CN105506581B - 一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法 - Google Patents

一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，通过以抽真空式或变流量式的不同ALD工艺方式，改变反应腔室内的吹扫气体进气量，在腔室内形成气流场的扰动，可有效提高对过剩反应源及反应副产物的吹扫效果，降低薄膜生长周期的工艺时间，提高生产效率，并可在此基础上减少寄生CVD反应，提高ALD工艺质量，使薄膜均匀性得到提高。

Description

一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法
技术领域
本发明涉及原子层沉积技术领域，更具体地，涉及一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法。
背景技术
原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)是通过将气相前驱物交替地通入反应器并在基体的表面发生化学反应而形成沉积薄膜的一种方法(技术)，该技术可以将物质以单原子层薄膜形式一层一层地镀在基底表面。
在原子层沉积工艺过程中，当前驱物到达沉积基体的表面时，会以化学吸附的形式沉积在基体表面。在不同的前驱物脉冲之间还需要用惰性气体对反应器进行吹扫，以清除未吸附在基体表面的过剩反应源，保证化学反应只在基体表面发生。
根据对反应源(前驱物)隔离方式的不同，原子层沉积设备(ALD)可以分为时间式设备和空间式设备两种类型。对于时间式ALD设备，两种反应源可以在不同时间出现在同一个反应腔室中，其工艺的每个生长周期可以分为“通入第一种反应源-吹扫-通入第二种反应源-吹扫”四个阶段。对于空间式ALD设备，通常可以利用衬底位置的移动来隔离两种反应源体，以实现ALD工艺。
以在时间式ALD设备上进行ALD工艺为例，其常规ALD技术通常采用四步工艺，即每个工艺循环过程包括四步：通入第一种反应源-吹扫-通入第二种反应源-吹扫。其中，在进行吹扫时，是采用边进气边抽气的方式，过程中反应腔室内的吹扫气体进气量和抽气时的压力保持不变。这种吹扫方式的优点在于可使得ALD工艺过程相对简单，易实现。
但是，上述常规ALD技术同时也存在一些缺点：首先在于采用上述吹扫方式，将使得反应腔室内的气流场相对稳定，造成在腔室空间内易存在死区，以致不易将过剩前驱物和反应副产物吹扫干净；其次在于采用上述吹扫方式，会增加吹扫时间和惰性气体的消耗，从而降低了ALD的产率。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，以提高对过剩反应源及反应副产物的吹扫效果。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，包括以下步骤：
步骤一：向反应腔室中通入第一种反应源；
步骤二：以交替的变流量方式，向反应腔室中通入吹扫气体，进行第一次气体吹扫；
步骤三：向反应腔室中通入第二种反应源；
步骤四：以交替的变流量方式，向反应腔室中通入吹扫气体，进行第二次气体吹扫；
其中，所述变流量方式包括：
方式A：通入一定流量的吹扫气体；
方式B：通入零流量的吹扫气体，并使反应腔室处于抽真空状态；
以方式A、方式B的交替方式，进行第一、二次气体吹扫。
优选地，方式A、方式B的进行不分先后。
优选地，方式A、方式B交替进行一至若干次。
一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，包括以下步骤：
步骤一：向反应腔室中通入第一种反应源；
步骤二：以交替的变流量方式，向反应腔室中通入吹扫气体，进行第一次气体吹扫；
步骤三：向反应腔室中通入第二种反应源；
步骤四：以交替的变流量方式，向反应腔室中通入吹扫气体，进行第二次气体吹扫；
其中，所述变流量方式包括：
方式C：通入第一流量的吹扫气体；
方式D：通入第二流量的吹扫气体；
以方式C、方式D的交替方式，进行第一次气体吹扫；以及
方式E：通入第三流量的吹扫气体；
方式F：通入第四流量的吹扫气体；
以方式E、方式F的交替方式，进行第二次气体吹扫。
优选地，方式C、方式D的进行不分先后，方式E、方式F的进行不分先后。
优选地，方式C、方式D交替进行一至若干次，方式E、方式F交替进行一至若干次。
优选地，第一流量小于第二流量，第三流量小于第四流量。
优选地，第一流量大于第三流量，第二流量大于第四流量。
