CN105137665A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示领域，能够解决了现有隔垫物容易滑移出凹槽引发显示不良的问题，并且不会因此额外增加工序。本发明提供的显示基板上还设置有：与隔垫物对应用于嵌套隔垫物的凹槽，所述凹槽由光刻胶形成，且所述凹槽的底部高出所述显示基板上像素区的高度。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
液晶显示器由于零辐射、低功耗、散热小、体积小、图像还原精确、字符显示锐利等优点，已广泛替代了传统CRT显示装置。
液晶显示器主要包括彩膜基板、阵列基板以及夹设于二者之间液晶，为了维持液晶显示器中彩膜基板与阵列基板之间的盒厚，通常需要设置隔垫物。如图1所示，液晶显示器在彩膜基板20设置柱形的主隔垫物4和副隔垫物5，在阵列基板10的上形成与上述主、副隔垫物相对应的第一凹槽14和第二凹槽15，用以防止两基板间的滑移以免产生漏光、色不均等不良，但该方案中形成上述凹槽(第一凹槽14和第二凹槽15)需要额外增加一次有机膜11及保护膜12的光刻工序(包括镀膜、曝光、显影以及有机膜灰化等工序)，增加了生产成本以及工艺时间；此外，上述凹槽位置的高度低于像素区高度，一旦外力较大时，隔垫物容易滑移出凹槽，划伤阵列基板侧的配向膜，导致局部配向异常，引起显示异常(mura)。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，解决了现有隔垫物容易滑移出凹槽引发显示不良的问题，并且不会因此额外增加工序。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，本发明的实施例提供一种显示基板，所述显示基板上还设置有：与隔垫物对应用于嵌套隔垫物的凹槽，所述凹槽由光刻胶形成，且所述凹槽的底面高出所述显示基板上像素区的高度。
优选地，所述凹槽利用所述显示基板制作过程中最后一道光刻工序中使用的光刻胶形成。
可选地，所述显示基板为阵列基板，所述凹槽位于阵列基板的最上一层透明导电层之上，用于嵌套彩膜基板上的隔垫物。
可选地，所述显示基板为彩膜基板，所述凹槽位于彩膜基板的最上一层彩色滤光层之上，用于嵌套阵列基板上的隔垫物。
可选地，所述隔垫物包括多种隔垫物，所述凹槽至少与其中一种隔垫物相对应。
可选地，所述隔垫物包括：用以维持盒厚的主隔垫物，所述凹槽包括与所述主隔垫物对应的第一凹槽。
可选地，所述第一凹槽位于阵列基板上栅线的分布区域，且所述第一凹槽内设置有隔垫物枕。
可选地，所述隔垫物还包括：副隔垫物，所述凹槽包括与所述副隔垫物对应的第二凹槽。
可选地，所述第二凹槽位于阵列基板上栅线的分布区域以及薄膜晶体管的对应区域。
可选地，所述主隔垫物的高度等于所述副隔垫物的高度，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度；或者，所述主隔垫物的高度大于所述副隔垫物的高度，所述第一凹槽的深度等于所述第二凹槽的深度。
优选地，所述隔垫物为下宽上窄的柱状结构，与所述隔垫物对应的所述凹槽为上宽下窄的结构。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括：上述任一项所述的显示基板。
另一方面，本发明实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：利用光刻工序中使用的光刻胶形成与隔垫物对应用于嵌套隔垫物的凹槽，所述凹槽的底面高出所述显示基板上像素区的高度。
可选地，所述利用光刻工序中使用的光刻胶形成与隔垫物对应的凹槽，具体为：在显示基板的最后一道光刻工序中，利用所述光刻工序中使用的光刻胶同步形成与隔垫物对应的凹槽。
优选地，所述显示基板为阵列基板，在阵列基板的最后一道形成透明电极的光刻工序中，通过半透膜掩膜工艺、灰化工艺，利用光刻胶同步形成与隔垫物对应的凹槽。
进一步地，所述制备方法，还包括：形成所述凹槽后，对形成的所述凹槽进行固化。
本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，在显示基板上设置有与隔垫物对应的凹槽，显示基板与相对的基板对盒后隔垫物置于该凹槽内，可有效防止两基板间发生滑移而产生的不良；并且，凹槽的底面高出显示基板上像素区的高度，即便外力较大隔垫物滑移出凹槽也不会划伤配向膜，避免了因此导致的局部配向异常；另外，可通过在凹槽预设位置保留显示基板光刻工序中使用的光刻胶来同步形成凹槽，无需额外增加工艺。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为现有技术中液晶显示器的截面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的显示基板的截面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的ADS阵列基板及彩膜基板的截面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的ADS阵列基板上凹槽的设计平面图；
图5(a)～图5(c)分别为本发明实施例提供的另外三种隔垫物及凹槽设置位置的截面示意图；
图6为本发明实施例中涉及的彩膜基板的制备流程图；
图7为本发明实施例中ADS阵列基板的制备流程图；
图8为本发明实施例ADS阵列基板制备流程中第二透明导电层的曝光示意图。
附图标记
20-彩膜基板，4-主隔垫物，5-副隔垫物，10-阵列基板，11-有机膜，
12-保护膜，13-基板，14-第一凹槽，15-第二凹槽；30-显示基板，31-凹槽；
21-基板，220-黑矩阵，23-平坦层，16-栅金属层，17-栅绝缘层，18-有源层，
19-源漏金属层，24-钝化层，25-第二透明导电层，26-隔垫物枕，
51-副隔垫物，52-副隔垫物，151-第二凹槽，152-第二凹槽，40-掩模板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
本发明的实施例提供一种显示基板30，如图2所示，显示基板30上还设置有：与隔垫物对应用于嵌套隔垫物的凹槽31，凹槽31由光刻胶形成，且凹槽31的底面高出显示基板上像素区的高度。
本实施例提供显示基板30，其上设置有与隔垫物对应的凹槽31，而隔垫物一般设置于与显示基板30对盒的另一基板上，或者隔垫物也可独立于基板设置。对盒后，隔垫物卡入凹槽31内，可有效防止两基板间发生滑移而产生的不良。且凹槽31的底面高出显示基板上像素区的高度，由于凹槽31的高度，即便外力较大隔垫物滑移出凹槽31，也不会对配向膜产生大的划伤，避免了因此导致的局部配向异常。凹槽31由光刻胶形成，优选显示基板30制作过程中某一工序使用的光刻胶，例如可将光刻工序使用的光刻胶予与保留，用来制作上述凹槽。优选在上述光刻工序中的曝光工序同步在隔垫物对应位置制作出凹槽图形，在上述光刻工序中的刻蚀工序对上述凹槽图形进行刻蚀，形成与隔垫物对应的凹槽31，无需额外增加工序。但需要注意的是，具体到实际使用时，需要注意确保因凹槽31处光刻胶的存在而同时额外保留的其它膜层不会对显示基板有影响。
对液晶显示装置而言，所述显示基板30可以是彩膜基板或阵列基板；对OLED显示装置而言，所述显示基板30可以是OLED背板或与之对盒的保护基板，因此本实施例对显示基板30不做限定，凡是需要设置隔垫物维持显示面板盒厚的情况，均可适用本实施例方案
优选地，凹槽31利用显示基板制作过程中最后一道光刻工序中使用的光刻胶形成，可以避免凹槽31因上方层叠太多膜层而导致凹槽31的深度及宽度不足以容纳隔垫物。对于TN(TwistNematic，扭曲向列液晶)模式的阵列基板，最后一道光刻工序为形成钝化层的工序，可以在形成钝化层过孔时同步形成凹槽31；对于ADS(Advanced-SuperDimensionalSwitching，高级超维场开关技术)模式的阵列基板，最后一道光刻工序为形成第二层透明导电层(2ndITO)的工序，可以在形成最上一层透明电极(第二透明电极像素电极或公共电极)时同步形成凹槽31，即凹槽31位于阵列基板的最上一层透明导电层之上，具体形成方法将在后面详细叙述。
可选地，上述隔垫物包括多种隔垫物，对应地，上述凹槽31至少与其中一种隔垫物的至少一个或全部相对应。例如，上述隔垫物包括用以维持盒厚的主隔垫物，以及副隔垫物，副隔垫物通常情况下并不会抵靠在显示基板上，只在外部压力大或主隔垫物无效时才起作用；对应地，凹槽31可包括与至少一个或全部主隔垫物对应的第一凹槽和与至少一个或全部副隔垫物对应的第二凹槽。凹槽也可以与部分主隔垫物对应，与部分副隔垫物对应，凹槽可以均匀分布，也可以不均匀分布，只要能固定隔垫物使得基板不发生滑移即可。可选地，可以是主隔垫物的高度等于副隔垫物的高度，而第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度；或者还可以是，主隔垫物的高度大于副隔垫物的高度，第一凹槽的深度等于第二凹槽的深度；还可以是主隔垫物的高度等于副隔垫物的高度，第一凹槽的深度等于第二凹槽的深度，但第一凹槽内设置有隔垫物枕起垫高作用，使得主隔垫物抵靠在隔垫物枕时，而副隔垫物与显示面板并不抵靠。
优选地，上述隔垫物(包括主隔垫物和副隔垫物)为下宽上窄的柱状结构，隔垫物安装于凹槽31内时，隔垫物与凹槽31的槽壁之间存在空隙。使用时，柱形主隔垫物与第一凹槽之间的间隙以及柱形副隔垫物与第二凹槽之间的间隙可以抵抗外界压力以维持盒厚。此外，柱形主隔垫物与第一凹槽相配合，柱形副隔垫物与第二凹槽相配合，能够防止上下基板滑移。可选地，所述第一凹槽位于阵列基板上栅线的分布区域，所述第二凹槽位于阵列基板上栅线的分布区域以及薄膜晶体管的对应区域。需要说明的是对于隔垫物下宽上窄的结构，是指隔垫物靠近其所在基板的一端为下端，另一端为上端，即从靠近基板一端向远离基板一端的方向，隔垫物的尺寸逐渐变小。这样的结构不仅工艺上更好实现，且更加稳固。
进一步优选地，与上述隔垫物对应的凹槽31为上宽下窄的结构，更易于对盒时，柱形主隔垫物嵌入对应的凹槽31内。需要说明的是对于凹槽的上宽下窄的结构，是指凹槽的底面一端为下端，凹槽的顶面一端为上端，及从凹槽的底面到顶面的方向，凹槽的开口逐渐变大。由于隔垫物与凹槽是相对的嵌套的结构，凹槽的开口形状与隔垫物的形状相适应，可以更好的配合以防止基板滑移。
本发明实施例还提供一种显示装置，其包括上述任意一种显示基板。所述显示装置由于设置有上述与隔垫物对应的光刻胶凹槽，且凹槽的底面高出显示基板上像素区的高度，可以解决了现有隔垫物容易滑移出凹槽引发显示不良的问题，并且不会因此额外增加工序。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
另一方面，本发明实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：利用光刻工序中使用的光刻胶形成与隔垫物对应的凹槽，所述凹槽的底面高出显示基板上像素区的高度。无需额外增加工序，即可以解决了现有隔垫物容易滑移出凹槽引发显示不良的问题。
可选地，具体可以在显示基板的最后一道光刻工序中，利用所述光刻工序中使用的光刻胶同步形成与隔垫物对应的凹槽。如果所述显示基板为阵列基板，优选在阵列基板的最后一道形成透明电极的光刻工序中，通过半透膜掩膜工艺、灰化工艺，利用光刻胶同步形成与隔垫物对应的凹槽。进一步地，所述制备方法，还包括：形成所述凹槽后，对形成的所述凹槽进行固化。
为了本领域技术人员更好的理解本发明实施例提供的显示基板的结构，下面以ADS阵列基板为例，对本发明提供的技术方案进行详细说明。
高级超维场开关技术通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(pushMura)波纹等优点。
如图3所示，ADS显示装置包括相互对盒的阵列基板10和彩膜基板20，彩膜基板20包括基板21、彩膜层和平坦层(OC层)23，彩膜层包括黑矩阵220和彩色色阻，平坦层23上设置有柱形的主隔垫物4、副隔垫物51和副隔垫物52，主隔垫物4对应于阵列基板上栅线的分布区域，主隔垫物4的高度大于副隔垫物51和副隔垫物52，副隔垫物51和副隔垫物52的区别仅在于设置位置不同，副隔垫物51和副隔垫物52分别对应于阵列基板上栅线的分布区域以及薄膜晶体管的对应区域。
如图3和图4所示，阵列基板10自下而上依次包括：基板13、第一透明导电层(图中未示出)，栅金属层16、栅绝缘层17、有源层18、源漏金属层19、钝化层24和第二透明导电层25，第二透明导电层25上设置有光刻胶形成的凹槽，具体包括与主隔垫物4对应的第一凹槽14，位于阵列基板上栅线的分布区域；与副隔垫物51、副隔垫物52对应的第二凹槽151和第二凹槽152，第二凹槽151位于阵列基板上栅线的分布区域，第二凹槽152位于阵列基板上薄膜晶体管的对应区域。由于主隔垫物4的高度大于副隔垫物51和副隔垫物52，且主隔垫物4对应的第一凹槽14内设置有由钝化层20形成的隔垫物枕26，而第二凹槽151位于阵列基板的薄膜晶体管之上，第二凹槽151的槽底相对较高，因而最终可以形成三种段差的隔垫物，这种设计尤其适用于大尺寸ADS产品，可以改善暗态画面不均。
本实施例在三级隔垫物PS设计的基础上，在阵列基板对应隔垫物位置还增加了光刻胶形成的凹槽结构，光刻胶经过加热处理后变性***，当阵列基板与彩膜基板对合后，隔垫物处于相应的凹槽内，隔垫物与凹槽之间还设有空隙，可有效防止两基板间的滑移而产生漏光、Touchmura、色不均、PSmura等不良。其中，漏光主要由于阵列基板和彩膜基板相对滑移后，黑色矩阵BM不能遮挡相应的非像素区域造成；Touchmura由于液晶屏受到拍击后产生的漏光不能及时恢复引起；色不均主要由于阵列基板和彩膜基板相对滑移后，隔垫物对应阵列基板所处的位置发生变化，造成高度的差异从而引起盒厚高度(cellgap)的差异和色温的差异导致的不良；PSmura主要由于列基板和彩膜基板相对滑移后，隔垫物划伤阵列基板侧的配向膜，导致局部配向异常，形成的显示不良(mura)。
可通过将阵列基板光刻工序中的光刻胶保留下来形成上述的凹槽，保留的光刻胶的高度小于隔垫物及框胶高度，不会影响两基板的对合。本发明实施例的光刻胶凹槽结构在第二透明导电层的掩模(2ndITOmask)过程形成，无需增加额外的曝光工艺，也可适用于TN等其它模式的液晶产品中，实用性强，有效提高产品的品质。
上述阵列基板与现有制作方法的差异在于第二透明导电层，需要采用通过一次半透膜掩膜工艺(HTM，HalfToneMask)或者单狭缝掩膜工艺(SSM，SingleSlitMask)，形成透明导电层及保留光刻胶PR对应的图形，其中保留光刻胶形成凹槽有四种类型：第一种如图3所示，主隔垫物4和副隔垫物51、52对应的阵列基板上的相应位置保留光刻胶凹槽，即阵列基板上存在第一凹槽14、第二凹槽151、152；第二种如图5(a)所示，主隔垫物4和副隔垫物51对应的阵列基板上的相应位置光刻胶凹槽，即阵列基板上存在第一凹槽14和第二凹槽151；第三种如图5(b)所示，只有主隔垫物4对应阵列基板上的相应位置保留光刻胶凹槽，即阵列基板上只存在第一凹槽14；第三种如图5(c)所示，主隔垫物4和副隔垫物52对应的阵列基板上的相应位置光刻胶凹槽，即阵列基板上存在第一凹槽14和第二凹槽152。另外，上述隔垫物与阵列基板的凹槽之间均留有空隙，即凹槽的尺寸稍大于隔垫物顶部的最大尺寸，此处的尺寸的含义与隔垫物的横截面图形有关，如果隔垫物的横截面为矩形，此处的尺寸理解为矩形的长和宽，如果隔垫物的横截面为圆形，此处的尺寸为圆的直径。
彩膜基板与阵列基板两基板制作完后进行对盒，得到TFT-LCD液晶显示产品。如图6所示，彩膜基板与原先制作方法相差不多，此处不再细说其制作方法，下面主要具体介绍阵列基板的制作方法，如图7所示，包括：
步骤1、在基板上，通溅射或热蒸发等方法，沉积一层厚度约为 的透明导电层，透明导电层的材质具体可以包括但不限于ITO、IZO、或者其它金属及金属氧化物，然后通过涂光刻胶、曝光、显影和湿法刻蚀及剥离工艺得到公共电极图形。
步骤2、在完成步骤1的基板上，通溅射或热蒸发等方法，沉积一层栅极层金属(Gate)，目前主流使用的是的铝薄膜，当然也可采用铜薄膜。然后通过涂光刻胶、曝光、显影和湿法刻蚀及剥离工艺得到栅极、栅极引线等栅金属层对应的图形。
步骤3、在完成上述步骤的基板上，通过PECVD等方法形成栅绝缘层、半导体层、欧姆接触层的薄膜。其中，栅绝缘层薄膜的厚度具体可为栅绝缘层薄膜的材质具体可以包括氮化物SiNx或者氮氧化合物SiOxNx，或者是氮化物SiNx和氮氧化合物SiOxNx的复合物等。半导体层薄膜的厚度具体可为欧姆接触层薄膜的厚度具体可为
然后，通过涂光刻胶、曝光、显影和干法刻蚀及剥离工艺得到像素区的TFT沟道。
步骤4、接着通过溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为的源漏金属层19，目前主流的为铝，也可采用铜薄膜。然后通过涂光刻胶、曝光、显影和湿法刻蚀及剥离工艺得到像素区的源电极、漏电极和数据扫描线。
步骤5、完成步骤4的阵列基板上通过PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积法)等方法沉积厚度约为 的钝化层20，并在钝化层20形成像素区的过孔、隔垫物枕26。钝化层20的材质具体可以包括氧化物、氮化物或者氧氮化合物等。
步骤6、在完成步骤5的阵列基板上，通过溅射或热蒸发等方法沉积一层厚度约为的第二透明导电层21。第二透明导电层21的材质具体可以包括ITO、或者IZO、或者其它金属及金属氧化物。通过一次半透膜掩膜工艺(HTM，HalfToneMask)或者单狭缝掩膜工艺(SSM，SingleSlitMask)，形成第二透明导电层对应的图形：像素区透明像素电极，绑定区(COF/ICbonding)连接透明导电层，隔垫物对应凹槽的透明保护层和相应位置保留的光刻胶。半透膜掩膜工艺和狭缝掩膜工艺，都是通过控制掩膜板的光通量来控制光刻胶的感光厚度。
如图8所示，本实施例采用半透掩模板对光刻胶层进行曝光显影操作，以形成包括隔垫物对应凹槽位置的完全光刻胶保留区，COF/ICbonding区、源/漏极及像素区第二电极对应区域的光刻胶部分保留区和其他位置的光刻胶完全去除区(图中未示出)。通过湿法刻蚀去除光刻胶完全去除区的透明导电层，接着进行灰化工艺(Ashing)去除光刻胶部分保留区的光刻胶并保留相应的透明导电层，隔垫物对应位置因保留有光刻胶从而形成凹槽；最后进行加热处理(Anneal)固化保留的光刻胶，一般温度为100～200℃，使光刻胶变性***起到防止阵列基板和彩膜基板发生滑移的作用，保留的光刻胶的高度一般为1.0～2.0um，小于框胶sealant的厚度(一般为2.0～4.0um)和隔垫物的高度(一般为2.0～3.5um)，不会影响对盒。可选的，固化光刻胶还可以采用氧化、离子轰击等形式，本发明实施例不做限定。
上述工艺是采用六次曝光工艺(6mask)形成的，此外还可以采用五次曝光工艺(5mask)或四次曝光工艺(4mask)制作，具体如下：
完成步骤1中透明导电层沉积后不进行曝光和刻蚀工艺，而是接着通过溅射或热蒸发的方法沉积栅金属层，后续可采用半透膜掩膜工艺和狭缝掩膜工艺，经过多步刻蚀及剥离工序之后形成公共电极和栅极，栅极走线的相关图形，以此减少一次曝光工艺，其余工序没有变化。
完成步骤3中栅绝缘层、半导体层、欧姆接触层的薄膜的PECVD沉积后不进行曝光和刻蚀工艺，而是接着通过溅射或热蒸发的方法依次沉积源漏金属层，后续可采用半透膜掩膜工艺和狭缝掩膜工艺，经过多步刻蚀及剥离工序之后形成栅绝缘层、半导体层、欧姆接触层以及源漏极金属层对应的图形，例如TFT沟道、源电极、漏电极和数据扫描线，以此减少一次曝光工艺，其余工序没有变化。
以上主要介绍的为ADS液晶产品的设计制作方法，对于TN产品主要差异将公共电极制作在彩膜基板，HADS(HighAdvancedDomainSwitchmode，高清ADS)一般将公共电极层制作在阵列基板最上层，而像素电极层制作在源漏金属层之上，省去了过孔结构，隔垫物对应位置保留光刻胶形成凹槽的设计在这两种类型产品中同样适用，制作方法无差异，这里不再重复叙述。
另，与本发明相关的不同之处在于，对于TN产品，最后一道光刻工序是对绝缘材料层进行光刻，上述凹槽利用该工序中的光刻胶形成，形成过程与上述ADS产品凹槽形成过程类似，区别仅在于被刻蚀膜层和图案不同，本领域技术人员很容易在上述ADS产品凹槽形成方法基础上进行简单修改，使之适应TN产品工序，此处不再赘述。
可以理解的是，以上所述只是对一种优选的方式的举例说明，而不是对本发明进行限制。例如，上述保留光刻胶而形成的凹槽的形状、大小和位置可以根据实际情况做适当的变化，本实施例对此不做限定
