CN105321845A - 基板处理装置及基板处理装置监控方法 - Google Patents

Abstract

本发明系关于基板处理装置及基板处理装置监控方法。本发明之一个实施例的基板处理装置包括：制程腔室，其对基板进行处理；以及控制部，其监控作为该基板于该制程腔室中处理之时间的处理制程时间，且藉由该处理制程时间之长度变化来监控该制程腔室之操作状态。

Description

基板处理装置及基板处理装置监控方法

技术领域

本发明系关于基板处理装置及基板处理装置监控方法。

背景技术

为制造半导体组件及平板显示设备，执行显影、蚀刻以及清洁等各种制程。此等各种制程系藉助于具有加载互锁腔室、制程腔室等以及向其之间移送基板的机器人之基板处理装置而执行。

基板处理装置在开始使用后，各组件随着时间的经过而老化。当各组件之老化程度严重时，若置之不理，则基板处理装置可能错误操作或停止操作。

发明内容

[欲解决之课题]

本发明旨在提供一种能够高效地处理基板的基板处理装置及基板处理装置监控方法。

另外，本发明旨在提供一种能够在归因于装置之老化或破损等而发生操作故障之前感知是否发生问题的基板处理装置及基板处理装置监控方法。

另外，本发明旨在提供一种能够以标准时间为基础感知是否发生问题的基板处理装置及基板处理装置监控方法。

[解决课题之技术方案]

根据本发明之一个态样，可提供一种基板处理装置，包括：制程腔室，其对基板进行处理；以及控制部，其监控作为该基板于该制程腔室中处理之时间的处理制程时间，且藉由该处理制程时间之长度变化来监控该制程腔室之操作状态。

另外，该控制部可利用比较该处理制程时间长度与预先设置的标准时间的方法来监控该制程腔室。

另外，该标准时间可测定为多次量测该处理制程时间之数据的平均值。

另外，该标准时间可以设计值来提供。

另外，该控制部可在该处理制程时间超出设置成包含该标准时间之时段时，判定为该制程腔室有发生异常之可能性。

另外，该控制部可在该处理制程时间超出设置成包含该标准时间之时段时，判定为该制程腔室有发生异常之可能性，且根据该等资料测定的该时段之范围为该标准时间前后的3σ范围。

另外，该控制部可在该处理制程时间超出设置成包含该标准时间之时段时，判定为该制程腔室有发生异常之可能性，且根据该等资料测定的该时段之范围为该标准时间前后的2σ范围。

另外，该控制部可在该处理制程时间超出设置成包含该标准时间之时段时，判定为该制程腔室有发生异常之可能性，且根据该等资料测定的该时段之范围为该标准时间前后的1σ范围。

另外，该时段之范围可测定为设计值。

另外，该时段可以该标准时间为基准，左侧与右侧之宽度做不同地设置。

根据本发明之另一态样，可提供一种基板处理装置，包括：设备前端模块，其供基板搬入；加载互锁腔室，其配置来邻接该设备前端模块以提供该基板临时备用之空间；制程腔室，其对该基板进行处理；传送腔室，其四周配置有该制程腔室以在该制程腔室与该加载互锁腔室之间移送该基板；以及控制部，其监控该基板在该设备前端模块、该加载互锁腔室、该制程腔室或该传送腔室停留的制程时间，藉由该制程时间之长度来感知发生异常之可能性。

另外，该控制部可利用比较该制程时间长度与预先设置的标准时间的方法来感知发生异常之可能性。

另外，该标准时间可测定为多次量测该制程时间之数据的平均值。

另外，该标准时间可以设计值来提供。

另外，该控制部可在该处理制程时间超出设置成包含该标准时间之时段时，判定为有发生异常之可能性。

根据本发明之又一态样，可提供一种基板处理装置监控方法，包括：监控步骤，监控基板在腔室中停留的制程时间；比较步骤，比较该制程时间与预先设置的标准时间；判断步骤，若该制程时间超出包含该标准时间之时段范围，则判定为该腔室有发生异常之可能性。

另外，该标准时间可测定为多次量测该制程时间之数据的平均值。

另外，该时段可根据该等资料测定为该标准时间前后的3σ范围。

另外，该时段可根据该等资料测定为该标准时间前后的2σ范围。

另外，该时段可根据该等资料测定为该标准时间前后的1σ范围。

另外，该标准时间可以设计值来提供。

[发明效果]

