CN105470278A - 有机发光二极管显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

讨论了一种有机发光二极管显示装置和制造该有机发光二极管显示装置的方法。根据一个实施方案的有机发光二极管显示装置包括：第一电极，其在薄膜晶体管上并且连接至漏电极；辅助电极，其与第一电极在相同的层上；堤坝层，其覆盖第一电极的边缘和辅助电极的边缘并且具有对应的透过孔和辅助接触孔；发光层，其在透过孔中的第一电极上；残留层，其在辅助接触孔中的辅助电极上。残留层的中心部分的厚度小于残留层的边缘部分的厚度。有机发光二极管显示装置还包括在发光层和残留层上的第二电极。

Description

有机发光二极管显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年9月26日在大韩民国提交的韩国专利申请第10-2014-0129522号的优先权权益，其全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及有机发光二极管显示装置，并且更具体地，涉及有机发光二极管显示装置及其制造方法。该有机发光二极管显示装置提供了均匀的亮度并且具有大尺寸和高清晰度。
背景技术
近来，平板显示器因其外形薄、重量轻和功耗低已经广泛地被开发和应用于各个领域。在平板显示器中，有机发光二极管(OLED)显示装置(可以称作有机电致发光显示装置)在电子-空穴对的损耗期间发光。电子-空穴对通过将电荷注入用于注入电子的阴极与用于注入空穴的阳极之间的发光层形成。
OLED显示装置可以自发光并且包括柔性基板例如塑料。自发光OLED显示装置可以具有优异的对比度和几微秒的响应时间。自发光OLED显示装置的优点在于显示移动图像(包括以宽视角显示移动图像)和在低温下稳定。自发光OLED显示装置可以通过5V至15V的直流(DC)低电压驱动，并且，因此，OLED显示器中的驱动电路可以容易地设计和制造。另外，因为仅需要沉积和封装步骤，所以OLED显示装置的制造工艺可以是简单的。
另外，根据驱动方法，OLED显示器装置可以为无源矩阵型OLED显示装置和有源矩阵型OLED显示装置。有源矩阵型显示装置具有低功耗和高清晰度。另外，有源矩阵型显示装置的尺寸可以很大。
图1是根据相关技术的OLED显示装置的一个像素区的电路图。OLED显示装置包括：栅极线GL、数据线DL、开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管De。栅极线GL和数据线DL彼此相交以限定像素区P。开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管De形成在像素区P中。
更具体地，开关薄膜晶体管Ts的栅电极连接至栅极线GL并且开关薄膜晶体管Ts的源电极连接至数据线DL。驱动薄膜晶体管Td的栅电极连接至开关薄膜晶体管的Ts的漏电极，并且驱动薄膜晶体管Td的源电极连接至高电位电压VDD。发光二极管De的阳极连接至驱动薄膜晶体管Td的漏电极，并且发光二极管De的阴极连接至低电位电压VSS。存储电容器Cst连接至驱动薄膜晶体管Td的栅电极和漏电极。
通过经由栅极线GL施加的栅极信号可以操作OLED显示装置以接通开关薄膜晶体管Ts。开关薄膜晶体管Ts可以被接通以通过开关薄膜晶体管Ts将数据信号从数据线DL施加至驱动薄膜晶体管Td的栅电极和存储电容器Cst的电极。当驱动薄膜晶体管Td通过数据信号被接通时，流过发光二极管De的电流受到控制，从而显示图像。发光二极管De由于从高电位电压VDD经由驱动薄膜晶体管Td提供的电流而发光。
即，流过发光二极管De的电流量与数据信号的幅度成比例，并且由发光二极管De发射的光的强度与流过发光二极管De的电流量成比例。因而，根据数据信号的幅度，像素区P显示不同的灰度级，并且因此，OLED显示装置显示图像。
在开关薄膜晶体管Ts关断时存储电容器Cst保持与帧的数据信号对应的电荷。因此，即使开关薄膜晶体管Ts关断，存储电容器Cst也使得流过发光二极管De的电流量能够恒定并且使得由发光二极管De显示的灰度级能够保持直到下个帧为止。
根据发光方向，OLED显示装置包括底部发光型OLED显示装置和顶部发光型OLED显示装置。在底部发光型OLED显示装置中，从发光二极管发射的光通过阳极朝其中形成有薄膜晶体管的基板输出。在顶部发光型OLED显示装置中，从发光二极管发射的光通过阴极朝与基板相反的方向输出。
在OLED显示器装置中，薄膜晶体管一般形成在发光二极管下方，并且在底部发光型OLED显示装置中，有效的发光区域受薄膜晶体管限制。顶部发光型OLED显示装置与底部发光型OLED显示装置相比具有较大的有效发光面积。因此，与底部发光型OLED显示装置相比，顶部发光型OLED显示装置具有相对高的开口率。另外，顶部发光型OLED显示装置可以具有大尺寸和高清晰度。
另外，阴极可以由金属材料形成。在顶部发光型OLED显示装置中，阴极需要具有相对薄的厚度以使光通过阴极输出。因此，阴极的电阻增加，出现VSS电压降，从而造成亮度不均匀。
发明内容
因此，本公开涉及一种有机发光二极管显示装置及其制造方法，该有机发光二极管显示装置及其制造方法基本上消除了由于相关技术的局限和缺点引起的问题中的一个或更多个。本公开的一个目的是提供一种尺寸大、清晰度高和亮度均匀的有机发光二极管显示装置和制造该有机发光二极管显示装置的方法。
将在以下描述中阐述这些实施方案的另外的特征和优点，并且这些特征和优点将由描述部分地变得明显，或者可以通过实施方案的实践了解这些特征和优点。将通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得这些目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点并且按照本公开的目的，如本文中所实施和广泛描述的，根据一个或更多个实施方案，有机发光二极管显示装置包括：基板；在基板上的薄膜晶体管；第一电极，其连接至薄膜晶体管的漏电极；辅助电极，其与第一电极在相同的层上；堤坝层，其覆盖第一电极的边缘和辅助电极的边缘，并且具有对应于第一电极的透过孔和对应于辅助电极的辅助接触孔；发光层，其在透过孔中的第一电极上；残留层，其在辅助接触孔中的辅助电极上。残留层的厚度从中心部分到边缘部分增大。有机发光二极管显示装置还包括在发光层和残留层上的第二电极。
在另一方面中，一种制造有机发光二极管显示装置的方法包括：在基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成钝化层；在钝化层上形成第一电极和辅助电极，第一电极连接至薄膜晶体管的漏电极，并且辅助电极与第一电极间隔开；形成具有使第一电极露出的透过孔和使辅助电极露出的辅助接触孔的堤坝层；在包括堤坝层的基本上整个基板的上方依次形成空穴注入材料层和空穴传输材料层；在对应于透过孔的空穴传输材料层上形成发光材料层；在包括发光材料层的基本上整个基板的上方依次形成电子传输材料层和电子注入材料层；利用有机溶剂溶解并且干燥对应于辅助接触孔的电子注入材料层、电子传输材料层、空穴传输材料层和空穴注入材料层，由此形成与发光材料层对应的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，并且在辅助接触孔中的辅助电极上形成残留层。残留层的厚度从中心部分到边缘部分增大。所述方法还包括在电子注入层和残留层上形成第二电极。
