201610098089.9A CN201610098089A CN105514239B CN 105514239 B CN105514239 B CN 105514239B CN 201610098089 A CN201610098089 A CN 201610098089A CN 105514239 B CN105514239 B CN 105514239B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- buffer layer
- quantum well
- buffer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种发光二极管,其依次包括N型层、量子阱层、P型层,其特征在于:于所述量子阱层一侧或者两侧***一缓冲层,所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层,且所述第一缓冲层的晶格常数与第二缓冲层的晶格常数相同。本发明通过设计晶格常数相同的第一缓冲层和第二缓冲层,使缓冲层内无极化效应,进而改善N型层与量子阱层、P型层与量子阱层之间的晶格失配,减少量子阱层的极化效应。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种发光二极管。
背景技术
发光二极管(Light-emitting diode,LED)是一种注入电致发光器件,在节能和智能控制方面受到广泛关注和应用。特别是GaN基材料的LED,由于其波长覆盖了整个可见光波段和紫外波段,而成为目前LED发展的主流方向。因此如何提高载流子的注入效率进而提高LED的发光性能是本领域技术人员研究的热点。
中国专利文献CN102157656公开了一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法,其在量子阱有源层前后分别***电子注入加强量子阱层和空穴注入加强量子阱层,提高电子和空穴载流子隧穿注入到有源层的效率,从而增加发光二极管的发光效率。
但是,GaN基材料是离子晶体,由于正负电荷不重合,易形成自发极化;另外,由于InGaN材料和GaN材料之间的晶格失配,又会引起压电极化,进而形成压电极化场。极化场的存在一方面使得量子阱的等效带隙能级减小,发光波长出现蓝移;另一方面电子和空穴波函数的交替会减小,降低其辐射复合机率。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种发光二极管,其包括:衬底,及依次沉积于所述衬底上的缓冲层、N型层、量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层,其特征在于:于所述量子阱层一侧或者两侧***一缓冲层,所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层,且所述第一缓冲层的晶格常数与第二缓冲层的晶格常数相同。
优选的,所述缓冲层为含In氮化物,调节第一缓冲层和第二缓冲层中In组份浓度,使所述缓冲层内无极化效应。
优选的,所述第一缓冲层的材料为InaGa1-aN,所述第二缓冲层的材料为InbAl1-bN,其中a>0、b>0。
所述第一缓冲层的In组份为15%~25%,所述第二缓冲层的In组份为14%~35%。
优选的,所述缓冲层与所述量子阱层晶格常数相匹配。
优选的,所述缓冲层的晶格常数为3.20~3.30。
优选的,当所述缓冲层位于量子阱层与电子阻挡层之间时,其带隙能级大于所量子阱层的带隙能级。
优选的,所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间,在所述缓冲层与P型层之间还设有电子阻挡层,所述缓冲层与所述电子阻挡层构成双阻挡层结构。
优选的,所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间,作为电子-空穴有效复合辐射层。
优选的,所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间,其中第二缓冲层的厚度大于所述量子阱层之垒层的厚度,以减小电子的迁移率。
优选的,所述缓冲层位于量子阱层与N型层之间,第一缓冲层为未掺杂层,第二缓冲层的N型掺杂,增加电子的横向扩展能力。
优选的,所述缓冲层为第一缓冲层与第二缓冲层交替堆叠的周期性结构。
与现有技术相比本发明至少具有以下有益效果:1)在量子阱一侧或者两侧***与量子阱层晶格相匹配的缓冲层,用于改善N型层与量子阱层或者P型层与量子阱层之间的晶格失配,降低量子阱层的极化效应;2)调节第一缓冲层和第二缓冲层中In组份浓度,使其晶格常数相等,使过渡层内无极化效应,增大量子阱的等效带隙能级,减少波长蓝移;同时提升电子与空穴的有效复合机率;3)当所述缓冲层位于量子阱层与电子阻挡层之间时,其带隙能级大于所述量子阱层的带隙能级,有效防止电子溢流现象,改善Droop效应与内量子效率。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。
图1 本发明实施例一之发光二极管结构示意图;
图2 本发明实施例二之发光二极管结构示意图;
图3 本发明实施例三之发光二极管结构示意图;
附图标注:10:衬底;20:成核层;30:N型层;40、40'缓冲层;41、41':第一缓冲层;42、42':第二缓冲层;50:量子阱层;60:电子阻挡层;70:P型层;80:P型接触层。