根据本发明之一个实施例，可提供能够高效地处理基板的基板处理装置及基板处理装置监控方法。

另外，根据本发明之一个实施例，可提供能够在归因于装置老化或破损等而发生操作故障之前感知是否发生问题的基板处理装置及基板处理装置监控方法。

另外，根据本发明之一个实施例，可提供能够以标准时间为基础感知是否发生问题的基板处理装置及基板处理装置监控方法。

附图说明

图1为展示本发明之实施例的基板处理装置之平面图。

图2为展示基板处理装置之控制关系图。

图3为展示能够在图1之制程模块中提供的制程腔室之图。

图4为比较基板于基板处理装置中之处理过程中需要的总制程时间之曲线图。

图5为比较图4之总制程时间中的处理制程时间之曲线图。

图6为展示藉由制程时间来感知基板处理装置异常的过程之流程图。

图7为展示另一实施例的制程时间监控方法之图。

图8为展示处理制程时间之分布的曲线图。

具体实施方式

以下参照附图，更详细地描述本发明之实施例。本发明之实施例可以变更为多种形态，本发明之范围不得解释为限定于以下实施例。该等实施例系提供用于向熟习此项技术者更完全地阐释本发明。因此，附图中之要素的形状出于突出更明确描绘的目的而进行夸示。

图1为展示本发明之实施例的基板处理装置之平面图。

如图1所示，基板处理装置(1)具有设备前端模块(equipmentfrontendmodule,EFEM)(20)及制程处理部(30)。设备前端模块(20)与制程处理部(30)向一个方向配置。下面，把设备前端模块(20)与制程处理部(30)排列的方向定义为第一方向(X)，把从上部观察时垂直于第一方向(X)的方向定义为第二方向(Y)。

设备前端模块(20)具有加载埠(loadport,10)及移送框架(21)。加载埠(10)沿第一方向(11)配置于设备前端模块(20)之前方。加载埠(10)具有多个支撑部(6)。各个支撑部(6)沿第二方向(Y)配置成一列，该等支撑部置放有承载装置(4)(例如，小盒、FOUP等)，该等承载装置收纳将提供至制程之基板(W)及制程处理完成之基板(W)。承载装置(4)中收纳有将提供至制程之基板(W)及制程处理完成之基板(W)。移送框架(21)配置于加载端口(10)与制程处理室(30)之间。移送框架(21)于其内部配置有包含向加载埠(10)与制程处理部(30)之间移送基板(W)之第一移送机器人(25)。第一移送机器人(25)沿着向第二方向(Y)配备的移送轨道(27)移动，向承载装置(4)与制程处理室(30)之间移送基板(W)。

制程处理室(30)包括加载互锁腔室(40)、传送腔室(50)以及制程腔室(60)。

加载互锁腔室(40)邻接移送框架(21)配置。作为一个示例，加载互锁腔室(40)可配置于传送腔室(50)与设备前端模块(20)之间。加载互锁腔室(40)提供将提供至制程之基板(W)于移送至制程腔室(60)之前，或完成制程处理之基板(W)于移送至设备前端模块(20)之前备用的空间。

传送腔室(50)邻接加载互锁腔室(40)配置。传送腔室(50)自上部观察时具有多边形主体。如图1所示，传送腔室(50)自上部观察时具有五边形主体。在主体外侧，加载互锁腔室(40)与多个制程腔室(60)沿着主体四周配置。在主体之各侧壁上形成有供基板(W)出入之信道(未图标)，该等信道连接传送腔室(50)与加载互锁腔室(40)或制程腔室(60)。在各信道中，提供对信道进行开闭而使内部密闭的门(未图示)。在传送腔室(50)之内部空间，配置有向加载互锁腔室(40)与制程腔室(60)之间移送基板(W)之第二移送机器人(53)。第二移送机器人(53)将在加载互锁腔室(40)备用的未处理基板(W)移送至制程腔室(60)，或将完成制程处理之基板(W)移送至加载互锁腔室(40)。而且，为向多个制程腔室(60)依次提供基板(W)，向制程腔室(60)之间移送基板(W)。如图1所示，当传送腔室(50)具有五边形主体时，在与设备前端模块(20)邻接之侧壁处，分别配置有加载互锁腔室(40)，在其余侧壁连续配置有制程腔室(60)。传送腔室(50)不仅为上述形状，亦可根据要求的制程模块而以多种形态提供。

