CN105242502B - 一种对准光栅组及其光栅的制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种对准光栅组，包括：设置于模板上的第一光栅和设置于晶圆上的第二光栅，所述第一光栅与所述第二光栅相对设置；所述第一光栅的光栅底部覆盖折射层，所述折射层的折射率大于1.5。提高了所述光栅组的衍射效率，增大所述第一光栅和所述第二光栅对准时产生的莫尔条纹的对比度，从而易于判断对准光栅的对准程度，提高了所述对准光栅组的对准精度。

Description

一种对准光栅组及其光栅的制作方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种对准光栅组及其光栅的制作方法。

背景技术

纳米压印技术是一种新型光刻技术，通过将具有纳米图案的模板进行机械压印，在涂有高分子材料的硅基板上形成等比例纳米图案。由于其高精度、高分辨率、廉价的特点，受到人们的广泛关注。

然而，如果采用紫外压印技术进行多层压印时，需要采用对准标记进行套刻。现有技术中，利用摩尔条纹的产生原理进行对准，即：当两种光栅相互叠加，会在视觉上形成周期大于该两种光栅周期的摩尔条纹，并且，摩尔条纹的周期由两组光栅的周期差决定，周期差越小，摩尔条纹的周期越大。通过这一原理，在透光模板和晶圆上分别形成对应的光栅，根据对准时产生的莫尔条纹调整模板和晶圆的位置，最终得到高对准精度的多层压印图案。

如图1所示，现有的对准光栅组包括透光模板上的一维光栅和晶圆上的二维光栅，其中，图1a为透光模板上的一维光栅，图1b为晶圆上的二维光栅。如图2所示，其中，晶圆为101，晶圆上的二维光栅为102，光刻胶为103，晶圆上的被压印出的光刻图案为104，透光模板为106，透光模板上的一维光栅为105，当光107以利特罗角度照射，重叠的对准光栅组102和105会产生一阶衍射的莫尔条纹，通过该莫尔条纹判断对准光栅组的对准程度，从而对透光模板和晶圆的位置进行调整。

然而，现有技术得到的莫尔条纹模糊，不易判断对准光栅组的对准程度，对准精度低。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种对准光栅组及其光栅的制作方法，提高了光栅的衍射效率，增大了莫尔条纹的对比度，从而易于判断对准光栅的对准程度，对准精度得到提高。

技术方案如下：

一种对准光栅组，包括：

设置于模板上的第一光栅和设置于晶圆上的第二光栅，所述第一光栅与所述第二光栅相对设置；

所述第一光栅的光栅底部覆盖折射层，所述折射层的折射率大于1.5。

优选的，所述折射层为金属层、介电层或者半导体层。

优选的，所述折射层的厚度的取值范围为1nm～50nm。

优选的，所述折射层为金属层。

优选的，所述金属层的厚度的取值范围为10nm～30nm。

优选的，所述第一光栅为一维光栅，所述第二光栅为二维光栅。

优选的，所述第一光栅在第一方向的周期与所述第二光栅在第一方向的周期差小于所述第一光栅在第一方向的周期的十分之一。

优选的，当所述折射层为金属层时，所述金属为铬、铝或者钛；当所述折射层为半导体层时，所述半导体为硅、锗或者碳化硅。

优选的，所述二维光栅在晶圆上的深度的取值范围为10nm～500nm。

一种光栅的制作方法，应用于所述的第一光栅，其特征在于，包括：

提供模板；

在所述模板上形成具有光栅图案的掩膜层；

在具有所述掩膜层的模板上刻蚀，形成光栅结构；

在具有所述光栅结构的模板上形成折射层，所述折射层的折射率大于1.5；

去除所述掩膜层，形成所述光栅。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

本发明中的对准光栅组及其光栅的制作方法，在模板上的第一光栅的光栅底部覆盖折射层，所述折射层的折射率大于1.5，可以提高所述第一光栅的衍射效率，增大所述第一光栅和所述第二光栅对准时产生的莫尔条纹的对比度，从而易于判断对准光栅的对准程度，提高了所述对准光栅组的对准精度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有的对准光栅组的图形示意图；

