CN105387816A - 一种基于s型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,它由宽带光源、入射单模光纤、S型光纤、长周期光栅、出射单模光纤、光功率计构成,其中长周期光栅刻于S型光纤上。通过将该传感结构固定在需测量的微位移平台上,当待测微位移发生变化时,S型光纤由于轴向应力导致弯曲度发生变化,即S型光纤两侧的垂直距离随着待测微位移的增大而减小,S型光纤的纤芯和包层能量分布发生变化,导致测量装置输出谐振峰的光强发生改变,通过监测该变化可以获得微位移的变化量。该装置可以避免使用复杂和昂贵的检测和解调***,能够在环境参数测量中广泛地使用。
Description
技术领域
本发明属于微位移参数测量领域,具体为一种能够测量微米量级微位移的测量装置。
技术背景
在光学设备和一些工业应用中比如微加工,机器人技术,原子力显微镜和微机电***等需要精确的操作控制应用方面,微位移测量是一个关键因素,长期以来受到国内外研究学者的高度关注。常见的光纤光学微位移测量有如下结构、布拉格光纤光栅、长周期光纤光栅、光纤锥、错位光纤。这些结构都比较简单,容易制造,但是大部分上述的结构都是波长解调类型,所以不可避免的使用复杂和昂贵的检测和解调***。最近新型强度解调类型的光纤光栅微位移传感器引起了广泛的关注。如利用单模和光子晶体光纤构成马赫曾德尔干涉仪,结构简单,微位移灵敏度,但是该传感器的制造需要昂贵的光子晶体光纤;利用蝴蝶结锥光纤和错位光纤构成马赫曾德尔干涉仪,也具有很高的微位移灵敏度,但是该结构复杂,脆弱异断,并且容易受外界环境的影响。
本发明公开的一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,采用中心波长为1550nm的宽光谱作为测量用光源,利用熔接机在普通单模光纤上形成S型结构,在其上刻写长周期光栅形成微位移传感头,通过将该测量装置固定在待测微位移平台上,利用测量装置输出谐振峰的强度随被测微位移的变化特征,达到测量微位移的目的。本发明的优点在于:仅通过在S型光纤上刻写长周期光栅,就能实现微位移的高精度传感,仅通过监测输出光强的变化可以实现微位移的测量。由于是强度解调型测量装置,可以避免使用复杂昂贵的检测和解调***,可以在多种环境参数测量中广泛使用。
发明内容
本发明的目的在于提出一种结构简单、测量精度高的光纤微位移测量装置。
本发明采用的技术方案为:
一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,包括宽带光源(1)、入射单模光纤(2)、S型光纤(3)、长周期光栅(4)、出射单模光纤(5)、光功率计(6)。宽带光源(1)的输出端与入射单模光纤(2)的一端相连,入射单模光纤(2)的另一端与长周期光栅(4)的一端相连,长周期光栅(4)的另一端与出射单模光纤(5)的一端相连,出射单模光纤(5)的另一端与光功率计(6)相连,S型光纤(3)位于长周期光栅(4)的中间。
所述的一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,其特征在于宽带光源(1)的工作波长为1520nm-1570nm。
所述的一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,其特征是S型光纤(3)位于长周期光栅(4)的中间,其中S型光纤(3)的错位宽度和长度分别为35.478um与686um。
所述的一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,其特征是长周期光栅(4)刻在S型光纤(3)上,其周期和长度分别为600um与24mm。
本发明的工作原理是:宽带光源1发出的光通过一段入射单模光纤2后进入长周期光栅4后,除了包层中损耗的光外,其余光通过出射单模光纤5输出。当待测微位移发生变化时,长周期光栅4的周期和S型光纤3的弯曲度均发生变化,且以S型光纤3的弯曲度变化为主。S型光纤3的弯曲度变化引起S型光纤中纤芯能量Icore和包层能量Iclad两者的分配发生变化,导致测量装置输出光谱的条纹可见度k发生变化,其表达式表示如下:
式中Icore为纤芯中的光强,Iclad为包层中的光强。对公式(1)求导可知,当Icore和Iclad中的能量相等,即Icore与Iclad的比值为1时,测量装置输出条纹可见度最强。
本发明的有益效果是:仅仅通过普通单模光纤形成的S型光纤上刻写长周期光栅即可形成强度解调型微位移测量装置,不在依赖于传统的光谱仪,仅仅利用光功率计即可实现微位移的测量。此外,所述的测量装置有较高的灵敏度,在0-50um范围内,灵敏度高达0.172dB/um。该方法能够广泛应用在其他类似参数测量中。
附图说明
图1是一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置的结构示意图;
图2为被测微位移与谐振峰强度的关系示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明进一步描述:
参见图1所示,一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,包括宽带光源(1)、入射单模光纤(2)、S型光纤(3)、长周期光栅(4)、出射单模光纤(5)、光功率计(6);宽带光源(1)的输出端与入射单模光纤(2)的一端相连,入射单模光纤(2)的另一端与长周期光栅(4)的一端相连,长周期光栅(4)的另一端与出射单模光纤(5)的一端相连,出射单模光纤(5)的另一端与光功率计(6)相连,S型光纤(3)位于长周期光栅(4)中间。
上述的一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,其宽带光源(1)的工作波长为1520nm-1570nm;所述的S型光纤(3)位于长周期光栅(4)的中间,其长度分别为35.478um与686um;所述的长周期光栅(4)的周期和长度分别为600um与24mm。
一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,其工作方式为:宽带光源1的中心波长为1550纳米,其发出的光通过入射单模光纤2后进入长周期光栅4时,一部分光进入长周期光栅4与S型光纤3的包层,另一部分光保持在纤芯中传输,当纤芯和包层中的光传输到出射单模5时,两束光相遇产生特定波长的谐振峰。当外界微位移发生变化时,S型光纤的弯曲度随着微位移的增大而减小,从而导致谐振峰强度发生变化,长周期光栅的周期变化远小于S型光纤的弯曲度变化,可以忽略。图2为被测微位移与谐振峰强度的关系示意图,微位移测量范围为0-50um时,测量灵敏度高达0.172dB/um。
Claims (4)
1.一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,包括宽带光源(1)、入射单模光纤(2)、S型光纤(3)、长周期光栅(4)、出射单模光纤(5)光功率计(6)。宽带光源(1)的输出端与入射单模光纤(2)的一端相连,入射单模光纤(2)的另一端与长周期光栅(4)的一端相连,长周期光栅(4)的另一端与出射单模光纤(5)的一端相连,出射单模光纤(5)的另一端与光功率计(6)相连,S型光纤(3)位于长周期光栅(4)中间。
2.根据权利要求书1所述的一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,其特征是宽谱光源(1)的工作波长为1520nm-1570nm。
3.根据权利要求书1所述的一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,其特征是S型光纤(3)位于长周期光栅(4)的中间,其中S型光纤(3)的错位宽度和长度分别为35.478um和686um。
4.根据权利要求书1所述的一种基于S型光纤的强度解调型长周期光栅微位移测量装置,其特征是长周期光栅(4)刻在S型光纤(3)上,其周期和长度分别为600um和24mm。
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