CN105428374B - 具有修复结构的光传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一具有修复结构的光传感器，其包含一闸极线、一绝缘层、一汲极线、一源极线、一修复线及一光电组件。闸极线堆栈于一基板之上，绝缘层堆栈于闸极线及基板之上，汲极线堆栈于绝缘层之上，源极线堆栈于绝缘层之上，修复线平行汲极线，修复线堆栈于汲极线之上，修复线的堆栈位置对应汲极线的堆栈位置，修复线电性连接汲极线，及光电组件堆栈于源极线之上。

Description

具有修复结构的光传感器
技术领域
本发明涉及一种光传感器，尤其涉及一种具有修复结构的光传感器。
背景技术
现有技术中X光探测器由于无损检测的特性在许多领域得到广泛的应用。现有技术的X光探测器通常包括一X光探测面板以及与X光探测面板电性连接的一感测驱动电路。X光探测面板将光讯号转换成电讯号，并将电讯号传递至感测驱动电路，从而获得相应的图像信息。
但是，X光探测器包含复数金属走线，而这些金属走线存在断线的风险，当断线时X光探测器无法正常运作，所以断线的金属线位置需进行修补。然而，X光探测器进行修补需付出相对的费用与人力，所以如何克服X光探测器于金属线断线时所产生的成本，成为重要的课题。
发明内容
本发明的目的之一，为解决光传感器因金属线断线而无法正常运作的问题。
为达以上目的，本发明的具有修复结构的光传感器包含一闸极线、一绝缘层、一汲极线、一源极线、一修复线及一光电组件。闸极线堆栈于一基板之上，绝缘层堆栈于闸极线及基板之上，汲极线堆栈于绝缘层之上，源极线堆栈于绝缘层之上，修复线平行汲极线，修复线堆栈于汲极线之上，修复线的堆栈位置对应汲极线的堆栈位置，修复线电性连接汲极线，及光电组件堆栈于源极线之上。
根据本发明的具有修复结构的光传感器，还包含：
至少一钝态层，堆栈于该汲极线之上；及
至少一接触孔，贯穿该至少一钝态层；
其中，该修复线通过该接触孔而电性连接该汲极线。
根据本发明的具有修复结构的光传感器，该光电组件依据一入射光产生一光电讯号，该光电讯号由该汲极线输出。
根据本发明的具有修复结构的光传感器，还包含：
一半导体层，形成于该绝缘层、该汲极线及该源极线的间，且该修复线形成于该半导体层的形成位置之上。
根据本发明的具有修复结构的光传感器，该汲极线的面电阻值为0.2～0.6Ω/sq。
根据本发明的具有修复结构的光传感器，该修复线的面电阻值为0.01～0.5Ω/sq。
根据本发明的具有修复结构的光传感器，还包含：
一钝态层，堆栈于该光电组件之上；
一接触孔，贯穿该钝态层，以裸露该光电组件；及
一共享电极线，通过该接触孔而形成于该光电组件之上，且电性连接该光电组件。
根据本发明的具有修复结构的光传感器，还包含：
一共享电极层，堆栈于该钝态层之上，并形成该共享电极线与该修复线。
根据本发明的具有修复结构的光传感器，该光电组件包含：
一电极，形成于该源极线之上；及
一二极管层，形成于该源极线与该电极的间，该二极管层电性连接该源极线及该电极。
根据本发明的具有修复结构的光传感器，还包含：
一保护层，堆栈于该修复线及该共享电极线之上。
本发明的具有修复结构的光传感器的有益效果如下：提供一种具有修复结构的光传感器，其设置一修复线，并利用修复线解决光传感器因金属线断线而无法正常运作的问题。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1为本发明的具有修复结构的光传感器的一实施例的第一俯视图；
图2为图1的ZZ’线的剖面图；
图3为本发明的具有修复结构的光传感器的一实施例的第二俯视图；
图4为图3的AA’线的剖面图；及
图5为光电讯号的路径示意图。
图中：
10 光传感器
20 基板
21 闸极线
22 绝缘层
23 半导体层