制程腔室(60)沿着传送腔室(50)四周配置。制程腔室(60)可提供多个。在各个制程腔室(60)内进行对基板(W)之制程处理。制程腔室(60)自第二移送机器人(53)接收基板(W)移送以便进行制程处理，再将完成制程处理之基板(W)提供至第二移送机器人(53)。在各个制程腔室(60)中进行的制程处理可互不相同。制程腔室(60)执行之制程可为利用基板(W)生产半导体组件或显示面板之制程中的一种制程。例如，制程腔室(60)执行之制程可执行诸如气相沈淀制程、蚀刻制程、清洁制程、显影制程、灰化制程及烘焙制程等的制程之一。以下以制程腔室(60)包括利用电浆处理基板(W)之制程模块(100)(图3的100)的情形为例进行说明。

图2为展示基板处理装置之控制关系图。

如图2所示，基板处理装置(1)受控制部(70)控制。具体而言，移送框架(21)、加载互锁腔室(40)、传送腔室(50)及制程腔室(60)之各构成受控制部(70)控制。另外，控制部(70)可藉由移送框架(21)、加载互锁腔室(40)、传送腔室(50)及制程腔室(60)之各构成的操作相关信号来监控此等构成之操作状态。

图3为展示能够在图1之制程模块中提供的制程腔室之图。

如图3所示，制程模块(100)可位于制程腔室(60)中。制程模块(100)利用电浆处理基板(W)。作为一个示例，制程模块(100)可蚀刻基板(W)上之薄膜。薄膜可为多晶硅膜、硅氧化膜以及硅氮化膜等多样种类的膜。另外，薄膜可为自然氧化膜或化学产生的氧化膜。

制程模块(100)具有外壳(120)、电浆产生室(140)、支撑单元(supportunit,200)、制程气体供应部(280)以及挡板(500,baffle)。

外壳(120)提供藉助于电浆而进行基板(W)处理之内部空间(122)。外壳(120)在内部具有上部敞开空间(122)。外壳(120)大致可以圆筒状来提供。在外壳(120)之侧壁提供开口(121)。基板(W)经由开口(121)出入外壳(120)内部。开口(121)藉助于诸如门(未图示)之开闭构件来开闭。在外壳(120)内执行对基板(W)之处理期间，开闭构件封闭开口(121)，当基板(W)搬入外壳(120)内部时/搬出至外部时，使开口(121)敞开。

在外壳(120)之底部上形成有排气孔(124)。排气孔(124)与排气管线(126)连接。在排气管线(126)上安装有泵(128)。泵(128)将外壳(120)内之压力调节为制程压力。外壳(120)内之残留气体及反应副产物经验排气管线(126)排出外壳(120)外部。此时，外壳(120)内部之停留气体及反应副产物可经由排气板(260)之孔流入排气孔(124)。在外壳(120)之外侧可提供壁面加热器(129)。壁面加热器(129)可以线圈形状提供。选择性地，壁面加热器(129)可在制程腔室(60)之外壁内部提供。

电浆产生室(140)提供自制程气体产生电浆之空间(149)。电浆产生室(140)位于外壳(120)的外部。根据一个示例，电浆产生室(140)位于外壳(120)之上部，结合于外壳(120)。电浆产生室(140)具有气体埠(142)、放电室(144)以及扩散室(146)。气体埠(142)、放电室(144)以及扩散室(146)按自上而下之方向依次提供。气体埠(142)自外部接受供应气体。放电室(144)具有中空圆筒状。当自上部观察时，放电室(144)内之空间(149)提供成比外壳(120)内之空间(121)窄。在放电室(144)内，自气体产生电浆。扩散室(146)将在放电室(144)产生的电浆供应至外壳(120)。扩散室(146)内之空间具有愈向下愈逐渐变宽之部分。扩散室(146)之下端与外壳(120)之上端结合，在其之间，提供密封构件(未图示)来与外部密闭。

制程腔室(60)以导电性材料提供。制程腔室(60)可藉由接地线(123)接地。外壳(120)与电浆产生室(140)可均以导电性材料提供。作为一个示例，外壳(120)及电浆产生室(140)可以铝材料提供。选择性地，制程腔室(60)可由金属材料与非金属材料一同构成。作为一个示例，金属材料可为铝(Al)，非金属材料可为氧化铝(Al2O3)。