具体实施方式
实施例1
参看附图1,本发明提供的一种发光二极管,至少包括一衬底10,以及依次沉积于衬底10上的成核层20、N型层30、量子阱层50、电子阻挡层60、P型层70和P型接触层80,并且在量子阱层50一侧或者两侧还***一由晶格常数相同的第一缓冲层41和第二缓冲层42组成的双层或多层超晶格结构的缓冲层40。其中,衬底10材质为蓝宝石、氮化镓、硅等中的任意一种,本实施例优选蓝宝石。成核层20的材料为氮化铝镓铟(Al1-x-yGaxInyN),其中0≦x<1,0≦y<1。量子阱层50为3~20个周期的InGaN/GaN结构,电子阻挡层60为P型AlGaN,P型接触层80为P型InGaN、P型InN层或者P型GaN层。
继续参看附图1,本实施例中,为减小N型层30与量子阱层50之间的极化效应,设置缓冲层40位于N型层30与量子阱层50之间,并且缓冲层40与量子阱层50的晶格常数相匹配,即接近甚至相同。缓冲层40由晶格常数相同的第一缓冲层41和第二缓冲层42形成周期性超晶格结构,其周期数为1~10,本实施例中优选周期数为8。第一缓冲层41的厚度为5~500Å,第二缓冲层42的厚度为5~500 Å,本实施例优选第一缓冲层41与第二缓冲层42的厚度均为30Å,使缓冲层40内的应力在第一缓冲层41与第二缓冲层42的界面处逐层释放。
缓冲层40中的第一缓冲层41和第二缓冲层42的晶格常数相同,保证了缓冲层40内无极化效应的累积,更有效的减小N型层30与量子阱层50之间的晶格失配,改善量子阱斯塔克效应。本实施例中第一缓冲层41和第二缓冲层42分别优选为InaGa1-aN层和InbAl1-bN层,其中a>0,b>0,通过调节In组份的浓度,实现第一缓冲层41和第二缓冲层42的晶格常数相同。同时调节缓冲层40的晶格常数与量子阱层50中InGaN势阱层的晶格常数,使两者相同,降低晶格失配,减少缓冲层40与量子阱层50之间的极化效应,从而提高发光效率。
现有技术中,InGaN/GaN结构的量子阱层50的晶格常数通常为3.2~3.3,为使缓冲层40的晶格常数与量子阱层50相匹配,缓冲层40的晶格常数也为3.2~3.3,从而推导出InaGa1-aN第一缓冲层41和InbAl1-bN第二缓冲层42中In组份分别为15%~25%和14%~35%。本实施例中调节第一缓冲层41和第二缓冲层42中In组份分别为20%和30%,使缓冲层40和量子阱层50的晶格常数均为3.26。
在N型层30和量子阱层50之间***一缓冲层40,并且其晶格常数与量子阱层50相同,改善了N型层30与量子阱层50之间的晶格失配,降低了量子阱层50的极化效应。同时,调节缓冲层40中第一缓冲层41和第二缓冲层42中In组份浓度,使两者晶格常数相等,实现缓冲层40内无极化效应,增大量子阱的等效带隙能级,减少波长蓝移;同时提升电子与空穴的有效复合机率。
实施例2
参看附图2,本实施例与实施例1的区别在于,缓冲层40'位于量子阱层50与电子阻挡层60之间,用于减少量子阱层50与电子阻挡层60之间的晶格失配,且缓冲层40'与量子阱层50的晶格常数相同。缓冲层40'为由晶格常数相同的第一缓冲层41'和第二缓冲层42'组成的双层结构,且第二缓冲层42'位于第一缓冲层41'上,同时缓冲层40'的带隙能级高于量子阱层50。
具体地,先在InGaN/GaN量子阱层50上生长材料为InaGa1-aN的第一缓冲层41',后生长材料为InbAl1-bN的第二缓冲层42',其中,第一缓冲层41'的生长条件与量子阱层50中InGaN阱层的生长条件相同,缓冲层40'的晶格常数与InGaN阱层的相等,减小量子阱层50与后续生长的P型层70的晶格失配,同时第二缓冲层42'的带隙能级大于第一缓冲层41'的带隙能级,与电子阻挡层60同时起到双层阻挡作用。
在本实施例中,InGaN阱层的厚度为28~38Å,GaN垒层的厚度为60~180Å,优选第一缓冲层的厚度与InGaN阱层的厚度相同,作为电子-空穴有效复合辐射层;第二缓冲层的厚度大于GaN垒层的厚度为300Å,用于减小电子的迁移率;量子阱层50的晶格常数为优选3.25,调节第一缓冲层41'和第二缓冲层42'中In组份分别为17.8%、32.2%,使缓冲层40'与量子阱层50的晶格常数相同,低量子阱层60与后续生长的P型层70之间的极化效应。
现有发光二极管中,由于p型杂质的活化效率较低,使得p型层内活化空穴的浓度远远低于n型层内电子浓度,且由于空穴的迁移率较小,为480cm2/Vs(仅为电子迁移率的1/3~1/2),如此,导致活化空穴主要集中在靠近P型层附近的量子阱内,而电子的迁移速率(1500cm2/Vs)远远高于空穴,发光区域主要集中在靠近P型层附近的量子阱内,造成发光效率低的现象。本实施例于量子阱50层与电子阻挡层60之间***一缓冲层,一方面增加量子阱层50的有效发光区域,提升LED的内量子效率。一方面阻挡电子的迁移,防止电子溢流现象,改善Droop效应;
实施例3
参看附图3,本实施例与实施例1、2的区别在于:缓冲层40和缓冲层40'分别位于量子阱层50的两侧(即N型层30与量子阱层50之间的缓冲层40、电子阻挡层60与量子阱层50之间的缓冲层40')。其中,缓冲层40为晶格常数相同的第一缓冲层41和第二缓冲层42交替形成的超晶格结构,其周期数为1~10;缓冲层40'为双层结构,且第二缓冲层42'位于第一缓冲层41'之上;缓冲层40为n型掺杂层或未掺杂层,n型掺杂杂质为Si、Sn、S、Se、Te中的任意一种,用于调节N型层30与量子阱层50之间的应力;缓冲层40'为p型掺杂或未掺杂层,p型掺杂杂质为Be、Mg、Zn、Cd、C中的任意中一种,优选缓冲层40中,其第一缓冲层41为未掺杂层,第二缓冲层42的掺杂杂质为Si,增加电子的横向扩展能力;而缓冲层40'的掺杂杂质均为Mg,提供空穴。
