CN105177516A - 表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法，借助磁控溅射，通过调节工艺参数先在陶瓷基体（101）上涂覆TiN薄膜预置层（102），再在TiN预置层（102）上涂覆纳米TiO2膜（103），薄膜均匀。有效解决电子装置外壳容易积灰、受污的问题，使得电子装置壳体具有易清洁和自清洁的特性，提高产品竞争力；而且，加工过程中靶料利用率高，安全环保。
Description
技术领域
本发明涉及电子装置领域，具体是指表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法。
背景技术
现有电子产品的壳体涂覆有避免信号干扰的金属层以获得较好的操作强度和质感，但金属层不具备清洁功能，表面容易积聚灰尘、汗渍等等，影响电子产品的使用。
二氧化钛膜具有较好的光催化作用，在紫外线照射下可使部分有机物分解，具有一定的自清洁能力。
磁控溅射沉积是指具有足够高能量的粒子轰击靶材表面，使靶材中的原子通过碰撞获得足够的能量，从而从表面发射出来，再通过施加磁场而改变高能量粒子的运动方向，并束缚和延长粒子的运动轨迹，进而提高粒子对工作气体的电离效率和溅射沉积率。磁控溅射技术现在已经成为工业镀膜生产中最主要的技术之一，特别适合于大面积镀膜的生产，其最突出的优点是膜与基体的附着力更强；还具有成膜速率高、均匀性好等优点；另外，整个镀膜过程中不产生其余有害废气、废液，绿色环保。
发明内容
本发明的目的在于提供表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法，有效解决电子装置外壳容易积灰、受污的问题，提供一种便于清洁的电子装置外壳及其加工方法。
表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体，包括基体、覆盖基体外表面的纳米TiO2膜和连接基体与纳米TiO2膜的预置层；所述纳米TiO2膜为金红石相晶格结构或锐钛矿相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度为20-80nm；所述基体为陶瓷基体，预置层为TiN预置层。
本发明提供的表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体，不干扰电子信号，且具有易清洁和自清洁的特性。纳米TiO2膜不仅可以使壳体呈现出金属外观，还可在可见光或紫外光的照射下分解掉粘附于壳体表面的灰尘、汗渍或残留有机污染物等，从而对壳体表面起到清洁保护的作用。另一方面，由于纳米TiO2膜具有较强的亲水性，当有水流流过壳体表面时，水流还会自动带走壳体上被纳米TiO2膜分解之后残留的污染物。如此，用户在享受电子装置高品质外观的同时，又可以时刻保持壳体表面的清洁，减少细菌的滋生或传播，保证人体健康，提高产品竞争力。
所述TiN预置层既能增强陶瓷基体与纳米TiO2膜之间的结合度，又能够隔离陶瓷基体与纳米TiO2膜，防止陶瓷基体被纳米TiO2膜氧化分解。
所述纳米TiO2膜的厚度为20-80nm，在该厚度范围内，纳米TiO2膜不会对电子信号的收发产生干扰。
表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将基体输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3x10-4—5x10-4Pa，通入氩气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm，基体温度30-300℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5x10-4—8x10-4Pa，通入氩气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
本方法通过磁控溅射实现在陶瓷基体上制备纳米二氧化钛薄膜的目的，通过TiN膜预置层，加强二氧化钛膜与陶瓷基体的结合力。本方法可均匀控制整体膜厚在100nm以下，既能保证电子装置外壳易清洁的性能，又可有效控制产品厚度而适用于微型化。
进一步地，所述步骤S100具体是指以下流程：
步骤S110：将陶瓷基体放入水温60-80℃的水域中静置1-2h；
步骤S120：将陶瓷基体放入配置20-50%丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10-20min；
步骤S130：用流动的去离子水冲洗陶瓷基体，去除丙酮溶液；
步骤S140：取出陶瓷基体并用冷风将其表面吹干，待用。
进一步地，所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。
进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8x10-4—4.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-1.6Pa，氮气的分压为0.02-0.02Pa。
进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm，基体温度200℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
进一步地，所述步骤S500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8x10-4—6.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-2.8Pa，氧气的分压为0.01-0.025Pa。
进一步地，所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压0V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40-160min。
进一步地，所述氩气作为溅射气体，其纯度大于99.999%；所述氮气作为反应气，其纯度大于99.99%；所述氧气作为反应气，其纯度大于99.9%。
进一步地，所述金属钛靶的纯度大于99.96%。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
（1）本发明提供一种表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法，使得电子装置壳体具有易清洁和自清洁的特性，用户在享受电子装置高品质外观的同时，又可以时刻保持壳体表面的清洁，减少细菌的滋生或传播，保证人体健康，提高产品竞争力。
（2）加工过程中靶料利用率高，安全环保。
附图说明
图1为表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工流程示意图。
图2为表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的结构示意图。
其中：101—陶瓷基体，102—TiN预置层，103—纳米TiO2膜。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1：
表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体，如图2所示，包括基体、覆盖基体外表面的纳米TiO2膜103和连接基体与纳米TiO2膜103的预置层；所述纳米TiO2膜103为金红石相晶格结构或锐钛矿相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度为20-80nm；所述基体为陶瓷基体101，预置层为TiN预置层102。
本发明提供的表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体，不干扰电子信号，且具有易清洁和自清洁的特性。纳米TiO2膜103不仅可以使壳体呈现出金属外观，还可在可见光或紫外光的照射下分解掉粘附于壳体表面的灰尘、汗渍或残留有机污染物等，从而对壳体表面起到清洁保护的作用。另一方面，由于纳米TiO2膜103具有较强的亲水性，当有水流流过壳体表面时，水流还会自动带走壳体上被纳米TiO2膜103分解之后残留的污染物。如此，用户在享受电子装置高品质外观的同时，又可以时刻保持壳体表面的清洁，减少细菌的滋生或传播，保证人体健康，提高产品竞争力。
所述TiN预置层102既能增强陶瓷基体101与纳米TiO2膜103之间的结合度，又能够隔离陶瓷基体101与纳米TiO2膜103，防止陶瓷基体101被纳米TiO2膜103氧化分解。
所述纳米TiO2膜103的厚度为20-80nm，在该厚度范围内，纳米TiO2膜103不会对电子信号的收发产生干扰。
实施例2：
表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，如图1所示，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将基体输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3x10-4—5x10-4Pa，通入氩气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm，基体温度30-300℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5x10-4—8x10-4Pa，通入氩气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
本方法通过磁控溅射实现在陶瓷基体101上制备纳米二氧化钛薄膜的目的，通过TiN膜预置层，加强二氧化钛膜与陶瓷基体101的结合力。本方法可均匀控制整体膜厚在100nm以下，既能保证电子装置外壳易清洁的性能，又可有效控制产品厚度而适用于微型化。
实施例3：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S100具体是指以下流程：
步骤S110：将陶瓷基体101放入水温60-80℃的水域中静置1-2h；
步骤S120：将陶瓷基体101放入配置20-50%丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10-20min；
步骤S130：用流动的去离子水冲洗陶瓷基体101，去除丙酮溶液；
步骤S140：取出陶瓷基体101并用冷风将其表面吹干，待用。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例4：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体101摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例5：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8x10-4—4.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-1.6Pa，氮气的分压为0.02-0.02Pa。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例6：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm，基体温度200℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例7：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8x10-4—6.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-2.8Pa，氧气的分压为0.01-0.025Pa。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例8：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压0V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40-160min。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例9：
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述氩气作为溅射气体，其纯度大于99.999%；所述氮气作为反应气，其纯度大于99.99%；所述氧气作为反应气，其纯度大于99.9%；所述金属钛靶的纯度大于99.96%。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
实施例10：
表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将基体输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3x10-4—5x10-4Pa，通入氩气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm，基体温度30-300℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5x10-4—8x10-4Pa，通入氩气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8x10-4—4.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-1.6Pa，氮气的分压为0.02-0.02Pa。
进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm，基体温度200℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
实施例11：
表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将基体输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3x10-4—5x10-4Pa，通入氩气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm，基体温度30-300℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5x10-4—8x10-4Pa，通入氩气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
进一步地，所述步骤S500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8x10-4—6.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-2.8Pa，氧气的分压为0.01-0.025Pa。
进一步地，所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压0V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40-160min。
实施例12：
表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将基体输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3x10-4—5x10-4Pa，通入氩气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm，基体温度30-300℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5x10-4—8x10-4Pa，通入氩气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8x10-4—4.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-1.6Pa，氮气的分压为0.02-0.02Pa。
进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm，基体温度200℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
进一步地，所述步骤S500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8x10-4—6.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-2.8Pa，氧气的分压为0.01-0.025Pa。
进一步地，所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压0V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40-160min。
实施例13：
表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将基体输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3x10-4—5x10-4Pa，通入氩气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm，基体温度30-300℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5x10-4—8x10-4Pa，通入氩气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
本方法通过磁控溅射实现在陶瓷基体101上制备纳米二氧化钛薄膜的目的，通过TiN膜作为预置层，加强二氧化钛膜与陶瓷基体101的结合力。本方法可均匀控制整体膜厚在100nm以下，既能保证电子装置外壳易清洁的性能，又可有效控制产品厚度而适用于微型化。
进一步地，所述步骤S100具体是指以下流程：
步骤S110：将陶瓷基体101放入水温60-80℃的水域中静置1-2h；
步骤S120：将陶瓷基体101放入配置20-50%丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10-20min；
步骤S130：用流动的去离子水冲洗陶瓷基体101，去除丙酮溶液；
步骤S140：取出陶瓷基体101并用冷风将其表面吹干，待用。
进一步地，所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体101摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。
进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8x10-4—4.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-1.6Pa，氮气的分压为0.02-0.02Pa。
