CN105242765A - 一种解决供电电压变化导致芯片和mos损坏的设计方案 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种解决供电电压变化导致芯片和MOS损坏的设计方案，当芯片的VCC电压达到5V之后，就会驱动电压控制芯片开始工作，电压控制芯片通过发出MOS开关信号来实现上下MOS分别打开和关闭，通过电感的作用来输出稳定电压，其特征在于：在电压控制芯片的VCC管脚处，添加一颗电阻和一颗电容，其中电阻串联于VCC电压输入端和电压控制芯片的VCC管脚之间，电容连接于GND和电压控制芯片的VCC管脚之间。
Description
技术领域
本发明涉及服务器板卡供电技术领域，具体涉及一种解决供电电压变化导致芯片和MOS损坏的设计方案,针对服务器主板上电压转换芯片的供电电压变化导致芯片和MOS损坏的问题。
背景技术
随着互联网等网络业务的迅猛发展，服务器开始在许多领域广泛应用，在服务器***中，稳定供电是不可或缺的重要部分，尤其在存储类应用上，需要确保CPU在各种存储与高速运算的模式下，内存和硬盘等各部分都能稳定工作。而随着CPU的升级，内存和硬盘的配置更新，对各组供电需求的稳定性要求越来越高。
目前，给CPU、内存、硬盘等供电都是通过从电源板上取电后，经过各级电压转换，将电压输送到服务器主板，硬盘背板等地方，因此，在负载变化较快或者负载较大的情况下，电压传输过程中难免会受到外部干扰和能量损耗，造成电压不稳。同时，因部分供电通过线缆连接，其上面的等效电感较大，瞬态电流会在线缆上产生感应电压，更加影响了电压的稳定性。
如图1所示，为修改前电压控制芯片工作的示意图。当芯片的VCC电压达到5V之后，就会驱动电压控制芯片开始工作，电压控制芯片通过发出MOS开关信号来实现上下MOS分别打开和关闭，通过电感的作用来输出稳定电压。
当VCC电压不稳时，MOS开关信号和PHASE电流的异常情况，在VCC波动过程中，MOS开关信号会出现连续发出几个让MOS打开的信号，之后很长一段时间让MOS持续关闭，这样导致PHASE电流很大，容易烧坏MOS，进而导致MOS短路损坏掉电压控制芯片。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为克服该问题，本发明提供一种解决服务器主板上电压转换芯片的供电电压变化导致芯片和MOS损坏的设计方案。
本发明所采用的技术方案为：
一种解决供电电压变化导致芯片和MOS损坏的设计方案，当芯片的VCC电压达到5V之后，就会驱动电压控制芯片开始工作，电压控制芯片通过发出MOS开关信号来实现上下MOS分别打开和关闭，通过电感的作用来输出稳定电压，其中，在电压控制芯片的VCC管脚处，添加一颗电阻和一颗电容，其中电阻串联于VCC电压输入端和电压控制芯片的VCC管脚之间，电容连接于GND和电压控制芯片的VCC管脚之间。
这样，当前端5V受负载或者干扰影响发生波动时，电压信号传输经过这里的电阻和电容，通过对信号的滤波以及能量吸收和补偿，确保VCC依然为稳定电压，进而确保电压控制芯片正常工作，输出电压稳定。
所述添加的电阻的阻值为2.2ohm。电阻越大，产生的能量损耗就会越大，电阻太小，滤波能力就会不够，故此处选用了2.2ohm的电阻。
所述添加的电容为0.1uF-1uF之间的电容；电容越大，所需储存的能量就越大，在输入信号能量有限的情况下经过此电容时就会产生压降，而电容太小又无法及时补偿电压转换芯片所需能量，所以此处应选择容量在0.1uF-1uF之间的电容。
本发明的有益效果为：
本发明通过在电压转换芯片VCC端添加一颗电阻和一颗电容，对信号进行滤波以及能量吸收和补偿，确保VCC电压稳定，可实现服务器在不同负载的存储和运算模式下，进行安全可靠的工作，可以避免负载变化过快时对5V的影响，解决损坏电压转换芯片和MOS的问题。
附图说明
图1为服务器电压控制芯片工作示意图；
图2为改进后电压控制芯片工作示意图。
具体实施方式
下面根据说明书附图，结合具体实施方式对本发明进一步说明：
实施例1：
如图2所示，一种解决供电电压变化导致芯片和MOS损坏的设计方案，当芯片的VCC电压达到5V之后，就会驱动电压控制芯片开始工作，电压控制芯片通过发出MOS开关信号来实现上下MOS分别打开和关闭，通过电感的作用来输出稳定电压，在电压控制芯片的VCC管脚处，添加一颗电阻和一颗电容，其中电阻串联于VCC电压输入端和电压控制芯片的VCC管脚之间，电容连接于GND和电压控制芯片的VCC管脚之间。
这样，当前端5V受负载或者干扰影响发生波动时，电压信号传输经过这里的电阻和电容，通过对信号的滤波以及能量吸收和补偿，确保VCC依然为稳定电压，进而确保电压控制芯片正常工作，输出电压稳定。
实施例2：
在实施例1的基础上，本实施例所述添加的电阻的阻值为2.2ohm。电阻越大，产生的能量损耗就会越大，电阻太小，滤波能力就会不够，故此处选用了2.2ohm的电阻。
实施例3：
在实施例1或2的基础上，本实施所述添加的电容为0.1uF-1uF之间的电容；电容越大，所需储存的能量就越大，在输入信号能量有限的情况下经过此电容时就会产生压降，而电容太小又无法及时补偿电压转换芯片所需能量，所以此处应选择容量在0.1uF-1uF之间的电容
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
Claims (3)
1.一种解决供电电压变化导致芯片和MOS损坏的设计方案，当芯片的VCC电压达到5V之后，就会驱动电压控制芯片开始工作，电压控制芯片通过发出MOS开关信号来实现上下MOS分别打开和关闭，通过电感的作用来输出稳定电压，其特征在于：在电压控制芯片的VCC管脚处，添加一颗电阻和一颗电容，其中电阻串联于VCC电压输入端和电压控制芯片的VCC管脚之间，电容连接于GND和电压控制芯片的VCC管脚之间。
2.根据权利要求1所述的一种解决供电电压变化导致芯片和MOS损坏的设计方案，其特征在于：所述添加的电阻的阻值为2.2ohm。
3.根据权利要求1或2所述的一种解决供电电压变化导致芯片和MOS损坏的设计方案，其特征在于：所述添加的电容为0.1uF-1uF之间的电容。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107038140A (zh) * | 2017-04-17 | 2017-08-11 | 广东浪潮大数据研究有限公司 | 一种避免节点热插时损坏芯片的rack服务器及方法 |
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2015
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