24 汲极线
25 源极线
26 共享电极层
30 光电组件
31 二极管层
33 电极
40 保护层
50 入射光
260 修复线
261 共享电极线
270 接触孔
271 接触孔
280 钝态层
281 钝态层
S30 光电讯号
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的优选实施例。
请参阅图1，为本发明的具有修复结构的光传感器10的一实施例的第一俯视图。如图所示，本发明的具有修复结构的光传感器10包含复数闸极线21、复数汲极线24、复数源极线25、复数修复线260、复数共享电极线261、复数接触孔270及复数光电组件30。修复线260平行汲极线24，修复线260的堆栈位置对应汲极线24的堆栈位置，且修复线260电性连接汲极线24。如此，当汲极线24断线时，光电组件30所产生的讯号可以藉由修复线260输出，而使光传感器10正常运作。
请参阅图2，为图1的ZZ’线的剖面图。如图所示，光传感器10更包含一基板20、一绝缘层22、一半导体层23、复数钝态层280、281、一共享电极层26、复数接触孔270、271及一保护层40。闸极线21堆栈于基板20之上，绝缘层22堆栈于闸极线21及基板20之上，汲极线24堆栈于绝缘层22之上，源极线25堆栈于绝缘层22之上，修复线260堆栈于汲极线24之上，光电组件30堆栈于源极线25之上。再者，修复线260形成于半导体层23的形成位置之上，如此修复线260可以做为遮光层，而改善光漏电流的产生。
再参阅图2，半导体层23形成于绝缘层22、汲极线24及源极线25之间，复数钝态层280、281堆栈于该汲极线24之上，共享电极层26堆栈于钝态层281之上并形成共享电极线261与修复线260。接触孔270贯穿复数钝态层280、281，如此修复线260通过接触孔270而电性连接汲极线24。因此，当汲极线24断线时，汲极线24所传输的讯号可以改由修复线260传送。换言之，本发明以修复线260解决汲极线24断线的问题，为利用不同道制程的金属层解决金属线断线的问题。再者，本发明的接触孔270为新增的接触孔，其并非原半导体结构中的接触孔。此外，钝态层281堆栈于钝态层280及光电组件30之上，接触孔271贯穿钝态层281以裸露光电组件30。如此，共享电极线261通过接触孔271而形成于光电组件30之上，且电性连接光电组件30。保护层40堆栈于修复线260及共享电极线261之上，以避免修复线260及共享电极线261受外力影响产生缺陷。
再参阅图2，光电组件30包含一二极管层31及一电极33。电极33形成于源极线25之上，二极管层31形成于源极线25与电极33之间，且二极管层31电性连接源极线25及电极33。再者，共享电极线261是用于驱动电极33，换言之，共享电极线261用于驱动光电组件30。
此外，本发明利用共享电极层26形成修复线260及共享电极线261，即本发明于同一层金属层形成修复线260及共享电极线261，所以本发明于制作修复线260时，并不会改变制程及光罩数目。换言之，本发明所提出的修复方式成功改善良率且不会造成成本大幅增加。
请参阅图3，其为本发明的具有修复结构的光传感器10的一实施例的第二俯视图。如图所示，第一图的剖面线ZZ’改为第三图的剖面线AA’，而第三图的剖面线AA’所对应的剖面图用于说明本发明光传感器10发生金属线断线的前的讯号传输路径，与本发明光传感器10发生金属线断线时的讯号传输路径。
一并参阅图3及图4，图4为图3的AA’线的剖面图。如图所示，光传感器10具有有两个接触孔270，光电组件30依据一入射光50产生一光电讯号S30，而当光传感器10的金属线(汲极线24)未发生断线时，光电讯号S30由源极线25经由半导体层23传输至汲极线24，汲极线24将光电讯号S30输出。再参阅图3，即光电讯号S30可以利用汲极线24由上往下传输。然而，当光传感器10的汲极线24发生断线时，光电讯号S30就无法再利用同一个传输路径输出，而其路径改为图5所示，其为光电讯号的路径示意图。如图所示，当汲极线24发生断线(图中X号处)时，光电讯号S30无法直接由汲极线24输出，而光电讯号S30的传输路径会改为源极线25传输光电讯号S30至汲极线24，汲极线24传输光电讯号S30至修复线260，修复线260再将光电讯号S30传输至汲极线24，如此，汲极线24即可以将光电讯号S30输出。
换言之，光传感器10的修复线260与金属线(汲极线24)电性连接，但是当光传感器10未发生金属线断线时，修复线260不会对讯号的传输路径有影响，而当光传感器10发生金属线断线时，修复线260可以实时的改善金属线断线的问题。此外，本发明汲极线24的面电阻值可以为0.2～0.6Ω/sq，而修复线260的面电阻值可以为0.01～0.5Ω/sq。
综上所述，本发明的具有修复结构的光传感器包含一闸极线、一绝缘层、一汲极线、一源极线、一修复线及一光电组件。闸极线堆栈于一基板之上，绝缘层堆栈于闸极线及基板之上，汲极线堆栈于绝缘层之上，源极线堆栈于绝缘层之上，修复线平行汲极线，修复线堆栈于汲极线之上，修复线的堆栈位置对应汲极线的堆栈位置，修复线电性连接汲极线，及光电组件堆栈于源极线之上。
惟以上所述者，仅为本发明一实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，故举凡依本发明申请专利范围所述的构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的申请专利范围内。

Claims (9)

1.一种具有修复结构的光传感器，其包含：
一闸极线，堆栈于一基板之上；
一绝缘层，堆栈于该闸极线及该基板之上；
一汲极线，堆栈于该绝缘层之上；
一源极线，堆栈于该绝缘层之上；
一修复线，其平行该汲极线，该修复线堆栈于该汲极线之上，该修复线的堆栈位置对应该汲极线的堆栈位置；
一光电组件，堆栈于该源极线之上；
至少一钝态层，堆栈于该汲极线之上；及
至少两个接触孔，贯穿该至少一钝态层；
其中，该修复线通过该至少两个接触孔而电性连接该汲极线。
2.根据权利要求1所述的具有修复结构的光传感器，其特征在于，该光电组件依据一入射光产生一光电讯号，该光电讯号由该汲极线输出。
3.根据权利要求1所述的具有修复结构的光传感器，其特征在于，还包含：
一半导体层，形成于该绝缘层、该汲极线及该源极线的间，且该修复线形成于该半导体层的形成位置之上。
4.根据权利要求1所述的具有修复结构的光传感器，其特征在于，该汲极线的面电阻值为0.2～0.6Ω/sq。
5.根据权利要求1所述的具有修复结构的光传感器，其特征在于，该修复线的面电阻值为0.01～0.5Ω/sq。
6.根据权利要求1所述的具有修复结构的光传感器，其特征在于，还包含：
一钝态层，堆栈于该光电组件之上；
一接触孔，贯穿该钝态层，以裸露该光电组件；及
一共享电极线，通过该接触孔而形成于该光电组件之上，且电性连接该光电组件。
7.根据权利要求6所述的具有修复结构的光传感器，其特征在于，还包含：
一共享电极层，堆栈于该钝态层之上，并形成该共享电极线与该修复线。
8.根据权利要求1所述的具有修复结构的光传感器，其特征在于，该光电组件包含：
一电极，形成于该源极线之上；及
一二极管层，形成于该源极线与该电极之间，该二极管层电性连接该源极线及该电极。
9.根据权利要求6所述的具有修复结构的光传感器，其特征在于，还包含：
一保护层，堆栈于该修复线及该共享电极线之上。
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