支撑单元(200)支撑基板(W)。支撑单元(200)具有支撑板(220)及支撑轴(240)。支撑板(220)位于空间(121)内，以圆板状提供。支撑板(220)由支撑轴(240)支撑。基板(W)置放于支撑板(220)之顶部。在支撑板(220)内部提供电极(未图示)，基板(W)可藉助于静电力而固定于支撑板(220)。选择性地，基板(W)可藉助于机械式夹具而固定于支撑板(220)，或无需另外的固定构件而置放于支撑板(220)上。在支撑板(220)内部，可提供加热构件(222)。根据一个示例，加热构件(222)可以热管线提供。另外，在支撑板(220)内部，可提供冷却构件(224)。冷却构件(224)可以供冷却水流动之冷却管线提供。加热构件(222)将基板(W)加热至预先设置的温度，冷却构件(224)使基板(W)强制冷却。选择性地，在制程模块(100)中，可不提供加热构件(222)或冷却构件(224)。在支撑单元(200)中，可形成有顶起孔(未图示)。在顶起孔中，分别提供顶销(未图示)。顶销在基板(W)加载于支撑单元(200)上或卸除时，沿着顶起孔升降。

另外，外壳(120)包括排气板(260)。作为一个示例，排气板(260)可提供来使支撑单元(200)与外壳(120)之内侧面连接。与之不同，排气板(260)可提供来使外壳(120)之内侧面与顶销(未图示)连接。排气板(260)包括孔。排气板(260)可将外壳(120)内残留的气体及反应副产物等经由排气孔(124)排出。选择性地，外壳(120)可不包括排气板(260)。

制程气体供应部(280)具有气体供应单元(300,gassupplyunit)及电浆源(400,plasmasource)。制程气体供应部(280)将电浆状态的制程气体供应至制程模块(100)内部。

气体供应单元(300)具有第一气体供应构件(320)及第二气体供应构件(340)。

第一气体供应构件(320)具有第一气体供应管线(322)及第一气体储存部(324)。第一气体供应管线(322)结合于气体埠(142)。经由气体埠(142)供应的第一气体流入放电室(144)，在放电室(144)中激发成电浆。第一气体可包括二氟甲烷(CH2F2,Difluoromethane)、氮气(N2)及氧气(O2)。选择性地，第一气体亦可包括四氟化碳(CF4,Tetrafluoromethane)等其他种类之气体。

第二气体供应构件(340)具有第二气体供应管线(342)及第二气体储存部(344)。第二气体在自第一气体产生的电浆向外壳(120)流动的路径上供应。作为一个示例，第二气体供应管线(342)在比后述天线(420)更下方的区域结合于放电室(144)。第二源气体可包括三氟化氮(NF3,Nitrogentrifluoride)。

因上述结构，第一气体藉助于电力而直接激发成电浆，第二气体藉助于与第一气体的反应而激发成电浆。

在该示例中，第一气体与第二气体之种类可多样地变更。另外，可无需提供第二气体供应构件(340)而只提供第一气体供应构件(320)。

电浆源(400)使得在放电室(144)中自第一气体产生电浆。根据一个示例，电浆源(400)可为电感耦合电浆源(400)。电浆源(400)可具有天线(420)及电源(440)。天线(420)在放电室(144)外部提供，提供成以多个圈环绕放电室(144)。天线(420)之一端连接于电源(440)，另一端接地。电源(440)向天线(420)接入电力。根据一个示例，电源(440)可向天线(420)接入高频电力。

挡板(500)位于外壳(120)与电浆产生室(140)之间。挡板(500)包括挡板孔(522)。挡板(500)在电浆向基板(W)供应时，在外壳(120)内全部区域均匀地保持电浆之密度与流动。电浆可藉由挡板孔(522)供应。挡板(500)接地。根据一个示例，挡板(500)提供成接触制程腔室(60)，可藉由制程腔室(60)而接地。选择性地，挡板(500)可直接连接于另外的接地线。因此，藉助于挡板(500)，自由基(radical)供应至外壳(120)，离子与电子向外壳(120)内的流入受到阻碍。挡板(500)固定于制程腔室(60)中。根据一个示例，挡板(500)可结合于电浆产生室(140)之下端。

