CN105116644A - 一种显示装置及其阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示装置及其阵列基板,属于显示技术领域,可改善出现的暗纹影响显示装置的透过率的现象。该阵列基板包括多个阵列排布的像素单元,每一像素单元包括像素电极,所述像素电极为方形,其中,所述像素电极的四周外侧均设置有导电结构,各导电结构与所述像素电极连接且相互绝缘。本发明可用于液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地说,涉及一种显示装置及其阵列基板。
背景技术
UV2A(UltraVioletVerticalAlignment)技术是一种采用紫外线进行液晶配向的垂直配向(VerticalAlignment,简称VA)面板技术。通过使用UV2A技术,可以省去目前在VA模式液晶面板中设置的、用于配向液晶分子的狭缝和凸起。因此利用UV2A技术制备的液晶面板的开口率、对比度和响应速度都能得到提高,并能大幅削减生产程序。
UV2A技术的基本原理是在衬底基板上涂覆能够对紫外线反应的特殊配向膜。当受到紫外线照射后,配向膜就会沿着照射方向发生偏转,从而能够高精度地控制液晶分子沿着紫外线照射的角度和方向倾斜,具有高开口率、高对比、快速响应等特性。
但采用UV2A技术配向的显示装置会受到彩膜基板和阵列基板两侧的紫外光配向和电极边缘电场的双重作用,使得像素单元在白画面时会出现暗纹,出现的暗纹会降低显示装置的透过率,进而影响用户的使用体验。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示装置及其阵列基板,可改善出现的暗纹影响显示装置的透过率的现象。
本发明第一方面提供了一种阵列基板,该阵列基板包括多个阵列排布的像素单元,每一像素单元包括像素电极,所述像素电极为方形,其中,所述像素电极的四周外侧均设置有导电结构,各导电结构与所述像素电极连接。
可选的,对于所述像素电极的上侧边界,对应的导电结构位于所述上侧边界的最右端;
对于所述像素电极的右侧边界,对应的导电结构位于所述右侧边界的最下端;
对于所述像素电极的下侧边界,对应的导电结构位于所述下侧边界的最左端;
对于所述像素电极的左侧边界,对应的导电结构位于所述左侧边界的最上端。
可选的,各所述导电结构为条状。
可选的,任一所述导电结构的长度,为其所对应的像素电极的边界的长度的一半。
可选的,位于所述像素电极的左侧边界和右侧边界的导电结构,为数据线遮蔽。
可选的,位于所述像素电极的上侧边界和下侧边界的导电结构,为栅线遮蔽。
可选的,各所述导电结构为金属制成。
可选的,各所述导电结构为透明导电材料制成。
可选的,各所述导电结构与所述像素电极一体成型。
本发明带来了以下有益效果:本发明实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板上的像素单元包括像素电极,并且像素电极的四周外侧均设置有导电结构。导电结构的存在,可将边缘电场产生的暗纹区域往像素电极区域外迁移,因此,边缘产生的暗纹区域外移出开口区,有利于提高像素单元的开口率,以提高显示装置对光的利用率,提高显示装置的显示效果。
本发明第二方面提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的阵列基板及与所述阵列基板对盒的彩膜基板。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍:
图1是现有技术中的像素电极的配向角示意图;
图2是现有技术的像素电极出现的暗纹示意图;
图3是本发明实施例的像素电极与导电结构的配合示意图;
图4是本发明实施例的像素电极出现的暗纹示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式,借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题,并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是,只要不构成冲突,本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合,所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
本发明实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板包括多个阵列排布的像素单元,各像素单元被纵横交错的数据线与栅线间隔开。
对于利用UV2A技术制备的阵列基板而言,每一像素电极1区域对应形成四个配向区域。如图1所示,若将像素电极1区域分成四个区域,位于右上角的第一区域11的配向角与水平方向呈-45°角,位于左上角的第二区域12的配向角与水平方向呈45°,位于左下角的第三区域13的配向角与水平方向呈135°角,而位于右下角的第四区域14的配向角与水平方向呈-135°角。
在显示装置显示画面时,每一像素单元的像素电极1以及公共电极通过边缘电场,对位于像素电极1上方的液晶分子施加电场力。在施加电场力之前,同一配向区域内的液晶分子的初始配向角度都相同。而在施加电场力之后,液晶分子就可以沿着对应区域的配向角发生倾倒,使得显示装置可以显示对应的图像。
但是,由于每一像素电极1区域对应形成四个配向区域,并且,这四个配向区域的配向角都不同。如图2所示,则在四个配向区域的交界处,液晶分子受到不同方向的配向角的影响,使得交界处的液晶分子无法正常偏转,形成暗纹区域。具体的,暗纹区域在显示装置显示白色画面时,亮度不够,形成黑色的暗纹;而在显示装置显示黑色画面时,暗纹区域的液晶分子由于无法正常偏转,导致暗纹区域漏光,影响了显示装置的显示效果。
