CN105190998B - 阵列天线 - Google Patents

Abstract

一种阵列天线包括依次层叠的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层和第三金属层，第二介质层设有多个金属通孔，多个金属通孔形成馈电区，第一金属层包括多个子阵，每个子阵均包括多个辐射阵列和一个功分器，功分器包括中心区和自所述中心区延伸而出的多个分支，辐射阵列分别连接在多个分支的远离中心区的一端，第二金属层设有多个耦合槽，多个耦合槽分别正对中心区，馈电区用于馈入信号，信号经过多个耦合槽被传输至所述功分器的中心区，再经过多个分支将所述信号传输至辐射阵列。本发明通过子阵的多个辐射阵列和功分器形成的并联传输架构，增加天线的带宽，提供了高增益宽带紧凑型平面毫米波阵列天线。

Description

阵列天线

技术领域

本发明涉及通信领域，尤其涉及一种阵列天线。

背景技术

天线是通信设备最重要的前端无源器件之一。天线对通信产品性能有着非常重要的作用。阵列天线基本由馈电网络和天线单元阵列两大部分构成，一般要求馈电网络输出到每个天线单元的信号等幅同相，且馈电损耗小，两个天线单元之间的间距为二分之一工作波长，且辐射效率高。

目前的阵列天线的馈电网络一般可采用微带、波导、基片集成波导几种方式，其中微带馈电网络容易通过并型馈电结构设计达到等幅同相要求，但微带线在高频损耗大，性能较差；波导传输损耗最低，但由于波导尺寸较大，一般只能采用串行馈电方式，只能在较窄频段范围内满足等幅同相要求，如采用并行馈电，则受波导宽度限制，不易满足天线单元间距为二分之一工作波长要求；基片集成波导损耗低，比波导更易加工和集成，但存在与波导相同的问题，即，宽度限制不能满足天线单元间距为二分之一工作波长。

故，现有技术中的阵列天线存在高频损耗大、性能差及带宽窄的缺点。

发明内容

本发明实施例提供了提供一种阵列天线，来增加天线的带宽，以满足对带宽要求较宽的***的需求。

本发明提供的一种阵列天线包括依次层叠的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层和第三金属层，所述第二介质层设有多个金属通孔，所述多个金属通孔电连接于所述第二金属层和所述第三金属层之间并形成馈电区，所述第一金属层包括多个子阵，每个子阵均包括多个辐射阵列和一个功分器，所述功分器包括中心区和自所述中心区延伸而出的多个分支，所述多个辐射阵列分别连接在所述多个分支的远离所述中心区的一端以形成并联传输信号的架构，所述第二金属层设有多个耦合槽，所述多个耦合槽分别正对所述多个功分器的中心区，所述馈电区用于馈入信号，所述信号经过所述多个耦合槽被传输至所述功分器的中心区，再经过所述多个分支将所述信号传输至所述多个辐射阵列。

在第一种可能的实现方式中，所述馈电区包括多个馈电单元，所述多个耦合槽在所述第二介质层上的投影分别落在所述多个馈电单元的范围内。

结合第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，每个所述馈电单元均包括一条中心线，形成所述馈电单元的金属通孔对称分布在所述中心线的两侧，所述多个耦合槽偏离所对应的所述馈电单元的中心线。

结合第一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，每个所述馈电单元均包括一对传输部和一个短路端，所述短路端连接在所述一对传输部之间且位于所述一对传输部的一端，所述一对传输部的远离所述短路端的一端为开口端，所述多个馈电单元两两相对，相对的两个馈电单元的开口端相互邻近。

结合第三种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述传输部相互平行。

结合第三种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述馈电区还包括T型功分器，所述T型功分器位于相邻的两个所述馈电单元之间，且靠近所述馈电单元的开口端。

结合第五种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，每个所述T型功分器均是通过三个呈三角形排列的所述金属通孔形成的。

结合上述任意一项可能实施的方式，在第七种可能实现的方式中，所述多个分支对称分布在所述中心区的两侧，所述辐射阵列对称分布在所述功分器的两侧。

结合上述任意一项可能实施的方式，在第八种可能实现的方式中，所述第一介质层与所述第一金属层形成所述阵列天线的辐射介质基片，所述第二金属层、所述第二介质层及所述第三金属层共同形成所述阵列天线的馈电介质基片，所述辐射介质基片与所述馈电介质基片的厚度及介电常数不同。