图2是现有技术中对准光栅组的对准示意图；

图3是本发明光栅制作方法的流程示意图

图4是实施例一中的对准光栅组的结构示意图；

图5是实施例一中的二维光栅的深度和对准光栅组的一阶衍射效率之间的关系图；

图6是实施例一中的二维光栅在第一方向的一阶衍射效率曲线图；

图7是实施例一中的二维光栅在在垂直于第一方向的方向的一阶衍射效率曲线图；

图8是实施例一中的铬层的厚度与衍射效率关系图；

图9是实施例一中的对准光栅组的SEM图像；

图10是实施例一中的莫尔图案；

图11是实施例一中的不同厚度铬层的一阶衍射效率变化曲线图；

图12是实施例二中的光栅的制作方法流程图；

图13～17是实施例二中的光栅的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如背景技术所述，现有技术得到的莫尔条纹模糊，不易判断对准光栅组的对准程度，对准精度低。发明人经过研究发现，造成这种问题的原因是，压印的光刻胶为透光材料，其光学性质对现有的对准光栅组的衍射产生了影响，从而使得该对准光栅组得到的莫尔条纹模糊，不易判断，造成该对准光栅组对准精度低。

发明人进一步研究发现，影响对准光栅组的对准光栅组对准精度低的主要原因是光刻胶的折射率与模板的折射率相近，如图2所示，当进行光刻胶的压印时，光刻胶103填充入模板上的一维光栅105中，部分或全部抵消了一维光栅105的光学作用，从而造成了莫尔条纹模糊，甚至无法得到莫尔条纹。

基于上述研究，发明人经过多方面的分析实验后，提出一种对准光栅组，包括：设置于模板上的第一光栅和设置于晶圆上的第二光栅，所述第一光栅与所述第二光栅相对设置；所述第一光栅的光栅底部覆盖折射层，所述折射层的折射率大于1.5。

在本发明中，所述第一光栅与所述第二光栅相对设置，是指所述第一光栅与所述第二光栅设置在模板和晶圆的相对面，且在将模板与晶圆的相对面重叠放置时，所述第一光栅设置在模板的位置与所述第二光栅在晶圆的位置可重叠。所述第一光栅位于模板上的位置，可以为所述模板压印面的边缘位置，或者所述模板压印面的角落位置，或者根据实际需要设定的其他特定位置。所述第二光栅则位于晶圆光刻面与所述第一光栅相对的位置。

其中，所述第一光栅可以为一维光栅，也可以为二维光栅，所述第二光栅可以为二维光栅，具体光栅结构可以根据需要进行设定。所述第一光栅和所述第二光栅符合产生莫尔条纹的光栅条件，即，当光以利特罗角度照射重叠的第一光栅和第二光栅时，产生一阶衍射的莫尔条纹。其中，若第一光栅在X方向的周期是px₁，第二光栅在X方向的周期是px₂，则摩尔条纹的周期为P＝(px₁*px₂/(px₁-px₂))。

并且，所述利特罗角度可以通过下式计算得到：

其中，λ代表入射光的波长，Py表示第二光栅Y方向的周期。

并且，在本发明中，所述第一光栅底部覆盖折射层，所述折射层的折射率大于1.5，可以增大第一光栅与光栅底部的折射率差，使得第一光栅的光学作用增强，从而提高所述对准光栅组的衍射效率，增大所述第一光栅和所述第二光栅对准时产生的莫尔条纹的对比度，从而易于判断对准光栅组的对准程度，提高了所述对准光栅组的对准精度。

并且，提供了本发明中所述第一光栅的一种制作方法，如图3中的流程图，包括：

步骤S101：提供模板；

步骤S102：在所述模板上形成具有光栅图案的掩膜层；

步骤S103：在具有所述掩膜层的模板上刻蚀，形成光栅结构；

步骤S104：在具有所述光栅结构的模板上形成折射层，所述折射层的折射率大于1.5；

步骤S105：去除所述掩膜层，形成所述光栅。

通过在模板上的第一光栅的光栅底部形成折射层，所述折射层的折射率大于1.5，可以提高所述对准光栅组的衍射效率，增大所述第一光栅和所述第二光栅对准时产生的莫尔条纹的对比度，从而易于判断对准光栅组的对准程度，提高了所述对准光栅组的对准精度。