进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm，基体温度200℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
进一步地，所述步骤S500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8x10-4—6.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-2.8Pa，氧气的分压为0.01-0.025Pa。
进一步地，所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压0V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40-160min。
进一步地，所述氩气作为溅射气体，其纯度大于99.999%；所述氮气作为反应气，其纯度大于99.99%；所述氧气作为反应气，其纯度大于99.9%。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明做任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体，其特征在于：包括基体、覆盖基体外表面的纳米TiO2膜（103）和连接基体与纳米TiO2膜（103）的预置层；所述纳米TiO2膜（103）为金红石相晶格结构或锐钛矿相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度为20-80nm；所述基体为陶瓷基体（101），预置层为TiN预置层（102）。
2.表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S100：对陶瓷基体（101）进行表面处理；
步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体（101）稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体（101）输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3x10-4—5x10-4Pa，通入氩气和氮气的混合气体；
步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm，陶瓷基体（101）温度30-300℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；
步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5x10-4—8x10-4Pa，通入氩气和氧气的混合气体；
步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
3.根据权利要求2所述的表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S100具体是指以下流程：
步骤S110：将陶瓷基体（101）放入水温60-80℃的水域中静置1-2h；
步骤S120：将陶瓷基体（101）放入配置20-50%丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10-20min；
步骤S130：用流动的去离子水冲洗陶瓷基体（101），去除丙酮溶液；
步骤S140：取出陶瓷基体（101）并用冷风将其表面吹干，待用。
4.根据权利要求2所述的表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体（101）摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。
5.根据权利要求2所述的表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8x10-4—4.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-1.6Pa，氮气的分压为0.02-0.02Pa。
6.根据权利要求5所述的表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm，陶瓷基体（101）温度200℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
7.根据权利要求2所述的表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8x10-4—6.2x10-4Pa，氩气的分压为0.4-2.8Pa，氧气的分压为0.01-0.025Pa。
8.根据权利要求7所述的表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压0V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40-160min。
9.根据权利要求2所述的表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述氩气作为溅射气体，其纯度大于99.999%；所述氮气作为反应气，其纯度大于99.99%；所述氧气作为反应气，其纯度大于99.9%。
10.根据权利要求2-9任意一项所述的表面覆盖TiN-纳米TiO2膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述金属钛靶的纯度大于99.96%。
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| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20171027 Address after: 325000 Longwan City, Wenzhou province high tech Industrial Development Zone, entrepreneurial service center business incubator C, building 522, room 524, Applicant after: WENZHOU KEHONG ROBOT TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 610000, No. 1, No. 304, building 1, 1, No. 1, Tianfu Road, Chengdu hi tech Zone, Sichuan Applicant before: CHENGDU YISHENGKE BIOTECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191115 Address after: 515636 No. 1, Lane 2, Dongtougongqian District, Stork Chao Sancun, Longhu Town, Chaoan District, Chaozhou City, Guangdong Province Patentee after: Li Yanling Address before: 325000 Longwan City, Wenzhou province high tech Industrial Development Zone, entrepreneurial service center business incubator C, building 522, room 524, Patentee before: WENZHOU KEHONG ROBOT TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: 325000 room 6-1019, logistics building, Ruian Qiaomao Town, Ruian City, Wenzhou City, Zhejiang Province Patentee after: Li Yanling Address before: 515636 No. 1, Lane 2, Dongtougongqian District, Stork Chao Sancun, Longhu Town, Chaoan District, Chaozhou City, Guangdong Province Patentee before: Li Yanling |
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| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200803 Address after: 402360 no.326 Yixin Avenue, Youting Town, Dazu District, Chongqing (Shuangqiao Economic Development Zone) Patentee after: Dachang (Chongqing) Electronic Technology Co.,Ltd. Address before: 325000 room 6-1019, logistics building, Ruian Qiaomao Town, Ruian City, Wenzhou City, Zhejiang Province Patentee before: Li Yanling |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20171212 |