从上述技术方案可以看出，本发明通过以零流量抽真空或变化流量的不同方式改变反应腔室内的吹扫气体进气量，在腔室内形成气流场的扰动，可有效提高对过剩反应源及反应副产物的吹扫效果，降低薄膜生长周期的工艺时间，提高生产效率；在此基础上，可减少寄生CVD反应，并能提高ALD工艺质量，使得薄膜均匀性得到提高。
附图说明
图1是本发明一较佳具体实施方式之一中的一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法流程图；
图2是本发明一较佳具体实施方式之二中的一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法流程图；
图3是ALD***的一种气路分布示意图；图中1.臭氧发生器，2.气态三甲基铝发生器，3.反应腔室，4.反应腔室排气口，5.气动阀V1-V6；
图4-图10分别是本发明实施例一-实施例七中的ALD工艺周期框图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
现有在时间式ALD设备上进行ALD工艺时，在进行吹扫过程中反应腔室内的吹扫气体进气量和抽气时的压力保持不变。这种吹扫方式存在的缺点是：1)将使得反应腔室内的气流场相对稳定，造成在腔室空间内易存在死区，以致不易将过剩前驱物和反应副产物吹扫干净；2)会增加吹扫时间和惰性气体的消耗，从而降低ALD的产率。
针对上述问题，本发明提出了一种变流量吹扫ALD技术，即在吹扫过程中使反应腔室内的吹扫气体进气量发生变化。本发明的一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，包括以下步骤：
步骤一：向反应腔室中通入第一种反应源；
步骤二：以交替的变流量方式，向反应腔室中通入吹扫气体，进行第一次气体吹扫；
步骤三：向反应腔室中通入第二种反应源；
步骤四：以交替的变流量方式，向反应腔室中通入吹扫气体，进行第二次气体吹扫。
上述本发明的改进方法，可通过两种方式来实现：一种是保持吹扫气体管路中的流量不变，通过断流抽真空方式实现本发明的ALD技术(抽真空式ALD工艺)；另一种是在吹扫过程中，通过直接调整吹扫气体管路中的流量实现本发明的ALD技术(变流量式ALD工艺)。分别在以下进行详细说明。
在以下本发明的一具体实施方式中，请参阅图1，图1是本发明一较佳具体实施方式之一中的一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法流程图；同时，请结合参阅图3，图3是ALD***的一种气路分布示意图。如图1所示，本发明的一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，通过改变气路上阀门的开关实现对腔室进气流量的控制，从而改变腔室内的气流走向，引起腔室内气流场的扰动，提高吹扫效果，使过剩的反应源和反应副产物被吹扫干净(即抽真空式ALD工艺)，方法包括以下阶段：
阶段一：向反应腔室中通入第一种反应源。
请参阅图3。以TMA(三甲基铝)作为第一种反应源、臭氧(O3)作为第二种反应源、氮气作为吹扫气体为例，关闭设于反应腔室排气口4的气动阀(V6)和设于吹扫气体管路的气动阀(V2、V3、V5)5，打开设于气态三甲基铝发生器2管路的气动阀(V4)5，向反应腔室3中通入TMA。
阶段二：向反应腔室中通入一定流量的吹扫气体，进行第一次气体吹扫。
在此阶段中，打开阀V6，关闭阀V4，使一定流量的氮气经由阀V2、V3、V5进入反应腔室(即方式A)，对TMA过剩反应源和反应副产物进行吹扫。
阶段三：停止向反应腔室中通入吹扫气体，并进行抽真空。
在此阶段中，保持阀V6打开、阀V4关闭，并关闭阀V2、V3、V5，通入零流量的吹扫气体，也就是对吹扫气体进行断流，并对沉积腔室抽真空(即方式B)，使TMA过剩反应源和反应副产物被彻底吹扫干净。
阶段四：向反应腔室中通入第二种反应源。
在此阶段中，关闭阀V6和阀V2、V3、V5，打开设于臭氧发生器1管路的气动阀(V1)5，向反应腔室中通入臭氧。
阶段五：向反应腔室中通入一定流量的吹扫气体，进行第二次气体吹扫。
在此阶段中，打开阀V6，关闭阀V1，使一定流量的氮气经由阀V2、V3、V5进入反应腔室(即方式A)，对臭氧过剩反应源和反应副产物进行吹扫。
阶段六：停止向反应腔室中通入吹扫气体，并进行抽真空。
在此阶段中，保持阀V6打开、阀V1关闭，并关闭阀V2、V3、V5，通入零流量的吹扫气体，也就是对吹扫气体进行断流，并对沉积腔室抽真空(即方式B)，使臭氧过剩反应源和反应副产物被彻底吹扫干净。