在另一方面中，一种制造有机发光二极管显示装置的方法包括：在基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成钝化层；在钝化层上形成第一电极和辅助电极，第一电极连接至薄膜晶体管的漏电极，并且辅助电极与第一电极间隔开；形成具有使第一电极露出的透过孔和使辅助电极露出的辅助接触孔的堤坝层；在通过透过孔露出的第一电极上依次形成空穴注入层、空穴传输层和第一发光材料层；在包括第一发光材料层的基本上整个基板的上方依次形成第二发光材料沉积层、电子传输材料层和电子注入材料层；利用有机溶剂溶解并且干燥与辅助接触孔对应的电子注入材料层、电子传输材料层和第二发光材料沉积层，由此形成对应于第一发光材料层的第二发光材料层、电子传输层和电子注入层，并且在辅助接触孔中在辅助电极上形成残留层。残留层的厚度从中心部分到边缘部分增大。所述方法还包括在电子注入层和残留层上形成第二电极。
应该理解的是，前述一般性描述和以下详细描述均为示例性和说明性的。前述一般性描述和以下详细描述旨在提供对所要求保护的实施方案的进一步说明。
附图说明
本发明包括附图以提供对本发明的进一步理解并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方案并且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是根据相关技术的OLED显示装置的一个像素区的电路图；
图2是根据本公开的第一实施方案的OLED显示装置的截面图；
图3A至图3H是在制造根据本公开的第一实施方案的显示装置的步骤中的OLED显示装置的截面图；
图4是根据本公开的第二实施方案的OLED显示装置的截面图；
图5是根据本公开的第三实施方案的OLED显示装置的截面图；
图6和图7是根据本公开的第四实施方案的OLED显示装置的截面图；以及
图8A至图8F是在制造根据本公开的第四实施方案的显示装置的步骤中的OLED显示装置的截面图。
具体实施方式
现在将具体地参照优选实施方案，在附图中示出了优选实施方案的示例。
图2是根据本公开的第一实施方案的OLED显示装置的截面图。根据第一实施方案的OLED显示装置包括形成在绝缘基板110上的一个像素区和半导体层122。基板110可以为玻璃基板或塑料基板。半导体层122可以由氧化物半导体材料形成。另外，包括由氧化物半导体材料形成的半导体层122的OLED显示装置可以包括形成在半导体层122下方的阻光图案和缓冲层。阻光图案阻挡来自外部的光或从发光二极管发射的光以防止半导体层122因光而劣化。或者，半导体层122可以由多晶硅形成，并且在这种情况下，可以在半导体层122的两端中掺入杂质。
在基本上整个基板110上方在半导体层122上形成由绝缘材料形成的栅极绝缘层130。栅极绝缘层130由无机绝缘材料例如二氧化硅(SiO2)形成。在半导体层122由多晶硅形成的情况下，栅极绝缘层130可以由二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)形成。
在栅极绝缘层130上可以形成对应于半导体层122的由导电材料(例如金属)形成的栅电极132。另外，在栅极绝缘层130上可以形成栅极线和第一电容器电极。栅极线沿第一方向延伸，第一电容器电极可以连接至栅电极132。另外，根据本公开的第一实施方案的OLED显示装置包括形成在基本上整个基板110上方的栅极绝缘层130。或者，栅极绝缘层130可以被图案化以具有与栅电极132相同的形状。
在基本上整个基板110上方在栅电极132上形成由绝缘材料形成的层间绝缘层140。层间绝缘层140可以由无机绝缘材料如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)或有机绝缘材料如苯并环丁烯和光丙烯酸类物质形成。
层间绝缘层140包括使半导体层122的两侧的顶表面露出的第一接触孔140a和第二接触孔140b。第一接触孔140a和第二接触孔140b与栅电极132间隔开，并且栅电极132设置在第一接触孔140a与第二接触孔140b之间。第一接触孔140a和第二接触孔140b还形成在栅极绝缘层130中。或者，在栅极绝缘层130被图案化以具有与栅电极132相同的形状的情况下，第一接触孔140a和第二接触孔140b仅形成在层间绝缘层140中。
在层间绝缘层140上形成由导电材料(例如金属)形成的源电极152和漏电极154。另外，在层间绝缘层140上可以形成数据线、电源线和第二电容器电极。数据线和电源线沿第二方向延伸。
源电极152和漏电极154相对于栅电极132彼此间隔开。源电极152和漏电极154分别通过第一接触孔140a和第二接触孔140b接触半导体层122的两侧。数据线可以与栅极线相交以限定像素区。另外，电源线可以与数据线间隔开。第二电容器电极可以连接至漏电极154并且可以与第一电容器电极交叠以形成存储电容器，层间绝缘层140位于其间作为介电材料。
在OLED显示装置中，薄膜晶体管包括半导体层122、栅电极132、源电极152和漏电极154。在半导体层122上方，薄膜晶体管可以具有其中栅电极132和源电极152与漏电极154设置在半导体层122的侧面处的共面结构。
或者，薄膜晶体管可以具有反错列结构，在该结构中栅电极设置在半导体层下方并且源电极和漏电极设置在半导体层上方。在这种情况下，半导体层可以由非晶硅形成。另外，薄膜晶体管可以为OLED显示装置的驱动薄膜晶体管。开关薄膜晶体管可以具有与形成在基板110上方的驱动薄膜晶体管相同的结构。此时，驱动薄膜晶体管的栅电极132连接至开关薄膜晶体管的漏电极，并且驱动薄膜晶体管的源电极152连接至电源线。另外，开关薄膜晶体管的栅电极和源电极分别连接至栅极线和数据线。
在基本上整个基板110上方在源电极152和漏电极154上形成由绝缘材料形成的钝化层160。钝化层160具有平坦的顶表面并且具有使漏极154露出的漏极接触孔160a。在图2中，虽然漏极接触孔160a直接形成在第二接触孔140b上方，但漏极接触孔160a可以与第二接触孔140b间隔开。
钝化层160可以由有机绝缘材料(例如苯并环丁烯和光丙烯酸类物质)形成。在钝化层160上形成由具有相对高的功函数的导电材料形成的第一电极162。第一电极162设置在每个像素区中并且通过漏极接触孔160a接触漏电极154。例如，第一电极162可以由透明导电材料如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)形成。
第一电极162还可以包括由不透明导电材料形成的反射层。例如，反射层可以由铝-钯-铜(APC)合金形成，并且第一电极162可以具有ITO/APC/ITO三层结构。
