CN105449044A - Led硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 27
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 230000008439 repair process Effects 0.000 title abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 34
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台，还包括一个LED光源***，包括用于发出光线的LED阵列；一个光学汇聚***，设置所述LED阵列的发光光路上，将LED阵列发出的光线汇聚到检测台上的检测区域；一个控制器，用以修改LED阵列所发光线的参数，并且对硅太阳电池的钝化与缺陷参数进行分析运算。本发明通过钝化晶体硅中的杂质缺陷和钝化硅材料，修复多晶硅材料中位错等晶格缺陷，提升了太阳电池转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及硅太阳电池的氢钝化技术，具体涉及一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置。
背景技术
在硅太阳电池制备工艺中，硅片表面会沉积一层氮化硅膜作为光学减反层以及表面钝化层。常用的薄膜沉积方式为PECVD法。利用此方法，在氮化硅薄膜内以及硅片近表面一定厚度内会含有大量的氢原子或者氢离子。这些氢具有很强的反应活性，可以与硅材料中的杂质和硅晶格中的各种缺陷发生反应，从而产生钝化效果，有利于太阳电池光电转换效率的提升。
对于硅材料中的氢，根据其电荷状态，存在三种形态，分别是H+、H0和H-。在热平衡条件下，P型硅中多数载流子是空穴，带正电荷，因此此时H-的浓度非常低，H+占多数；想反在N型硅中H-则占多数；而H0在两者中的浓度均不高。
在晶体硅的制作过程中，无法避免引入少量杂质，如Fei +、Cri +；N型掺杂的硅中存在P+；P型掺杂的硅中存在B-或者Ga-；甚至掺硼P型硅中，经过光照生成的B-O+复合体等。这些杂质或者缺陷均会严重影响太阳电池的性能。
发明内容
本发明公开了一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置。
本发明的技术方案如下：
一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台，还包括：
一个LED光源***，包括用于发出光线的LED阵列；
一个光学汇聚***，设置所述LED阵列的发光光路上，将LED阵列发出的光线汇聚到检测台上的检测区域；
一个控制器，用以修改LED阵列所发光线的参数，并且对硅太阳电池的钝化与缺陷参数进行分析运算。
其进一步的技术方案为：所述光学汇聚***包括多个透镜和反射***；LED阵列包括多个LED灯珠，所述透镜一一对应安装在LED灯珠前端；LED阵列所发光线穿过透镜照射到检测台上的检测区域；所述反射***包括围绕检测台四周设置的、反射面向内的反射镜。
其进一步的技术方案为：还包括扩散玻璃，所述扩散玻璃安装于LED阵列和检测台之间。
其进一步的技术方案为：所述LED阵列到达检测台的光的最高辐照强度为不低于十倍的标准太阳条件且到达检测台的光的辐照强度均匀一致；所述标准太阳条件为光子流密度满足AM1.5；当用一种以上发光波段的LED灯珠组成LED阵列时，不同发光波段的LED灯珠对称排列。
其进一步的技术方案为：所述LED光源***还包括光强校正***，对到达检测台上的检测区域的光强进行调节，以达到所需的辐照强度。
其进一步的技术方案为：所述控制器包括连接在控制器上的键盘和液晶显示器。
其进一步的技术方案为：还包括散热装置，所述散热装置包括水冷***和风冷***；所述水冷***包括第一制冷机、水槽、水泵和散热板；所述散热板安装在LED阵列的上表面；所述第一制冷机的出水口连接水槽，对水槽中的散热用水制冷降温；所述水泵将水槽中的散热用水压入散热板的入水口；所述散热板的吹水口连接制冷机的入水口，散热用水带走LED阵列的热量并流回制冷机；所述风冷***包括第二制冷机和风机；所述风机将第二制冷机制造的冷空气吹向LED阵列的下表面。
其进一步的技术方案为：所述LED光源***还包括驱动电源；所述驱动电源包括分压电路、降压型直流电源变换芯片、运算放大器、肖特基二极管和滤波线圈；所述降压型直流电源变换芯片的型号为XL4005；所述分压电路的电压输出端连接运算放大器的反相输入端；运算放大器的输出端连接降压型直流电源变换芯片的第二端口，所述运算放大器的正电源端连接降压型直流电源变换芯片的第五端口，运算放大器的负电源端接地；肖特基二极管的正极接地，负极连接降压型直流电源变换芯片的第三端口；降压型直流电源变换芯片的第一端口接地；所述滤波线圈的第一端连接降压型直流电源变换芯片的第三端口，第二端为为驱动电路的正输出端，运算放大器的同相输入端作为驱动电路的负输出端；
多个LED灯珠串联为LED灯珠串；多个LED灯珠串并联在驱动电路的正输出端和负输出端之间。
其进一步的技术方案为：包括多组驱动电源，每组驱动电源可调控其输出电流，进而调节连接在其上的LED灯珠串的发光强度。
其进一步的技术方案为：还包括恒温***，连接在检测台上，用以保持太阳电池片的温度为300摄氏度。
本发明的有益技术效果是：
本发明通过LED阵列光源在404nm或者940nm或者多个波段的组合，产生最高不低于十个标准太阳辐照光子流密度(所述标准太阳辐照光子流密度为满足AM1.5条件)，使用光照射注入载流子的方法，在P型硅中大量注入少数载流子(电子)，使得H-的浓度升高，从而钝化Fei +、Cri +等杂质；同时利用存在的H+去钝化B-或者Ga-等缺陷，从而降低载流子在此些缺陷处的复合，提升太阳电池的性能。对于经过光致衰减后的掺硼P型硅太阳电池，可使用本发明使得H-的浓度升高，利用H-去钝化B-O+复合体，从而使硅太阳电池的光电转换效率得到恢复。本发明不但可以钝化晶体硅中的杂质缺陷，也可以钝化硅材料，修复多晶硅材料中位错等晶格缺陷，提升太阳电池转换效率。
