CN105185703B - 一种晶圆边缘找平的方法 - Google Patents
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Abstract
一种晶圆边缘找平的方法，于晶圆上形成若干曝光单元，首先通过***预先判断出在后续曝光过程中自身可以自动做水平校正的非完整曝光单元；然后对晶圆中心线以上所述非完整曝光单元进行从下向上扫描，对晶圆中心线以下所述非完整曝光单元进行从上向下扫描；最后得到有问题的曝光单元的最理想的找平方式。通过该方法可以最大限度的降低晶圆边缘非完整曝光单元离焦风险。提高了产品的良率。
Description
技术领域
本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种晶圆边缘找平的方法。
背景技术
目前半导体光刻曝光工艺中(主要指步进扫描光刻机scanner)晶圆找平(leveling)工作原理如下图2所示，在X方向步进的同时Y方向做扫描，且扫描遵循简单的如下图3的T1-T32的方向交替办法，即相邻的曝光单元的扫描方向是相反的且交替下去，这种办法绝多数情况下是没有问题的，但对特定产品的曝光单元(shot)尺寸，机台参数设定，机台性能，以及产品衬底厚度变化状况等等的组合时，会在部分本身能自动做水平校正的非完整shot出现找平问题而发生离焦，进而影响产品良率。
中国专利(CN101482705)记载了一种光刻机扫描曝光***，包括光源以及沿着光源出射光束形成的光路依次排列的柱面镜、变焦镜组、光学均匀器、耦合光组、掩模板、物镜、工件台，在所述变焦镜组和光学均匀器之间设置有光束旋转镜组，所述光束旋转镜组由若干组光学元件组成。扫描曝光时，先对曝光场区域扫描曝光后，将所述光束旋转镜组移入所述光路中，再次对曝光场区域扫描曝光，完成扫 描曝光后移开所述光束旋转镜组，改善了曝光场Y方向的剂量均匀性，又能改善X方向的剂量均匀性，从而改变曝光剂量的***性能，提高光刻线宽的均匀性。
中国专利(CN101750901A)记载了一种扫描曝光方法，包括：将一掩模及一基板往一方向相对移动，其中该掩模及该基板在单次照射的移动过程中，具有至少二中不同的等相对速度，以使该基板一倍曝光的照射区域具有一期望尺寸。
上述两个专利均未记载有关曝光扫描方向改变的技术特征。
发明内容
鉴于上述问题，本发明提供一种晶圆边缘找平的方法。
本发明解决技术问题所采用的技术方案为：
一种晶圆边缘找平的方法，其中，于晶圆上形成若干完整曝光单元和非完整曝光单元，首先预先判断出在后续曝光过程中自身可以自动做水平校正的非完整曝光单元；
然后对晶圆中心线以上所述非完整曝光单元进行从下向上扫描，对晶圆中心线以下所述非完整曝光单元进行从上向下扫描；
最后得到有问题的曝光单元的最理想的找平方式。
上述的方法，其中，通过由曝光文件做成的***，并结合曝光机台的参数设定、具体产品的光刻层次图形的布局和所述曝光单元的大小，预先判断出在后续曝光过程中自身可以自动做水平校正的非完整曝光单元。
上述的方法，其中，所述曝光机台的参数设定包括曝光机台对晶圆边缘不能做水平校正范围的界定。
上述的方法，其中，所述完整曝光单元的平面图形为矩形。
上述的方法，其中，通过步进光刻机对所述非完整曝光单元进行扫描。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：
通过上述方法，最大限度的降低了晶圆边缘非完整曝光单元的离焦风险，提高了产品的良率。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1是晶圆边缘非完整曝光单元曝光扫描方向的示意图；
图2是步进扫描光刻机扫描仪晶圆找平的示意图；
图3是步进扫描光刻机扫描仪曝光扫描方向的示意图。
具体实施方式
本发明提供一种晶圆边缘找平的方法，可应用于半导体光刻工艺领域，优选的可应用于大于等于130nm、90nm、65/55nm、45/40nm、32/28nm和小于等于22nm等技术节点的工艺中，并运用于Logic等技术平台和Litho的技术模组中，当使用该方法后，最大限度的降低了晶圆边缘非完整曝光单元离焦的风险，提高产品良率。
本发明的核心思想是先通过现有技术手段对晶圆边缘的非完整的曝光单元进行预先判断，得到一些在后续曝光过程中自身能自动做水平校正的非完整曝光单元，然后对晶圆中心线以上的这部分非完整曝光单元进行从下往上扫描，对晶圆中心线一下的这部分非完整曝光单元进行从上往下扫描。
如图1所示，本发明的一种晶圆边缘找平的方法，在既有的曝光文件做成的***中，于晶圆上形成若干完整曝光单元和非完整曝光单元，完整曝光单元的平面图形为矩形(如曝光单元55、56等)，通过简单软件功能优化，使其结合曝光机台参数的设定、具体产品光刻层次图形布局和曝光单元尺寸的大小等等，来预先自动判断出在后续曝光过程中本身能自动做水平校正的非完整曝光单元，预先的自动判断可以为既有的曝光***来完成，也可以由人为主观的判断来完成，其中曝光机台参数主要是机台对晶圆边缘不能做水平校正范围的界定等。
针对这些本身能自动做水平校正的非完整曝光单元，通过曝光扫描方向的优化，达到改善找平，提高产品良率的目标：将通过判断得到那些能自动做水平校正的非完整曝光单元的扫描方向从有效边缘尺寸较大的向尺寸较小的方向扫描，即从晶圆的内部向外部边缘扫描，降低晶圆边缘的不平整对对应非完整曝光单元找平的影响或者误判。其中，图1中示出(“+”表示从上向下扫描，“-”表示从下向上扫描)，在晶圆上形成一中心线，对晶圆中心线上的非完整曝光单元进行从下向上扫描，对中心线以下的非完整曝光单元进行从上向下扫 描，这样保证潜在问题的曝光单元都能获得最理想的找平方式，以最大限度降低离焦风险。
例如曝光单元77和87，22和14，如按照以前的扫描方式，则是单一的从上往下扫描，则曝光单元77和87就不能更好的找平，如单一的从下往上扫描，则曝光单元22和14就不能更好的找平，所以为了提高产品良率，最大限度的降低晶圆边缘非完整曝光单元离焦风险，改善晶圆的曝光方向。
通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
Claims (5)
1.一种晶圆边缘找平的方法，于晶圆上形成若干完整曝光单元和非完整曝光单元，首先预先判断出在后续曝光过程中自身可以自动做水平校正的非完整曝光单元；其特征在于：
然后对晶圆中心线以上所述非完整曝光单元进行从下向上扫描，对晶圆中心线以下所述非完整曝光单元进行从上向下扫描；
最后得到有问题的曝光单元的最理想的找平方式。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：通过由曝光文件做成的***，并结合曝光机台的参数设定、具体产品的光刻层次图形的布局和所述曝光单元的大小，预先判断出在后续曝光过程中自身可以自动做水平校正的非完整曝光单元。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述曝光机台的参数设定包括曝光机台对晶圆边缘不能做水平校正范围的界定。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述完整曝光单元的平面图形为矩形。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：通过步进光刻机对所述非完整曝光单元进行扫描。
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