当然,作为本实施例的变形实施方式缓冲层40'也可以是晶格常数相同的第一缓冲层41'和第二缓冲层42'交替形成的超晶格结构,其周期数为1~10。通过超晶格结构的缓冲层40、40'逐步释放量子阱层60与N型层30及P型层70因晶格失配而产生的应力,减小量子阱极化效应。
通过在量子阱层50两侧分别***与其晶格常数相同的缓冲层40和缓冲层40',减小量子阱层50与N型层30、P型层70的晶格失配,改善量子阱层50两端的极化效应,提升LED器件的出光效率。
应当理解的是,上述具体实施方案为本发明的优选实施例,本发明的范围不限于该实施例,凡依本发明所做的任何变更,皆属本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管,依次包括N型层、量子阱层、P型层,其特征在于:于所述量子阱层一侧或者两侧***一缓冲层,所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层,所述缓冲层为含In氮化物,所述第一缓冲层的In组份为15%~25%,所述第二缓冲层的In组份为14%~35%,调节第一缓冲层和第二缓冲层中In组份浓度,使所述第一缓冲层的晶格常数与所述第二缓冲层的晶格常数相同,缓冲层内无极化效应。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述第一缓冲层的材料为InaGa1-aN,所述第二缓冲层的材料为InbAl1-bN,其中a>0、b>0。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述缓冲层与所述量子阱层的晶格常数相匹配。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述缓冲层的晶格常数为3.20~3.30。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间,其带隙能级大于所量子阱层的带隙能级。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间,在所述缓冲层与P型层之间还设有电子阻挡层,所述缓冲层与所述电子阻挡层构成双阻挡层结构。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间,作为电子-空穴有效复合辐射层。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间,其中第二缓冲层的厚度大于所述量子阱层之垒层的厚度,以减小电子的迁移率。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述缓冲层位于量子阱层与N型层之间,第一缓冲层为未掺杂层,第二缓冲层的N型掺杂,增加电子的横向扩展能力。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述缓冲层为第一缓冲层与第二缓冲层交替堆叠的周期性结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610098089.9A CN105514239B (zh) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 一种发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610098089.9A CN105514239B (zh) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 一种发光二极管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105514239A CN105514239A (zh) | 2016-04-20 |
CN105514239B true CN105514239B (zh) | 2018-12-04 |
Family
ID=55722069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610098089.9A Active CN105514239B (zh) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 一种发光二极管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105514239B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107134515A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-05 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管的外延片及其制备方法 |
CN110635004A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-31 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | GaN基发光二极管外延结构 |