图4为比较基板于基板处理装置中之处理过程中需要的总制程时间之曲线图，图5为比较图4之总制程时间中的处理制程时间之曲线图。

如图4及图5所示，基板(W)在制程腔室(60)中进行处理，此需要处理制程时间(PT)。另外，在基板(W)自载体(4)搬出后移动至制程腔室(60)之过程中，依次移动移送框架(21)、加载互锁腔室(40)及传送腔室(50)，此分别需要第一移送制程时间(PT1)、第二移送制程时间(PT2)及第三移送制程时间(PT3)。另外，在基板(W)在制程腔室(60)中处理后搬入载体(4)之过程中，依次移动传送腔室(50)、加载互锁腔室(40)及移送框架(21)，此需要第四移送制程时间(PT4)、第五移送制程时间(PT5)及第六移送制程时间(PT6)。如上该，基板(W)自载体(4)搬出，在制程腔室(60)中处理后，再次搬入载体(4)，此需要作为第一移送制程时间(PT1)至第六移送制程时间(PT6)与处理制程时间(PT)之和的总制程时间。

如图4所示，总制程时间可在各个基板(W)之处理过程中发生偏差。其原因起因于总制程时间中包含的各个制程时间(PT,PT1,PT2,PT3,PT4,PT5,PT6)之偏差。各个制程时间(PT,PT1,PT2,PT3,PT4,PT5,PT6)之偏差可能起因于在基板处理装置(1)正常操作过程中通常发生的原因。例如，因藉助于机器人(25,53)之基板(W)加载或卸除过程而在基板(W)之制程模块(100)内的布置过程等中所需的时间差，此会发生制程时间(PT,PT1,PT2,PT3,PT4,PT5,PT6)之偏差。

另外，制程时间(PT,PT1,PT2,PT3,PT4,PT5,PT6)之偏差可能起因于基板处理装置(1)之操作特性低下。例如，在制程模块(100)中，藉助于电浆之基板(W)处理系在外壳(120)内部达到设置压力后开始。因此，泵(128)对内部空间(122)之气体进行排气，使得内部空间(122)之压力达到设置压力。若泵(128)发生问题，则内部空间(122)之减压时间会增加。作为一个示例，若泵(128)之输出因泵(128)的老化或破损而下降，则将内部空间(122)减压至设置压力所需的时间增加。而且，减压时间之增加使处理制程时间(PT)增加。

另外，在制程模块(100)中，藉助于电浆之基板(W)处理可在支撑板(220)或基板(W)藉助于加热构件(222)而保持在既定温度范围之状态下执行。因此，当加热构件(222)因老化或破损而操作故障时，支撑板(220)或基板(W)达到既定温度范围之时间会变更。另外，若支撑板(220)或基板(W)未保持在既定温度范围，则藉助于电浆之处理效率低下，因而处理制程时间(PT)会增加。

另外，在监控内部空间(122)之压力的过程中发生的错误，会引起处理制程时间(PT)之变更。亦即，在内部空间(122)之压力未达到设置压力之状态下，若错误地监控为内部空间(122)之压力达到设置压力并执行处理制程，则处理制程时间(PT)将会缩短。

另外，当机器人(25,53)发生异常时，藉助于机器人(25,53)之基板(W)加载时间或卸除时间会延长。

如上所述，因基板处理装置(1)之操作特性低下而导致的制程时间(PT,PT1,PT2,PT3,PT4,PT5,PT6)之偏差，比在基板处理装置(1)正常操作时发生的制程时间(PT,PT1,PT2,PT3,PT4,PT5,PT6)之偏差大。

图6为展示藉由制程时间来感知基板处理装置异常的过程之流程图。

如图6所示，控制部(70)监控制程时间(PT,PT1,PT2,PT3,PT4,PT5,PT6)(S10)。例如，控制部(70)在基板(W)搬入工序模块(100)后，可藉由使开闭开口(121)之门进行操作的信号，获知制程腔室(60)之操作开始时间。而且，控制部(70)在基板(W)处理完全后，可藉由用于敞开开口(121)的门操作信号，获知制程腔室(60)之操作结束时间。而且，控制部(70)可藉由制程腔室(60)之操作开始时间及操作结束时间，监控处理制程时间(PT)。作为另一示例，控制部(70)可藉由第一移送机器人(25)之操作开始信号及操作结束信号的时间差，算出第一移送制程时间(PT1)或第六移送制程时间(PT6)。作为又一示例，控制部(70)可藉由第二移送机器人(53)之操作开始信号与操作结束信号的时间差，算出第三移送制程时间(PT3)或第四移送制程时间(PT4)。作为又一示例，控制部(70)可藉由第一移送机器人(25)之操作结束信号与第二移送机器人(53)之操作开始信号的时间差，获知第二移送制程时间(PT2)。作为又一示例，控制部(70)可藉由第二移送机器人(53)之操作结束信号与第一移送机器人(25)之操作开始信号时间差，获知第五移送制程时间(PT5)。另外，制程时间(PT,PT1,PT2,PT3,PT4,PT5,PT6)之开始时间点或结束时间点可根据上述不同的基准而定。以下以制程时间(PT,PT1,PT2,PT3,PT4,PT5,PT6)中之处理制程时间(PT)为例进行说明。但是，本发明并非限定于此，亦可以相同或类似方法应用于第一移送制程时间(PT1)至第六移送制程时间(PT6)。

图7为展示另一实施例的制程时间监控方法之图。

如图7所示，在与制程模块(100)之开口(121)邻近的位置处，可提供传感器(130)。例如，传感器(130)可在外壳(120)之外壁、与制程腔室(60)邻接之传送腔室之内壁等处提供。传感器(130)感知第二移送机器人(53)是否将基板(W)搬入制程腔室(60)，或自制程腔室(60)搬出。例如，传感器(130)以近接传感器(130)提供，可藉由第二移送机器人(53)经过与制程腔室(60)隔开既定距离的位置之时间点而感知基板(W)之搬入或搬出。控制部(70)可藉由自传感器(130)接收的信号，算出处理制程时间(PT)。

之后，控制部(70)比较制程时间(PT,PT1,PT2,PT3,PT4,PT5,PT6)与标准时间(S20)。

图8为展示处理制程时间之分布的曲线图。

如图8所示，处理制程时间(PT)之分布可为在既定时间之频度最高，愈向其两侧频度分布愈窄。若基板处理装置(1)在操作中发生异常，则在终止基板(W)处理之状态下执行维护。而且，基板处理装置(1)在解决异常后再次开始操作。因此，制程腔室(60)亦在操作特性上没有问题之状态下操作之频度形成得最高。结果，多个处理制程时间(PT)以适宜地处理基板(W)所需的既定时间为基准，愈向两侧，频度分布得愈小。其中，既定时间可选择为标准时间(Ts)。标准时间(Ts)在处理制程时间(PT)之分布曲线图上，可相当于处理制程时间(PT)之平均值。就为获得处理制程时间(PT)之分布曲线图而使用的数值而言，处理制程时间(PT)之数值愈大，处理制程时间(PT)之分布曲线图会愈接近正规分布。

作为又一示例，标准时间(Ts)可以基板处理装置(1)之设计值提供。可在各个设计过程中计算制程腔室(60)之各组件在正常操作过程中所需的时间。而且，藉由这些时间，可计算出制程腔室(60)理想地操作所需的时间，以用作标准时间(Ts)。

若处理制程时间(PT)超出标准时间，则控制部(70)判定为制程腔室(60)有发生异常之可能性(S30)，可发出用于将其告知操作者的警报(S40)。控制部(70)在处理制程时间(PT)超出基于标准时间(Ts)之时段(band)时，可发出警报。时段之范围可考虑处理制程时间(PT)之分布曲线图来设置。作为一个示例，时段之范围可设置为3σ(σ为标准偏差)以内的范围。因此，若处理制程时间(PT)超出1σ的范围，则控制部(70)可发出警报。另外，时段之范围亦可根据操作者要求之稳定性的可靠度而设置为2σ以内、1σ以内。另外，可以标准时间(Ts)为基准，不同地设置两侧之时段范围。可理解为，处理制程时间(PT)与标准时间之差异越大，制程腔室(60)之操作特性的异常程度越大。作为一个示例，处理制程时间(PT)超出标准时间(Ts)之原因，可为泵(128)因老化等因素而导致操作特性低下。而且，当对此置之不理时，可发生泵(128)的破损。因此，时段之范围愈加缩窄，愈能够及早掌握异常表征，事先执行维护操作。