以上是本发明的中心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

本实施例提供一种对准光栅组，如图4所示，所述对准光栅组包括：

设置于模板201上的第一光栅202和设置于晶圆203上的第二光栅204，所述第一光栅与所述第二光栅相对设置；

所述第一光栅的光栅底部覆盖折射层205，所述折射层的折射率大于1.5。

在本实施例中，所述第一光栅底部覆盖折射层，所述折射层的折射率大于1.5，可以增大第一光栅与光栅底部的折射率差，使得第一光栅的光学作用增强，从而提高对准光栅组衍射效率，增大所述第一光栅和所述第二光栅对准时产生的莫尔条纹的对比度，从而易于判断对准光栅的对准程度，提高了所述对准光栅组的对准精度。

其中，所述折射层可以为金属材料、介电材料或者半导体材料形成的金属层、介电层或者半导体层，只要该折射层的材料满足折射率大于1.5。并且，所述折射层的厚度的取值范围为1nm～50nm。具体的，在本实施例中，所述折射层为金属层，所述金属层的厚度的取值范围为10nm～30nm。经实验表明，该厚度范围可以内的金属层可以进一步增大光栅的衍射效果。优选的，所述金属层可为10nm、20nm或者25nm，其中，所述金属层的厚度越薄，得到的效果越好，实验表明，当所述金属层选取20nm时，已经可以得到十分清晰且易于判断的莫尔条纹。在本实施例中，所述金属层为铬层，可以得到更好的衍射效果，从而可以得到清晰且易于判断的莫尔条纹，提高对准光栅组的对准效果。在本发明的其他实施例中，也可以选取其他符合折射率条件的金属层，例如铝、钛等。

在本发明的其他实施例中，所述折射层的材料采用非金属材料时，还可以有如下选择，如采用介电材料，则可以采用氮化硅等形成折射层，如采用半导体材料，可以采用硅、碳化硅、锗等形成折射层。

在本实施例中，所述第一光栅与所述第二光栅相对设置，是指所述第一光栅与所述第二光栅设置在模板和晶圆的相对面，且在将模板与晶圆的相对面重叠放置时，所述第一光栅设置在模板的位置与所述第二光栅在晶圆的位置可重叠。所述第一光栅位于模板上的位置，可以为所述模板压印面的边缘位置，或者所述模板压印面的角落位置，或者根据实际需要设定的其他特定位置。所述第二光栅则位于晶圆光刻面与所述第一光栅相对的位置。

其中，所述第一光栅和所述第二光栅符合产生莫尔条纹的光栅条件，即，当光以利特罗角度照射重叠的第一光栅和第二光栅时，产生一阶衍射的莫尔条纹。其中，若第一光栅的周期是Px，第二光栅的周期是py，则摩尔条纹的周期的P＝(px*py/(px-py))。在本实施例中，为保证所述对准光栅组的对准精度，所述第一光栅在第一方向的周期与所述第二光栅在第一方向的周期差小于所述第一光栅在第一方向的周期的十分之一。

其中，所述第一方向，可以为所述相对重叠后的第一光栅和第二光栅的俯视面中的任一方向，本实施例中优选所述相对重叠后的第一光栅和第二光栅的俯视面中的水平方向或者竖直方向。

所述第一光栅可以为一维光栅，也可以为二维光栅，所述第二光栅可以为二维光栅，具体光栅结构可以根据需要进行设定。在本实施例中，所述第一光栅为一维光栅，所述第二光栅为二维光栅，以形成易于判断对准准确度的莫尔条纹。

并且，为得到更好的衍射效果，所述一维光栅在第一方向的周期为1.7μm～2.0μm，所述二维光栅在第一方向的周期为1.7μm～2.0μm；所述一维光栅在第一方向的周期与所述二维光栅在第一方向的周期差小于0.1μm。具体的，在本实施例中，所述一维光栅在第一方向的周期为1.85μm，所述二维光栅在第一方向的周期为1.8μm，所述二维光栅在垂直于所述第一方向的方向周期2.6um。

进一步的，为得到更好的对准效果，在本实施例中，将所述二维光栅在晶圆上的深度的取值范围设置为10nm～500nm，其中，最优的取值范围为80nm～120nm，优选值可以为80nm、100nm或者120nm。在本实施例中，所述二维光栅在晶圆上的深度为100nm。

需要说明的是，在模板201上，还具有压印图案206，用于将晶圆上的光刻胶压印出对应的图案。并且，所述模板201为透光模板，用于在压印光刻过程中进行对准。

为进一步证实本实施例方案的效果，发明人对上述方案中的数据进行了仿真模拟。具体的，发明人使用严格耦合波分析(RCWA)的方法进行数值模拟。严格耦合波分析(RCWA)是分析和设计衍射结构的有效方法，是麦克斯韦方程组的确切解。在仿真模拟过程中，设定入射光的波长为550nm，根据波长和在Y方向光栅周期，计算得到利特罗角。在模拟过程中，当一维光栅和二维光栅被对准时，能够得到一阶衍射的峰值；当两者有四分之一周期的偏移时，得到一阶衍射的谷值。

首先，采用本实施例方案中选取的各参数值，针对二维光栅在晶圆上的不同的深度值进行模拟，得到的二维光栅的深度和所述对准光栅组的一阶衍射效率之间的关系，如图5所示，其中，横坐标为刻蚀深度，单位为纳米(nm)，纵坐标为一阶衍射效率。可以理解，如果二维光栅的深度过小，其色散能力有限，衍射效率不高。而另一方面，如果二维光栅的深度太大，则会局限过多的光，降低衍射效率。因此所述二维光栅在晶圆上的深度设置为80nm～120nm范围内的衍射效率最好。

接下来，采用本实施例方案中选取的各参数值，针对二维光栅在晶圆上的不同方向的不同周期进行模拟，得到了二维光栅不同方向的周期与一阶衍射效率的关系，如图6和图7所示，其中，图6为二维光栅在第一方向的一阶衍射效率变化曲线，横坐标为二维光栅在第一方向的周期，单位为纳米(nm)，纵坐标为一阶衍射效率。图7为二维光栅在垂直于第一方向的方向周期变化曲线，横坐标二维光栅在垂直于第一方向的方向的周期，单位为纳米(nm)，纵坐标为一阶衍射效率。可以看出，当第一方向的周期1um增大至1.8um过程中，一阶衍射效率先下降，然后上升到一个稳定值。而在垂直于第一方向的方向，其光栅周期对衍射效率没有影响。

并且，采用本实施例方案中选取的各参数值，针对铬层的厚度与衍射效率之间的关系进行了模拟，得到的结果如图8所示。其中，横坐标为一维光栅底部金属层的厚度，单位为纳米(nm)，左侧纵坐标为一阶衍射效率，右侧纵坐标为得到的莫尔条纹的对比度。图中，有三角形标记的为一阶衍射效率曲线，有圆圈标记的为莫尔条纹的对比度。可以看出，标记一阶衍射效率的峰值随薄膜厚度的增加而上升，然后略有下降。但是，为保证光栅的光学效果，所述金属层的厚度越薄越好，因此，所述铬层可以选择的范围为10nm～25nm，优选为20nm。

进一步的，发明人针对本实施例中的参数采用图2所示的光学***进行进行了实验。其中，采用7×超长工作距离物镜以利特罗角度将光线投射到CCD照相机，得到一阶莫尔图案，采用光电倍增管(PMT)测定对准光栅的衍射效率。

具体的，晶圆上二维光栅的SEM图像如图9a所示，模板上的一维光栅的SEM图像如图9b所示，在具有二维光栅的晶圆上旋涂压印光刻胶，并放置在移动台，而具有一维光栅的模板则由一个吸盘吸住，放置在靠近晶圆的光刻面上方，并使用垂直方向的促动器进行调整。通过对该对准光栅组进行对准，得到的莫尔图案如图10b所示，与没有金属层的对准光栅组得到的莫尔图案10a相比，可以看出，具有金属层的对准光栅组得到的莫尔图案的清晰度显著提升。

另外，针对不同厚度的铬层(10nm，20nm，50nm和100nm)，发明人进行了进一步的实验，得到的结果如图11所示，其中，横坐标代表铬层的厚度，左侧纵坐标代表一阶衍射效率，右侧纵坐标代表检测光信号强度，带有三角形标记的曲线为一阶衍射效率，条形图代表不同铬层厚度下检测光信号强度。可以看出，本实施例中仿真模拟的结果是准确的，具有金属层的对准光栅组是具有突出的技术效果的。

在本发明实施例中，所述第一光栅底部覆盖折射层，所述折射层的折射率大于1.5，可以增大第一光栅与光栅底部的折射率差，使得第一光栅的光学作用增强，从而提高所述第一光栅的衍射效率，增大所述第一光栅和所述第二光栅对准时产生的莫尔条纹的对比度，从而易于判断对准光栅的对准程度，提高了所述对准光栅组的对准精度。

并且，通过调整晶圆和模板上第一方向的光栅周期，能够放大模板和晶圆之间的未对准误差。根据这一理论，通过信号和图像处理算法得到的莫尔条纹，可以实现不到一纳米对准精度。

实施例二

基于上述实施例，本实施例提供了一种光栅的制作方法，应用于实施例一所述的第一光栅，图12中的流程图，包括：

步骤S201：提供模板；

步骤S202：在所述模板上形成具有光栅图案的掩膜层；

步骤S203：在具有所述掩膜层的模板上刻蚀，形成光栅结构；

步骤S204：在具有所述光栅结构的模板上形成折射层，所述折射层的折射率大于1.5；

步骤S205：去除所述掩膜层，形成所述光栅。

具体的，在本实施例中，执行步骤S201，如图13，提供模,301，所述模板为紫外压印过程中的掩膜版，具有压印图形，用于对晶圆上的光刻胶进行压印，以产生对应的图形。所述模板为透光模板，用于在压印对准过程中进行对准。具体的，所述模板的材料可以为石英。

其中，在执行步骤S201中，提供模板后，还可以包括：清洗模板。

具体的，将模板放入3:1的浓硫酸和过氧化氢溶液中煮30min，然后将模板放入3:1丙酮和异丙醇溶液中超声清洗15min，纯水清洗后，氮气吹干。

接着，执行步骤202，在所述模板上形成具有光栅图案的掩膜层，如图14所示，在所述模板301上形成具有光栅图案的掩膜层302。

具体的，本步骤可以包括以下步骤：

步骤2021：预烘所述模板；

其中，在加热至180℃的热板上加热所述模板，时间为5min。

步骤2022：在所述模板上涂覆光刻胶和导电胶；

具体的，在所述模板上旋涂光刻胶，在本实施例中，所述光刻胶为

PMMA，并且，为保证电子束光刻的效果，还需要在所述光刻胶上涂覆一层导电胶。

步骤2023：烘干所述模板上的光刻胶和导电胶；

具体的，在加热至180℃的热板上烘干所述模板，时间为90S。

步骤2024：曝光所述光刻胶；

具体的，采用电子束光刻曝光所述光刻胶，电子束的剂量为290uC/cm²。其中，所述电子束曝光按照预设的图形进行曝光，所述预设的图形为本实施例中需要制作的所述光栅的俯视图。

步骤2025：显影，在所述模板上形成具有光栅图案的掩膜层。

具体的，采用MIBK(甲基异丁基)与IPA(异丙醇)以1:3配比形成的溶液作为显影液，将曝光后的目标放入该显影液中，时间为30S，在所述模板上形成具有光栅图案的掩膜层。之后，清洗，氮气吹干。

在本申请其他实施例中，所述在模板上形成具有光栅图案的掩膜层还可以采用本领域熟知的其他方法，如将本实施例中的电子光刻替换为紫外光刻等，同样可以得到具有光栅图案的掩膜层，在此不再赘述。