另外，在钝化层160上形成辅助电极164，并且辅助电极164与第一电极162间隔开。辅助电极164可以由与第一电极162相同的材料形成。辅助电极164可以在基板110上方沿第一方向和第二方向延伸并且包括对应于每个像素区的具有晶格形状的开口。第一电极162可以设置在辅助电极164的开口中。
在第一电极162和辅助电极164上形成由绝缘材料形成的堤坝(bank)层170。堤坝层170具有透过孔170a和辅助接触孔170b。堤坝层170覆盖第一电极162的边缘和辅助电极164的边缘。透过孔170a使第一电极162露出，并且辅助接触孔170b使辅助电极164露出。
在通过堤坝层170的透过孔170a露出的第一电极162上形成发光层180。发光层180包括依次层叠在第一电极162上的空穴注入层181、空穴传输层182、发光材料层183、电子传输层184和电子注入层185。空穴注入层181、空穴传输层182、电子传输层184和电子注入层185形成在除了辅助接触孔170b以外的整个基板110上方。发光材料层183仅形成在透过孔170a中。发光材料层183可以为红色发光材料层、绿色发光材料层和蓝色发光材料层中之一。
在辅助接触孔170b中形成残留层187。在辅助接触孔170b中，残留层187中心部分的厚度小于残留层187的边缘部分的厚度。残留层187的边缘部分的厚度可以为残留层187的中心部分的厚度的1.1倍以上。有利地，残留层187的边缘部分的厚度可以为残留层187的中心部分的厚度的10倍以上。例如，残留层187的中心部分的厚度可以小于
空穴注入层181、空穴传输层182、发光材料层183、电子传输层184和电子注入层185可以由有机材料形成。或者，电子注入层185可以由无机材料形成。无机材料例如可以为氟化钠(NaF)。在这种情况下，残留层187基本上包括无机材料。
在发光层180上形成基本上在整个基板110上方的由具有相对低的功函数的导电材料形成的第二电极192。在此，第二电极192可以由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或其合金形成。第二电极192可以具有相对薄的厚度使得光通过其透射。此时，第二电极192的透射率为约45％至50％。
第二电极192通过辅助接触孔170b电连接至辅助电极164。第二电极192可以直接接触辅助电极164或者通过残留层187间接接触辅助电极164。第一电极162、发光层180和第二电极192构成有机发光二极管。第一电极162用作阳极，并且第二电极192用作阴极。在此，OLED显示装置为顶部发光型，其中来自发光层180的光通过第二电极192输出至外部。
在根据本公开的第一实施方案的OLED显示装置中，第二电极192连接至辅助电极164，并且第二电极192的电阻降低。此时，第二电极192可以通过简单工艺连接至辅助电极164，该工艺利用有机溶剂去除辅助接触孔170b中的空穴注入层181、空穴传输层182、电子传输层184和电子注入层185。
在第二电极192与辅助电极164之间设置有薄膜的情况下，将参照表1对取决于薄膜的厚度的第二电极192与辅助电极164之间的电连接进行说明。
表1示出了辅助电极与第二电极之间的电子注入层的电阻。
[表1]
例如，在基板上方形成的ITO层作为辅助电极，在ITO层上方形成(S1)、(S2)或(S3)的NaF层作为电子注入层，并且在NaF上方形成的Ag层作为第二电极。ITO层和Ag层可以连接至称作欧姆计的电阻表，并且测量取决于NaF层的厚度的ITO层与Ag层之间的电阻。在此，NaF层和Ag层可以通过沉积法来形成，并且可以防止Ag层与ITO层之间的电短路，在其中沉积NaF层和Ag层的区域的边缘中可以设置有绝缘带。
如表1所述，在NaF层为(S1)的情况下，ITO层与Ag层之间的电阻为77欧姆，并且在NaF层为(S2)的情况下，ITO层与Ag层之间的电阻为101欧姆。因而，应该注意的是ITO层和Ag层彼此电连接。另一方面，在NaF层为(S3)的情况下，ITO层与Ag层之间的电阻为几兆欧姆，ITO层和Ag层彼此未电连接。因此，虽然在第二电极192与辅助电极164之间设置有残留层187，但残留层187的厚度小于并且第二电极192和辅助电极164彼此电连接。
接着，图3A至图3H是在制造根据本公开的第一实施方案的显示装置的步骤中的OLED显示装置的截面图。参照图3A，可以通过沉积半导体材料在绝缘基板110上形成半导体材料层，并且利用掩模通过光刻工艺选择性地去除半导体材料层，由此形成半导体层122。
在此，绝缘基板110可以为玻璃基板或塑料基板。另外，半导体层122可以由氧化物半导体材料形成。氧化物半导体材料可以为氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟镓(IGO)或氧化铟铝锌(IAZO)。此时，还可以在半导体层122下方形成阻光图案和缓冲层。或者，半导体层122可以由多晶硅形成。
接着，例如，通过化学气相沉积法在基本上整个基板110上方沉积绝缘材料，在半导体层122上形成栅极绝缘层130。栅极绝缘层130可以由无机绝缘材料例如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)形成。在半导体层122由氧化物半导体材料形成的情况下，有利地，栅极绝缘层130可以由二氧化硅(SiO2)形成。
然后，例如可以通过溅射法沉积导电材料(例如金属)在栅极绝缘层130上形成第一导电材料层，并且可以利用掩模通过光刻工艺选择性地去除第一导电材料层，由此形成栅电极132。栅电极132与半导体层122相比具有较窄的宽度并且被设置成对应于半导体层122的中心部分。栅电极132可以由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)及其合金中的至少一种形成。
第一电容器电极和栅极线与栅电极132同时形成。第一电容器电极可以连接至栅电极132，并且栅极线可以沿第一方向延伸。接着，通过在基本上整个基板110上方沉积或施加绝缘材料在栅电极132上形成层间绝缘层140，并且利用掩模通过光刻工艺选择性地去除层间绝缘层140和栅极绝缘层130，由此形成第一接触孔140a和第二接触孔140b。第一接触孔140a和第二接触孔140b分别使半导体层122的两侧的顶表面露出。第一接触孔140a和第二接触孔140b与栅电极132间隔开，并且栅电极132设置在第一接触孔140a与第二接触孔140b之间。层间绝缘层140可以由无机绝缘材料例如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)或有机绝缘材料例如苯并环丁烯和光丙烯酸类物质形成。
接着，例如，可以通过溅射法沉积导电材料例如金属在层间绝缘层140上形成第二导电材料层，并且可以利用掩模通过光刻工艺选择性地去除第二导电材料层，由此形成源电极152和漏电极154。源电极152和漏电极154相对于栅电极132彼此间隔开。源电极152和漏电极154分别通过第一接触孔140a和第二接触孔140b接触半导体层122的两侧。
源电极152和漏电极154可以由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)及其合金中的至少一种形成。数据线、第二电容器电极和电源线与源电极152和漏电极154同时形成。数据线可以沿第二方向延伸并且与栅极线相交以限定像素区。第二电容器电极连接至漏电极154，并且电源线与数据线间隔开。
参照图3B，通过在基本上整个基板110上方沉积或施加绝缘材料在源电极152和漏电极154上形成钝化层160，并且利用掩模通过光刻工艺选择性地去除钝化层160，由此形成使漏电极154露出的漏极接触孔160a。漏极接触孔160a直接形成在第二接触孔140b上方。或者，漏极接触孔160a可以与第二接触孔140b间隔开。
钝化层160可以由无机绝缘材料如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)或有机绝缘材料如苯并环丁烯和光丙烯酸类物质形成。有利地，钝化层160可以由有机绝缘材料形成以使其顶表面平坦化。
参照图3C，例如通过溅射法沉积具有相对高的功函数的导电材料在钝化层160上形成第一电极材料层，并且利用掩模通过光刻工艺选择性地去除第一电极材料层，由此形成第一电极162和辅助电极164。第一电极162设置在每个像素区中并且通过漏极接触孔160a连接至漏电极154。辅助电极164与第一电极162间隔开。
第一电极162可以包括透明导电层和反射层。透明导电材料可以由透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)形成，并且反射层可以由铝-钯-铜合金(APC)形成。例如，第一电极162和辅助电极164可以具有ITO/APC/ITO三层结构。
然后，可以通过沉积或施加绝缘材料在第一电极162和辅助电极164上形成堤坝材料层，并且可以利用掩模通过光刻工艺选择性地去除堤坝材料层，由此形成具有透过孔170a和辅助接触孔170b的堤坝层170。堤坝层170覆盖第一电极162的边缘和辅助电极164的边缘，并且透过孔170a和辅助接触孔170b分别使第一电极162和辅助电极164露出。
参照图3D，通过在基本上整个基板110上方真空沉积空穴注入材料和空穴传输材料，在堤坝层170、第一电极162和辅助电极164上依次形成空穴注入材料层181a和空穴传输材料层182a。然后，通过精细金属掩模选择性地真空沉积有机发光材料，在堤坝层170的透过孔170a中形成发光材料层183。此时，发光材料层183可以为红色发光材料层、绿色发光材料层或蓝色发光材料层中之一，并且可以分别在下个像素区中依次形成其它发光材料层。
图3D的发光材料层183例如可以为绿色像素区的绿色发光材料层。因此，通过第一精细金属掩模选择性地真空沉积发射绿光的材料在绿色像素区中形成绿色发光材料层183，通过第二精细金属掩模选择性地真空沉积发射红光的材料在红色像素区中形成红色发光材料层，并且通过第三精细金属掩模选择性地真空沉积发射蓝光的材料在蓝色像素区中形成蓝色发光材料层。形成红色发光材料层、绿色发光材料层和蓝色发光材料层的顺序可以改变。
参照图3E，通过在基本上整个基板110上方真空沉积电子传输材料和电子注入材料，在发光材料层183上依次形成电子传输材料层184a和电子注入材料层185a。因此，空穴注入材料层181a、空穴传输材料层182a、发光材料层183、电子传输材料层184a和电子注入材料层185a依次形成在第一电极162上。空穴注入材料层181a、空穴传输材料层182a、电子传输材料层184a和电子注入材料层185a依次形成在辅助电极164上。例如，在辅助电极164上的空穴注入材料层181a、空穴传输材料层182a、电子传输材料层184a和电子注入材料层185a的总厚度可以小于约
在根据相关技术的OLED显示装置中，利用精细金属掩模通过真空沉积法在每个像素区中形成的空穴注入材料层181a、空穴传输材料层182a、电子传输材料层184a和电子注入材料层185a可能导致包括掩模和基板110的对准准确度和大规模生产的问题。另外，在根据相关技术的OLED显示装置中，随着基板的尺寸增大，掩模可能下垂。
然而，根据本公开的第一实施方案，空穴注入材料层181a、空穴传输材料层182a、电子传输材料层184a和电子注入材料层185a形成在基本上整个基板110上方。参照图3F，通过利用注入设备197在辅助接触孔170b中注入有机溶剂来溶解在辅助接触孔170b中在辅助电极164上的空穴注入材料层181a(参照图3E)、空穴传输材料层182a(参照图3E)、电子传输材料层184a(参照图3E)和电子注入材料层185a(参照图3E)的公共层。
因而，公共层的材料溶解在有机溶剂中，从而在辅助接触孔170b中形成公共层溶液187a。此时，可以通过喷墨印刷法或喷嘴印刷法注入有机溶剂。有机溶剂可以为乙二醇、4-甲基苯甲醚、苯甲酸乙酯、异丙醇(IPA)、丙酮和N-甲基吡咯烷酮(NMP)中之一。同时，第一电极162上的空穴注入材料层181a(参照图3E)、空穴传输材料层182a(参照图3E)、电子传输材料层184a(参照图3E)和电子注入材料层185a(参照图3E)分别变为空穴注入层181、空穴传输层182、电子传输层184和电子注入层185。
参照图3G，干燥公共层溶液187a(参照图3F)以使有机溶剂和溶解在有机溶剂中的公共层的材料挥发掉。另外，由公共层的未挥发掉的材料在辅助电极164上形成残留层187。此时，由于咖啡渍效应或咖啡环效应残留层187的厚度从其中心部分到边缘部分增大。残留层187的边缘部分的厚度可以为残留层187的中心部分的厚度的1.1倍以上。有利地，残留层187的边缘部分的厚度可以为残留层187的中心部分的厚度的约10倍以上。在此，残留层187的中心部分的厚度可以小于约
例如，可以在小于150摄氏度的温度下干燥图3F的公共层溶液187a小于约10分钟。有利地，可以在80摄氏度至150摄氏度的温度下，并且更有利地，在100摄氏度至150摄氏度的温度下，干燥公共层溶液187a。在此期间，为了更快干燥，可以在小于约50毫托的真空下更快地干燥公共层溶液187a。
参照图3H，例如通过溅射法在基本上整个基板110上方沉积具有相对低的功函数的导电材料，在电子注入层185和残留层187上形成第二电极192。第二电极192可以由金属材料(例如铝、镁和银)形成。第二电极192具有相对薄的厚度使得光通过其透射。
在此，第二电极192通过辅助接触孔170b电连接至辅助电极164。第二电极192可以直接接触辅助电极164或者通过残留层187间接接触辅助电极164。虽然第二电极192通过残留层187连接至辅助电极164，但第二电极192因残留层187的中心部分的厚度小于约而电连接至辅助电极164。
空穴注入层181、空穴传输层182、发光材料层183、电子传输层184和电子注入层185形成发光层180，并且第一电极162、发光层180和第二电极192构成有机发光二极管。第一电极162用作阳极，并且第二电极192用作阴极。在此，OLED显示装置为顶部发光型，其中来自发光层180的光通过第二电极192输出至外部。
在根据本发明的第一实施方案的OLED显示装置中，辅助电极164连接至第二电极192，并且第二电极192的电阻降低。此时，辅助电极164通过与第一电极162相同的工艺形成，而且不需要用于形成辅助电极164的另外的工艺。另外，通过有机溶剂去除在辅助电极164上的公共层，并可以通过简单的工艺使辅助电极164与第二电极192彼此电连接。
在本公开的第一实施方案中，使辅助接触孔170b中的电子注入材料层185a(参见图3E)、电子传输材料层184a(参照图3E)、空穴传输材料层182a(参见图3E)和空穴传输材料层181a(参见图3E)完全溶解并且接着进行干燥，从而使第二电极192和辅助电极164电连接。或者，可以使辅助接触孔170b中的电子注入材料层185a(参见图3E)、电子传输材料层184a(参照图3E)、空穴传输材料层182a(参见图3E)和空穴传输材料层181a(参见图3E)部分溶解并且接着进行干燥，从而使第二电极192与辅助电极164电连接。
接着，图4是根据本公开的第二实施方案的OLED显示装置的截面图。除了辅助电极以外，图4的显示装置具有与图2的显示装置相同的结构。相同的附图标记将用于指代与图2的显示装置相同的部件，并且将省略对于相同部件的说明。
在栅极绝缘层130上形成第一虚拟电极134。第一虚拟电极134可以由与栅电极132相同的材料并且通过相同的工艺形成。接着，层间绝缘层140覆盖第一虚拟电极134，并且层间绝缘层140还包括使第一虚拟电极134露出的第三接触孔140c。在层间绝缘层140上形成第二虚拟电极156。第二虚拟电极156与第一虚拟电极134交叠并且通过第三接触孔140c接触第一虚拟电极134。第二虚拟电极156可以由与源电极152和漏电极154相同的材料并且通过相同的工艺形成。
接着，钝化层160覆盖第二虚拟电极156并且具有使第二虚拟电极156露出的第四接触孔160b。在钝化层160上形成辅助电极164。辅助电极164与第二虚拟电极156交叠并且通过第四接触孔160b接触第二虚拟电极156。
在辅助电极164上形成堤坝层170。堤坝层170具有使辅助电极164露出的辅助接触孔170b。通过溶解并干燥公共层在辅助电极164上形成残留层187。在基本上整个基板110上方形成第二电极192并且第二电极192通过辅助接触孔170b电连接至辅助电极164。第二电极192可以直接接触辅助电极164或者通过残留层187间接接触辅助电极164。
辅助电极164可以在基板110上方沿第一方向和第二方向延伸并且包括对应于每个像素区的具有晶格形状的开口。第一虚拟电极134可以沿第一方向(即，平行于栅极线)延伸并且与辅助电极164交叠。第二虚拟电极156可以沿第二方向(即，平行于数据线)延伸并且与辅助电极164交叠。
在根据本公开的第二实施方案的OLED显示装置中，还形成第一虚拟电极134和第二虚拟电极156并且第一虚拟电极134和第二虚拟电极156电连接至辅助电极164和第二电极192。因此，与第一实施方案相比第二电极192的电阻进一步降低。在此，可以省略第一虚拟电极134和第二虚拟电极156中之一。
接着，图5为根据本公开的第三实施方案的OLED显示装置的截面图。除了发光层以外，图5的显示装置具有与图2的显示装置相同的结构。相同的附图标记将用于指代与图2的显示装置相同的部件，并且将省略对于相同部件的说明。
在通过堤坝层170的透过孔170a露出的第一电极162上形成发光层180a。发光层180a包括依次层叠在第一电极162上的空穴注入层181、空穴传输层182、白色发光材料层183a、电子传输层184和电子注入层185。在此，空穴注入层181、空穴传输层182、白色发光材料层183a、电子传输层184和电子注入层185形成在除了辅助接触孔170b以外的基本上整个基板110上方。
白色发光材料层183a发射白光。白色发光材料层183a可以包括单层或发射不同颜色光的多于两层的发光材料层。例如，白色发光材料层183a可以具有红色发光材料层、绿色发光材料层和蓝色发光材料层的层叠结构。
空穴注入层181、空穴传输层182、白色发光材料层183a、电子传输层184和电子注入层185可以在不使用精细金属掩模的情况下通过依次真空沉积空穴注入材料、空穴传输材料、发射白光的材料、电子传输材料和电子注入材料在基本上整个基板110上方形成。
在辅助接触孔170b中形成残留层187b。在辅助接触孔170b中，残留层187b的厚度从其中心部分到边缘部分增大。残留层187b的边缘部分的厚度可以为残留层187b的中心部分的厚度的1.1倍以上。有利地，残留层187b的边缘部分的厚度可以为残留层187b的中心部分的厚度的10倍以上。例如，残留层187b的中心部分的厚度可以小于
根据本公开的第三实施方案的OLED显示装置包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器(未示出)。滤色器可以在基板110上方或在之后附接有基板110的对应基板的上方形成。
同时，与图4的显示装置类似，根据本公开的第三实施方案的OLED显示装置还可以包括连接至辅助电极164的第一虚拟电极和第二虚拟电极。
接着，图6和图7为根据本公开的第四实施方案的OLED显示装置的截面图。图6示出了对应于红色像素区或绿色像素区的结构，图7示出了对应于蓝色像素区的结构。在此，类似的附图标记将用于指代与第一实施方案类似的部件或相同的部件，并且将简化对于相同部件的说明。
在绝缘基板210上的每个像素区中形成半导体层222。在基本上整个基板210上方形成由绝缘材料形成的栅极绝缘层230。
在栅极绝缘层230上形成对应于半导体层222的由导电材料(例如金属)形成的栅电极232。另外，在栅极绝缘层230上可以形成栅极线和第一电容器电极。栅极线沿第一方向延伸，并且第一电容器电极连接至栅电极232。
在基本上整个基板210上方在栅电极232上形成由绝缘材料形成的层间绝缘层240。层间绝缘层240具有使半导体层222的两侧的顶表面露出的第一接触孔240a和第二接触孔240b。第一接触孔240a和第二接触孔240b与栅电极232间隔开，并且栅电极232设置在第一接触孔240a与第二接触孔240b之间。第一接触孔240a和第二接触孔240b还可以形成在栅极绝缘层230中。
在层间绝缘层240上形成由导电材料例如金属形成的源电极252和漏电极254。另外，在层间绝缘层240上可以形成数据线、电源线和第二电容器电极。数据线和电源线沿第二方向延伸。
源电极252和漏电极254相对于栅电极232彼此间隔开。源电极252和漏电极254分别通过第一接触孔240a和第二接触孔240b接触半导体层222的两侧。数据线与栅极线相交以限定像素区，并且电源线与数据线间隔开。第二电容器电极连接至漏电极254并且与第一电容器电极交叠以形成层间绝缘层240位于其间作为介电材料的存储电容器。
同时，半导体层222、栅电极232、源电极252和漏电极254构成薄膜晶体管。在基本上整个基板210上方在源电极252和漏电极254上形成由绝缘材料形成的钝化层260。钝化层260具有平坦的顶表面并且具有使漏极254露出的漏极接触孔260a。虽然漏极接触孔260a直接形成在第二接触孔240b上方(参照图6和图7)，但漏极接触孔260a可以与第二接触孔240b间隔开。
在钝化层260上形成有由具有相对高的功函数的导电材料形成的第一电极262。第一电极262设置在每个像素区中并且通过漏极接触孔260a接触漏电极254。例如，第一电极262可以由透明导电材料(例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO))形成。
同时，第一电极262还可以包括由不透明导电材料形成的反射层。例如，反射层可以由铝-钯-铜(APC)合金形成，并且第一电极262可以具有ITO/APC/ITO三层结构。
另外，在钝化层260上形成辅助电极264并且辅助电极264与第一电极262间隔开。辅助电极264可以由与第一电极262相同的材料形成。辅助电极264可以沿栅极线沿其延伸的第一方向、以及沿数据线和电源线沿其延伸的第二方向延伸。另外，辅助电极264可以包括对应于每个像素区的具有晶格形状的开口。第一电极262可以设置在辅助电极264的开口中。
在第一电极262和辅助电极264上形成由绝缘材料形成的堤坝层270。堤坝层270具有透过孔270a和辅助接触孔270b。堤坝层270覆盖第一电极262的边缘和辅助电极264的边缘。透过孔270a使第一电极262露出，并且辅助接触孔270b使辅助电极264露出。
在通过堤坝层270的透过孔270a露出的第一电极262上形成发光层280a或280b。第一发光层280a形成在红色像素区或绿色像素区中，并且第二发光层280b形成在蓝色像素区中。
第一发光层280a包括依次层叠在第一电极262上的空穴注入层281、空穴传输层282、第一发光材料层283、第二发光材料层284、电子传输层285和电子注入层286。第二发光层280b包括依次层叠在第一电极262上的空穴注入层281、空穴传输层282、第二发光材料层284、电子传输层285和电子注入层286。第一发光材料层283可以为红色发光材料层或绿色发光材料层，并且第二发光材料层284可以为蓝色发光材料层。
在此，空穴注入层281、空穴传输层282和第一发光材料层283仅形成在透过孔270a中，并且第二发光材料层284、电子传输层285和电子注入层286形成在除了辅助接触孔270b以外的基本上整个基板210上方。
即，第二发光材料层284形成在红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区中。在红色像素区和绿色像素区中，第二发光材料层284用作空穴阻挡层，并且在蓝色像素区中，第二发光材料层284用作蓝色发光材料层。
同时，在辅助接触孔270b中形成残留层287。在辅助接触孔270b中，残留层287的厚度从其中心部分到边缘部分增大。残留层287的边缘部分的厚度可以为残留层287的中心部分厚度的1.1倍以上。有利地，残留层287的边缘部分的厚度可以为残留层287的中心部分的厚度的10倍以上。例如，残留层287的中心部分的厚度可以小于
在基本上整个基板210上方在发光层280a或280b上形成由具有相对低的功函数的导电材料形成的第二电极292。在此，第二电极292可以由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或其合金形成。第二电极292可以具有相对薄的厚度使得光通过其透射。此时，第二电极292的透射率可以为约45％至50％。
第二电极292通过辅助接触孔270b电连接至辅助电极264。第二电极292可以直接接触辅助电极264或者通过残留层287间接接触辅助电极264。
第一电极262、发光层280a或280b和第二电极292构成有机发光二极管。第一电极262用作阳极，并且第二电极292用作阴极。在此，OLED显示装置为顶部发光型，其中来自发光层280a或发光层280b的光通过第二电极292输出至外部。
在根据本公开的第四实施方案的OLED显示装置中，第二电极292连接至辅助电极264，并且第二电极292的电阻降低。此时，第二电极292可以通过简单工艺连接至辅助电极264，该工艺利用有机溶剂去除辅助接触孔270b中的公共层。
与图4的显示装置类似，根据本公开的第四实施方案的OLED显示装置还可以包括连接至辅助电极264的第一虚拟电极和第二虚拟电极。
接着，图8A至图8F是在制造根据本公开的第四实施方案的显示装置的步骤中的OLED显示装置的截面图。图8A至图8F示出了与图6的红色像素区或绿色像素区对应的结构。在此，将简化对与第一实施方案类似的步骤的说明。
参照图8A，通过沉积半导体材料在绝缘基板210上形成半导体材料层，并且利用掩模通过光刻工艺选择性地去除半导体材料层，由此形成半导体层222。接着，通过例如化学气相沉积法在基本上整个基板210上方沉积绝缘材料，在半导体层222上形成栅极绝缘层230。
然后，通过沉积导电材料(例如金属)在栅极绝缘层230上形成第一导电材料层。具体地，可以经由例如溅射法在栅极绝缘层230上形成第一导电材料层。利用掩模通过光刻工艺选择性地去除第一导电材料层，由此形成栅电极232。栅电极232与半导体层222相比具有较窄的宽度并且被设置成对应于半导体层222的中心部分。同时，第一电容器电极和栅极线与栅电极232同时形成。第一电容器电极可以连接至栅电极232，并且栅极线可以沿第一方向延伸。
接着，通过在基本上整个基板210上方沉积或施加绝缘材料在栅电极232上形成层间绝缘层240，并且利用掩模通过光刻工艺选择性地去除层间绝缘层240和栅极绝缘层230，由此形成第一接触孔240a和第二接触孔240b。第一接触孔240a和第二接触孔240b分别使半导体层222的两侧的顶表面露出。第一接触孔240a和第二接触孔240b与栅电极232间隔开，并且栅电极232设置在第一接触孔240a与第二接触孔240b之间。
接着，例如，通过溅射法沉积导电材料在层间绝缘层240上形成第二导电材料层，并且利用掩模通过光刻工艺选择性地去除第二导电材料层，由此形成源电极252和漏电极254。源电极252和漏电极254相对于栅电极232彼此间隔开。源电极252和漏电极254分别通过第一接触孔240a和第二接触孔240b接触半导体层222的两侧。
同时，数据线、第二电容器电极和电源线与源电极252和漏电极254同时形成。虽然在图中未示出，但数据线沿第二方向延伸并且与栅极线相交以限定像素区。第二电容器电极连接至漏电极254，并且电源线与数据线间隔开。
接着，通过在基本上整个基板210上方沉积或施加绝缘材料在源电极252和漏电极254上形成钝化层260。另外，利用掩模通过光刻工艺选择性地去除钝化层260，由此形成使漏电极254露出的漏极接触孔260a。
接着，可以通过沉积具有相对高的功函数的导电材料在钝化层260上形成第一电极材料层。具体地，例如，可以通过例如溅射法在钝化层260上形成第一电极材料层。利用掩模通过光刻工艺选择性地去除第一电极材料层，由此形成第一电极262和辅助电极264。第一电极262设置在每个像素区中并且通过漏极接触孔260a连接至漏电极254。辅助电极264与第一电极262间隔开。
第一电极262可以包括透明导电层和反射层。透明导电层可以由透明导电材料(例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO))形成，并且反射层可以由铝-钯-铜合金(APC)形成。例如，第一电极262和辅助电极264可以具有ITO/APC/ITO三层结构。
然后，通过沉积或施加绝缘材料在第一电极262和辅助电极264上形成堤坝材料层(未示出)。利用掩模通过光刻工艺选择性地去除堤坝材料层，由此形成具有透过孔270a和辅助接触孔270b的堤坝层270。堤坝层270覆盖第一电极262的边缘和辅助电极264的边缘，并且透过孔270a和辅助接触孔270b分别使第一电极262和辅助电极264露出。
参照图8B，通过利用第一注入设备297借助于溶液工艺施加空穴注入材料、空穴传输材料和第一发光材料，在通过透过孔270a露出的第一电极262上依次形成空穴注入层281、空穴传输层282和第一发光材料层283。溶液工艺可以包括印刷法或涂覆法。例如，溶液工艺可以包括喷墨印刷法或喷嘴印刷法。
在此，图8B的第一发光材料层283可以为红色发光材料层和绿色发光材料层中之一，并且另一发光材料层可以在下个像素区中形成。例如，图8B的第一发光材料层283可以为绿色像素区的绿色发光材料层。因而，通过溶液工艺施加发射绿光的材料在绿色像素区中形成绿色发光材料层283。通过溶液工艺施加发射红光的材料可以在红色像素区中形成红色发光材料层。形成红色发光材料层和绿色发光材料层的顺序可以改变。
参照图8C，通过在基本上整个基板210上方真空沉积第二发光材料(即，发射蓝光的材料)，在第一发光材料层283上形成第二发光材料沉积层284a。然后，通过在基本上整个基板210上方真空沉积电子传输材料和电子注入材料，在第二发光材料沉积层284a上依次形成电子传输材料层285a和电子注入材料层286。
因此，在每个红色像素区和绿色像素区中，空穴注入层281、空穴传输层282、第一发光材料层283、第二发光材料沉积层284a、电子传输材料层285a和电子注入材料层286a依次形成在第一电极262上，并且第二发光材料沉积层284a、电子传输材料层285a和电子注入材料层286a的公共层依次形成在辅助电极264上。例如，在辅助电极264上的第二发光材料沉积层284a、电子传输材料层285a和电子注入材料层286a的总厚度可以小于约
同时，在蓝色像素区中，空穴注入层281、空穴传输层282、第二发光材料沉积层284a、电子传输材料层285a和电子注入材料层286a依次形成在第一电极262上，并且第二发光材料沉积层284a、电子传输材料层285a和电子注入材料层286a依次形成在辅助电极264上。
在本公开的第四实施方案中，空穴注入层281、空穴传输层282、红色或绿色的第一发光材料层283通过溶液工艺形成，并且蓝色的第二发光材料沉积层284a、电子传输材料层285a和电子注入材料层286a通过真空沉积法依次形成在基本上整个基板210上方。因而，可以防止诸如掩模和基板210的对准准确度和大规模生产的问题。另外，防止了掩模下垂。即使基板210的尺寸增大，也可以均匀地形成图6的发光层280a或图7的发光层280b。
参照图8D，通过利用第二注入设备299在辅助接触孔270b中注入有机溶剂来溶解在辅助电极264上的图8C的电子注入材料层286a、图8C的电子传输材料层285a和图8C的第二发光材料沉积层284a在辅助接触孔270b中的公共层。因而，公共层的材料溶解在有机溶剂中，从而在辅助接触孔270b中形成公共层溶液287a。此时，可以通过喷墨印刷法或喷嘴印刷法注入有机溶剂。
有机溶剂可以为乙二醇、4-甲基苯甲醚、苯甲酸乙酯、异丙醇(IPA)、丙酮和N-甲基吡咯烷酮(NMP)中之一。在第一电极262上的图8C的第二发光材料沉积层284a、图8C的电子传输材料层285a和图8C的电子注入材料层286a分别变为第二发光材料层284、电子传输层285和电子注入层286。
参照图8E，干燥图8D的公共层溶液287a以使有机溶剂和溶解在有机溶剂中的公共层的材料挥发掉，并且，由公共层的未挥发掉的材料在辅助电极264上形成残留层287。
此时，由于咖啡渍效应或咖啡环效应残留层287的厚度从其中心部分到边缘部分增大。残留层287的边缘部分的厚度可以为残留层287的中心部分的厚度的1.1倍以上。有利地，残留层287的边缘部分的厚度可以为残留层187的中心部分的厚度的约10倍以上。在此，残留层287的中心部分的厚度可以小于约
参照图8F，例如通过溅射法在基本上整个基板210上方沉积具有相对低的功函数的导电材料，在电子注入层286和残留层287上形成第二电极292。第二电极292可以由金属材料例如铝、镁和银形成。第二电极292具有相对薄的厚度使得光通过其透射。
在此，第二电极292通过辅助接触孔270b电连接至辅助电极264。第二电极292可以直接接触辅助电极264或者通过残留层287间接接触辅助电极264。虽然第二电极292通过残留层287连接至辅助电极264，但第二电极292因残留层287的中心部分的厚度小于约而电连接至辅助电极264。在此，OLED显示装置为顶部发光型，其中来自第一发光层280a的光通过第二电极292输出至外部。
在根据本公开的第四实施方案的OLED显示装置中，辅助电极264连接至第二电极292，并且第二电极292的电阻降低。此时，辅助电极264通过与第一电极262相同的工艺形成，而且不需要用于形成辅助电极264的另外的工艺。另外，通过有机溶剂去除辅助电极264上的公共层，并可以通过简单的工艺使辅助电极264与第二电极292彼此电连接。
在本公开的第四本公开的实施方案中，使辅助接触孔170b中的图8C的电子注入材料层286a、图8C的电子传输材料层285a和图8C的第二发光材料沉积层284a完全溶解并且接着进行干燥，从而使第二电极292电连接至辅助电极264。或者，可以使辅助接触孔270b中的图8C的电子注入材料层286a、图8C的电子传输材料层285a和图8C的第二发光材料沉积层284a部分溶解并且接着进行干燥，从而使第二电极292电连接至辅助电极264。
根据本公开的OLED显示装置的实施方案，从发光层发射的光通过第二电极输出至外部。因此，其中光通过第二电极输出至外部的OLED显示装置具有相对高的开口率、大尺寸和高清晰度。因为第二电极与辅助电极连接，所以第二电极的电阻降低，并且亮度均匀。
在进一步的细节中，根据本公开的实施方案，由于辅助电极由与第一电极相同的材料形成并且与第一电极形成在相同的层上，所以简化了OLED显示装置的制造工艺。此外，根据本公开的实施方案，因为利用有机溶剂去除辅助电极上的公共层并且第二电极连接至辅助电极，所以简化了OLED显示装置的制造工艺。因此，还降低了OLED显示装置的制造成本。
