CN105304766A - 一种太阳能电池电极制备模具及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种太阳能电池电极制备模具及其制备方法，在模具中包括：上盖与底托，其中：底托包括至少一个放置待处理部件的凹槽部；在凹槽部周围设有限位结构；上盖包括与待处理部件的电极对应的第一镂空部，以及与限位结构对应的限位配合结构，第一镂空部与待处理部件的一面的电极尺寸相对应。在处理时，将待处理部件放置于凹槽部；盖上上盖，使限位结构及限位配合结构结合；在待处理部件一面处理结束后，翻转模具；对待处理部件另一面进行处理。采用本发明能够对待处理部件进行限位，从而能够对待处理部件精确限位，能够防止边缘镀膜导通，克服边缘漏电问题。

Description

一种太阳能电池电极制备模具及其制备方法

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池电极制备模具及其制备方法。

背景技术

太阳能电池电极包括正电极和背电极，通过接通两电极产生电流。太阳能电池以硅片为原材料，完成前工序后，进入PVD(PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积)镀膜设备中在两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片两面分别镀正电极和背电极；PVD镀膜是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分离化，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时把蒸发物或其反应物沉积在基材上。现有太阳能电池电极制作技术是将每个两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片放于单个模具中，然后进入PVD镀膜设备对每个两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片镀正、背电极。

现有的太阳能电池电极制备模具包括底托和与之配合使用的上盖，使用时先将两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片放在底托上，盖上正电极用上盖，然后进入PVD镀膜设备镀正电极，镀膜完毕后从PVD镀膜设备出来并取走正电极用上盖，人工依次对每个两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片进行手动翻片，再将上盖全部换成背电极用上盖，进入PVD镀膜设备镀背电极；其中仅靠底托上设置的与硅片尺寸一致的凹槽部来对硅片进行限位。

现有的太阳能电池电极制备模具存在如下不足：

1)现有技术中使用凹槽部来对硅片进行限位，为了保证凹槽部不会影响正、背电极的镀膜，需要将凹槽部的深度设置的较浅，使得硅片容易从凹槽部中跑偏，从而不能有效实现电池镀膜时硅片的精确限位，且硅片容易磕边、碎片率较高；

2)由于硅片在电极镀膜过程中无法实现精确限位，使得硅片正电极和背电极边缘很容易被镀膜从而将正电极与背电极通过边缘导电物质而连通起来，从而产生边缘漏电问题，为解决此问题，需增加一道激光扫边工序，这道工序增加了制作成本；

3)一套制备模具仅放一片硅片，且因正、背电极遮挡边不同，所用上盖模具也不同，需要人工翻片和更换模具，从而导致操作过程复杂且效率低，不能简易的实现正、背电极镀膜和批量化生产的应用。

发明内容

本发明提供了一种太阳能电池电极制备模具及其制备方法，用以提供一种能够对待处理部件进行精确限位的模具，以及能够在不需要更换制备模具的条件下即可对待处理部件进行太阳能电池电极制备。

本发明实施例中提供了一种太阳能电池电极制备模具，包括：上盖与底托，其中：

底托包括至少一个放置待处理部件的凹槽部；

在凹槽部周围设有限位结构；

上盖包括与待处理部件的电极对应的第一镂空部，以及与限位结构对应的限位配合结构，第一镂空部与待处理部件的一面的电极尺寸相对应。

较佳地，上盖进一步包括：

上盖遮挡部，用于遮挡待处理部件朝向上盖一面不需处理的部位。

较佳地，底托进一步包括：

底托遮挡部，用于遮挡待处理部件朝向底托一面不需处理的部位。

较佳地，底托进一步包括与待处理部件的另一面的电极尺寸相对应的第二镂空部。

较佳地，限位结构为腰型限位销或斜坡型腰型限位销。

较佳地，限位配合结构为限位销孔。

较佳地，限位结构沿凹槽部的四角对称分布。

较佳地，限位结构长度为1mm。

较佳地，模具的材质为铝合金。

本发明实施例中提供了一种使用上述模具进行太阳能电池电极制备的方法，包括：

将至少一个待处理部件放置于底托的凹槽部，待处理部件的侧面与限位结构的侧面相接触；

盖上上盖，使位于底托的限位结构及位于上盖的限位配合结构相结合；

在待处理部件一面的电极处理结束后，翻转模具；

对待处理部件另一面的电极进行处理。

较佳地，待处理部件是太阳能电池。

本发明有益效果如下：

由于在本发明实施例提供的模具中，增加了用于精确定位的限位结构及限位配合结构，所以能够对待处理部件进行限位，从而能够对待处理部件精确限位。

进一步的，由于设置有与待处理部件的电极尺寸相对应的镂空部，在待处理部件一面处理结束后，由于上盖设置有第一镂空部且底托设置有第二镂空部，制备电极过程中只需要翻转硅片，不需要更换制备模具，翻转模具即可对待处理部件另一面进行处理，因此操作过程简单且效率高。

