CN105264035A - 粘合片以及使用该粘合片的电子元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种粘合片，在拾取工序中芯片的拾取性不会随时间经过而劣化、且可使用于切割前有加温工序及无加温工序的两种生产线。所述粘合片，其由在基材膜上形成有粘着剂层而成，所述基材膜含聚氯乙烯与聚酯类可塑剂，所述粘着剂层由粘着剂组成物所成，其中，所述粘着剂组成物含有100质量份的(甲基)丙烯酸共聚物以及0.01～5质量份的异氰酸酯类硬化剂，所述(甲基)丙烯酸共聚物含有40～90质量％的(甲基)丙烯酸丁酯单元、5～55质量％的(甲基)丙烯酸甲酯单元以及0.1～10质量％的含羟基的单体单元，所述(甲基)丙烯酸共聚物的重量平均分子量是40～100万。

Description

粘合片以及使用该粘合片的电子元件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种粘合片及使用该粘合片的电子元件的制造方法。
背景技术
通常，对于半导体晶圆，在形成电路后贴合粘合片，并将其切割(dicing)成元件小片，之后进行清洗、干燥、粘合片的延展(expanding)、自粘合片的元件小片的拾取(pickup)、安装(mounting)等各个工序。作为在这些工序中所使用的切割用及/或搬运用的粘合片，专利文献1中记载了在基材上使用聚氯乙烯的技术。
另外，作为粘着剂组成物，专利文献2中记载了使用(甲基)丙烯酸共聚物的组成物。
专利文献
专利文献1：日本特开2006-049509号公报
专利文献2：日本特开2007-246633号公报
然而，现有作为基材使用了聚氯乙烯的粘合片，随着时间经过会出现可塑剂从基材转移至粘着剂层的现象，导致拾取工序的芯片拾取性发生问题。
此外，将粘合片使用于晶圆或封装基板等被粘体的切割时，有两种情形，一是将粘合片贴合到被粘体上并加温至75℃左右后再进行切割的情形，二是不加热而直接切割的情形。加温是在被粘体与粘合片之间的粘着性不佳时，为了提高被粘体与粘合片之间的粘着性以防止芯片飞散所进行的，但是，进行加温后，切割后的芯片的拾取性可能会劣化。
另外，若将粘着剂的组成调整为即使进行加温也不会使切割后的芯片的拾取性劣化，则可能会发生未加温时的粘着性劣化的情形。
由于会出现上述情形，因此，根据现有技术，很难在无加温的生产线与有加温的生产线使用相同粘合片，而只能分别使用专门为了无加温或有加温而设计的不同粘合片。
发明内容
有鉴于此，本发明提供在拾取工序中芯片的拾取性不会随时间经过而劣化、且可使用于切割前有加温工序及无加温工序的两种生产线的粘合片，以及使用该粘合片的电子元件的制造方法。
本发明所提供的粘合片，其由在基材膜上形成有粘着剂层而成，所述基材膜含聚氯乙烯与聚酯类可塑剂，所述粘着剂层由粘着剂组成物所成，其中，所述粘着剂组成物含有100质量份的(甲基)丙烯酸共聚物以及0.01～5质量份的异氰酸酯类硬化剂，所述(甲基)丙烯酸共聚物含有40～90质量％的(甲基)丙烯酸丁酯单元、5～55质量％的(甲基)丙烯酸甲酯单元以及0.1～10质量％的含羟基的单体单元，所述(甲基)丙烯酸共聚物的重量平均分子量是40～100万。
本发明的发明人为解决芯片的拾取性随时间经过劣化的问题而进行了精心研究，结果发现作为粘着剂组成物使用将(甲基)丙烯酸共聚物当作基底树脂者，并且作为可塑剂使用聚酯类可塑剂时，可防止芯片的拾取性随时间经过劣化的问题。