使硅片内部产生大量非平衡载流子，由此改变硅片内部H+和H-的浓度以及加大它们的迁移能力，同时可以钝化晶体硅中的杂质缺陷，也可以钝化硅材料，特别是多晶硅材料中位错等晶格缺陷，提升硅太阳电池的转换效率。
相对于激光光源所具有的的成本极高并且辐照面积难以做到商业硅太阳电池大小等缺点，本发明以固态发光器件LED为光源，更加稳定、廉价、长寿命，波段选择灵活，降低了装备制造成本和维护成本。
本发明采用了高效率且廉价的散热方式对LED光源进行散热，使得所产生的热量能在很短的时间内迅速散掉，以保证整个装置的可靠运行。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是LED阵列的示意图。
图3是光路汇聚***中的光路图。
图4是水冷***的示意图。
图5是风冷***的示意图。
图6是LED阵列的驱动电源的电路结构图。
具体实施方式
图1是本发明的结构示意图。本发明包括用于放置硅太阳电池的检测台，检测台的温度保持恒定。还包括：
一个LED光源***，包括用于发出光线的LED阵列；LED阵列所发出的光线波长为404nm、940nm或者其他的波长；
一个光学汇聚***，设置在LED阵列的发光光路上，将LED阵列发出的光线汇聚到检测台上的检测区域；
一个控制器，用以修改整个装置的温度和湿度等参数值，同时可以控制LED阵列所发光线的辐照强度的补偿值，并且对所检测到的硅太阳电池的钝化与缺陷等参数数据进行分析运算。控制器上还连接有键盘和液晶显示屏。键盘用于输入指令，通过操作键盘，可通过改变LED阵列中LED灯珠的驱动电流或者电压来改变光强。并且通过操作键盘，可以控制整个装置的工作状态，实现装置的开关或检测结果输出的控制。在对检测到的数据进行分析运算后，可将结果送至液晶显示器上显示。
本发明还包括水冷***和风冷***，起到为LED光源***散热的作用。
图2是LED阵列示意图。LED阵列包括多个LED灯珠，LED灯珠间隔紧凑的排列，排列位置均匀且相邻的LED灯珠间隔距离相等。当用一种以上的发光波段的LED灯珠组成LED阵列时，不同发光波段的LED灯珠排列位置对称，以便在检测区域，即辐射面上，达到各发光波段强度均匀一致的辐照。在本实施例中，具有6种发光波段的LED灯珠，相同标号的LED灯珠代表其具有相同的发光波段。6种发光波段的LED灯珠如图2所示呈中心对称排列。
LED阵列还需满足的条件是，LED阵列到达检测台的光的最高光子流密度为不低于十倍的标准太阳条件。所述标准太阳条件为光子流密度满足AM1.5条件。
图3是光路汇聚***的光路图。光学汇聚***包括多个透镜和反射***；LED阵列包括多个LED灯珠，透镜一一对应安装在LED灯珠前端。LED阵列所发光线穿过透镜照射到检测台上的检测区域。反射***包括围绕检测台四周设置的、反射面向内的反射镜，用以将LED阵列所发出的大角度光线反射到检测台上的检测区域。
由于LED发光的方向性较传统气体光源好很多，发光角度较小，因此为了达到在辐照面上的均与辐照，还需要加入扩散玻璃，如图3所示，扩散玻璃安装于LED阵列和检测台之间，以便将定向的光线打散。
图4是水冷***的示意图。水冷***包括第一制冷机、水槽、水泵和散热板。散热板安装在LED阵列的上表面。第一制冷机的出水口连接水槽，对水槽中的散热用水制冷降温，水泵将水槽中的散热用水压入散热板的入水口，散热板的出水口连接制冷机的入水口，散热用水带走LED阵列的热量并流回制冷机。
图5是风冷***的示意图。风冷***包括第二制冷机和风机。风机将第二制冷机制造的冷空气吹向LED阵列下表面以便快速将LED阵列工作所散发的热量从LED阵列下侧迅速带离。
图6是LED阵列的驱动电源的示意图。驱动电源包括分压电路、降压型直流电源变换芯片IC1、运算放大器IC2、肖特基二极管D2和滤波线圈L1。
降压型直流电源变换芯片IC1的型号为XL4005。
分压电路包括串联的第一电阻R1和第二电阻R2，此串联电路的一端连接电压源V尺寸，另一端接地。第一电阻R1和第二电阻R2的公共端为电压输出端，电压输出端连接运算放大器IC2的反相输入端。在本实施例中，第一电阻R1阻止为20kΩ，第二电阻R2的阻止为1kΩ。
运算放大器IC2的输出端连接降压型直流电源变换芯片IC1的第二端口FB，运算放大器IC2的正电源端连接降压型直流电源变换芯片IC1的第五端口VIN，运算放大器IC2的负电源端接地。
肖特基二极管D2的正极接地，负极连接降压型直流电源变换芯片IC1的第三端口SW。降压型直流电源变换芯片IC1的第一端口GN接地。在本实施例中，肖特基二极管D2的型号为SK54。
滤波线圈L1的第一端连接降压型直流电源变换芯片IC1的第三端口SW，第二端为为驱动电路的正输出端，运算放大器IC2的同相输入端作为驱动电路的负输出端。在本实施例中，滤波线圈L1的型号为47μH/5A。
驱动电路还包括多个辅助用的电容，起到滤波、稳压的作用。第一电容C1和第三电容C3并联，此并联电路一端连接在降压型直流电源变换芯片IC1的第五端口VIN，另一端接地。第二电容C2和第四电容C4并联，此并联电路一端连接驱动电路的正输出端，另一端接地。第五电容两端分别连接在运算放大器IC2的输出端和运算放大器IC2的反相输入端，形成一个反馈回路，使得电路***更加稳定。在本实施例中，第一电容C1为150μF，第三电容C3为470μF，第二电容C1为150μF，第四电容C3为470μF，第五电容为0.1μF。
多个LED灯珠串联为LED灯珠串；多个LED灯珠串并联在驱动电路的正输出端和负输出端之间。在本实施例中，每个驱动电路中接入2路并联的LED灯珠串。每路LED灯珠串由11个LED灯珠串联而成。
本发明可进行光强校正，对到达检测台上的检测区域的光强进行调节，以达到所需的辐照强度。调节光强的方法就是在LED光源***中设置多组驱动电源，每组驱动电源可对被其所驱动的LED灯珠进行单独控制，则通过调整各个驱动电源的输出电压，改变LED灯珠的电流值，从而使光强达到所需的辐照强度。