此时完成了一个Al2O3薄膜生长周期，可如此循环直到完成一定薄膜厚度的整个原子层沉积过程。
作为可选的实施方式，上述阶段二和阶段三的执行次序可以互换，阶段五和阶段六的执行次序可以互换，即进行第一、二次气体吹扫时所采用的方式A、方式B的进行可不分先后。并且，阶段二和阶段三在进行第一次气体吹扫的过程中、阶段五和阶段六在进行第二次气体吹扫的过程中可按照交替方式进行一至若干次，即进行第一、二次气体吹扫时所采用的方式A、方式B的交替进行次数可为一至若干次，其组合方式例如可以是：AB，也可以是BA、ABA、BAB……。进一步的，第一、二次气体吹扫时，各自的方式A、方式B的交替进行次数以及先后次序也可以不相同。
此外，反应源气体也可以采用其他气源，吹扫气体也可以采用惰性气体，在阀V2、V3、V5打开时，吹扫气体的流量可参照现有工艺中的流量执行。
在以下本发明的另一具体实施方式中，请参阅图2，图2是本发明一较佳具体实施方式之二中的一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法流程图；同时，请结合参阅图3，图3是ALD***的一种气路分布示意图。如图2所示，本发明的一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，通过改变吹扫气体气路的流量实现对腔室内气流场的扰动，提高吹扫效果，使过剩的反应源和反应副产物被吹扫干净(即变流量式ALD工艺)，方法包括以下阶段：
阶段一：向反应腔室中通入第一种反应源。
请参阅图3。以TMA(三甲基铝)作为第一种反应源、臭氧(O3)作为第二种反应源、氮气作为吹扫气体为例，关闭出气阀门V6和进气阀门V2、V3、V5，打开进气阀门V4，向反应腔室中通入TMA。
阶段二：向反应腔室中通入第一流量的吹扫气体，进行第一次气体吹扫。
在此阶段中，打开阀V6，关闭阀V4，使第一流量的氮气经由阀V2、V3、V5进入反应腔室(即方式C)，对TMA过剩反应源和反应副产物进行吹扫。
阶段三：继续向反应腔室中通入第二流量的吹扫气体。
在此阶段中，保持阀V6打开、阀V4关闭，使第二流量的氮气经由阀V2、V3、V5进入反应腔室(即方式D)，使TMA过剩反应源和反应副产物被彻底吹扫干净。
作为可选的实施方式，上述阶段二和阶段三的执行次序可以互换，即进行第一次气体吹扫时所采用的方式C、方式D的进行可不分先后。并且，阶段二和阶段三在进行第一次气体吹扫的过程中可按照交替方式进行一至若干次，即进行第一次气体吹扫时所采用的方式C、方式D的交替进行次数可为一至若干次，其组合方式例如可以是：CD，也可以是DC、CDC、DCD……。
作为优选的实施方式，第一流量可小于第二流量，例如，阶段二中，可使6slm总流量的氮气经由阀V2、V3、V5(3阀组各通2slm流量)进入反应腔室；阶段三中，可使9slm总流量的氮气经由阀V2、V3、V5(3阀组各通3slm流量)进入反应腔室，通过增大流量继续吹扫的方法，达到吹净第一种过剩前驱物和反应副产物的目的。
阶段四：向反应腔室中通入第二种反应源。
在此阶段中，关闭阀V6和阀V2、V3、V5，打开阀V1，向反应腔室中通入臭氧。
阶段五：向反应腔室中通入第三流量的吹扫气体，进行第二次气体吹扫。
在此阶段中，打开阀V6，关闭阀V1，使第三流量的氮气经由阀V2、V3、V5进入反应腔室(即方式E)，对臭氧过剩反应源和反应副产物进行吹扫。
阶段六：继续向反应腔室中通入第四流量的吹扫气体。
在此阶段中，保持阀V6打开、阀V1关闭，使第四流量的氮气经由阀V2、V3、V5进入反应腔室(即方式F)，使臭氧过剩反应源和反应副产物被彻底吹扫干净。
作为可选的实施方式，上述阶段五和阶段六的执行次序可以互换，即进行第二次气体吹扫时所采用的方式E、方式F的进行可不分先后。并且，阶段五和阶段六在进行第二次气体吹扫的过程中可按照交替方式进行一至若干次，即进行第二次气体吹扫时所采用的方式E、方式F的交替进行次数可为一至若干次，其组合方式例如可以是：EF，也可以是FE、EFE、FEF……。
作为优选的实施方式，第三流量可小于第四流量；并且，第一流量可大于第三流量，第二流量可大于第四流量，以便取得较佳的组合使用效果。例如，阶段五中，可使3slm总流量的氮气经由阀V2、V3、V5(3阀组各通1slm流量)进入反应腔室；阶段六中，可使6slm总流量的氮气经由阀V2、V3、V5(3阀组各通2slm流量)进入反应腔室，通过增大流量继续吹扫的方法，达到吹净第二种过剩前驱物和反应副产物的目的。
作为其他可选的实施方式，反应源气体也可以采用其他气源，吹扫气体也可以采用惰性气体。
此时同样完成了一个Al2O3薄膜生长周期，可如此循环直到完成一定薄膜厚度的整个原子层沉积过程。