并且，为开发可同时使用于无加热工序的生产线及有加热工序的生产线的粘合片也进行了研究，结果发现将上述组成的(甲基)丙烯酸共聚物当成基底树脂，使其含有上述含量的异氰酸酯类硬化剂，且将环氧树脂硬化剂的含量限制在上述范围内时，无论是否加温，均可拥有良好的芯片保持性及拾取性，以致完成本发明。
本发明中尤为重要的是:藉由有特定组成的(甲基)丙烯酸共聚物与有特定组成的硬化剂的组合，才能得到无论是否有加温工序均能获得实现良好的芯片保持性以及拾取性等优越特性的粘合片。本发明的发明人使用各种组成的(甲基)丙烯酸共聚物与各种组成的硬化剂的组合进行了实验，然而只要共聚物与硬化剂的任何一个组成在上述范围之外，均会导致无加温工序及/或有加温工序时的芯片保持性及/或拾取性劣化，因此，无法获得期望的粘合片。
优选地，所述(甲基)丙烯酸共聚物中，所述(甲基)丙烯酸丁酯单元的含量是50～80质量％、所述(甲基)丙烯酸甲酯单元的含量是15～45质量％。
优选地，所述含羟基的单体是丙烯酸2-羟基乙酯。
优选地，所述基材膜中，相对100质量份的聚氯乙烯，含有25～45质量份的聚酯类可塑剂。
优选地，所述聚酯类可塑剂是己二酸类聚酯。
优选地，所述粘合片是切割胶带，所述切割胶带使用于电子元件的制造方法中，所述制造方法包括：(a)于半导体晶圆或基板以及环状框架上贴附切割胶带的贴附工序；(b)切割半导体晶圆或基板而形成半导体芯片或半导体元件的切割工序；(c)拉长粘合片而扩大半导体芯片或半导体元件之间间隔的扩张工序；以及(d)从粘合片上拾取半导体芯片或半导体元件的拾取工序。
优选地，所述制造方法于所述贴附工序之后且所述切割工序之前还包括将贴附有所述粘合片的被粘体加温至60～100℃的加温工序。
具体实施方式
下面说明本发明的实施方式。在本说明书中，单体单元是指源自于单体的结构单元；关于“份”以及“％”没有特别说明时则按质量基准表示；(甲基)丙烯酸酯是丙烯酸酯以及甲基丙烯酸酯的总称；同样地，如(甲基)丙烯酸等含(甲基)的化合物是含有“甲基”的化合物与不含“甲基”的化合物的总称。
本发明一实施方式中的粘合片，其由在基材膜上形成有粘着剂层而成，该基材膜含聚氯乙烯与聚酯类可塑剂，该粘着剂层由粘着剂组成物所成，其中，粘着剂组成物含有100份的(甲基)丙烯酸共聚物以及0.01～5份的异氰酸酯类硬化剂，该(甲基)丙烯酸共聚物含有50～80质量％的(甲基)丙烯酸丁酯单元、15～45％的(甲基)丙烯酸甲酯单元以及0.1～10％的含羟基的单体单元。
<1.基材膜>
作为基材膜，使用的是含有聚氯乙烯，以及针对聚氯乙烯的可塑剂即聚酯类可塑剂者。作为聚酯类可塑剂，例如有：己二酸、壬二酸、癸二酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸等碳数为2～10的脂肪族二羧酸及/或芳香族二羧酸等的二羧酸；与乙二醇、丙二醇、丁二醇、新戊二醇、己二醇等碳数为2～10的二醇发生缩聚而成的聚酯。作为该二羧酸，优选使用己二酸、癸二酸等脂肪族二羧酸，特别是考虑泛用性、价格低、经时稳定性等特性而言，更优选为己二酸。作为二醇，可选用直锁状或侧锁状者，即可依据所需适当地选用。该二醇的碳数优选是2～6。对于聚酯类可塑剂的数目平均分子量，并无特别的限制，通常选用500～4000左右者。关于聚酯类可塑剂的含量而言，相对于100质量份的聚氯乙烯，优选含25～45质量份，更优选含30～40质量份。
此外，依所需可在基材膜上添加抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、抗静电剂、阻燃剂、染料或颜料等着色剂等各种添加剂。这些添加剂视其种类以常规量使用。
下面，对这些添加剂进行说明。作为抗氧化剂，可选用在传统树脂或树脂组成物中被周知为抗氧化剂的任一者，即并无特别限定。具代表性的抗氧化剂，可列举苯酚类(单酚类、双酚类、高分子型苯酚类)、硫类、磷类等以往通常所使用的抗氧化剂。
此外，作为紫外线吸收剂，可列举水杨酸盐类、二苯甲酮类、苯并***类以及氰基丙烯酸酯类，就紫外线吸收效果而言，优选二苯甲酮类紫外线吸收剂以及苯并***类紫外线吸收剂，尤其更优选为苯并***类紫外线吸收剂。
作为光稳定剂，例如可使用受阻胺类、受阻酚类等的光稳定剂。对于光稳定剂的添加量并无特别限定，为一般使用量即可。
关于抗静电剂并无特别限定，例如可列举四级胺盐单体等。作为四级胺盐单体，例如有：(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯四级氯化物、(甲基)丙烯酸二乙基胺基乙酯四级氯化物、(甲基)丙烯酸甲基乙基胺基乙酯四级氯化物、对二甲基胺基苯乙烯四级氯化物、及对二乙基胺基苯乙烯四级氯化物，其中，优选使用(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯四级氯化物。
关于阻燃剂并无特别限定，例如可列举：溴类阻燃剂、氢氧化铝、氢氧化镁、三氧化锑等的无机阻燃剂；含有氰尿酸三聚氰胺、尿素、三聚氰胺衍生物等的含三嗪环的化合物、如芳香族聚磷酸酯等磷酸酯等的有机阻燃剂。
作为着色剂，可使用有机颜料、无机颜料、染料、炭黑等公知或周知的任何着色剂。任何颜色皆可，例如可为白色、象牙色、黑色、红色、蓝色、黄色或绿色等。将基材膜作为多层结构时，可在所有的层中加入着色剂，或是只在局部层中加入着色剂亦可。作为颜料，可列举：酞菁类、偶氮类、缩合偶氮类、偶氮色淀类、蒽醌类、苝·芘酮类、靛蓝·硫靛蓝类、异吲哚啉酮类、偶氮次甲基偶氮类、二恶嗪类、喹吖啶酮类、苯胺黑类、三苯甲烷类或碳黑类等的有机颜料；氧化钛类、氧化铁类、氢氧化铁类、氧化铬类、尖晶石型烧制类、铬酸类、钼铬红类、铁蓝类、铝粉类、青铜粉类等。这些颜料可以是任何形态，并且，这些颜料也可以是依据各种公知方法施以分散处理者。
关于基材膜的厚度，并无特别限定，可依据需求做决定，例如为40～250μm，优选为50～200μm，更优选为60～150μm。
关于基材膜的成形方法，例如有压延成形法、T模头押出法、膨胀法及浇铸法等。
为防止将剥离膜从基材膜上剥离时的带电，亦可在基材膜的粘着剂接触面及/或非接触面施行抗静电处理。可将抗静电剂混入树脂中。进行抗静电处理时可使用四级胺盐单体等的抗静电剂。
作为四级胺盐单体，例如有：(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯四级氯化物、(甲基)丙烯酸二乙基胺基乙酯四级氯化物、(甲基)丙烯酸甲基乙基胺基乙酯四级氯化物、对二甲基胺基苯乙烯四级氯化物、及对二乙基胺基苯乙烯四级氯化物，其中，优选使用(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯四级氯化物。
关于润滑剂以及抗静电剂的使用方法，并无特别限定，例如可在基材膜的一个面上涂布粘着剂，而在其背面涂布润滑剂及/或抗静电剂，或者，也可以将润滑剂及/或抗静电剂混入基材膜的树脂中并做成片。
可在基材膜的一个面上层积粘着剂，而将另一个面作成平均表面粗糙度(Ra)为0.3～1.5μm的压花面。藉由将压花面设置于扩张装置的机械台侧，则在切割后的扩张工序中能轻易地扩张基材膜。
为了提高切割后的扩张性，可在基材膜的粘着剂非接触面上涂布润滑剂，或将润滑剂混入基材膜中。
关于润滑剂，只要是能降低粘合片与扩张装置的摩擦系数的物质皆可，对其并无特别限定，例如可以是硅酮树脂或(改质)硅酮油等硅酮化合物、氟树脂、六方晶格氮化硼、碳黑，或二硫化钼等。这些抗摩擦剂也可以混合多数成分。由于电子元件的制造是在洁净室中进行，因此，宜使用硅酮化合物或氟树脂。硅酮化合物中，尤其是具有硅酮大分子单体单元的共聚物，其与抗静电层的兼容性良好，并兼备抗静电性以及扩张性，因此较为适用。
<2.粘着剂层>
本实施方式中，组成粘着剂层的粘着剂组成物含有100质量份的(甲基)丙烯酸共聚物与0.01～5质量份的异氰酸酯类硬化剂。
<2-1.(甲基)丙烯酸共聚物>
(甲基)丙烯酸共聚物含有40～90％的(甲基)丙烯酸丁酯单元、5～55％的(甲基)丙烯酸甲酯单元以及0.1～10％的含羟基的单体单元。
(甲基)丙烯酸丁酯单元的含量为40～90％。若该含量低于此范围，则芯片保持性会降低，若该含量高于此范围，则拾取性会降低。此外，(甲基)丙烯酸丁酯单元的含量优选为50～80％。在此范围内可显示出芯片保持性及拾取性双方的优越特性。具体而言，例如含量可以为50％、55％、57.5％、60％、62.5％、65％、67.5％、70％、72.5％、75％、80％，或者在所例示数值中任何两个数值之间的范围内亦可。
(甲基)丙烯酸甲酯单元的含量为5～55％。若其含量低于此范围，则会降低拾取性，若其含量高于此范围，则会降低芯片保持性。其含量优选为15～45％。其含量在此范围内可显示出芯片保持性及拾取性双方的优越特性。具体而言，例如含量可以为15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％，或者在所例示数值中任何两个数值之间的范围内亦可。
作为含羟基的单体，例如有(甲基)丙烯酸2－羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2－羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2－羟基丁酯或2－羟基醚。含羟基的单体单元的含量为0.1～10％。若其含量低于此范围则芯片保持性会降低，若其含量高于此范围则拾取性会降低。此外，含羟基的单体单元的含量，优选为1～7质量％。在此范围内可显示出芯片保持性以及拾取性双方的优越特性。具体而言，例如含量可以为1、2、3、4、5、6、7质量％，或者在所例示数值中的任何两个数值之间的范围内亦可。
此外，作为(甲基)丙烯酸聚合物的制法，例如有乳化聚合、溶液聚合等方法。
<2-2.异氰酸酯类硬化剂>
相对于100份的(甲基)丙烯酸共聚物，含有0.01～10份的异氰酸酯类硬化剂。若异氰酸酯类硬化剂的含量低于此范围则会拾取性降低，若其含量高于此范围则芯片保持性会降低。此外，异氰酸酯类硬化剂的含量优选为0.1～5份。在此范围内可显示出芯片保持性以及拾取性双方的优越特性。具体而言，例如其含量可以为0.1份、0.5份、1份、1.5份、2份、3份、4份、5份，或者在所例示数值中的任何两个数值之间的范围内亦可。
作为异氰酸酯类硬化剂使用具有多数异氰酸酯基的化合物。关于具有多数异氰酸酯基的化合物，可列举芳香族异氰酸酯、脂环族异氰酸酯，以及脂肪族异氰酸酯。
作为芳香族异氰酸酯，可列举甲苯二异氰酸酯、4,4-二苯基甲烷二异氰酸酯，以及对苯二甲基二异氰酸酯。
作为脂环族异氰酸酯，可列举异佛尔酮二异氰酸酯、亚甲基双(4-环己基异氰酸酯)。
作为脂肪族异氰酸酯，可列举六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯。
这些异氰酸酯化合物可以是二聚体或三聚体，或者也可以是与多元醇化合物反应后产生的加合物。
为了调整粘着强度，在粘着剂组成物中添加带粘性树脂。对带粘性树脂并无特别限定，例如可列举：松脂树脂、松脂酯树脂、萜烯树脂、萜烯酚树脂、酚树脂、二甲苯树脂、香豆酮树脂、香豆酮-茚树脂、苯乙烯树脂、脂肪族石油树脂、芳香族石油树脂、脂肪族芳香族共聚合石油树脂、脂环族烃树脂，以及其改质物、衍生物、氢添加物等。
对带粘性树脂的混合量并没有特别限定，相对于100份的(甲基)丙烯酸共聚物，通常配合200份以下，优选为配合30份以下。
<2-3.添加剂等>
可在粘着剂组成物中添加例如硬化剂、聚合引发剂、软化剂、抗老化剂、填充剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、光聚合性化合物、光引发剂等各种添加剂。
<3.粘合片的制造>
作为在基材膜上形成粘着剂层而将其做成粘合片的方法，例如有用凹版涂布机、缺角轮涂布机、棒涂机、刀涂机或辊涂机等涂布机，将粘着剂直接涂布于基材膜上的方法，或是在剥离膜上涂布粘着剂并使其干燥后贴合至基材膜的方法。也可以用凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、柔版印刷、平凸印刷或丝网印刷等，将粘着剂组成物印刷至基材膜上。
粘着剂层的厚度优选为1～100μm，更优选为5～40μm。若粘着剂层过薄，则粘着力下降，切割时的芯片保持性会发生恶化，导致从环状框架剥落的情形。若粘着剂层过厚，导致粘着力高，会发生拾取性不良的情形。
<4.电子元件的制造>
以下，说明使用上述粘合片制造电子元件的方法。此方法如以下说明，包括贴附工序、切割工序以及拾取工序。另外，在贴附工序之后且切割工序之前，可任意地施以加温工序。
以下对各个工序进行说明。
(1)贴附工序
首先，在贴附工序中，将粘合片贴附于被粘体与环状框架上。作为被粘体，例如有半导体晶圆或封装基板。
(2)加温工序
其次，当被粘体与粘合片之间的粘着性不佳时，为了提高两者之间的粘着性，进行加温工序。加温工序可藉由将该被粘体加温至60～100℃而进行。
(3)切割工序
其次，于切割工序中，在被粘体贴附于粘合片的状态下进行被粘体的切割，将其做成芯片。经由切割形成的各个芯片将成为电子元件。切割可使用切割刀片进行。由于在紫外线及/或放射线照射前的粘合片的芯片保持性优异，因此，切割时，能够抑制芯片剥离(芯片飞散)。
(4)拾取工序
其次，于拾取工序中，待切割工序完了之后，从粘合片上拾取上述芯片。具体而言，此工序例如可使用以下方法进行。从粘合片的基材膜侧照射紫外线及/或放射线(图中未示出)，之后，使粘合片呈放射状扩大而加宽芯片间隔，之后，用顶针等(图中未示出)向上顶芯片。之后，使用真空筒夹或气动镊子等(图中未示出)吸附芯片，并拾取芯片。紫外线及/或放射线的光源，可使用公知者。作为紫外线源，有低压水银灯、高压水银灯、超高压水银灯、金属卤化物灯。放射线宜使用电子束、α射线、β射线、γ射线。
藉由照射紫外线及/或放射线，能使粘着剂组成物内的乙烯基三维网状化，而使粘着剂组成物的粘着力下降。藉此，在照射紫外线及/或放射线前，由于粘着剂组成物具有起初的高粘着力，因此，能显示出优异的芯片保持性，当照射紫外线及/或放射线后，由于降低了粘着剂组成物的粘着力，因此能提高芯片的拾取性。
此外，可将于拾取工序中被拾取的芯片安装到环状框架或电路基板上。
(实施例)
实施例、比较例中的粘着剂组成物以及粘合片是依照下述配方所制造。主要的混合量以及各实验例的结果示于表1、表2中。
表1、2中，有关各组成的数值，均表示质量份。有关可塑剂的数值，表示聚氯乙烯树脂为100份时的可塑剂的质量份。有关交联剂的数值，表示(甲基)丙烯酸共聚物为100份时的交联剂的质量份。可塑剂以及硬化剂的详细内容如下所示。
·己二酸类聚酯:大日本油墨化学工业株式会社制，商品名为POLYCIZERW2310，数目平均分子量2300
·对苯二甲酸类聚酯:市售品(聚对苯二甲酸乙二醇酯)
·异氰酸酯类硬化剂:2，4－甲苯二异氰酸酯的三羟甲基丙烷加合物，市售品
[表1]
[表2]
首先，混合了聚氯乙烯树脂、表1～2所示的可塑剂以及其他稳定剂、填充剂。使用班伯里密炼机混炼上述树脂混合物之后，藉由压延加工将其做成70μm的厚度，由此获得基材膜。
其次，将表1、2所示组成的粘着剂组成物，涂布于PET制剥离膜上且要使干燥后的粘着剂层的厚度达到15μm，并将其层积于基材膜上，由此获得粘合片。并且，对所获得的粘合片进行了如下评价。
(1)粘着力随时间经过上升的评价
将粘合片贴合于硅晶圆镜面，经2kg辊往返压合一次后放置20分钟，之后，在180°剥离、拉伸速度300mm/分钟的条件下测定了粘着力。硅晶圆使用厚度为725μm的晶圆(6英寸)。
另外，以上述条件压合后放置7日而获得另一试验体，对此试验体也用同样的方法测定了其粘着力。根据放置20分钟的试验体的粘着力(X)以及放置7日的试验体的粘着力(Y)，并按照如下计算式求得了上升率。
上升率＝(100×(Y-X))/X
对于计算出的上升率，依照以下基准进行了粘着力随时间经过上升的评价。
◎(优)：上升率低于5％。
○(良)：上升率为5％以上且低于10％。
×(不良)：上升率为10％以上。
(2)芯片保持性以及拾取性的评价
将所得粘合片贴合于形成有虚拟电路图案的直径8英寸×厚度0.1mm的硅晶圆以及环状框架上。之后，使用烤箱在75℃温度下加温30分钟。之后进行了切割、拾取的各工序。
切割工序的条件如下。
切割装置：DISCO公司制DAD341
切割刀片：DISCO公司制NBC-ZH205O-27HEEE
切割刀片形状：外径55.56mm、刀刃宽35μm、内径19.05mm
切割刀片转速：40,000rpm
切割刀片前进速度：50mm/秒
切割尺寸:1.5mm角
对粘合片的切入量：15μm
切削水温：25℃
切削水量：1.0升/分钟
拾取工序的条件如下。
拾取装置：CanonMachinery公司制CAP-300II
扩张量：8mm
顶针形状:70μmR
顶针数目：1根
顶针顶起高度：1.5mm
在切割工序以及拾取工序中，进行了以下评价。
(2-1)芯片保持性
对于芯片保持性，基于切割工序之后的半导体芯片被保持在粘合片上的半导体芯片的存留率，并根据以下基准进行了评价。
◎(优)：芯片飞散低于5％。
○(良)：芯片飞散为5％以上且低于10％。
×(不良)：芯片飞散为10％以上。
(2-2)拾取性
对于拾取性，基于拾取工序中的半导体芯片的可拾取率，并根据以下基准进行了评价。
◎(优)：芯片的拾取成功率为95％以上。
○(良)：芯片的拾取成功率为80％以上且低于95％。
×(不良)：芯片的拾取成功率低于80％。
如表1、表2清楚所示，在所有的实施例中，粘着力随时间经过的上升小，且无论是否有加温，都能得到芯片保持性以及拾取性均优越的结果。
比较实施例1与实施例20，得知在使用己二酸类聚酯的情况下，粘着力随时间经过的上升特别小。
在比较例1～4中，构成(甲基)丙烯酸共聚物的单体单元的种类与实施例相同，但因其比例不适当，因此并未得到良好的结果。
在比较例5、6中，构成(甲基)丙烯酸共聚物的单体单元的种类、组成比与实施例相同，但因其重量平均分子量的比例不适当，因此并未得到良好的结果。
在比较例7、8中，构成(甲基)丙烯酸共聚物的单体单元的种类、组成比与实施例相同，但因异氰酸酯类硬化剂的比例不适当，因此并未得到良好的结果。
在比较例9中，使用的可塑剂并不是聚酯类，因此，粘着力随时间经过的上升大。
此外，本发明所提供的在含有聚氯乙烯与聚酯类可塑剂的基材膜上形成由粘着剂组成物所成的粘着剂层而获得的粘合片，也可以解释为，该粘合片中，粘着剂组成物含有100质量份的(甲基)丙烯酸共聚物以及0.01～5质量份的异氰酸酯类硬化剂，其中，所述(甲基)丙烯酸共聚物含有5～55质量％的(甲基)丙烯酸甲酯单元以及0.1～10质量％的含羟基的单体单元，其余为(甲基)丙烯酸丁酯与不可避免的杂质，所述(甲基)丙烯酸共聚物的重量平均分子量是40～100万。

Claims (7)

1.一种粘合片，其由在基材膜上形成有粘着剂层而成，所述基材膜含聚氯乙烯与聚酯类可塑剂，所述粘着剂层由粘着剂组成物所成，其特征在于，
所述粘着剂组成物含有100质量份的(甲基)丙烯酸共聚物以及0.01～5质量份的异氰酸酯类硬化剂，
所述(甲基)丙烯酸共聚物含有40～90质量％的(甲基)丙烯酸丁酯单元、5～55质量％的(甲基)丙烯酸甲酯单元以及0.1～10质量％的含羟基的单体单元，所述(甲基)丙烯酸共聚物的重量平均分子量是40～100万。
2.根据权利要求1所述的粘合片，其特征在于，所述(甲基)丙烯酸共聚物中，所述(甲基)丙烯酸丁酯单元的含量是50～80质量％、所述(甲基)丙烯酸甲酯单元的含量是15～45质量％。
3.根据权利要求1项或第2所述的粘合片，其特征在于，所述含羟基的单体是丙烯酸2-羟基乙酯。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的粘合片，其特征在于，所述基材膜中，相对100质量份的聚氯乙烯，含有25～45质量份的聚酯类可塑剂。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的粘合片，其特征在于，所述聚酯类可塑剂是己二酸类聚酯。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的粘合片，其特征在于，所述粘合片是切割胶带，所述切割胶带使用于电子元件的制造方法中，所述制造方法包括：
(a)于半导体晶圆或基板以及环状框架上贴附切割胶带的贴附工序；
(b)切割半导体晶圆或基板而形成半导体芯片或半导体元件的切割工序；
(c)拉长粘合片而扩大半导体芯片或半导体元件之间间隔的扩张工序；以及
(d)从粘合片上拾取半导体芯片或半导体元件的拾取工序。
7.根据权利要求6所述的电子元件的制造方法，其特征在于，在所述贴附工序之后且所述切割工序之前还包括将贴附有所述粘合片的被粘体加温至60～100℃的加温工序。
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