CN105428469A - 一种蓝宝石衬底led芯片隐形切割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种蓝宝石衬底LED芯片隐形切割方法，包括准备蓝宝石衬底晶圆片，以大于正常切割的能量在晶圆片背面边缘进行隐形切割数刀，观察芯片的自裂方向与基准处的相对位置，根据晶圆片自裂的方向调整后续切割位置，用劈裂机进行劈裂，将晶圆片完全分离。
Description
技术领域
本发明属于LED芯片制备领域，尤其涉及一种蓝宝石衬底LED芯片隐形切割方法。
背景技术
在LED（发光二极管）芯片制备工艺中，激光切割就是将制好的晶圆片通过激光分割成符合所需尺寸的单一晶粒，这是半导体发光二极管芯片制造工艺中一道必不可少的工序。对于LED芯片，激光切割工艺目前有两种：表面切割和隐形切割。表面切割是利用365um波长紫外光在芯片正面或者背面灼烧的切割工艺。表面切割技术已经相当成熟，已经成为玻璃、陶瓷等切割的主流技术。但此切割方式存在一个问题：表面切割是利用激光灼烧的方式切割，通常其热影响区较大，对芯片发光亮度的影响不可低估。
隐形切割是随着激光技术的发展而出现的一种新型的切割技术，它是用一定能量的激光束聚焦在芯片内部等距离打点，其能量沿能量聚点处平面内垂直向扩散，最终以自裂的方式断开。隐形切割具有切割速率快、亮度高、易于自动化操作等优势。但是由于蓝宝石衬底特殊的晶格方向，芯片自裂时会沿着r面非垂直向裂开导致管芯断开后存在大小边现象，严重时断裂面触及发光区甚至电极导致漏电报废，严重影响良率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种蓝宝石衬底LED芯片隐形切割方法，该方法用以解决LED蓝宝石衬底芯片隐形切割后大小边问题，改善产品质量。
为了解决本发明的技术问题，本发明提出一种蓝宝石衬底LED芯片隐形切割方法，包括：
准备蓝宝石衬底LED晶圆片；
在蓝宝石衬底晶圆片以大于正常切割的能量在晶圆片背面边缘进行隐形切割数刀；
观察晶圆片的自裂方向与基准处的相对位置；
根据晶圆片自裂的方向调整后续隐形切割位置；
用劈裂机进行劈裂，将晶圆片完全分离。
优选地，所述晶圆片背面为CH1面。
优选地，所述后续隐形切割位置与晶圆片自裂方向一致。
本发明的有益效果：
本发明提供一种蓝宝石衬底LED芯片隐形切割方法，在观察自裂方向与隐形切割基准处的相对位置后，根据芯片自裂的方向调整后续隐形切割位置，解决了由于蓝宝石晶格面斜裂造成的大小边问题，提升了产品良率。
附图说明
图1为蓝宝石衬底LED芯片自裂方向与隐形切割基准处的相对位置以及偏移方向示意图。
图中标示说明：a为原隐形切割基准线，b为原蓝宝石衬底LED芯片自裂方向；c为调整后隐形切割基准线，d为调整后蓝宝石衬底LED芯片自裂方向。
具体实施方式
本发明提供一种LED蓝宝石衬底芯片隐形切割方法，步骤如下：
（1）准备晶圆片：在蓝宝石衬底上外延生长GaN半导体层，并经过芯片工艺，形成蓝宝石衬底LED晶圆片；
（2）贴白膜：将晶圆片有电极的一面贴在白膜上；
（3）放片切割：将晶圆片背面朝上放在放片区域内开始切割；
（4）设置斜裂偏移方向：在蓝宝石衬底晶圆片背面CH1面边缘以大于正常切割的能量隐形切割数刀后观察已切割位置的原自裂方向与切割基准处的相对位置。若自裂方向相对偏上，则此片CH1面后续的切割基准位置则统一设置向上，即如图1所示，a为原隐形切割基准线，b为原蓝宝石衬底LED芯片自裂方向；c为调整后隐形切割基准线，d为调整后蓝宝石衬底LED芯片自裂方向，偏移后断裂位置离电极的距离得到控制。反之，则设置为向下。
用本发明的解决隐形切割大小边方法，通过设置斜裂偏移的方法，解决了由于蓝宝石衬底特殊的晶格方向造成的大小边问题，改善产品质量，提升生产良率。
以上所述，仅为本发明中的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (3)
1.一种蓝宝石衬底LED芯片隐形切割方法，其特征在于包括如下步骤：
准备蓝宝石衬底LED晶圆片；
以大于正常切割的能量在晶圆片背面边缘进行隐形切割数刀；
观察晶圆片的自裂方向与基准处的相对位置；
根据晶圆片自裂的方向调整后续隐形切割位置；
用劈裂机进行劈裂，将晶圆片完全分离。
2.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底LED芯片隐形切割方法，其特征在于所述晶圆片背面为CH1面。
3.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底LED芯片隐形切割方法，其特征在于所述后续隐形切割位置与晶圆片自裂方向一致。
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| CN201410479351.5A CN105428469A (zh) | 2014-09-19 | 2014-09-19 | 一种蓝宝石衬底led芯片隐形切割方法 |
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| CN105428469A true CN105428469A (zh) | 2016-03-23 |
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| CN (1) | CN105428469A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101728396A (zh) * | 2008-10-10 | 2010-06-09 | 华映视讯（吴江）有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| CN102751398A (zh) * | 2012-06-21 | 2012-10-24 | 华灿光电股份有限公司 | 一种倒三角形发光二极管芯片的制作方法 |
| JP2013041972A (ja) * | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
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2014
- 2014-09-19 CN CN201410479351.5A patent/CN105428469A/zh active Pending
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