对本领域的技术人员明显的是，在不脱离实施方案的精神和范围的情况下可以对本公开的显示装置进行各种修改和变化。因而，本公开旨在包括落入所附权利要求及其等同内容的范围内的本发明的修改和变形。

Claims (19)

1.一种有机发光二极管显示装置，包括：
基板；
在所述基板上的薄膜晶体管；
第一电极，所述第一电极在所述薄膜晶体管上并且连接至所述薄膜晶体管的漏电极；
辅助电极，所述辅助电极在与所述第一电极相同的层上；
堤坝层，所述堤坝层覆盖所述第一电极的边缘和所述辅助电极的边缘，并且具有对应于所述第一电极的透过孔和对应于所述辅助电极的辅助接触孔；
发光层，所述发光层在所述透过孔中的所述第一电极上；
残留层，所述残留层在所述辅助接触孔中的所述辅助电极上，其中所述残留层的中心部分的厚度小于所述残留层的边缘部分的厚度，以及
第二电极，所述第二电极在所述发光层和所述残留层上。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述残留层的边缘部分的厚度为所述残留层的中心部分的厚度的1.1倍以上。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层，以及
其中所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子传输层和所述电子注入层设置在所述堤坝层的上方。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其中所述发光材料层形成在对应于所述堤坝层的所述透过孔的所述第一电极上。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中第一像素区的所述发光层包括空穴注入层、空穴传输层、第一发光材料层、第二发光材料层、电子传输层和电子注入层，以及
其中所述第二发光材料层、所述电子传输层和所述电子注入层设置在所述堤坝层的上方。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中相邻于所述第一像素区的第二像素区的所述发光层包括空穴注入层、空穴传输层、第二发光材料层、电子传输层和电子注入层。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中所述第一像素区的所述第一发光材料层为红色发光材料层或绿色发光材料层，所述第二像素区的所述第二发光材料层为蓝色发光材料层。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，还包括：
第一虚拟电极，所述第一虚拟电极在与所述薄膜晶体管的栅电极相同的层上；以及
第二虚拟电极，所述第二虚拟电极在与所述薄膜晶体管的所述漏电极相同的层上，
其中所述第一虚拟电极和所述第二虚拟电极电连接至所述辅助电极。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述第二电极电连接至所述辅助电极的中心。
10.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括：
在基板上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成钝化层；
在所述钝化层上形成第一电极和辅助电极，所述第一电极连接至所述薄膜晶体管的漏电极，并且所述辅助电极与所述第一电极间隔开；
形成具有使所述第一电极露出的透过孔和使所述辅助电极露出的辅助接触孔的堤坝层；
在包括所述堤坝层的基本上整个所述基板的上方依次形成空穴注入材料层和空穴传输材料层；
在对应于所述透过孔的所述空穴传输材料层上形成发光材料层；
在包括所述发光材料层的基本上整个所述基板的上方依次形成电子传输材料层和电子注入材料层；
利用有机溶剂溶解并且干燥与所述辅助接触孔对应的所述电子注入材料层、所述电子传输材料层、所述空穴传输材料层和所述空穴注入材料层，由此形成与所述发光材料层对应的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，并且在所述辅助接触孔中的所述辅助电极上形成残留层，其中所述残留层的中心部分的厚度小于所述残留层的边缘部分的厚度，以及
在所述电子注入层和所述残留层上形成第二电极。
11.根据权利要求10所述的方法，其中通过真空沉积法形成所述空穴注入材料层、所述空穴传输材料层、所述发光材料层、所述电子传输材料层和所述电子注入材料层。
12.根据权利要求10所述的方法，其中在基本上整个所述基板的上方形成所述发光材料层，并且其中形成所述残留层包括利用所述有机溶剂溶解并且干燥与所述辅助接触孔对应的所述发光材料层。
13.根据权利要求10所述的方法，其中通过喷墨印刷法或喷嘴印刷法注入所述有机溶剂。
14.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二电极电连接至所述辅助电极的中心。
15.根据权利要求10所述的方法，其中所述残留层的所述边缘部分的厚度为所述残留层的所述中心部分的厚度的1.1倍以上。
16.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括：
在基板上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成钝化层；
在所述钝化层上形成第一电极和辅助电极，所述第一电极连接至所述薄膜晶体管的漏电极，并且所述辅助电极与所述第一电极间隔开；
形成具有使所述第一电极露出的透过孔和使所述辅助电极露出的辅助接触孔的堤坝层；
在通过所述透过孔露出的所述第一电极上依次形成空穴注入层、空穴传输层和第一发光材料层；
在包括所述第一发光材料层的基本上整个所述基板的上方依次形成第二发光材料沉积层、电子传输材料层和电子注入材料层；
利用有机溶剂溶解并且干燥对应于所述辅助接触孔的所述电子注入材料层、所述电子传输材料层和所述第二发光材料沉积层，由此形成对应于所述第一发光材料层的第二发光材料层、电子传输层和电子注入层，并且在所述辅助接触孔中的所述辅助电极上形成残留层，其中所述残留层的中心部分的厚度小于所述残留层的边缘部分的厚度，以及
在所述电子注入层和所述残留层上形成第二电极。
17.根据权利要求16所述的方法，其中通过溶液工艺形成所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述第一发光材料层，以及通过真空沉积法形成所述第二发光材料沉积层、所述电子传输材料层和所述电子注入材料层。
18.根据权利要求16所述的方法，其中通过喷墨印刷法或喷嘴印刷法注入所述有机溶剂。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二电极电连接至所述辅助电极的中心，以及
其中所述残留层的所述边缘部分的厚度为所述残留层的所述中心部分的厚度的1.1倍以上。
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