实际使用过程中，要将被钝化的太阳电池或者太阳电池组件放在温度保持恒定的检测台上，在本实施例中，保持检测台的温度为300摄氏度，LED阵列发出的光照射到太阳电池上，太阳电池被钝化，同时控制器上所连接的液晶显示器上会显示太阳电池的各种参数值。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，本发明不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，其特征在于：包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台，还包括：
一个LED光源***，包括用于发出光线的LED阵列；
一个光学汇聚***，设置所述LED阵列的发光光路上，将LED阵列发出的光线汇聚到检测台上的检测区域；
一个控制器，用以修改LED阵列所发光线的参数，并且对硅太阳电池的钝化与缺陷参数进行分析运算。
2.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，其特征是：所述光学汇聚***包括多个透镜和反射***；LED阵列包括多个LED灯珠，所述透镜一一对应安装在LED灯珠前端；LED阵列所发光线穿过透镜照射到检测台上的检测区域；所述反射***包括围绕检测台四周设置的、反射面向内的反射镜。
3.根据权利要求2所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，其特征是：还包括扩散玻璃，所述扩散玻璃安装于LED阵列和检测台之间。
4.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，其特征是：所述LED阵列到达检测台的光的最高辐照强度为不低于十倍的标准太阳条件且到达检测台的光的辐照强度均匀一致；所述标准太阳条件为光子流密度满足AM1.5；当用一种以上发光波段的LED灯珠组成LED阵列时，不同发光波段的LED灯珠对称排列。
5.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，其特征是：所述LED光源***还包括光强校正***，对到达检测台上的检测区域的光强进行调节，以达到所需的辐照强度。
6.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，其特征是：所述控制器包括连接在控制器上的键盘和液晶显示器。
7.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，其特征是：还包括散热装置，所述散热装置包括水冷***和风冷***；所述水冷***包括第一制冷机、水槽、水泵和散热板；所述散热板安装在LED阵列的上表面；所述第一制冷机的出水口连接水槽，对水槽中的散热用水制冷降温；所述水泵将水槽中的散热用水压入散热板的入水口；所述散热板的吹水口连接制冷机的入水口，散热用水带走LED阵列的热量并流回制冷机；所述风冷***包括第二制冷机和风机；所述风机将第二制冷机制造的冷空气吹向LED阵列的下表面。
8.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，其特征是：所述LED光源***还包括驱动电源；所述驱动电源包括分压电路、降压型直流电源变换芯片(IC1)、运算放大器(IC2)、肖特基二极管(D2)和滤波线圈(L1)；所述降压型直流电源变换芯片(IC1)的型号为XL4005；所述分压电路的电压输出端连接运算放大器(IC2)的反相输入端；运算放大器(IC2)的输出端连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第二端口(FB)，所述运算放大器(IC2)的正电源端连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第五端口(VIN)，运算放大器(IC2)的负电源端接地；肖特基二极管(D2)的正极接地，负极连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第三端口(SW)；降压型直流电源变换芯片(IC1)的第一端口(GN)接地；所述滤波线圈(L1)的第一端连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第三端口(SW)，第二端为为驱动电路的正输出端，运算放大器(IC2)的同相输入端作为驱动电路的负输出端；
多个LED灯珠串联为LED灯珠串；多个LED灯珠串并联在驱动电路的正输出端和负输出端之间。
9.根据权利要求8所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，其特征是：包括多组驱动电源，每组驱动电源可调控其输出电流，进而调节连接在其上的LED灯珠串的发光强度。
10.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，其特征是：还包括恒温***，连接在检测台上，用以保持太阳电池片的温度为300摄氏度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201511020688.0A CN105449044B (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | Led硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201511020688.0A CN105449044B (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | Led硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105449044A true CN105449044A (zh) | 2016-03-30 |
| CN105449044B CN105449044B (zh) | 2017-02-01 |