由于模具中包括至少一个放置待处理部件的凹槽部，所以将待处理部件放置于凹槽部后，可以一次对多个待处理部件进行处理。

进一步的，由于采用了上盖遮挡部和/或底托遮挡部，防止边缘镀膜导通，使得待处理部件的边缘不会被连通起来，克服了边缘漏电问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例中太阳能电池电极制备模具结构示意图；

图2为本发明实施例中底托的结构示意图；

图3为本发明实施例中上盖的结构示意图；

图4为本发明实施例中腰型限位销放大示意图；

图5为本发明实施例中太阳能电池电极制备方法的流程示意图。

图中：

101-上盖

1011-限位销孔

1012-上盖遮挡部

1013-第一镂空部

102-待处理部件

103-底托

1031-限位销

1032-底托遮挡部

1033-第二镂空部

104-托盘边缘斜槽

105-悬挂孔

106-卡销

107-凹槽部

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式进行说明。

本发明实施例中将提出了一套制备模具，该模具仍由底托和上盖配合使用，但是针对原来凹槽部限位的缺陷，在凹槽部四边增加限位结构，对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片进行精确限位；在精确限位同时，该制备模具可对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的边缘进行有效遮挡，从而避免边缘漏电问题的发生，进而省去激光扫边工序，简化太阳能电池电极的制备工艺。同时，底托和上盖都设置了镂空部，分别与正电极与背电极对应，一面处理结束后翻转即可对另一面处理，可以省去更换制备模具的步骤，简化电极的制备过程。此外，原来单套模具仅放一片两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片改为可以放多片两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片，由原来只属实验性质的模具改进的具有生产可操作性，且减少人工翻片和更换模具过程，操作简易，节省人工，易于批量生产。

下面进行具体说明。

在实施说明中，对于在凹槽部周围设置的、用于定位的限位结构，以及配合其定位的限位配合结构，是一个上位概念，为了更好地理解限位结构以及限位配合结构的实施，具体实施中将直接以典型的、应用最为广泛的限位结构以及限位配合结构的下位具体结构装置限位销、限位销孔来进行说明；但是，用其它的装置也是可以的，是要其能够实现限位的作用即可，限位销、限位销孔仅用于教导本领域技术人员具体如何实施本发明，但不意味仅能使用限位销、限位销孔一种装置，实施过程中可以结合实践需要来确定相应的装置。

图1为太阳能电池电极制备模具结构示意图，图2为模具底托的结构示意图，图3为模具上盖的结构示意图，如图1所示，太阳能电池电极制备模具中包括：上盖101与底托103，其中：

底托包括至少一个放置待处理部件102的凹槽部107；实施中，容易理解，凹槽部不是一个部件，而是一个设有凹槽的部分，该凹槽部用以放置待处理部件，凹槽部的尺寸可以与待处理部件的尺寸相对应。关于尺寸相对应，在实施中，一个待处理部件将会占据一定的空间，凹槽部是用于放置待处理部件的，容易理解，该凹槽部留下的空间可以容纳待处理部件，就是待处理部件占据的空间与凹槽部留下的空间相对应，同时，待处理部件会表现出一定的形状，例如长宽高，那么，凹槽部在空间上能够容纳的同时，还与待处理部件的形状也是吻合的，本领域技术人员容易知晓，在需要将一个物体放入一个相适应的空间时，应该如何设计该空间，在对凹槽部进行设计时，至少可以按这样的方式进行设计。

实施中，待处理部件102是指欲用该模具进行处理的部件，以太阳能电池采用该模具进行电极制备为例，待处理部件为两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片。采用该模具制备电池时的处理手段有多种，例如可以为蒸镀、涂敷或者印刷等，因此，实施中，将欲用该模具进行处理的部件称为“待处理部件”，而具体的处理手段本领域技术人员可以视需要确定。