CN115020559A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-09-06 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种发光二极管及其外延结构 |
CN117393667B (zh) * | 2023-12-13 | 2024-03-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、led |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1347581A (zh) * | 1999-03-26 | 2002-05-01 | 松下电器产业株式会社 | 带有应变补偿层的半导体结构及其制备方法 |
JP5477685B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-04-23 | サンケン電気株式会社 | 半導体ウェーハ及び半導体素子及びその製造方法 |
CN102760808B (zh) * | 2012-07-12 | 2015-09-23 | 华灿光电股份有限公司 | 一种发光二极管的外延片及其制造方法 |
CN103151435B (zh) * | 2013-01-30 | 2015-05-06 | 东南大学 | 一种具有复合势垒的氮化镓基发光二极管 |
CN103996766B (zh) * | 2014-03-21 | 2017-10-20 | 安徽三安光电有限公司 | 氮化镓基发光二极管及其制备方法 |
CN104485404B (zh) * | 2014-12-29 | 2017-07-28 | 北京大学 | 一种高亮度近紫外led及其外延生长方法 |
-
2016
- 2016-02-23 CN CN201610098089.9A patent/CN105514239B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105514239A (zh) | 2016-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI436495B (zh) | 以氮化物為主之發光裝置 | |
TWI555225B (zh) | 三族氮化物半導體發光裝置 | |
CN102157656B (zh) | 一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法 | |
KR101228983B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
WO2012089003A1 (zh) | 具有复合式双电流扩展层的氮化物发光二极管 | |
KR20160014416A (ko) | 자외선 발광 다이오드 | |
TWI445204B (zh) | 具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件 | |
CN105514239B (zh) | 一种发光二极管 | |
TW201421734A (zh) | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 | |
US8759815B2 (en) | Nitride based semiconductor light emitting device | |
CN104205367A (zh) | 近紫外发光装置 | |
CN103855263A (zh) | 一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法 | |
WO2016065884A1 (zh) | 发光二极管 | |
TWI528582B (zh) | 發光結構及包含其之半導體發光元件 | |
CN107833956B (zh) | 氮化物半导体结构及半导体发光元件 | |
CN103985799B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
CN111326626A (zh) | 一种能够改善空穴传输能力的半导体发光器件 | |
CN210805811U (zh) | 一种抗静电外延结构 | |
CN204760413U (zh) | 多量子阱结构及包含该多量子阱结构的氮化物发光二极管 | |
CN107968138B (zh) | 一种氮化物发光二极管 | |
CN102185053A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
CN109671825B (zh) | 一种极性半导体发光二极管 | |
KR20160072914A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
CN111640829A (zh) | 一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法 | |
CN110635006A (zh) | GaN基发光二极管外延结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |