CN105242809A - 触控显示装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种触控显示装置及其制备方法。通过在薄膜晶体管基板表面形成触控感应层，并在薄膜晶体管的彩色滤光片基板表面形成高阻层，高阻层与触控感应层电连接形成触控模组。由于高阻层直接形成在彩色滤光片基板表面，无需再使用一层玻璃承载高阻层，相比传统的触控显示装置，减少了一层ITO玻璃及用来粘合的光学胶，从而上述触控显示装置较薄。另外，高阻层的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物，可以起到消除静电的作用，提高触控的灵敏度。

Description

触控显示装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示器件领域，特别涉及一种触控显示装置及其制备方法。
背景技术
触控屏是电子装置比如触控屏手机、平板电脑、电子书等电子装置的重要组成部分。传统的触控屏一般包括显示模组及触控模组，触控模组通常包括两层层叠的ITO玻璃，两层ITO玻璃通过光学胶粘合在一起。
然而，随着人们对电子产品轻薄化的追求，目前触控屏至少包括两层ITO玻璃及用来粘合的光学胶，厚度较厚，限制了触控屏的发展。
发明内容
基于此，有必要提供一种厚度较薄的触控显示装置及其制备方法。
一种触控显示装置，其特征在于，包括薄膜晶体管基板、液晶层、彩色滤光片基板、触控感应层及高阻层，所述触控感应层形成于所述薄膜晶体管基板表面，所述液晶层形成于所述彩色滤光片基板朝向所述薄膜晶体管基板的表面，所述高阻层形成于所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面，所述触控感应层与所述高阻层电连接，所述高阻层的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物。
在其中一个实施方式中，所述触控感应层形成于所述薄膜晶体管基板朝向所述彩色滤光片基板的表面。
在其中一个实施方式中，所述高阻层的材料为质量比为60～70：100的氧化石墨与氧化锡的混合物。
在其中一个实施方式中，所述高阻层的厚度为12nm～25nm。
在其中一个实施方式中，所述触控感应层的材料为ITO。
一种上述触控显示装置的制备方法，，包括如下步骤：
提供薄膜晶体管基板，在所述薄膜晶体管基板表面形成触控感应层；
提供彩色滤光片基板，在所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面形成高阻层，所述高阻层的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物；
在所述彩色滤光片基板朝向所述薄膜晶体管基板的表面形成液晶层，以及
将所述触控感应层与所述高阻层电连接，得到触控显示装置。
在其中一个实施方式中，在所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面形成高阻层的操作为：通过真空磁控溅射的方式将靶材溅射至所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面，所述靶材为氧化石墨和氧化锡的混合物，镀膜室的真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-2Pa，所述彩色滤光片基板的表面温度为80℃～100℃，所述彩色滤光片基板的加热时间为1390s～1410s，混合气体流量为1265sccm2～1419sccm2，电压380V～480V，无氧电压680V～760V，过氧电压300V～330V，功率为6300W～7500W，靶溅距为40mm。
在其中一个实施方式中，所述混合气体为氧气和氩气的混合气体，其中，所述氧气流量为35sccm2～39sccm2，所述氩气流量为1230sccm2～1380sccm2。
在其中一个实施方式中，所述靶材为质量比为60～70：100的氧化石墨与氧化锡的混合物。
在其中一个实施方式中，在所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面形成高阻层之前，包括将所述彩色滤光片基板依次进行清洗处理、干燥处理及静电消散处理，所述清洗处理的操作包括依次进行纯水清洗、碱液清洗、二流体喷淋清洗、超纯水喷淋清洗及高压喷淋清洗，所述干燥处理包括依次进行冷风干燥和热风干燥。
上述触控显示装置，通过在薄膜晶体管基板表面形成触控感应层，并在薄膜晶体管的彩色滤光片基板表面形成高阻层，高阻层与触控感应层电连接形成触控模组。由于高阻层直接形成在彩色滤光片基板表面，无需再使用一层玻璃承载高阻层，相比传统的触控显示装置，减少了一层ITO玻璃及用来粘合的光学胶，从而上述触控显示装置较薄。另外，高阻层的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物，可以起到消除静电的作用，提高触控的灵敏度。
附图说明
图1为一实施方式的触控显示装置的结构示意图；
图2为一实施方式的触控显示装置的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面主要结合具体附图及具体实施例对触控显示装置及其制备方法作进一步详细的说明。
请参阅图1，一实施方式的触控显示装置100，包括薄膜晶体管基板10、液晶层20、彩色滤光片基板30、触控感应层40及高阻层50。
液晶层20位于薄膜晶体管(TFT)基板10与彩色滤光片基板30之间，液晶层20形成于彩色滤光片基板30朝向薄膜晶体管基板10的表面。触控感应层40形成于薄膜晶体管基板10表面，高阻层50形成于所述彩色滤光片基板30远离薄膜晶体管基板10的表面，触控感应层40与高阻层50电连接。具体的，触控感应层40与高阻层50电连接可通过引线连接。
薄膜晶体管基板10、彩色滤光片基板30及液晶层20组成显示模组，触控感应层40与高阻层50电连接组成触控模组。
具体的，触控感应层40可以形成于薄膜晶体管基板10朝向彩色滤光片基板30的表面，也可以形成于薄膜晶体管基板10远离彩色滤光片基板30的表面。
具体在本实施方式中，触控感应层40形成于薄膜晶体管基板10朝向彩色滤光片基板30的表面，液晶层20形成于彩色滤光片基板30朝向薄膜晶体管基板10的表面，高阻层50形成于彩色滤光片基板30远离薄膜晶体管基板10的表面。触控感应层40可嵌入到与液晶层20中，使得触摸面板功能嵌入到液晶像素中，在显示屏内部嵌入触摸传感器功能，构成In-Cell类型的触控显示装置，使得屏幕更加轻薄。
当然，触控显示装置100还包括电极、偏光片、盖板等其他元件，在此不做赘述。
具体的，高阻层50的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物。
氧化石墨(Graphiteoxide，GO)是一种新型碳素材料，具有优良的吸附性能。氧化锡(SnO2)为一种活性氧化物，具有半导体特性。氧化石墨与氧化锡混合可得到性能优异的复合材料。氧化锡可改变氧化石墨的表面性质，氧化石墨高孔隙率、大表面积的特点又可提升氧化锡的分散性，二者的协同作用导致氧化石墨和氧化锡的混合物具有优良的吸附性能和电学特性。
优选的，高阻层的材料为质量比为60～70：100的氧化石墨与氧化锡的混合物。
具体在本实施方式中，氧化石墨与氧化锡的质量比为40.4：59.6。
优选的，高阻层50的厚度为12nm～25nm。
优选的，高阻层50的透光率≥96％，此处透光率指的是彩色滤光片基板30表面形成高阻层50后与形成高阻层50前的透光率的比值。
优选的，高阻层50的色差L＝39.3，a＝-1.8，b＝-4.8，△E≤0.5。
优选的，触控感应层40的材料为ITO，当然，触控感应层40的材料不限于为ITO，也可以为其他导电材料如AZO等。
上述触控显示装置，通过在薄膜晶体管基板表面形成触控感应层，并在薄膜晶体管的彩色滤光片基板表面形成高阻层，高阻层与触控感应层电连接形成触控模组。由于高阻层直接形成在彩色滤光片基板表面，无需再使用一层玻璃承载高阻层。高阻层的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物，具有优良的吸附性能，无需使用光学胶粘合，相比传统的触控显示装置，减少了一层ITO玻璃及用来粘合的光学胶，从而上述触控显示装置较薄、透光性较好。另外，氧化石墨和氧化锡的混合物，可以起到消除静电的作用，提高触控的灵敏度。
如图2所示的上述触控显示装置的制备方法，包括如下步骤：
S10、提供薄膜晶体管基板，在薄膜晶体管基板表面形成触控感应层。
触控感应层40的材料为ITO，当然，触控感应层40的材料不限于为ITO，也可以为其他导电材料如AZO等。
具体的，可通过丝印法或真空磁控溅射的方式在薄膜晶体管基板表面镀膜，并采用化学蚀刻法进行图形制备，得到触控感应层。
具体在本实施方式中，在薄膜晶体管基板朝向彩色滤光片基板的表面形成触控感应层。
S20、提供彩色滤光片基板，在彩色滤光片基板远离薄膜晶体管基板的表面形成高阻层，高阻层的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物。
具体的，可通过真空磁控溅射的方式将靶材溅射至彩色滤光片基板远离薄膜晶体管基板的表面，形成高阻层，靶材为氧化石墨和氧化锡的混合物。
优选的靶材为质量比为60～70：100的氧化石墨与氧化锡的混合物
具体在本实施方式中，氧化石墨与氧化锡的质量比为40.4：59.6。
具体的真空磁控溅射的工艺条件为：镀膜室的真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-2Pa，彩色滤光片基板的表面温度为80℃～100℃，彩色滤光片基板的加热时间为1390s～1410s，混合气体流量为1265sccm2～1419sccm2，电压380V～480V，无氧电压680V～760V，过氧电压300V～330V，功率为6300W～7500W，靶溅距为40mm。
在实际生产中，可通过电压、无氧电压以及过氧电压了解氧气的含量的多少。若电压过高，代表靶材可能中毒。
具体的，混合气体为氧气和氩气的混合气体，其中，氧气流量为35sccm2～39sccm2，氩气流量为1230sccm2～1380sccm2。优选的，氧气和氩气的纯度均大于或等于99.999％。
氩气的作用是在镀膜室的真空度及电子的作用下，变成氩离子，氩离子撞击靶材表面，靶原子受碰撞而从靶面逸出，逸出的靶原子也称为溅射原子，溅射原子在基片表面沉积成形成薄膜。氧气的作用氧化靶面和已经溅射出来的粒子，使得真空磁控溅射形成高阻层具有良好的透光性。
优选的，采用中频真空磁控溅射，将彩色滤光片基板加热温度为100℃，彩色滤光片基板面表温差不超过1.5℃，基板加热时间为1400s。镀膜室的真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-2Pa。镀膜室中基板运行速度为1.0m/min～1.5m/min，镀膜时间120s。采用三套靶间隔溅镀，氧气流量为35sccm2～39sccm2，氩气流量12300ccm2～1380ccm2，电压465V，无氧电压725V，过氧电压313V，溅镀功率6300W～7500W，靶溅距为40mm。
当然，也可以采用其他的方式在彩色滤光片基板远离薄膜晶体管基板的表面形成高阻层，如丝网印刷等方式。
优选的，在彩色滤光片基板远离薄膜晶体管基板的表面形成高阻层之前，可将彩色滤光片基板依次进行清洗处理、干燥处理及静电消散处理，清洗处理的操作包括依次进行纯水清洗、碱液清洗、二流体喷淋清洗、超纯水喷淋清洗及高压喷淋清洗。碱液可以为清洗剂，如含有氢氧化钾或氢氧化钠的玻璃清洗剂。二流体喷淋指将高压气态流体如空气与液态流体如水混合后，通过喷嘴使高压气体与清洗液形成液滴高速喷出，清洗物体表面。超纯水喷淋，纯水指的是电阻率≥8兆欧的水。干燥处理包括依次进行冷风干燥和热风干燥。需要说明的是，如果彩色滤光片基板本身是干净的，无脏污及灰尘，则这个步骤可以省略。
S30、在彩色滤光片基板朝向薄膜晶体管基板的表面形成液晶层。
液晶层的材料可以是是脂肪族、芳香族、硬脂酸等有机物。可采用灌注液晶方法在薄膜晶体管基板与彩色滤光片基板之间形成液晶层，即将薄膜晶体管基板与彩色滤光片基板对组之后，采用毛细原理将液晶吸入形成液晶层。或采用滴下式液晶注入法，先将液晶直接滴在彩色滤光片基板上，然后再将薄膜晶体管基板与彩色滤光片基板进行对组。
S40、将触控感应层与高阻层电连接，得到触控显示装置。
具体的，可通过引线将触控感应层与高阻层电连接。触控感应层与高阻层电连接后组成触控模组，薄膜晶体管基板、液晶层及彩色滤光片基板组成的显示模组，触控模组与显示模组共同组成触控显示装置。
需要说明的是，上述触控显示装置的制备方法的步骤不限于采取上述顺序，也可以根据需要进行调整。
上述触控显示装置的制备方法，通过在薄膜晶体管基板表面形成触控感应层，并在薄膜晶体管的彩色滤光片基板表面形成高阻层，高阻层与触控感应层电连接形成触控模组。高阻层的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物，具有优良的吸附性能，无需使用光学胶粘合，工艺步骤较为简单。通过上述方法制备得到的触控显示装置厚度较薄，透光性较好，并具有防静电的作用，触控的灵敏度高。
以下结合具体实施例进行详细说明。
以下实施例中，如无特别说明，未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件。
仪器：真空磁控溅射镀膜机、清洗机、高阻仪、膜厚仪、分光计、色差计等。
实施例1
在彩色滤光片基板表面形成高阻层，包括以下步骤：
(1)使用清洗机对触控显示装置彩色滤光片基板进行纯水、碱液、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋依次清洗，将基板表面脏污及灰尘清洗干净、经冷风、热风干燥、静电消散，检验表面无脏污及灰尘，等待镀膜。
(2)使用真空磁控溅射镀膜机镀膜，选择中频溅射镀膜，基板加热温度为100℃，基板面表温差为±1.5℃，基板加热时间为1400s，镀膜室基板运行速度为1.2m/min，镀膜时间120s。氧气流量为38sccm2，氩气流量为1335sccm2。电压465V，无氧电压725V，过氧电压313V，溅镀功率7200W，靶溅距为40mm。按以下工艺条件进行溅射镀膜：镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-2Pa之间。
采用膜厚仪测试高阻层的厚度为18nm。
采用色差计测试高阻层的色差：L＝39.3，a＝-1.8，b＝-4.8，合格。
采用分光计测试高阻层的透光率为96.8％。
当然，制备触控显示装置还包括盖板、偏光板、引线的制备，采用业内常用方法即可，在此不做限定。
采用电阻仪测试高阻层的电阻为5×108Ω/cm2。采用恒温恒湿箱在90℃，60％湿度240小时烘烤实验，高阻层的电阻变化率为22％。酒精浸泡5分钟，高阻层的电阻变化率为24％。烤箱加垫60℃烘烤240小时，电阻率变化为7％。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种触控显示装置，其特征在于，包括薄膜晶体管基板、液晶层、彩色滤光片基板、触控感应层及高阻层，所述触控感应层形成于所述薄膜晶体管基板表面，所述液晶层形成于所述彩色滤光片基板朝向所述薄膜晶体管基板的表面，所述高阻层形成于所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面，所述触控感应层与所述高阻层电连接，所述高阻层的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物。
2.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述触控感应层形成于所述薄膜晶体管基板朝向所述彩色滤光片基板的表面。
3.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述高阻层的材料为质量比为60～70：100的氧化石墨与氧化锡的混合物。
4.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述高阻层的厚度为12nm～25nm。
5.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述触控感应层的材料为ITO。
6.一种如权利要求1～5中任一项所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供薄膜晶体管基板，在所述薄膜晶体管基板表面形成触控感应层；
提供彩色滤光片基板，在所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面形成高阻层，所述高阻层的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物；
在所述彩色滤光片基板朝向所述薄膜晶体管基板的表面形成液晶层，以及
将所述触控感应层与所述高阻层电连接，得到触控显示装置。
7.根据权利要求6所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，在所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面形成高阻层的操作为：通过真空磁控溅射的方式将靶材溅射至所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面，所述靶材为氧化石墨和氧化锡的混合物，镀膜室的真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-2Pa，所述彩色滤光片基板的表面温度为80℃～100℃，所述彩色滤光片基板的加热时间为1390s～1410s，混合气体流量为1265sccm2～1419sccm2，电压380V～480V，无氧电压680V～760V，过氧电压300V～330V，功率为6300W～7500W，靶溅距为40mm。
8.根据权利要求7所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，所述混合气体为氧气和氩气的混合气体，其中，所述氧气流量为35sccm2～39sccm2，所述氩气流量为1230sccm2～1380sccm2。
9.根据权利要求6所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，所述靶材为质量比为60～70：100的氧化石墨与氧化锡的混合物。
10.根据权利要求6所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，在所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面形成高阻层之前，包括将所述彩色滤光片基板依次进行清洗处理、干燥处理及静电消散处理，所述清洗处理的操作包括依次进行纯水清洗、碱液清洗、二流体喷淋清洗、超纯水喷淋清洗及高压喷淋清洗，所述干燥处理包括依次进行冷风干燥和热风干燥。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017067492A1 (zh) * 2015-10-21 2017-04-27 江西沃格光电股份有限公司 具有高阻层的触控显示装置及其制备方法
CN106756843A (zh) * 2016-12-20 2017-05-31 赫得纳米科技(昆山)有限公司 一种防静电干扰层的制备方法
CN112111715A (zh) * 2020-09-22 2020-12-22 长沙壹纳光电材料有限公司 一种改善高阻膜方阻稳定性的方法及***
CN112853268A (zh) * 2021-02-07 2021-05-28 天津盛诺电子科技有限公司 一种车载显示屏镀膜工艺

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110828530A (zh) * 2019-11-28 2020-02-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN113337796B (zh) * 2020-03-02 2022-06-28 北京大学 一种光截止性滤光片及其制备方法和应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110285640A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Park Young-Bae Electric field shielding for in-cell touch type thin-film-transistor liquid crystal displays
CN102955613A (zh) * 2012-10-26 2013-03-06 北京京东方光电科技有限公司 一种触控显示屏及触控显示装置
TW201404245A (zh) * 2012-06-08 2014-01-16 Apple Inc 用於屏蔽顯示器免受靜電放電影響之裝置與方法
CN104063100A (zh) * 2013-03-18 2014-09-24 阿尔卑斯电气株式会社 静电电容式触摸板
CN104123025A (zh) * 2013-04-29 2014-10-29 业鑫科技顾问股份有限公司 内嵌式触控显示装置