Family
ID=55559024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201511020688.0A Active CN105449044B (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | Led硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105449044B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107204742A (zh) * | 2016-03-15 | 2017-09-26 | 南京黛傲光电科技有限公司 | 一种基于led阵列光源的硅太阳电池光衰装置 |
| CN107204389A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-09-26 | 江南大学 | 一种以led为光源的硅太阳能电池快速光衰装置 |
| CN108598270A (zh) * | 2018-06-12 | 2018-09-28 | 江南大学 | 以led为光源的钙钛矿太阳能电池的快速制备装置 |
| CN110102876A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-09 | 旻投电力发展有限公司 | 一种基于激光的低温组件修复技术 |
| WO2021004521A1 (zh) * | 2019-07-11 | 2021-01-14 | 苏州迈正科技有限公司 | 一种异质结电池氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站 |
| CN112466983A (zh) * | 2020-06-10 | 2021-03-09 | 帝尔激光科技(无锡)有限公司 | 一种修复太阳能电池界面缺陷的方法及设备 |
| CN114709294A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-07-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103323434A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-09-25 | 浙江大学 | 用led激发的太阳能电池光致发光检测装置 |
| WO2014041260A1 (fr) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives | Dispositif et procede de restauration de cellules solaires photo voltaiques a base de silicium |
-
2015
- 2015-12-30 CN CN201511020688.0A patent/CN105449044B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014041260A1 (fr) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives | Dispositif et procede de restauration de cellules solaires photo voltaiques a base de silicium |
| CN103323434A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-09-25 | 浙江大学 | 用led激发的太阳能电池光致发光检测装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107204742A (zh) * | 2016-03-15 | 2017-09-26 | 南京黛傲光电科技有限公司 | 一种基于led阵列光源的硅太阳电池光衰装置 |
| CN107204389A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-09-26 | 江南大学 | 一种以led为光源的硅太阳能电池快速光衰装置 |
| CN108598270A (zh) * | 2018-06-12 | 2018-09-28 | 江南大学 | 以led为光源的钙钛矿太阳能电池的快速制备装置 |
| CN110102876A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-09 | 旻投电力发展有限公司 | 一种基于激光的低温组件修复技术 |
| WO2021004521A1 (zh) * | 2019-07-11 | 2021-01-14 | 苏州迈正科技有限公司 | 一种异质结电池氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站 |
| CN112466983A (zh) * | 2020-06-10 | 2021-03-09 | 帝尔激光科技(无锡)有限公司 | 一种修复太阳能电池界面缺陷的方法及设备 |
| CN114709294A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-07-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN114709294B (zh) * | 2022-05-31 | 2022-11-29 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
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