进一步的,由于像素电极1与公共电极共同施加的边缘电场的作用力方向为由边缘向着像素电极1的内部。当像素电极1的作用方向与液晶分子的转动方向的夹角小于90°时,不会出现暗纹区域;而当像素电极1的作用方向与液晶分子的转动方向的夹角大于90°时,液晶分子的转动将导致暗纹区域的出现。因此,如图2所示,暗纹的中部为一十字形,按顺时针的方向,十字形的四端各延伸出一垂直的折线,该折线沿着像素电极的边缘延伸,长度为所延伸的对应边的边长的一半。
为了降低暗纹区域对像素单元的开口率的影响,本发明实施例中,具体的,如图3所示,每一像素单元包括像素电极1,像素电极1通常为方形。本发明实施例中,像素电极1的四周外侧均设置有导电结构2,各导电结构2与像素电极1连接。
显然,导电结构2的存在,可将边缘电场产生的暗纹区域向像素电极1区域外迁移,因此,如图4所示,边缘产生的暗纹区域外移出开口区,有利于提高像素单元的开口率,以提高显示装置对光的利用率,提高显示装置的显示效果。
具体的,根据图2所示的暗纹区域的分布情况可知,为了尽量多消除位于边缘处的暗纹区域,如图3所示,对于像素电极1的上侧边界,对应的导电结构2位于上侧边界的最右端;对于像素电极1的右侧边界,对应的导电结构2位于右侧边界的最下端;对于像素电极1的下侧边界,对应的导电结构2位于下侧边界的最左端;对于像素电极1的左侧边界,对应的导电结构2位于左侧边界的最上端。
同时,为了提高导电结构2对位于边缘处的暗纹区域的消除能力,导电结构可设置为条状,并且任一导电结构的长度,为其所对应的像素电极的边界的长度的一半。结合图2和图3可知,导电结构2的设置位置恰好与边缘处的暗纹区域的位置对应。
本发明实施例中,由于导电结构2位于像素电极1外侧,即导电结构2并不位于像素单元的开口区,因此,导电结构2不会影响像素单元的开口率。因此,导电结构2可采用不透明的金属制成。
当导电结构2采用不透明的金属制成时,为了进一步确保导电结构2不影响像素单元的开口率,位于像素电极1的左侧边界和右侧边界的导电结构2,为数据线遮蔽。类似的,位于像素电极1的上侧边界和下侧边界的导电结构2,为栅线遮蔽。
进一步的,各导电结构2的形状优选为条状。为条状的导电结构2有利于尽可能减小导电结构2与栅线或数据线形成的寄生电容的容值,减小导电结构2的设置带来的不利影响。
显然,各导电结构2也可采用透明导电材料制成。当各导电结构2采用透明导电材料制成时,各导电结构2可与像素电极1一体成型。如此,无需制备导电结构2专用的掩膜版,同时也无需为制备导电结构2增添一道曝光、刻蚀工艺,有利于降低设置有导电结构2的阵列基板的制备成本。
并且,每一次的曝光、刻蚀工艺中,由于需要更换掩膜版,或多或少会带来对位误差,影响成品的良品率。因此,与像素电极1一体成型的导电结构2还有利于保证成品的良品率,进而降低制备成本。
进一步的,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置不仅包括上述的阵列基板,还包括与阵列基板对盒的彩膜基板。该显示装置可为液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。
虽然本发明所公开的实施方式如上,但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员,在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下,可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化,但本发明的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括多个阵列排布的像素单元,每一像素单元包括像素电极,所述像素电极为方形,
其中,所述像素电极的四周外侧均设置有导电结构,各所述导电结构与所述像素电极连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
对于所述像素电极的上侧边界,对应的导电结构位于所述上侧边界的最右端;
对于所述像素电极的右侧边界,对应的导电结构位于所述右侧边界的最下端;
对于所述像素电极的下侧边界,对应的导电结构位于所述下侧边界的最左端;
对于所述像素电极的左侧边界,对应的导电结构位于所述左侧边界的最上端。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,各所述导电结构为条状。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,任一所述导电结构的长度,为其所对应的像素电极的边界的长度的一半。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,位于所述像素电极的左侧边界和右侧边界的导电结构,为数据线遮蔽。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,位于所述像素电极的上侧边界和下侧边界的导电结构,为栅线遮蔽。
7.根据权利要求1至6任一项所述的阵列基板,其特征在于,各所述导电结构为金属制成。
8.根据权利要求1至6任一项所述的阵列基板,其特征在于,各所述导电结构为透明导电材料制成。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,各所述导电结构与所述像素电极一体成型。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板及与所述阵列基板对盒的彩膜基板。
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