作为又一示例，时段之范围亦可考虑制程腔室(60)之操作特性而以设计值来提供。

以上的详细说明系对本发明的示例。另外，前述内容列举并说明本发明之较佳实施形态，本发明可在多种其他组合、变更及环境下使用。亦即，能够在与本说明中揭示的发明之概念范围、所叙述的揭示内容等效的范围及/或所属行业之技术或知识的范围内进行变更或修改。所叙述之实施例说明用于体现本发明技术思想之最佳状态，但亦可进行本发明之具体应用领域及用途所要求的多种变更。因此，以上发明的详细说明并非意在将本发明限定于所揭示的实施状态。另外，附加申请专利范围应解释为亦涵盖其他实施状态。

【符号说明】

1基板处理装置

4承载装置

6支撑部

10加载埠

11第一方向

20设备前端模块

21移送框架

25第一移送机器人

27移送轨道

30制程处理室

40加载互锁腔室

50传送腔室

53第二移送机器人

60制程腔室

70控制部

100制程模块

120外壳

220支撑板

280制程气体供应部

300气体供应单元

Claims (21)

1.一种基板处理装置，包括：

一制程腔室，其对一基板进行处理；以及

一控制部，其监控作为该基板于该制程腔室中处理之时间的一处理制程时间，且藉由该处理制程时间之长度变化来监控该制程腔室之一操作状态。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，该控制部利用比较该处理制程时间长度与一预先设置的标准时间的方法来监控该制程腔室。

3.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，该标准时间测定为多次量测该处理制程时间之数据的一平均值。

4.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，该标准时间以设计值来提供。

5.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，该控制部在该处理制程时间超出设置成包含该标准时间之时段时，判定为该制程腔室有发生异常之可能性。

6.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，该控制部在该处理制程时间超出设置成包含该标准时间之时段时，判定为该制程腔室有发生异常之可能性，且根据该等资料测定的该时段之范围为该标准时间前后的3σ范围。

7.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，该控制部在该处理制程时间超出设置成包含该标准时间之时段时，判定为该制程腔室有发生异常之可能性，且根据该等资料测定的该时段之范围为该标准时间前后的2σ范围。

8.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，该控制部在该处理制程时间超出设置成包含该标准时间之时段时，判定为该制程腔室有发生异常之可能性，且根据该等资料测定的该时段之范围为该标准时间前后的1σ范围。

9.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，该时段之范围测定为一设计值。

10.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，该时段以该标准时间为基准，左侧与右侧之宽度做不同地设置。

11.一种基板处理装置，包括：

一设备前端模块，其供一基板搬入；

一加载互锁腔室，其配置来邻接该设备前端模块以提供该基板临时备用之空间；

一制程腔室，其对该基板进行处理；

一传送腔室，其四周配置有该制程腔室以在该制程腔室与该加载互锁腔室之间移送该基板；以及

一控制部，其监控该基板在该设备前端模块、该加载互锁腔室、该制程腔室或该传送腔室停留的制程时间，藉由该制程时间之长度来感知发生异常之可能性。

12.如权利要求11所述的基板处理装置，其中，该控制部利用比较该制程时间长度与一预先设置的标准时间的方法来感知发生异常之可能性。

13.如权利要求12所述的基板处理装置，其中，该标准时间测定为多次量测该制程时间之数据的一平均值。

14.如权利要求12所述的基板处理装置，其中，该标准时间以设计值来提供。

15.如权利要求12所述的基板处理装置，其中，该控制部在该处理制程时间超出设置成包含该标准时间之时段时，判定为该制程腔室有发生异常之可能性。

16.一种基板处理装置监控方法，包括：

一监控步骤，监控一基板在腔室中停留的制程时间；

一比较步骤，比较该制程时间与一预先设置的标准时间；

一判断步骤，若该制程时间超出包含该标准时间之时段范围，则判定为该腔室有发生异常之可能性。

17.如权利要求16所述的基板处理装置监控方法，其中，该标准时间测定为多次量测该制程时间之数据的一平均值。

18.如权利要求17所述的基板处理装置监控方法，其中，该时段根据该等数据测定为该标准时间前后的3σ范围。

19.如权利要求17所述的基板处理装置监控方法，其中，该时段根据该等数据测定为该标准时间前后的2σ范围。

20.如权利要求17所述的基板处理装置监控方法，其中，该时段根据该等数据测定为该标准时间前后的1σ范围。

21.如权利要求16所述的基板处理装置监控方法，其中，该标准时间以设计值来提供。