CN105303165A - 一种电容光学指纹采集仪 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电容光学指纹采集仪，所述电容光学指纹采集仪由外到内依层包括电容保护层、电容分布层、棱镜、LED灯、非球面镜面反光罩、光阑、非球面成像透镜和成像器件。本发明实现了具有光学指纹采集器的耐磨性好寿命长，同时具有电容采集器的活体指纹的检测功能，有效防止假指纹，真正做到确保真实的活体指纹。

Description

一种电容光学指纹采集仪
技术领域
本发明涉及一种采集仪，尤其涉及一种电容光学指纹采集仪。
背景技术
目前，光学指纹采集仪耐磨度好，寿命长，但不能有效识别活体指纹；电容式指纹采集仪，但耐磨度差，而且使用寿命短；采用了单点或多点电容检测的光学活体指纹仪，无法完全杜绝伪指纹的检查，很容易绕开检查。虽然现有的一些技术也融合了一些电容的检测装置，但都是以点，或多个点的方式进行检查，这些方式可以简单防止伪指纹的检查，找到这些点，很容易绕开检查，顺序采集。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种电容光学指纹采集仪，实现了具有光学指纹采集器的耐磨性好寿命长，同时具有电容采集器的活体指纹的检测功能，有效防止假指纹，真正做到确保真实的活体指纹。
实现上述目的的技术方案是：
本发明一种电容光学指纹采集仪，由外到内依层包括电容保护层、电容分布层、棱镜、LED灯、非球面镜面反光罩、光阑、非球面成像透镜和成像器件。
上述的电容光学指纹采集仪，其中，所述的LED灯为红色650nmLED灯。
上述的电容光学指纹采集仪，其中，所述的成像器件为CMOS或CCD成像器件。
上述的电容光学指纹采集仪，其中，所述的电容分布层为矩阵的菱形电容分布层。
上述的电容光学指纹采集仪，其中，所述电容保护层和电容分布层之间设置涂抹有UV光胶。
上述的电容光学指纹采集仪，其中，所述电容分布层和棱镜之间设置涂抹有UV光胶。
本发明的有益效果是：本发明提供一种电容光学指纹采集仪，实现了电容式指纹和光学指纹的采集融合验证检查，不仅具有光学指纹采集器的耐磨性好寿命长，同时具有电容采集器的活体指纹的检测功能，采用矩阵的菱形电容式排列，以面状的形式采集，根据手指接触电容保护层后，电容分布层的电容强弱变化，通过进行行列扫描，得到一幅电容指纹图像，电容的分布无法被伪指纹绕开，实现双扫描，迭加认证，彻底标准伪指纹，有效防止假指纹，真正做到确保真实的活体指纹。。
附图说明
图1是本发明的一种电容光学指纹采集仪的成像原理示意图。
图2是本发明的。
图3是本发明的。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
请参阅图1、图2和图3，本发明电容光学指纹采集仪，由外到内依层包括电容保护层1、电容分布层2、棱镜3、LED灯4、非球面镜面反光罩5、光阑6、非球面成像透镜7和成像器件8。
LED灯4为可为红色650nmLED灯。
成像器件8为CMOS或CCD成像器件。
电容分布层2为矩阵的菱形电容分布层。
电电容保护层1和电容分布层2设置涂抹有UV光胶，并用紫外灯进行固化。
电容分布层2和棱镜3之间设置涂抹有UV光胶，并用紫外灯进行固化。
本发明的工作原理描述如下：将手指放在从电容光学指纹采集仪的电容保护层1上，电容分布层2获取分布式电容值，根据电容值得出一幅指纹图像，再从当前成像器件8如CMOS或CCD成像器件中获取一幅指纹图像，将以上组图像进行迭加运算，根据一个阀值判断是否为同一手指进行了按压。如果使用的是非手指的伪指纹，虽然可以从CMOS或CCD成像器件取得伪指纹图像，但电容的分布检查可以有效杜绝伪指纹的检测。从而实现伪指纹的检查，做到真正的检测活体指纹。
虽然现有的一些技术也融合了一些电容的检测装置，但都是以点或多个点的方式进行检查，这些方式可以简单防止伪指纹的检查，只要找到这些点，很容易绕开检查。
而本发明的电容技术，采用的是矩阵的菱形电容式排列，以面状的形式采集，根据手指接触电容保护层后，电容分布层的电容强弱变化，通过进行行列扫描，得到一幅电容指纹图像，电容的分布无法被伪指纹绕开，实现双扫描，迭加认证，彻底标准伪指纹。菱形的电容式排列，141为X方向◇142为Y方向。
以上结合附图实施例对本发明进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本发明做出种种变化例。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。因而，实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定，本发明将以所附权利要求书界定的范围作为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种电容光学指纹采集仪，其特征在于：所述电容光学指纹采集仪由外到内依层包括电容保护层、电容分布层、棱镜、LED灯、非球面镜面反光罩、光阑、非球面成像透镜和成像器件。
2.根据权利要求1所述的电容光学指纹采集仪，其特征在于：所述的LED灯为红色650nmLED灯。
3.根据权利要求1所述的电容光学指纹采集仪，其特征在于：所述的成像器件为CMOS或CCD成像器件。
4.根据权利要求1所述的电容光学指纹采集仪，其特征在于：所述的电容分布层为矩阵的菱形电容分布层。
5.根据权利要求1所述的电容光学指纹采集仪，其特征在于：所述电容保护层和电容分布层之间设置涂抹有UV光胶。
6.根据权利要求1所述的电容光学指纹采集仪，其特征在于：所述电容分布层和棱镜之间设置涂抹有UV光胶。
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