又如图2所示，在凹槽部周围设有限位销1031，如前所述，此处的限位销是限位结构的具体下位实例。

进一步的，底托还可以设有底托遮挡部1032和第二镂空部1033，这两个部分的具体实施方式会在下面进行说明。

又如图3所示，上盖包括与待处理部件的电极对应的第一镂空部1013，以及与限位销对应的限位销孔1011，第一镂空部与待处理部件的一面的电极尺寸相对应。需要说明的是，第一镂空部1013在空间位置上是与凹槽部对应的，同时，第一镂空部是用于保证待处理部件的处理形状的，因此，第一镂空部1013在形状上是与欲镀电极尺寸相对应的，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，其与正电极的处理尺寸相对应，实施中尺寸相对应的意思是，需要镀什么尺寸的电极形状，就将镂空部的形状设置成什么尺寸的形状，比如，电极是边长1cm的正方形，那么就将镂空部的形状设置成边长1cm的正方形。额外的，镂空部是用于保证待处理部件的处理形状的，因此下述的第二镂空部与第一镂空部的尺寸并无关系，而是与各自的处理形状相关，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，正电极与背电极处理的尺寸不同，两个镂空部尺寸也不同。

具体实施中，待处理部件可以是需要对两面都进行处理的部件，例如：两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片(在图2中以网格状图案示意)。以上述硅片为例，将硅片放入凹槽部后，通过上盖和底托的共同配合使用，即可实现硅片两侧的正电极、背电极的处理。其中，凹槽部，主要作用是承载硅片和在硅片镀背电极时对边缘遮挡，还可以包括下述的底托镂空部和底托遮挡部，凹槽部的尺寸需要根据两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片尺寸和边缘遮挡尺寸来确定。

在下述说明中，为了增加直观性，更好地理解本发明实施例提供的技术方案，将会在涉及实例时直接以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例进行说明，但这并不意味本发明实施例提供的技术方案仅能用于两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片。

限位销1031：底托限位销，与上盖的限位销孔配合，对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片精确限位，具体可以沿凹槽部的四角对称分布。

具体的，限位销设置于底托上，与位于上盖的限位销孔相对应，实现对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的精确限位，从而保证边缘遮挡精准。限位销可以设置于四个角的对角线位置，选用尽量靠近四个角的位置是为了以最大限度的防止两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片跑偏，从而保证边缘遮挡精度。但显然，如果采用其他方式也是可以的，本领域技术人员只需要根据产品对限位精确度的需要设计即可。

图4为腰型限位销放大示意图，具体实施中，如图所示，限位销可以为腰型限位销。限位销可以为圆柱形或腰形，但可以优选腰型限位销，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，使限位销与两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片是极小的面接触，既不会造成两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的崩边缺角，又不会污染两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片，干扰镀膜。进一步的，腰型限位销可以是斜坡型限位销，腰型限位销改为斜坡设计可以减少镀膜阴影等。

实施中，限位销可以沿凹槽部的四角对称分布，可选用8个或16个等，如图4所示，在采用16个限位销时，采用的分布方式可以是：每个角4个，每个角的每条边2个，每条边上的限位销和另一条边的限位销，与角顶点的距离都一样。以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，限位销的长度(如图4中示意的h)太短易造成两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片崩边；并且，由于h变大，与两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片接触多，限位销自带的污染物会接触并污染两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片，因此限位销太长也会污染两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片，综合考虑上述因素后可以选用长度为约1mm。

实施中，限位销可镶嵌或胶粘在底托，例如，在底托挖孔，将限位销紧配嵌入；也可以一体成型，或者通过胶粘的方式将限位销粘接于底托上方。

实施中，限位销的材质可以为柔性材料，如PTFE(Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯，简写为teflon)等材质，可以起到缓冲作用，降低碎片率。

限位销孔1011：上盖限位销孔，与底托限位销配合，如前所述，此处的限位销孔是限位配合结构的具体下位实例。

具体的，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，限位销孔，设置于上盖，与底托的限位销相对应，实现对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的精确限位。限位销孔的位置、数量、形状分别与限位销的位置、数量、形状相对应。

第一镂空部1013：上盖镂空部位。

具体的，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片正电极上盖镂空部，对应于需要处理的两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的正电极部分，以便于在PVD镀膜设备中电极的蒸镀。

第二镂空部1033，底托镂空部位，与待处理部件的另一面的电极尺寸相对应。

现有的太阳能电池电极制备模具包括底托和与之配合使用的上盖，使用时先将两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片放在底托上，盖上正电极用上盖，然后进入PVD镀膜设备镀两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的正电极，镀膜完毕后从PVD镀膜设备出来并取走正电极用上盖，人工依次对每个两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片进行手动翻片，再将上盖全部换成背电极用上盖，进入PVD镀膜设备镀两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的背电极。在该过程中，不仅需要人工翻片，还需要换成背电极用上盖，这是因为现有模具中的底托不是镂空的，其仅具有承载和限位的作用，同时，正电极与背电极镀膜的范围、形状也不相同，因此使得上盖需要采用两种不同类型的镂空尺寸分别来镀正电极和背电极。基于此，实施中可以设置第二镂空部与另一面欲镀电极尺寸相对应。具体的，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，底托镂空部位，对应于需要镀膜的两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的背电极部位，以便于在PVD镀膜设备中背电极的蒸镀。由原不镂空凹槽部改为镂空边缘遮挡，这样，可以在镀完正电极后将模具带两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片直接翻转，便可以直接利用第二镂空部镀背电极，省去人工翻转两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片过程。

实施中，在上盖上还可以进一步包括：

上盖遮挡部1012，用于遮挡待处理部件朝向上盖一面不需处理的部位。

具体的，如图3所示的局部放大图，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，上盖遮挡边，在两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片镀正电极时对边缘进行遮挡。对应于不需要处理的两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片部位，即对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的正电极的边缘进行遮挡，防止边缘镀膜后与背面的背电极接触导通，形成边缘漏电；遮挡部的尺寸(如图3中示意的m)根据模具加工精度和遮挡部对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片转化效率影响程度来综合考虑，例如可考虑在0.5mm-2mm之间调整。

实施中，在底托上还可以进一步包括：

底托遮挡部1032，用于遮挡待处理部件朝向底托一面和/或侧边不需处理的部位。

具体的，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例，底托凹槽遮挡部，可以将原底托放两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的凹槽部改为有遮挡作用的窄边凹槽部，对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片背电极的边缘遮挡，既防止背电极边缘镀膜与正电极导通，形成边缘漏电；又可在镀完正电极后将模具带两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片直接翻转，镀背电极，省去人工直接翻转两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的过程。

底托遮挡部1032，对应于不需要处理的两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片边缘部位，具体遮挡尺寸可以根据两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片性能和模具加工等确定，遮挡边形状(如斜边或直边等)也可以需根据处理工序和两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片性能确定。

对于图2中的底托103，实施中两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的边缘接触限位销，也因此使得定位销能实现定位的作用；同时，为了避免与第二镂空部1033标识混淆，因此没有标出凹槽部，但如前所述，两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片是放入凹槽部中的，因此，在底托103上存在放入两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的凹槽部是能明确得知的。

由上述实施可见，通过底托和上盖的配合使用，使得底托遮挡部和上盖遮挡部分别遮挡两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的两侧边缘部分，从而在制备两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的正电极和背电极时，只需镀完正电极后，直接对模具及两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片进行180度翻转后即可镀背电极，不需要人工更换不同类型的上盖，从而简化了操作工艺，并节省了人工，实现了正、背电极镀膜的简易操作。

通过限位结构与限位配合结构的配合使用，可实现对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的精确限位，从而保证边缘部位的精确遮挡，避免边缘部位被蒸镀多余导电材料从而发生边缘漏电。多个限位结构可起到精确限位作用，且柔性材质和与两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片面接触的特性，可防止两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片与限位结构发生硬性碰撞，减少碎片率；但由于接触面积小，对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片污染小、不会干扰PVD镀膜溅射。同时，由于精确限位，可以防止边缘漏电的产生，从而避免增加一道激光扫边工序，降低两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的制作成本。

实施中，还可以进一步包括：

用于固定上盖与底托的卡销106。

具体的，在模具上增加卡销，可以防止托盘变形，保证托盘上下紧配。

实施中，还可以进一步包括：

用于悬挂模具的悬挂孔105。

具体的，为使操作方便，可以在模具上增加模具悬挂孔等。

在上述实施例中，通过改变底托与上盖的形状，将原来只装一片的模具改为可以同时放置多片模具，从而实现批量化生产，提高生产效率并降低生产成本。此外，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片为例时，还可以进一步的选用下面的方案以使效果更好。

模具的尺寸可随两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的尺寸发生改变，从而可以适应不同规格的两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的制备。

模具的材质采用轻质环保材质，例如，铝合金，不仅不会对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的性能产生影响，也不会影响PVD镀膜工艺。

模具可以重复循环使用，降低生产成本。

模具表面还可以喷砂，阳极氧化，防止镀上的薄膜剥落，增加托盘强度。

托盘表面喷砂，托盘边缘斜槽104设计，手工翻转铝托方便，取上盖也方便。

调整模具厚度，使能满足使用强度和降低成本的要求。

改变不同遮挡尺寸和形状，如遮挡边选直边或不同斜率的斜边。

相应的，本发明实施例中还提供了一种使用上述模具进行太阳能电池电极制备的方法，下面进行说明。

图5为使用模具进行太阳能电池电极制备的方法实施流程示意图，如图所示，可以包括如下步骤：

步骤501、将至少一个待处理部件放置于底托的凹槽部，待处理部件的侧面与限位结构的侧面相接触；

步骤502、盖上上盖，使位于底托的限位结构及位于上盖的限位配合结构结合；

步骤503、在待处理部件一面的电极处理结束后，翻转模具；

步骤504、对待处理部件另一面进行的电极进行处理。

具体实施中，以两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片作为待处理部件为例，采用如上所述的制备模具时，结合上述的图1-3，可以如下：

在实施步骤501时，将两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片放置于制备模具的底托上的凹槽部107中，使得正电极或背电极的处理尺寸与第二镂空部相对应；

在实施步骤502时，盖上上盖，使位于底托的限位结构及位于上盖的限位配合结构相结合来限位，同时使得背电极或正电极的处理尺寸与第一镂空部相对应；也即，将上盖101盖于底托上方，使限位销及限位销孔结合，结合也即使二者配合，限位销1031扣入限位销孔1011中，这样通过底托上的限位销1031与上盖的限位销孔1011的结合使用来实现对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的精确限位；

在实施步骤503时，将模具与两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片放入PVD镀膜设备中，先镀正电极，在处理结束后，翻转模具，也即取出镀膜设备后将模具带两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片一起翻转，这时，待处理的一面是两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的背电极，容易理解，在将模具放入后，将对背电极进行镀膜；这样，在实施步骤504时，将模具送入镀膜设备，在两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片另一面镀背电极，背电极镀制完成；尔后，取出两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片即可。

综上可见，在本发明实施例提供的包括设置有凹槽部的底托和上盖的模具中，在底托上设置限位结构和在与底托配合使用的上盖上设置限位配合结构，从而实现精确限位和省去激光扫边工艺；在底托上的凹槽部位置设置背电极边缘遮挡和在上盖上设置正电极边缘遮挡，从而避免更换模具，简化制备工艺；将原来单片的模具改为多片模具，从而实现批量化生产；

进一步，采用如上所述的制备模具可以用来制备太阳能电池电极等待处理部件。

可见，上述模具由底托和上盖配套使用，可以实现多片两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的同时处理；采用边缘遮挡方式，结合精确的限位结构与限位配合结构，只需进行简易翻转即可实现两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片正、背电极镀制，减少激光扫边工序，操作方便，节省工时；模具使用铝合金材质，轻便且可重复利用，节省成本。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种太阳能电池电极制备模具，其特征在于，包括：上盖与底托，其中：

所述底托包括至少一个放置待处理部件的凹槽部；

在所述底托设有限位结构；

所述上盖包括与所述待处理部件的电极对应的第一镂空部，以及与所述限位结构对应的限位配合结构，所述第一镂空部与所述待处理部件的一面的电极尺寸相对应。

2.如权利要求1所述的太阳能电池电极制备模具，其特征在于，所述上盖进一步包括：

上盖遮挡部，用于遮挡所述待处理部件朝向上盖一面不需处理的部位。

3.如权利要求1所述的太阳能电池电极制备模具，其特征在于，所述底托进一步包括：

底托遮挡部，用于遮挡所述待处理部件朝向底托一面不需处理的部位。

4.如权利要求1所述的太阳能电池电极制备模具，其特征在于，所述底托进一步包括与所述待处理部件的另一面的电极尺寸相对应的第二镂空部。

5.如权利要求1所述的太阳能电池电极制备模具，其特征在于，所述限位结构为腰型限位销或斜坡型腰型限位销。

6.如权利要求1所述的太阳能电池电极制备模具，其特征在于，所述限位配合结构为限位销孔。

7.如权利要求1所述的太阳能电池电极制备模具，其特征在于，所述限位结构沿所述凹槽部的四角对称分布。

8.如权利要求1所述的太阳能电池电极制备模具，其特征在于，所述限位结构长度为1mm。

9.如权利要求1所述的太阳能电池电极制备模具，其特征在于，所述太阳能电池电极制备模具的材质为铝合金。

10.一种使用如权利要求1至9任一所述的太阳能电池电极制备模具进行太阳能电池电极制备的方法，其特征在于，包括：

将至少一个待处理部件放置于底托的凹槽部，待处理部件的侧面与限位结构的侧面相接触；

盖上上盖，使位于底托的限位结构及位于上盖的限位配合结构结合；

在待处理部件一面的电极处理结束后，翻转模具；

对待处理部件另一面的电极进行处理。