结合上述任意一项可能实施的方式，在第九种可能实现的方式中，所述辐射介质基片与所述馈电介质基片重合，所述辐射介质基片的厚度为0.254mm，所述馈电介质基片的厚度为0.508mm。

结合上述任意一项可能实施的方式，在第十种可能实现的方式中，所述多个耦合槽呈长条形，所述多个金属通孔呈圆形。

结合上述任意一项可能实施的方式，在第十一种可能实现的方式中，所述功分器为微带功分器。

结合上述任意一项可能实施的方式，在第十二种可能实现的方式中，所述多个金属通孔贯穿所述第二金属层、所述第二介质层及所述第三金属层。

相较于现有技术，通过子阵的多个辐射阵列和微带功分器形成的并联传输架构，增加天线的带宽，提供了高增益宽带紧凑型平面毫米波阵列天线。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种实施方式中阵列天线的示意图。

图2为本发明一种实施方式之阵列天线的子阵排布示意图。

图3为本发明一种实施方式之阵列天线的馈电区和耦合槽分布示意图。

图4为本发明一种实施方式之阵列天线的馈电区的其中一个馈电单元和耦合槽分布示意图。

图5为本发明一种实施方式之阵列天线的子阵和耦合槽分布示意图。

图6为本发明的阵列天线的增益、效率与频率之间的关系曲线图。

图7为本发明的阵列天线进行仿真的辐射方向图。

图8-图10为本发明的阵列天线之馈电区的三种不同的馈电架构。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1、图2、图3及图5，本发明一种实施方式中提供的阵列天线100包括依次层叠的第一金属层10、第一介质层40、第二金属层20、第二介质层50和第三金属层30，所述第二介质层50设有多个金属通孔51，所述多个金属通孔51电连接于所述第二金属层20与所述第三金属层30之间并形成馈电区52。一种实施方式中，所述多个金属通孔51贯穿所述第二金属层20、所述第二介质层50及所述第三金属层30并形成馈电区52，另一种实施方式中，所述多个金属通孔51也可以内埋在第二介质层50内，通过物理连接的方式电连接至第二金属层20和第三金属层30。所述第一金属层10包括多个子阵11，每个子阵11均包括多个辐射阵列111和一个功分器112，所述功分器112包括中心区1122和自所述中心区延伸而出的多个分支1124，所述多个辐射阵列111分别连接在所述多个分支1124的远离所述中心区1122的一端以形成并联传输信号的架构。所述第二金属层20设有多个耦合槽21，所述多个耦合槽21分别正对所述多个功分器112的中心区1122。所述馈电区52用于馈入信号，所述信号经过所述多个耦合槽21被传输至所述功分器112的中心区1122，再经过所述多个分支1124将所述信号传输至所述多个辐射阵列111。

本发明通过子阵11的多个辐射阵列111和功分器112形成的并联传输架构，增加阵列天线100的带宽，提供了高增益宽带紧凑型平面毫米波阵列天线100。

具体而言，在第二介质层50开设所述多个金属通孔51，所述多个金属通孔51共同形成馈电区52，本发明采用低损耗的传输线结构对阵列天线100进行馈电，本发明阵列天线100的馈电区52的信号馈入方式有多种方式，主要取决于与阵列天线100连接的电路传输线设计，例如：馈电区52的传输线为基片集成波导，有多种传输线转换方式可将基片集成波导与波导、微带、共面波导等传输线连接，实现阵列天线100信号的馈入。请参阅图8至图10，举例说明馈电区52的三种馈电架构，图8所示为三角渐变过渡结构，图9所示为探针过渡结构，图10所示为基于基片集成波导(SIW)的共面波导过渡结构。

本发明的多个子阵11分布于覆盖在第一介质层40表面的第一金属层中10，制作过程中，将第一金属层10通过蚀刻等方法形成多个子阵11的电路结构，本发明的子阵11为平面结构的贴片阵列，由微带线构成。本发明能够保证平面结构的同时实现高效馈电与辐射。