接着，执行步骤S203，在具有所述掩膜层的模板上刻蚀，形成光栅结构。

具体的，进行RIE刻蚀(Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀)，如图15所示，在具有所述掩膜层的模板上刻蚀，形成光栅结构303。具体工艺参数包括：通入反应气体C₄F₈，流量设置为45sccm，O₂流量设置为2sccm，压强设置为3.7mtor，ICP(inductive coupledplasma感应等离子)设为1100W，RF(radio frequency power辐射功率)设为120w，并且，其中通入He(氦气)，气体压力为10torr，温度设为20度，刻蚀时间为60s。

之后，执行步骤204，如图16所示，在具有所述光栅结构的模板上形成折射层304，所述折射层的折射率大于1.5。并且，所述折射层的厚度范围为1nm～50nm。

具体的，若所述折射层为金属层，可以在所述模板上进行蒸镀，形成金属层。在本实施例中，所述金属层的厚度可以为10nm～30nm，所述金属层为折射率大于1.5的金属层。具体的，所述金属层可以为铬层，所述铬层的厚度可以为20nm。

若所述折射层为介电层或半导体层，可以根据不同的材料选择不同的工艺，如所述折射层为氮化硅层，可以采用沉积工艺形成，如所述折射层为硅层，可以采用外延生长工艺形成。

接着，执行步骤S205，去除所述掩膜层，形成所述光栅。

具体的，采用剥离工艺去除所述掩膜层，形成如图17所述光栅。

在本发明实施例中，所述光栅底部覆盖折射层，所述折射层的折射率大于1.5，可以增大光栅与光栅底部的折射率差，所述光栅作为对准光栅组的第一光栅时，可以使得对准光栅组的光学作用增强，从而提高所述对准光栅组的衍射效率，增大所述对准光栅组对准时产生的莫尔条纹的对比度，从而易于判断对准光栅组的对准程度，提高了所述对准光栅组的对准精度。

并且，通过调整晶圆和模板上第一方向的光栅周期，能够放大模板和晶圆之间的未对准误差。根据这一理论，通过信号和图像处理算法得到的莫尔条纹，可以实现不到一纳米对准精度。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于装置类实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本申请所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (9)

1.一种对准光栅组，其特征在于，包括：

设置于模板上的第一光栅和设置于晶圆上的第二光栅，所述第一光栅与所述第二光栅相对设置，所述第一光栅和所述第二光栅符合产生莫尔条纹的光栅条件；

所述第一光栅的光栅底部覆盖折射层，所述折射层的折射率大于1.5；

所述第一光栅在第一方向的周期与所述第二光栅在第一方向的周期差小于所述第一光栅在第一方向的周期的十分之一。

2.根据权利要求1所述的对准光栅组，其特征在于，所述折射层为金属层、介电层或者半导体层。

3.根据权利要求1所述的对准光栅组，其特征在于，所述折射层的厚度的取值范围为1nm～50nm。

4.根据权利要求2所述的对准光栅组，其特征在于，所述折射层为金属层。

5.根据权利要求4所述的对准光栅组，其特征在于，所述金属层的厚度的取值范围为10nm～30nm。

6.根据权利要求3所述的对准光栅组，其特征在于，所述第一光栅为一维光栅，所述第二光栅为二维光栅。

7.根据权利要求1所述的对准光栅组，其特征在于，当所述折射层为金属层时，所述金属为铬、铝或者钛；当所述折射层为半导体层时，所述半导体为硅、锗或者碳化硅。

8.根据权利要求6所述的对准光栅组，其特征在于，所述二维光栅在晶圆上的深度的取值范围为10nm～500nm。

9.一种光栅的制作方法，应用于权利要求1所述的第一光栅，其特征在于，包括：

提供模板；

在所述模板上形成具有光栅图案的掩膜层；

在具有所述掩膜层的模板上刻蚀，形成光栅结构；

在具有所述光栅结构的模板上形成折射层，所述折射层的折射率大于1.5；

去除所述掩膜层，形成所述光栅。