下面以制备三氧化二铝(Al2O3)钝化薄膜为例，根据本发明的上述方法给出如下实施例。
实施例一
使用抽真空式ALD工艺进行200个循环薄膜生长，以制备20nm目标厚度的氧化铝膜，ALD工艺参数为：工艺温度200℃，ALD工艺周期(通TMA 2s，抽真空2s，吹扫2s，通O3 2s，抽真空2s，吹扫2s)共12s。请参考图4的框图。
工艺结果为所得薄膜厚度20.5nm，片内均匀性2％。
实施例二
使用抽真空式ALD工艺进行200个循环薄膜生长，以制备20nm目标厚度的氧化铝膜，ALD工艺参数为：工艺温度200℃，ALD工艺周期(通TMA 2s，吹扫2s，抽真空2s，通O3 2s，吹扫2s，抽真空2s)共12s。请参考图5的框图。
工艺结果为所得薄膜厚度21.5nm，片内均匀性1.5％。
实施例三
使用抽真空式ALD工艺进行200个循环薄膜生长，以制备20nm目标厚度的氧化铝膜，ALD工艺参数为：工艺温度200℃，ALD工艺周期(通TMA 2s，吹扫2s，抽真空2s，通O3 2s，抽真空2s，吹扫2s)共12s。请参考图6的框图。
工艺结果为所得薄膜厚度22.5nm，片内均匀性2.5％。
实施例四
使用抽真空式ALD工艺进行200个循环薄膜生长，以制备20nm目标厚度的氧化铝膜，ALD工艺参数为：工艺温度200℃，ALD工艺周期(通TMA 2s，抽真空2s，吹扫2s，通O3 2s，吹扫2s，抽真空2s)共12s。请参考图7的框图。
工艺结果为所得薄膜厚度22nm，片内均匀性2％。
实施例五
使用抽真空式ALD工艺进行200个循环薄膜生长，以制备20nm目标厚度的氧化铝膜，ALD工艺参数为：工艺温度200℃，ALD工艺周期(通TMA 2s，吹扫1s，抽真空2s，吹扫1s，通O3 2s，吹扫1s，抽真空2s，吹扫1s)共12s。请参考图8的框图。
工艺结果为所得薄膜厚度19.5nm，片内均匀性0.5％。
实施例六
使用抽真空式ALD工艺进行200个循环薄膜生长，以制备20nm目标厚度的氧化铝膜，ALD工艺参数为：工艺温度200℃，ALD工艺周期(通TMA 2s，抽真空1s，吹扫2s，抽真空1s，通O3 2s，抽真空1s，吹扫2s，抽真空1s)共12s。请参考图9的框图。
工艺结果为所得薄膜厚度19.5nm，片内均匀性0.5％。
实施例七
使用变流量式ALD工艺进行200个循环薄膜生长，以制备20nm目标厚度的氧化铝膜，ALD工艺参数为：工艺温度200℃，ALD工艺周期(通TMA 2s，6slm N2吹扫2s，9slm N2吹扫2s，通O3 2s，3slm N2吹扫2s，6slm N2吹扫2s)共12s。请参考图10的框图。
工艺结果为所得薄膜厚度20.5nm，片内均匀性1.5％。
综上所述，本发明通过以抽真空式或变流量式的不同ALD工艺方式，改变反应腔室内的吹扫气体进气量，在腔室内形成气流场的扰动，可有效提高对过剩反应源及反应副产物的吹扫效果，降低薄膜生长周期的工艺时间，提高生产效率；在此基础上，可减少寄生CVD反应，并能提高ALD工艺质量，使得薄膜均匀性得到提高。
以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (5)

1.一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：向反应腔室中通入第一种反应源；
步骤二：以交替的变流量方式，向反应腔室中通入吹扫气体，进行第一次气体吹扫；
步骤三：向反应腔室中通入第二种反应源；
步骤四：以交替的变流量方式，向反应腔室中通入吹扫气体，进行第二次气体吹扫；
其中，所述变流量方式包括：
方式C：通入第一流量的吹扫气体；
方式D：通入第二流量的吹扫气体；
以方式C、方式D的交替方式，进行第一次气体吹扫；以及
方式E：通入第三流量的吹扫气体；
方式F：通入第四流量的吹扫气体；
以方式E、方式F的交替方式，进行第二次气体吹扫。
2.根据权利要求1所述的应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，其特征在于，方式C、方式D的进行不分先后，方式E、方式F的进行不分先后。
3.根据权利要求1或2所述的应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，其特征在于，方式C、方式D交替进行一至若干次，方式E、方式F交替进行一至若干次。
4.根据权利要求1所述的应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，其特征在于，第一流量小于第二流量，第三流量小于第四流量。
