CN105467511B - 一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法 - Google Patents

一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105467511B
CN105467511B CN201510941655.3A CN201510941655A CN105467511B CN 105467511 B CN105467511 B CN 105467511B CN 201510941655 A CN201510941655 A CN 201510941655A CN 105467511 B CN105467511 B CN 105467511B
Authority
CN
China
Prior art keywords
doped
oxide
fibre
inner cladding
covering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510941655.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105467511A (zh
Inventor
文建湘
王廷云
董艳华
王杰
庞拂飞
陈振宜
郭强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Shanghai for Science and Technology
Original Assignee
University of Shanghai for Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Shanghai for Science and Technology filed Critical University of Shanghai for Science and Technology
Priority to CN201510941655.3A priority Critical patent/CN105467511B/zh
Publication of CN105467511A publication Critical patent/CN105467511A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105467511B publication Critical patent/CN105467511B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/02395—Glass optical fibre with a protective coating, e.g. two layer polymer coating deposited directly on a silica cladding surface during fibre manufacture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

本发明涉及一种基于原子层沉积技术（ALD）的具有超宽带、高增益特性的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法，属光纤技术领域。它由纤芯，内包层和包层组成，其特征在于所述纤芯由GeO2材料构成，内包层由Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料构成，包层由纯石英构成，两种光纤结构如图1(a)所示，纤芯直径Φ=5~20μm，内包层直径Φ=8~50μm，包层直径Φ=40~400μm；如图1（b）所示，纤芯直径Φ=5~80μm，包层直径Φ=60~400μm。利用ALD技术交替沉积不同掺杂离子，沉积浓度为0.01‑10 mol%。本发明的光纤结构简单、合理，具有均匀分布与掺杂浓度可控等优点。

Description

一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法，属于光纤技术领域。
背景技术
由于通信***的快速发展，1.55 μm通信窗口已不能满足远距离、大容量通信的需求，全光通信势在必行。目前，掺稀土元素（例如铒、铥、镱等）的光纤放大器，由于其具有带宽宽、增益高等特点，且由掺稀土元素（钕、镨、铥、铒）光纤产生的宽带荧光光源具有输出光谱稳定、受环境影响小、输出功率高等优点一直是人们研究的热点，尤其是掺铒光纤早已普遍商用。然而，掺铒光纤放大器增益带宽只有35 nm，仅覆盖石英单模光纤低损耗传输窗口的一部分，严重限制了石英光纤固有的容纳波长信道数。
铋离子由于其600-900 nm，1150-1800 nm范围内的宽带荧光特性，是宽带光源的理想材料。且光谱稳定性好、谱线宽、功率高的光源，在光纤传感***、光纤陀螺仪等领域，具有非常重要的应用价值。由于稀土元素产生的荧光带宽很难超过100 nm，那么具有更宽荧光带宽的铋材料则更具优势。因此，将铋元素与铒元素共掺入光纤中，可以实现从600-1600 nm超宽带荧光放大。
原子层沉积（ALD）技术是一种化学气相沉积技术，它是将掺杂源的气相前驱体脉冲交替引入到加热反应器中，然后依次进行化学吸附过程沉积于基底表面，直至表面饱和时自动终止。其优点主要体现在：可以精确控制薄膜厚度（原子层尺度）；由于前驱体是饱和化学吸附，可保证生成保形、均匀、大面积的薄膜；可广泛适用于各种基质材料；对温度的要求不高等。由于其掺杂具有高均匀、高浓度、多元性等特性，应用到Bi/Er共掺石英光纤制备过程中，就可以制备出均一性好、分散性高、掺杂浓度高的Bi/Er共掺石英光纤。
不仅如此，在1150-1800 nm范围内，没有光纤激光器存在，而这个波长范围的光纤激光器在光通信***、医学、天文学方面占有重要地位。光纤激光器主要由于光束质量好，斜率效率高等优点受到青睐。因此，从掺杂技术入手，深入探索新型掺杂光纤的制备技术，制备均一性好、分散性高、Bi/Er共掺石英光纤，具有广泛的研究意义和普遍的应用价值。
发明内容
本发明的目的在于根据原子层沉积技术的优势，将Bi2O3和Er2O3纳米材料与光纤制备相结合，提供一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法。该光纤具有增益谱宽、放大效率高、结构简单、价位低廉，易于产业化生产等特点，可用于制作激光器、光放大器、传感器、宽带光源及光纤的高非线性效应特性等。
为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：
一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，包括纤芯、内包层和包层，所述纤芯是由掺杂高折射率GeO2的石英材料构成，所述内包层是Bi/Er或Bi/Er/Al离子掺杂材料构成，所述包层是由纯石英材料构成，所述内包层包裹纤芯并位于包层的中部。
所述纤芯与内包层整合为Bi/Er/Ge或Bi/Er/Al/Ge共掺的芯层结构。
所述纤芯掺杂离子为铋离子（Bi0，Bi+ , Bi3+, Bi5+）、铒离子Er3+或铝离子Al3+与提高折射率分布的二氧化锗。
所述内包层是利用原子层沉积技术交替沉积适量Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料，沉积厚度为10-2000 nm。
所述纤芯直径Dcore=Φ5~20μm，内包层直径Dinner cladding=Φ8~50μm，包层直径Dcladding=Φ40~400μm。
所述芯层直径D´core=Φ5~80μm，包层直径Dcladding=Φ60~400μm，芯层与包层折射率差为 0.3%-5.5%之间，且包层形状为圆形、四边形、六边形或八边形。
光纤的吸收峰分别为500±40，700±20，800±20，1000±40与1550±50nm；荧光光谱范围：600-900，1000-1400与1450-1800nm；增益范围在1000-1380与1400-1800nm。
一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤的制备方法，步骤如下：
1）利用MCVD沉积二氧化硅疏松层，并将其高温处理半玻璃化状态，为包层；
2）然后，利用ALD将氧化铋与氧化铒或氧化铋、氧化铒与氧化铝材料均匀沉积在包层表面，为内包层；
3）沉积二氧化锗，浓度控制在1-15mol%，且将掺有二氧化锗的疏松层半玻璃化，为芯层；
4）通过重复步骤2）的循环周期来调节氧化铋、氧化铒与氧化铝的掺杂浓度与掺杂粒子分布情况；
5）采用MCVD高温缩棒得到光纤预制棒，最后，将掺杂光纤预制棒在拉丝塔上进行光纤拉丝。
铋源前驱体为Bis (2, 2, 6, 6-tetra-methyl-3, 5-heptanedionato) Bismuth(III) (Bi(thd)3) (thd = 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione)，三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铋(III) 或 (2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)铋 或 三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋；或 Bi(N(SiMe3)2)3（Me: CH3），三三甲基硅胺基铋；铒源前驱体为 Er(thd)3，三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铒；铝源前驱体为 Al (CH3)3 (TMA)，三甲基铝；氧源前驱体为臭氧或去离子水。
氧化铝沉积100-3000循环周期，氧化铋颗粒沉积100-2000循环周期，沉积温度范围200-300℃，前驱体脉冲时10-1000 s、热源温度为100-450℃、反应温度为120-400℃与气体流速控制在20-600 sccm；Er2O3颗粒100-3000个循环周期，沉积温度范围200-500℃，交替沉积Bi2O3和Er2O3共150-4000个循环周期。
利用原子层沉积技术精确控制前驱体脉冲时间、热源温度、反应温度与气体流速等工艺参数沉积掺杂氧化铋、氧化铒或氧化铝氧化物，或其氧化物半导体材料，所述原子层沉积技术的控制参数均采用微沉积为20-2000层，其中每个沉积循环在0.01-0.25 nm；且所述掺杂氧化铋、氧化铒或氧化铝氧化物，或其氧化物半导体材料的摩尔浓度为5 ppm-25mol%。
本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的实质性特点和显著优点：
1、Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤可实现从600-1600 nm 超宽带放大；2、采用原子层沉积技术，均一性好，掺杂浓度高，方便可行，从而得到更高品质的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤；3、结构简单、价位低廉，易于产业化生产，可用于构建光纤激光器、光放大器、光纤传感，以及高非线性效应特性等。
附图说明
图1是本发明光纤的结构示意图。
图2为本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
本发明的优选实施例结合附图说明如下：
实施例一：
参见图1（a），一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，包括纤芯1、内包层2和包层3，纤芯1是由掺杂少量高折射率的GeO2的二氧化硅疏松层构成，内包层2是Bi/Er或Bi/Er/Al共掺离子材料构成，在石英基底21表面采用原子层沉积技术沉积内包层，内包层的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料构成。首先沉积Al2O3纳米颗粒100循环周期与Bi2O3纳米颗粒100循环周期，铝源前驱体为三甲基铝Al (CH3)3 (TMA)；氧源前驱体为臭氧O3或去离子水H2O，Bi(thd)3是 Bi2O3的气相前驱体材料，沉积温度200℃；然后，沉积Er2O3纳米颗粒100个循环周期，Er(thd)3和O3是用来沉积Er2O3的气相前驱体，沉积温度范围200℃。交替沉积Bi2O3和Er2O3共150个循环周期，根据循环周期调节掺杂离子浓度。然后，在氧化物表面沉积芯层，纤芯由SiO2和GeO2共掺材料构成。然后，踏缩成棒；最后经拉丝搭拉丝，制成Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤。其中，Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，其特征在于纤芯、内包层，包层直径范围分别为Dcore=Φ5 μm，Dinner cladding=Φ8μm，Dcladding=Φ100 μm。
实施例二
参见图1（a），一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，包括纤芯1、内包层2和包层3，纤芯1是由掺杂少量高折射率的GeO2的二氧化硅疏松层构成，内包层2是Bi/Er或Bi/Er/Al共掺离子材料构成，在石英基底21表面采用原子层沉积技术沉积内包层，内包层的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料构成。首先沉积Al2O3纳米颗粒1500循环周期与Bi2O3纳米颗粒2000循环周期，铝源前驱体为三甲基铝Al (CH3)3 (TMA)；氧源前驱体为臭氧O3或去离子水H2O，Bi(thd)3 是 Bi2O3的气相前驱体材料，沉积温度300℃；然后，沉积Er2O3纳米颗粒100个循环周期，Er(thd)3和O3是用来沉积Er2O3的气相前驱体，沉积温度范围500℃。交替沉积Bi2O3和Er2O3共1500个循环周期，根据循环周期调节掺杂离子浓度。然后，在氧化物表面沉积芯层，纤芯由SiO2和GeO2共掺材料构成。然后，踏缩成棒；最后经拉丝搭拉丝，制成Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤。其中，Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，其特征在于纤芯、内包层，包层直径范围分别为Dcore=Φ15 μm，Dinner cladding=Φ50μm，Dcladding=Φ130 μm。
实施例三：
参见图1（b），一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，包括芯层和包层3，芯层是由掺杂少量高折射率的GeO2的石英疏松层与Bi/Er或Bi/Er/Al离子共掺材料构成，其中Bi/Er或Bi/Er/Al离子采用原子层沉积技术沉积；所述包层3是由比芯层折射率低的纯石英材料构成。最后踏缩成棒拉丝。其中，Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，其特征在于纤芯与包层直径范围分别为Dcore=Φ5 μm，Dcladding=Φ125 μm，芯层与包层折射率差为 0.35 %。且包层形状可为常规掺杂石英放大光纤类型。
实施例四：
参见图1（b），一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，包括芯层和包层3，芯层是由掺杂少量高折射率的GeO2的石英疏松层与Bi/Er或Bi/Er/Al离子共掺材料构成，其中Bi/Er或Bi/Er/Al离子采用原子层沉积技术沉积；所述包层3是由比芯层折射率低的纯石英材料构成。最后踏缩成棒拉丝。其中，Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，其特征在于纤芯与包层直径范围分别为Dcore=Φ10 μm，Dcladding=Φ130 μm，芯层与包层折射率差为 0.5 %。且包层形状可为六边形或八边形的双包层掺杂石英放大光纤。

Claims (5)

1.一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，包括纤芯(1)、内包层(2)和包层(3)，其特征在于，所述纤芯(1)是由掺杂高折射率GeO2的石英材料构成，所述内包层(2)是Bi/Er或Bi/Er/Al离子掺杂材料构成，所述包层(3)是由纯石英材料构成，所述内包层(2)包裹纤芯(1)并位于包层(3)的中部；
所述Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤的制备方法，利用原子层沉积技术精确控制前驱体脉冲时间、热源温度、反应温度与气体流速工艺参数沉积掺杂氧化铋、氧化铒或氧化铝，所述原子层沉积技术的控制参数均采用微沉积为20-2000层，其中每个沉积循环在0.01-0.25nm；且所述掺杂氧化铋、氧化铒或氧化铝的摩尔浓度为5ppm-25mol％，步骤如下：
1)利用MCVD沉积二氧化硅疏松层，并将其高温处理半玻璃化状态，为包层(3)，
2)然后，利用ALD将氧化铋与氧化铒或氧化铋、氧化铒与氧化铝材料均匀沉积在包层(3)表面，为内包层(2)，
3)最后沉积二氧化锗，浓度控制在1-15mol％，且将掺有二氧化锗的疏松层半玻璃化，为纤芯(1)，
4)通过重复2)过程的循环周期来调节氧化铋、氧化铒与氧化铝的掺杂浓度与掺杂粒子分布情况，
5)其次，采用MCVD高温缩棒得到光纤预制棒，最后，将掺杂光纤预制棒在拉丝塔上进行光纤拉丝；
所述氧化铝沉积100-3000循环周期，氧化铋颗粒沉积100-2000循环周期，沉积温度范围200-300℃，前驱体脉冲时间10-1000s、热源温度为100-450℃、反应温度为120-400℃、气体流速控制在20-600sccm，Er2O3颗粒100-3000个循环周期，沉积温度范围200-500℃，交替沉积Bi2O3和Er2O3共150-4000个循环周期。
2.根据权利要求1所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，其特征在于，所述内包层(2)是利用原子层沉积技术交替沉积适量Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料，沉积厚度为10-2000nm。
3.根据权利要求1所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，其特征在于，所述纤芯(1)直径Dcore＝Φ5～20μm，内包层(2)直径Dinnercladding＝Φ8～50μm，包层(3)直径Dcladding＝Φ40～400μm。
4.根据权利要求1所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，其特征在于，光纤的吸收峰分别为500±40nm，700±20nm，800±20nm，1000±40nm与1550±50nm；荧光光谱范围：600-900nm，1000-1400nm与1450-1800nm；增益范围在1000-1380nm与1400-1800nm。
5.根据权利要求1所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤，其特征在于，铋源前驱体为Bis(2,2,6,6-tetra-methyl-3,5-heptanedionato)Bismuth(III)(Bi(thd)3)(thd＝2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione)，三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铋(III)或(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)铋或三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋；或Bi(N(SiMe3)2)3(Me:CH3)，三三甲基硅胺基铋；铒源前驱为Er(thd)3，三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铒；铝源前驱体为Al(CH3)3(TMA)，三甲基铝；氧源前驱体为臭氧或去离子水。
CN201510941655.3A 2015-12-16 2015-12-16 一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法 Active CN105467511B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510941655.3A CN105467511B (zh) 2015-12-16 2015-12-16 一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510941655.3A CN105467511B (zh) 2015-12-16 2015-12-16 一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105467511A CN105467511A (zh) 2016-04-06
CN105467511B true CN105467511B (zh) 2019-04-02

Family

ID=55605401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510941655.3A Active CN105467511B (zh) 2015-12-16 2015-12-16 一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105467511B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108594362B (zh) * 2018-04-25 2019-11-12 中国建筑材料科学研究总院有限公司 红外光纤面板及其制备方法
CN111751925B (zh) * 2019-03-27 2021-11-26 华为技术有限公司 光纤及其制备方法、光纤放大器、光纤激光器
CN110467342A (zh) * 2019-08-15 2019-11-19 武汉长进激光技术有限公司 一种超宽带增益掺铒光纤及其制备方法
CN111090142B (zh) * 2020-01-22 2022-02-22 上海大学 一种Bi/Er/La/Al共掺L波段或C+L波段石英光纤及制备方法
CN112723751B (zh) * 2020-10-23 2022-03-11 南京同溧晶体材料研究院有限公司 一种稀土掺杂锗酸铋单晶光纤及包层方法
CN113568244A (zh) * 2021-07-16 2021-10-29 上海大学 一种半导体量子点和稀***掺石英放大光纤及其制备方法
CN113800774B (zh) * 2021-09-10 2022-10-21 华南理工大学 一种用作增益介质的掺铒玻璃光纤及其在光纤激光器中的应用
CN115108717A (zh) * 2022-06-02 2022-09-27 浙江超晶晟锐光电有限公司 新型铋铒共掺石英光纤预制棒、应用及制备方法
CN115032735B (zh) * 2022-06-24 2023-01-20 上海大学 一种降低c+波段噪声系数的有源光纤及其制备方法
CN114956544B (zh) * 2022-06-24 2023-09-22 上海大学 调控掺铒石英光纤增益强度与带宽的方法及光纤结构

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102515500A (zh) * 2011-12-06 2012-06-27 长飞光纤光缆有限公司 一种掺杂稀土光纤预制棒的制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4755114B2 (ja) * 2004-01-20 2011-08-24 コーニング インコーポレイテッド 希土類金属がドープされたガラスコアを備えた二重クラッド光ファイバ
CN1994946B (zh) * 2006-12-28 2010-05-19 北京交通大学 石英基铋镓铒铝共掺光纤及其制作方法
CN102253446A (zh) * 2011-07-08 2011-11-23 上海大学 基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法
CN103011607A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 南京邮电大学 一种长距离微米或纳米芯玻璃光纤及其制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102515500A (zh) * 2011-12-06 2012-06-27 长飞光纤光缆有限公司 一种掺杂稀土光纤预制棒的制造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Photoluminescence properties of Bi/Al-codoped silica optical fiber based on atomic layer deposition method;Jianxiang Wen等;《Applied Surface Science》;20150427;第288页左栏第3段至291页左栏第2段
Spectral characteristics of Bi/Er co-doped silica fiber fabricated by atomic layer deposition (ALD);Wenjun Liu 等;《Asia Communications and Photonics Conference》;20151123;第1页第2段至第3页第1段

Also Published As

Publication number Publication date
CN105467511A (zh) 2016-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105467511B (zh) 一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法
CN105467512B (zh) 一种Bi/Al共掺石英光纤及其制备方法
Dianov Amplification in extended transmission bands using bismuth-doped optical fibers
CN105467510A (zh) 一种纳米半导体PbS掺杂石英放大光纤及其制备方法
CN110247291B (zh) 一种放大OAM光束的PbS环形芯光纤及其制备方法
CN101351934B (zh) 在1000-1700nm的波长范围工作的放大光纤，其制备方法和纤维激光器
CN100509672C (zh) 纳米量子点光纤及其制造方法
DK3001834T3 (en) PROCEDURE FOR MANUFACTURING SURFACE DOTED OPTICAL FIBER
CN106990475A (zh) 新波长双包层掺镱光纤及制备方法
CN110510864A (zh) 高掺杂掺稀土光纤预制棒的制备方法及光纤预制棒
CN102515500B (zh) 一种掺杂稀土光纤预制棒的制造方法
CN107809053A (zh) 用于光纤脉冲激光器的基于tco的可饱和吸收体器件及方法
CN102253446A (zh) 基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法
US8254017B2 (en) Optical fiber amplifier and methods of making the same
CN107918169A (zh) “一”字型有源保偏光纤及其制备方法
CN104876434B (zh) 一种均匀掺杂石英玻璃棒的制备方法
CN110255882A (zh) 一种1.7μm光纤激光器用Tm/Tb共掺石英光纤及其制备方法
CN106374332A (zh) 基于硅量子点薄膜的可饱和吸收器件及其在光纤脉冲激光器中的应用
Wang et al. Bismuth-doped silica fiber fabricated by atomic layer deposition doping technique
JPH05119222A (ja) 光フアイバ及びその製造方法並びに該光フアイバのプリフオームの製造方法
CN114956544B (zh) 调控掺铒石英光纤增益强度与带宽的方法及光纤结构
Norin et al. Atomic layer deposition as a new method for rare-earth doping of optical fibers
Matrosova et al. Silica microstructure-based optical fiber activated by YAG: Nd3+ nanocrystals
CN116859502A (zh) 一种o波段与e波段放大铋掺杂石英光纤及制备方法
CN109856720A (zh) 一种高Verdet常数磁光光纤的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant