CN105425554B - 抗蚀剂剥离剂组合物、平板显示器的制法及平板显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种抗蚀剂剥离剂组合物,包括:由以下化学式1表示的化合物(A);包括伯烷醇胺和叔烷醇胺的烷醇胺(B);伯醇(C);以及极性非质子溶剂(D);本发明还公开了一种用于制造平板显示器基板的方法以及一种平板显示器基板,
Description
技术领域
本发明涉及一种抗蚀剂剥离剂组合物。更具体地,本发明涉及抗蚀剂剥离剂组合物、使用该抗蚀剂剥离剂组合物制造平板显示器基板的方法以及由该方法制造的平板显示器基板,其中,所述抗蚀剂剥离剂组合物表现出优异的剥离能力,同时使抗蚀剂剥离过程中对金属布线的腐蚀最小化。
背景技术
随着对高分辨率平板显示器需求的增加,人们已经努力提高每单位面积的像素数,例如,通过诸如干蚀刻工艺的严苛制造程序来减小布线的宽度。而且,扩大平板显示器需要提高信号在布线中的传输速度,这通过采用铜作为布线原料实现了,因为铜的电阻率比铝的电阻率低。因此,剥离工艺中必须使用高性能剥离剂。
具体地,剥离剂需要具有去除干蚀刻后形成的残渣的能力,并且具有针对金属布线(尤其是铜和铝)的抗腐蚀性能。此外,为了成本的竞争力,剥离剂应为经济上有益的,使得它能处理大量基板片材。
通常使用诸如单乙醇胺、单异丙醇胺等水溶性有机胺或者诸如γ-丁内酯和DMSO的有机溶剂来去除抗蚀剂。为了防止金属的胺致腐蚀,使用诸如儿茶酚、间苯二酚、苯并***等多种抗腐蚀剂,并且已提出含有这些抗腐蚀剂的抗蚀剂剥离剂组合物。
然而,已知的是,常规的光致抗蚀剂剥离剂组合物在加工或长期储存过程中在剥离性能、处理量以及低稳定性方面存在问题。例如,公开号为10-2006-0117666的未经审查的韩国专利申请公开了一种光致抗蚀剂剥离剂组合物,其包括与本发明的化学式1相同的化合物以及作为活性成分的有机胺化合物,并且必需两种或更多种不同的抗腐蚀剂来防止金属布线的腐蚀。因此,极有可能在剥离过程之后在布线上残留有抗腐蚀剂。此外,这些抗腐蚀剂的存在可能导致抗蚀剂剥离剂组合物在长期储存中变色和剥离性能的劣化,诸如延长剥离时间。
因此,需要一种抗蚀剂剥离剂组合物,该抗蚀剂剥离剂组合物能够克服在相关领域中遇到的问题,并且表现出优异的抗腐蚀效果以及快速且优异的剥离性质。
[相关领域的文献]
[专利文献]
公开号为10-2006-0117666未经审查的韩国专利申请
发明内容
因此,牢记现有技术中存在的上述问题作出了本发明,并且本发明的目的是提供一种抗蚀剂剥离剂组合物,该抗蚀剂剥离剂组合物对抗蚀剂残渣具有强去除能力,对金属布线(诸如铜和铝布线)具有优异的抗腐蚀性能,并且能够有效地防止由于基板上的抗蚀剂残渣与去离子水接触而导致的污渍的形成。
本发明的另一目的是提供一种使用所述组合物制造平板显示器的方法,以及由该方法制造的平板显示器。
为了实现上述目的,本发明的一个方面提供一种抗蚀剂剥离剂组合物,包括:
由以下化学式1表示的化合物(A);
包括伯烷醇胺(primary alkanolamine)和叔烷醇胺(tertiary alkanolamine)的烷醇胺(B);
伯醇(C);以及
极性非质子溶剂(D);
[化学式1]
其中,R1至R8各自独立地为氢原子或C1~C4烷基。
本发明的另一方面提供一种用于制造平板显示器基板的方法,所述方法包括使用所述抗蚀剂剥离剂组合物清洗所述平板显示器基板。
本发明的又一方面提供一种由上述方法制造的平板显示器基板。
具体实施方式
根据本发明的一个方面,本发明提供一种抗蚀剂剥离剂组合物,包括,
由以下化学式1表示的化合物(A);
包括伯烷醇胺和叔烷醇胺的烷醇胺(B);
伯醇(C);以及
极性非质子溶剂(D);
[化学式1]
其中,R1至R8各自独立地为氢原子或C1~C4烷基。
以下,将详细描述各个成分。
(A)由化学式1表示的化合物;
本发明的抗蚀剂剥离剂组合物包括由以下化学式1表示的化合物(A):
[化学式1]
其中,R1至R8各自独立地为氢原子或C1~C4烷基。
在上述抗蚀剂剥离剂组合物中,由化学式1表示的化合物(A)决定对金属布线的抗腐蚀性能。
由化学式1表示的化合物的实例包括4-甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]***、5-甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]***、5,6-二甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]***以及4,6-二甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]***。这些化合物可单独使用或组合使用。
基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量,由化学式1表示的化合物(A)的用量优选为0.0001wt%至0.1wt%,更优选为0.001wt%至0.1wt%,并且最优选为0.003wt%至0.05wt%。当由化学式1表示的化合物的含量小于0.0001wt%时,金属布线在与剥离剂组合物接触长时间之后可能部分被腐蚀。另一方面,化合物(A)的含量大于0.1wt%的抗蚀剂剥离剂组合物可能由于该化合物易于残留在金属布线上而导致二次污染,并且由于成本增加而导致成本性能比不高。
(B)包括伯烷醇胺和叔烷醇胺的烷醇胺
烷醇胺用于增强剥离能力和防止污渍形成。
伯烷醇胺的作用是渗透到在多种加工条件下(诸如在干蚀刻或湿蚀刻、灰化或离子注入处理中)降解或交联的抗蚀剂的聚合物基质中,并破坏聚合物基质的分子间键或分子内键。在该作用下,伯烷醇胺在基板上残留的抗蚀剂的结构易受影响的部分中形成空隙,以将抗蚀剂变成非晶态聚合物凝胶质,从而从基板上容易地去除抗蚀剂。
伯烷醇胺的代表性实例包括但不限于单乙醇胺、单异丙醇胺以及2-(2-氨基乙氧基)乙醇。伯烷醇胺可单独使用或组合使用。
关于叔烷醇胺,它的作用是防止当残留在基板上的抗蚀剂与去离子水接触时发生的污渍的形成。上述叔烷醇胺可由以下化学式2表示:
[化学式2]
其中,R9、R10和R11各自独立地为1至4个碳原子的烷基,或1至4个碳原子的羟烷基,前提是R9、R10和R11中的至少一个是1至4个碳原子的羟烷基。
对于化学式2的化合物,更优选甲基二乙醇胺和二甲基乙醇胺。
关于烷醇胺中伯烷醇胺和叔烷醇胺之间的含量比,可进行如下调整:当需要提高剥离能力时,增加伯烷醇胺的含量;当需要改进污渍去除时,增加叔烷醇胺的含量。
伯烷醇胺和叔烷醇胺可以以1:0.1~0.1:1的重量比使用,更优选以1:0.2~0.2:1的重量比使用。
基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量,烷醇胺的含量优选为0.01wt%至10wt%,更优选为1wt%至8wt%。若烷醇胺的含量小于0.01wt%,则降低抗蚀剂剥离能力,这会导致抗蚀剂残渣残留在基板上。另一方面,若烷醇胺的含量高于10wt%,则会导致对金属布线的腐蚀速率快速增加。
(C)伯醇
抗蚀剂剥离剂组合物中的伯醇用于溶解固化的抗蚀剂聚合物,并且能使在剥离抗蚀剂后的冲洗过程中用去离子水(DIW)容易地去除剥离溶液,以便使剥离溶液中溶解的抗蚀剂的再沉淀最小化。
优选地,上述伯醇包括选自乙二醇单甲醚、乙二醇单***、乙二醇单异丙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单***、二乙二醇单异丙醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单***、三乙二醇单异丙醚、三乙二醇单丁醚、聚乙二醇单甲醚、聚乙二醇单丁醚、二乙二醇、三乙二醇和异丙基乙二醇中的至少一种亚烷基二醇类伯醇,以及选自四氢糠醇(tetrahydroperfuryl alcohol)、羟甲基环戊烯、4-羟甲基-1,3-二氧戊环、2-甲基-4-羟甲基-1,3-二氧戊环、2,2-二甲基-1,3-二氧戊环-4-甲醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇以及1,4-丁二醇、2-甲氧基乙醇中的至少一种非亚烷基二醇类伯醇。
亚烷基二醇类伯醇和非亚烷基二醇类伯醇优选以1:0.1~0.1:1的重量比使用,并且更优选以1:0.2~0.2:1的重量比使用。若伯醇的重量比在上述范围内,抗蚀剂剥离剂组合物能够容易地溶解固化的抗蚀剂聚合物,并且能够防止抗蚀剂聚合物在剥离后的冲洗过程中的再次吸附,从而减少二次污染。
基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量,伯醇的含量优选为20wt%至85wt%,且更优选为30wt%至80wt%。当剥离剂溶液含有该重量范围的伯醇时,在冲洗过程中能够用去离子水(DIW)容易地去除该剥离剂溶液。
(D)极性非质子溶剂
在剥离剂组合物中,极性非质子溶剂(D)促进对在蚀刻过程中降解或交联的聚合物的去除,并且提高该抗蚀剂剥离剂组合物的处理量,即,处理片材的能力。
极性非质子溶剂的作用是溶解被碱性化合物凝胶化的抗蚀剂聚合物。也就是说,极性非质子溶剂有效地使光致抗蚀剂溶剂化,辅助碱性化合物快速渗透到光致抗蚀剂中,从而提高剥离性能。此外,极性非质子溶剂使在剥离抗蚀剂后的冲洗过程中用去离子水去除剥离剂组合物变得容易,从而尽可能防止剥离剂组合物和溶解的抗蚀剂的再吸附/再附着。
优选地,极性非质子溶剂具有既不过高也不过低的沸点,以便实现合适的剥离能力,并且一种或多种极性非质子溶剂可组合使用。
适用于本发明的极性非质子溶剂的实例包括:吡咯烷酮化合物,诸如N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N-乙基吡咯烷酮等;咪唑啉酮化合物,诸如1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,3-二丙基-2-咪唑啉酮等;内酯化合物,诸如γ-丁内酯;亚砜化合物,诸如二甲基亚砜(DMSO)、环丁砜等;磷酸酯化合物,诸如磷酸三乙酯、磷酸三丁酯等;碳酸酯化合物,诸如碳酸二甲酯、碳酸亚乙酯等;和酰胺化合物,诸如甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N-乙基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基丙酰胺、N-(2-羟乙基)乙酰胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-(2-乙基己氧基)-N,N-二甲基丙酰胺和3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺。这些化合物可单独使用或组合使用。
基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量,极性非质子溶剂(D)的含量优选为5wt%至75wt%,且更优选为10wt%至60wt%。若极性非质子溶剂在该含量范围内,抗蚀剂剥离剂组合物可有利地发挥去除由蚀刻等引起降解或交联的抗蚀剂聚合物的作用。
本发明的抗蚀剂剥离剂组合物可进一步包括抗腐蚀剂(E)和去离子水(F)中的至少一种。
在抗蚀剂剥离剂组合物中,抗腐蚀剂(E)能够防止诸如铝布线和/或铜布线的金属布线的腐蚀。
抗腐蚀剂的实例包括:单羧酸,诸如甲酸、乙酸、丙酸等;二羧酸,诸如草酸、丙二酸、琥珀酸、谷氨酸、己二酸、庚二酸、马来酸、富马酸、戊烯二酸等;三羧酸,诸如偏苯三酸、丙三酸等;有机酸,诸如羟基乙酸、乳酸、水杨酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、葡糖酸和氧代羧酸(oxicarboxylic acid);有机酸酰胺酯,诸如琥珀酸酰胺酯、苹果酸酰胺酯、马来酸酰胺酯、富马酸酰胺酯、草酸酰胺酯、丙二酸酰胺酯、戊二酸酰胺酯、乙酸酰胺酯、乳酸酰胺酯、柠檬酸酰胺酯、酒石酸酰胺酯、乙醇酸酰胺酯、甲酸酰胺酯和尿酸酰胺酯;唑化合物,诸如苯并***、甲苯基***、甲基甲苯基***、2,2’-[[[苯并***]甲基]亚氨基]双乙醇、2,2’-[[[甲基-1-氢-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双甲醇、2,2’-[[[乙基-1-氢-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇、2,2’-[[[甲基-1-氢-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇、2,2’-[[[甲基-1-氢-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双羧酸、2,2’-[[[甲基-1-氢-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双甲胺、2,2’-[[[胺-1-氢-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇、4-甲基-1-氢-苯并***和5-甲基-1-氢-苯并***;以及对称酚类化合物,诸如,2,6-二甲基苯酚、2,4,6-三甲基苯酚、2,6-二乙基苯酚、2,6-二乙基-4-甲基苯酚、2,6-二丙基苯酚、2,6-二丙基-4-甲基苯酚、2,6-二叔丁基苯酚、2,4,6-三叔丁基苯酚以及2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚,但并不限于它们。这些化合物可单独使用或组合使用。
基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量,抗腐蚀剂的含量优选为3wt%或更少,且更优选为0.001wt%至2wt%。在该范围内,抗腐蚀剂在剥离过程或DIW冲洗过程中能够有效地防止由铝或铝合金和铜或铜合金制成的金属布线的腐蚀。
关于抗蚀剂剥离剂组合物中的去离子水(F),其能促进碱性化合物(B)的活化以提高剥离速率,并且能快速且完全地去除基板上残留的有机污染物和抗蚀剂溶液。进一步地,当去离子水包含在抗蚀剂剥离剂组合物中时,去离子水能使伯醇与极性非质子溶剂易于混合,并且在剥离过程后的冲洗过程中能使剥离剂溶液快速且完全地用去离子水(DIW)去除。
基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量,去离子水的含量可优选为70wt%或更少,且更优选为1wt%至45wt%。如果去离子水含量大于70wt%,抗蚀剂剥离剂组合物可能降低抗蚀剂溶剂化能力,进而降低处理量。此外,当基板长时间浸没于其中时,抗蚀剂剥离剂组合物可能引起金属布线的腐蚀。
本发明的抗蚀剂剥离剂组合物可通过将上述成分以上述量进行混合来制备,对于混合并没有特别的限制。只要是本领域已知的,可使用任何混合方法。
通常情况下,可通过浸没来实现用根据本发明的平板显示器用抗蚀剂剥离剂组合物去除抗蚀剂。然而,也可采用诸如喷雾的其它技术。在用本发明的组合物处理显示器后,甚至可用水代替诸如醇的有机溶剂来充分冲洗显示器。
根据本发明的另一方面,本发明提供一种用于制造平板显示器基板的方法,所述方法包括使用本发明的抗蚀剂剥离剂组合物来清洗平板显示器基板,并且提供一种由该方法制造的平板显示器基板。
本发明的抗蚀剂剥离剂组合物可有效应用于平板显示器的抗蚀剂去除过程中,并且可适用于半导体和其它电子设备。
通过以下实施例可更好地理解本发明,以下实施例用于说明而提出,不应解释为限制本发明。
实施例1至实施例10以及比较例1至比较例5:抗蚀剂剥离剂组合物的制备
用下表1中示出的成分制备了抗蚀剂剥离剂组合物。
表1
(单位:wt%)
备注):MTBT:4-甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]***
DMTBT:5,6-二甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]***
MDEA:N-甲基二乙醇胺
DMEA:N,N-二甲基乙醇胺
TEA:三乙醇胺
AEE:2-(2-氨基乙氧基)乙醇
EDG:二乙二醇单***
MDG:二乙二醇单甲醚
NMF:N-甲基甲酰胺
NEF:N-乙基甲酰胺
DMPA:N,N-二甲基丙酰胺
NMP:N-甲基吡咯烷酮
THFA:四氢糠醇
HMDM:4-羟甲基-2,2-二甲基-1,3-二氧戊环
BTA:苯并***
tBMP:t-丁基-4-甲氧基苯酚
MIPA:单异丙醇胺
测试例:抗蚀剂剥离剂组合物性能的评价
测试例1.测试抗蚀剂剥离剂组合物的剥离能力
在下列实验中,测试了实施例1至实施例10以及比较例1至比较例5的抗蚀剂剥离剂组合物的剥离能力。
典型地,利用薄膜溅射方法在玻璃基板上沉积Mo/Al/Mo层和Cu/Ti层。在形成光致抗蚀剂图案之后,用湿蚀刻方法和/或干蚀刻方法中对金属膜进行蚀刻。为了评价剥离能力,将实施例1至实施例10以及比较例1至比较例5的抗蚀剂剥离剂组合物恒定地保持在50℃,然后将玻璃基板浸没在各个组合物中5分钟。
随后,用去离子水冲洗该基板1分钟,以去除在该基板上可能残留的剥离剂溶液,并且用氮气充分干燥以去除可能残留的去离子水。在扫描电子显微镜(SEM,日立S-4700)下进行检测以观察基板是否劣化或在基板上是否存在固化的抗蚀剂或干蚀刻残渣。结果总结在下表2中。
[剥离能力的评价标准]
◎:非常好
○:好
Δ:中等,部分存在残渣
X:差,不能去除残渣
测试例2:测试抗蚀剂剥离剂组合物的抗污渍效果
对在剥离过程之后当抗蚀剂剥离剂组合物与去离子水在基板上接触时形成的污渍进行检测。为此,将抗蚀剂图案化的基板浸没在保持在50℃的实施例1至实施例10以及比较例1至比较例5的抗蚀剂剥离剂组合物中5分钟,随后将基板从组合物中取出,并且在用去离子水清洗1分钟之前使其与去离子水接触1分钟。然后,用氮气充分干燥基板以去除残留在基板上的去离子水。在卤素灯下检测污渍。结果示于下表2中。
[抗污渍效果的评价标准]
◎:非常好
○:好
Δ:中等
X:差
测试例3:抗蚀剂剥离剂组合物对金属布线的抗腐蚀性能
进行了以下实验来评价实施例1至实施例10以及比较例1至比较例5的抗蚀剂剥离剂组合物对金属布线的抗腐蚀性能。
将Cu布线暴露在其上的基板浸没在已保持在50℃的实施例1至实施例10以及比较例1至比较例5的抗蚀剂剥离剂组合物中10分钟。随后,清洗并干燥基板,通过扫描电子显微镜(SEM,日立S-4700)对抗蚀剂剥离剂组合物的抗腐蚀性能进行检测。结果示出在下表2中。
[抗腐蚀性能的评价标准]
◎:非常好,无腐蚀
○:好,几乎无腐蚀
Δ:中等,部分被腐蚀,表面粗糙度改变
×:差,被腐蚀和蚀刻
表2
从表2的数据可明显看出,根据本发明的实施例1至实施例10的抗蚀剂剥离剂组合物对其上形成有Mo/Al/Mo布线或Cu/Ti布线的基板表现出优异的剥离能力,并且对Cu和Al布线表现出优异的抗腐蚀性能。
相比之下,尽管比较例1至比较例5的组合物的剥离能力类似于本发明的组合物的剥离能力,但是它们表现出低得多的抗污渍效果。具体地,分别单独使用叔烷醇胺的比较例4和比较例5的组合物与实施例的组合物相比具有较差的抗污渍效果,这表明伯烷醇胺和叔烷醇胺的混合物以协同的方式防止污渍的形成。比较例1至比较例5的组合物的剥离能力和抗腐蚀性能得分较低。
具有优异抗蚀剂剥离能力的本发明的抗蚀剂剥离剂组合物能够有效地去除抗蚀剂,并确保最大限度地保护金属布线(例如铝和/或铜)不受腐蚀。另外,上述抗蚀剂剥离剂组合物防止当基板上的抗蚀剂残渣与去离子水接触时形成污渍。
如上所述,已在附图和说明书中公开了本发明的最佳实施方式。尽管本说明书中已使用了特定术语,但这些术语仅用于描述本发明,而非用于限制本发明的含义或者所附权利要求书中描述的本发明的范围。因此,本领域技术人员将理解来自本发明实施方式的各种修改和其它等效实施方式是可能的。因此,本发明的技术范围应由权利要求书的技术思想来限定。
Claims (11)
1.一种抗蚀剂剥离剂组合物,包括:
基于所述抗蚀剂剥离剂组合物的总重量,
0.0001wt%至0.1wt%的由以下化学式1表示的化合物(A);
0.01wt%至10wt%的包括伯烷醇胺和叔烷醇胺的烷醇胺(B);
20wt%至85wt%的伯醇(C);以及
5wt%至75wt%的极性非质子溶剂(D);
[化学式1]
其中,R1和R8各自独立地为氢原子或C1~C4烷基。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离剂组合物,其中,所述化合物(A)选自由4-甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]***、5-甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]***、5,6-二甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]***、4,6-二甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]***以及它们的组合所组成的组。
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离剂组合物,其中,所述烷醇胺(B)包括重量比为1:0.1~0.1:1的伯烷醇胺和叔烷醇胺。
4.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离剂组合物,其中,所述伯醇(C)包括重量比为1:0.1~0.1:1的亚烷基二醇类伯醇和非亚烷基二醇类伯醇。
5.根据权利要求3所述的抗蚀剂剥离剂组合物,其中,所述伯烷醇胺为选自由单乙醇胺、异丙醇胺和2-(2-氨基乙氧基)乙醇所组成的组中的至少一种;以及所述叔烷醇胺为选自由甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和三乙醇胺所组成的组中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离剂组合物,其中,所述伯醇(C)为选自由乙二醇单甲醚、乙二醇单***、乙二醇单异丙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单***、二乙二醇单异丙醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单***、三乙二醇单异丙醚、三乙二醇单丁醚、聚乙二醇单甲醚、聚乙二醇单丁醚、二乙二醇、三乙二醇、异丙基乙二醇、四氢糠醇、羟甲基环戊烯、4-羟甲基-1,3-二氧戊环、2-甲基-4-羟甲基-1,3-二氧戊环、2,2-二甲基-1,3-二氧戊环-4-甲醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇以及2-甲氧基乙醇所组成的组中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离剂组合物,其中,所述极性非质子溶剂(D)选自由吡咯烷酮化合物、咪唑啉酮化合物、内酯化合物、亚砜化合物、磷酸酯化合物、碳酸酯化合物、酰胺化合物以及它们的组合所组成的组。
8.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离剂组合物,进一步包括选自由抗腐蚀剂和去离子水所组成的组中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的抗蚀剂剥离剂组合物,其中,基于所述抗蚀剂剥离剂组合物的总重量,所述抗腐蚀剂的用量为3wt%或更少,所述去离子水的用量为70wt%或更少。
10.一种用于制造平板显示器基板的方法,包括:使用根据权利要求1至9中任一项所述的抗蚀剂剥离剂组合物冲洗所述平板显示器基板。
11.一种通过权利要求10所述的方法制造的平板显示器基板。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2014-0123691 | 2014-09-17 | ||
KR20140123691 | 2014-09-17 | ||
KR1020150095667A KR102392027B1 (ko) | 2014-09-17 | 2015-07-06 | 레지스트 박리액 조성물, 상기 조성물을 사용하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조방법, 및 상기 제조방법으로 제조된 플랫 패널 디스플레이 기판 |
KR10-2015-0095667 | 2015-07-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105425554A CN105425554A (zh) | 2016-03-23 |
CN105425554B true CN105425554B (zh) | 2019-10-25 |
Family
ID=55503843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510589693.7A Active CN105425554B (zh) | 2014-09-17 | 2015-09-16 | 抗蚀剂剥离剂组合物、平板显示器的制法及平板显示器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105425554B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102414295B1 (ko) * | 2016-01-22 | 2022-06-30 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 |
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C06 | Publication | ||
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