为了便于清楚说明，在本发明中采用了第一、第二等字样对相似项进行类别区分，该第一、第二字样并不在数量上对本发明进行限制，只是对一种优选的方式的举例说明，本领域技术人员根据本发明公开的内容，想到的显而易见的相似变形或相关扩展均属于本发明的保护范围内。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板上还设置有：
与隔垫物对应用于嵌套隔垫物的凹槽，所述凹槽由光刻胶形成，且所述凹槽的底面高出所述显示基板上像素区的高度。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凹槽利用所述显示基板制作过程中最后一道光刻工序中使用的光刻胶形成。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为阵列基板，所述凹槽位于阵列基板的最上一层透明导电层之上，用于嵌套彩膜基板上的隔垫物。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为彩膜基板，所述凹槽位于彩膜基板的最上一层彩色滤光层之上，用于嵌套阵列基板上的隔垫物。
5.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述隔垫物包括多种隔垫物，所述凹槽至少与其中一种隔垫物的至少一个相对应。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述隔垫物包括：用以维持盒厚的主隔垫物，所述凹槽包括与至少一个所述主隔垫物对应的第一凹槽。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一凹槽位于阵列基板上栅线的分布区域，且所述第一凹槽内设置有隔垫物枕。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述隔垫物还包括：副隔垫物，所述凹槽包括与至少一个所述副隔垫物对应的第二凹槽。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第二凹槽位于阵列基板上栅线的分布区域以及薄膜晶体管的对应区域。
10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述主隔垫物的高度等于所述副隔垫物的高度，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度；或者，所述主隔垫物的高度大于所述副隔垫物的高度，所述第一凹槽的深度等于所述第二凹槽的深度。
11.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述隔垫物安装于所述凹槽内时，所述隔垫物与所述凹槽的槽壁之间存在空隙。
12.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述隔垫物为下宽上窄的柱状结构，与所述隔垫物对应的所述凹槽为上宽下窄的结构。
13.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-12任一项所述的显示基板。
14.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：利用光刻工序中使用的光刻胶形成与隔垫物对应用于嵌套隔垫物的凹槽，所述凹槽的底面高出所述显示基板上像素区的高度。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述利用光刻工序中使用的光刻胶形成与隔垫物对应的凹槽，具体为：
在显示基板的最后一道光刻工序中，利用所述光刻工序中使用的光刻胶同步形成与隔垫物对应的凹槽。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述显示基板为阵列基板，在阵列基板的最后一道形成透明电极的光刻工序中，通过半透膜掩膜工艺、灰化工艺，利用光刻胶同步形成与隔垫物对应的凹槽。
17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，还包括：形成所述凹槽后，对形成的所述凹槽进行固化。
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