CN104571714A (zh) * 2015-01-30 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 触摸屏和显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4214729C1 (zh) 1992-05-08 1993-09-16 Sundwiger Eisenhuette Maschinenfabrik Gmbh & Co, 58675 Hemer, De
JP2859790B2 (ja) * 1993-02-10 1999-02-24 住友大阪セメント株式会社 帯電防止・高屈折率膜形成用塗料および帯電防止・反射防止膜付き透明材料積層体および表示装置
US6896981B2 (en) * 2001-07-24 2005-05-24 Bridgestone Corporation Transparent conductive film and touch panel
JP2009117597A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN103340026B (zh) * 2011-02-02 2016-12-21 3M创新有限公司 具有暗化的导体迹线的图案化基材
JP2012247542A (ja) * 2011-05-26 2012-12-13 Japan Display Central Co Ltd 液晶表示装置
US20150109264A1 (en) * 2012-04-16 2015-04-23 George Tunis Capacitive Touch Device Stylus
CN102999223A (zh) * 2012-12-25 2013-03-27 北京京东方光电科技有限公司 一种触控显示屏及触控显示装置
JP2014177552A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Hitachi Maxell Ltd 透明導電性コーティング組成物、透明導電性膜及びタッチパネル機能内蔵型横電界方式液晶表示パネル
CN111211348B (zh) 2014-03-13 2024-03-12 株式会社半导体能源研究所 电子设备
CN105242431B (zh) * 2015-10-21 2018-11-09 江西沃格光电股份有限公司 具有消除静电的高阻层的触控显示装置及其制备方法
CN105242432A (zh) * 2015-10-21 2016-01-13 江西沃格光电股份有限公司 触控显示装置及其制备方法
CN105242809A (zh) * 2015-10-21 2016-01-13 江西沃格光电股份有限公司 触控显示装置及其制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110285640A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Park Young-Bae Electric field shielding for in-cell touch type thin-film-transistor liquid crystal displays
TW201404245A (zh) * 2012-06-08 2014-01-16 Apple Inc 用於屏蔽顯示器免受靜電放電影響之裝置與方法
CN102955613A (zh) * 2012-10-26 2013-03-06 北京京东方光电科技有限公司 一种触控显示屏及触控显示装置
CN104063100A (zh) * 2013-03-18 2014-09-24 阿尔卑斯电气株式会社 静电电容式触摸板
CN104123025A (zh) * 2013-04-29 2014-10-29 业鑫科技顾问股份有限公司 内嵌式触控显示装置
CN104571714A (zh) * 2015-01-30 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 触摸屏和显示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017067492A1 (zh) * 2015-10-21 2017-04-27 江西沃格光电股份有限公司 具有高阻层的触控显示装置及其制备方法
US10365508B2 (en) 2015-10-21 2019-07-30 Wgtech (Jiangxi) Co., Ltd. Touch control display device having high resistance layer
CN106756843A (zh) * 2016-12-20 2017-05-31 赫得纳米科技(昆山)有限公司 一种防静电干扰层的制备方法
CN112111715A (zh) * 2020-09-22 2020-12-22 长沙壹纳光电材料有限公司 一种改善高阻膜方阻稳定性的方法及***
CN112853268A (zh) * 2021-02-07 2021-05-28 天津盛诺电子科技有限公司 一种车载显示屏镀膜工艺

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Publication number Publication date
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