5.根据权利要求1或4所述的应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法，其特征在于，第一流量大于第三流量，第二流量大于第四流量。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110396676B (zh) * 2018-04-24 2021-07-13 北京北方华创微电子装备有限公司 一种原子层沉积设备及方法
CN111101115B (zh) * 2018-10-25 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 气路切换装置及其控制方法、半导体加工设备
CN111218668B (zh) * 2018-11-27 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体处理设备及薄膜沉积方法
CN109576675B (zh) * 2019-01-15 2021-08-13 北京北方华创微电子装备有限公司 原子层沉积装置及方法
CN112420731B (zh) * 2020-11-17 2021-12-17 长江存储科技有限责任公司 在深孔中形成薄膜层的方法及半导体器件的制备方法
CN114686851A (zh) * 2020-12-25 2022-07-01 中国科学院微电子研究所 等离子增强原子层沉积法及沟槽/孔的表面成膜方法
CN114959646A (zh) * 2022-04-08 2022-08-30 普乐新能源科技(徐州)有限公司 一种优异的ald镀膜工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102470537A (zh) * 2009-07-17 2012-05-23 吉列公司 剃刀上的原子层沉积涂层
CN103510072A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 诺发***公司 抑制前体流和衬底区外等离子体以抑制衬底处理***寄生沉积
CN104805414A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法及衬底处理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050103264A1 (en) * 2003-11-13 2005-05-19 Frank Jansen Atomic layer deposition process and apparatus
KR100597322B1 (ko) * 2005-03-16 2006-07-06 주식회사 아이피에스 박막증착방법
TWI431149B (zh) * 2009-12-24 2014-03-21 Lig Adp Co Ltd 化學氣相沈積設備及其控制方法
CN102312217B (zh) * 2011-09-06 2013-04-17 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置
CN202380079U (zh) * 2011-11-25 2012-08-15 上海至纯洁净***科技股份有限公司 蒸汽输送装置及其蒸发器
JP6396670B2 (ja) * 2014-04-15 2018-09-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置ならびに排気装置および排気方法
CN104233227A (zh) * 2014-09-23 2014-12-24 上海华力微电子有限公司 一种原子层沉积设备及方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102470537A (zh) * 2009-07-17 2012-05-23 吉列公司 剃刀上的原子层沉积涂层
CN103510072A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 诺发***公司 抑制前体流和衬底区外等离子体以抑制衬底处理***寄生沉积
CN104805414A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法及衬底处理装置

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