本发明提供的阵列天线100采用并馈的方式实现馈电与辐射，在大阵列应用时，可保证阵列天线的宽带特性不改变，由于本发明提供的阵列天线100采用并行馈电，保证了馈电端口到达各个子阵11的路径一致，因此，即使信号频率发生变化，到达各子阵11的信号相位仍是一致的，使得阵列天线100的性能得以保持，解决了宽带工作与高增益需求的矛盾。

具体的制作过程中，所述阵列天线100通过采用标准多层电路板的制作工艺进行加工，便于大规模生产，具备高可靠性、高重复率。第一金属层10、第一介质层40与第二金属层20视为两面覆铜的第一基板，第二金属层20、第二介质层50及第二金属层30视为两面覆铜的第二基板，第一基板与第二基板叠加后就形成了依次层叠的第一金属层10、第一介质层40、第二金属层20、第二介质层50和第三金属层30的架构，在叠加的过程中，第一基板的第二金属层与第二基板的第二金属层重叠并且被压合成为一层。本发明阵列天线的馈电区52位于子阵11的正下方，实现了阵列的小型化，节约空间。

本发明多个子阵11为2×2阵列，在其他实施方式中，所述多个子阵11也可以为N×N阵列，N为自然数。

请参阅图3，所述馈电区52包括多个馈电单元54，所述多个耦合槽21在所述第二介质层50上的投影分别落在所述多个馈电单元54的范围内。本实施方式中，所述多个耦合槽21垂直于第二金属层20和第二介质层50。

请参阅图4，每个所述馈电单元54均呈镜像对称结构，形成所述馈电单元54的金属通孔51对称分布在所述馈电单元54的中心线A的两侧，所述多个耦合槽21偏离所对应的所述馈电单元54的中心线A，以切割表面电流。通过耦合槽21将馈电区52的电磁波耦合到功分器112的中心区1122，功分器112的各分支1124与中心区1122形成背靠背分布的传输结构，多个分支1124对称分布在中心区1122的两侧，由于耦合槽21与中心区1122重合，关于耦合槽21对称的分支1124上的电场方向相反。

每个所述馈电单元54均包括一对传输部56、一个短路端58和一个开口端59，所述短路端58连接在所述一对传输部56之间且位于所述一对传输部56的一端，所述开口端59位于所述传输部56之远离所述短路端58的一侧，所述多个馈电单元54两两相对，相对的两个馈电单元54的开口端59相互邻近。本实施方式中，所述传输部56相互平行。每个馈电单元54均由金属通孔51排布形成，本实施方式中，每个传输部由四个排列成直线形的金属通孔形成，短路端由两个金属通孔形成，形成短路端58的两个金属通孔51连接在一对传输部56之间，形成了一端闭合的基片集成波导。

耦合槽21长度为天线100的中心频率的二分之一波长，耦合槽21距离短路端58的长度为中心频率的四分之一波长。天线的性能与频率相关，一般来说，天线在某一个频率的性能最好，这个频率称之为中心频率，偏离这个频率后，无论是频率变低还是变高，天线的性能都会下降，其原理是天线中的组成结构，如传输线、传输线转换结构、辐射单元的结构、尺寸均与信号频率相关。设计天线时必须根据实际需求，设定一个中心频率，以此作为设计输入来设计天线的各个组成部分，然后在设计天线及其组成部分的方案时，会尽量考虑在偏离中心频率情况下，性能下降缓慢的方案。

所述馈电区52还包括T型功分器55，所述T型功分器55位于相邻的两个所述馈电单元54之间，且靠近所述馈电单元54的开口端59。所述T型功分器55作用是把一路信号分为两路。本实施方式中，每个所述T型功分器55均是通过三个呈三角形排列的所述金属通孔51形成的。

所述多个分支1124对称分布在所述中心区1122的两侧，所述辐射阵列111对称分布在所述功分器112的两侧。

所述第一介质层40与所述第一金属层10形成所述阵列天线100的辐射介质基片，所述第二金属层20、所述第二介质层50及所述第三金属层30共同形成所述阵列天线100的馈电介质基片，所述辐射介质基片与所述馈电介质基片的厚度及介电常数不同。由于辐射介质基片与所述馈电介质基片为相互独立的介质基片，辐射介质基片的厚度和介电常数可以根据阵列天线的馈电及辐射的设计需求进行选择，馈电介质基片的厚度和介电常数可以根据与有源电路的集成方便度进行选择，选择灵活，有利于保证阵列天线100的带宽和增益。

所述辐射介质基片与所述馈电介质基片重合，本发明一种实施方式中，所述辐射介质基片的厚度为0.254mm，所述馈电介质基片的厚度为0.508mm。

本实施方式中，所述多个耦合槽21呈长条形，所述多个金属通孔51呈圆形，所述辐射阵列111呈正方形。

所述功分器112为微带功分器，呈平面结构，使得阵列天线100结构紧凑，体积小。

图6为本发明的阵列天线100的增益、效率与频率之间的关系曲线图。阵列天线100的频率在90-98GHz范围内，实现的增益在27.7-28.8dBi范围内，相对带宽达9.5％，阵列天线100的效率在0.18-0.22范围内。

图7为本发明的阵列天线进行仿真的辐射方向图，从图中可知，阵列天线100实现了高增益和-12.8dB低副瓣电平。

以上对本发明实施例所提供的一种阵列天线进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (13)

1.一种阵列天线，其特征在于，所述阵列天线包括依次层叠的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层和第三金属层，所述第二介质层设有多个金属通孔，所述多个金属通孔电连接于所述第二金属层与所述第三金属层之间并形成馈电区，所述第一金属层包括多个子阵，每个子阵均包括多个辐射阵列和一个功分器，所述功分器包括中心区和自所述中心区延伸而出的多个分支，所述多个辐射阵列分别连接在所述多个分支的远离所述中心区的一端以形成并联传输信号的架构，所述第二金属层设有多个耦合槽，所述多个耦合槽分别正对所述多个功分器的中心区，所述馈电区用于馈入信号，所述信号经过所述多个耦合槽被传输至所述功分器的中心区，再经过所述多个分支将所述信号传输至所述多个辐射阵列。

2.如权利要求1所述的阵列天线，其特征在于，所述馈电区包括多个馈电单元，所述多个耦合槽在所述第二介质层上的投影分别落在所述多个馈电单元的范围内。

3.如权利要求2所述的阵列天线，其特征在于，每个所述馈电单元均呈镜像对称结构，形成所述馈电单元的金属通孔对称分布在所述馈电单元的中心线的两侧，所述多个耦合槽偏离所对应的所述馈电单元的中心线。

4.如权利要求2所述的阵列天线，其特征在于，每个所述馈电单元均包括一对传输部、一个短路端和一个开口端，所述短路端连接在所述一对传输部之间且位于所述一对传输部的一端，所述开口端位于所述传输部之远离所述短路端的一侧，所述多个馈电单元两两相对，相对的两个馈电单元的开口端相互邻近。

5.如权利要求4所述的阵列天线，其特征在于，所述传输部相互平行。

6.如权利要求4所述的阵列天线，其特征在于，所述馈电区还包括T型功分器，所述T型功分器位于相邻的两个所述馈电单元之间，且靠近所述馈电单元的开口端。

7.如权利要求6所述的阵列天线，其特征在于，每个所述T型功分器均是通过三个呈三角形排列的所述金属通孔形成的。

8.如权利要求1-7任意一项所述的阵列天线，其特征在于，所述多个分支对称分布在所述中心区的两侧，所述辐射阵列对称分布在所述功分器的两侧。

9.如权利要求1-7任意一项所述的阵列天线，其特征在于，所述第一介质层与所述第一金属层形成所述阵列天线的辐射介质基片，所述第二金属层、所述第二介质层及所述第三金属层共同形成所述阵列天线的馈电介质基片，所述辐射介质基片与所述馈电介质基片的厚度及介电常数不同。

10.如权利要求9所述的阵列天线，其特征在于，所述辐射介质基片与所述馈电介质基片重合，所述辐射介质基片的厚度为0.254mm，所述馈电介质基片的厚度为0.508mm。

11.如权利要求1-7任意一项所述的阵列天线，其特征在于，所述多个耦合槽呈长条形，所述多个金属通孔呈圆形。

12.如权利要求1-7任意一项所述的阵列天线，其特征在于，所述功分器为微带功分器。

13.如权利要求1-7任意一项所述的阵列天线，其特征在于，所述多个金属通孔贯穿所述第二金属层、所述第二介质层及所述第三金属层。